JPS603162B2 - カメラ等における電気シヤツタ装置 - Google Patents
カメラ等における電気シヤツタ装置Info
- Publication number
- JPS603162B2 JPS603162B2 JP51108020A JP10802076A JPS603162B2 JP S603162 B2 JPS603162 B2 JP S603162B2 JP 51108020 A JP51108020 A JP 51108020A JP 10802076 A JP10802076 A JP 10802076A JP S603162 B2 JPS603162 B2 JP S603162B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- transistor
- current
- emitter
- darlington connection
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Exposure Control For Cameras (AREA)
- Shutter-Related Mechanisms (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はカメラ等に用いる電気シャツタ回路特に亀流変
換回路に特徴を有するものである。
換回路に特徴を有するものである。
従釆のこの種電気シャツタ回路における電流変換回路は
その一例を第１図に示す如く、調定惜織出力部１からの
フィルム感光度値及び認定絞り値等に応じた電気信号出
力とフオトダィオードＳＢＣにより感知した被写界の明
るさに応じた電気信号出力とを頚９光演算回路Ａ，で演
算し、その総合出力を制御情報としてトランジスタＴ２
に与え、該トランジスタＴ２に前記情報に応じた鰭流ｌ
ｏが流れるようになし、このトランジスタＴ２のコレク
タ電流ｌｏをＰＮＰトランジスタＴ３，Ｔ４からなる電
流変換回路でもつて電流ｌｃに変換し、該電流ｌｃでも
つて積分コンデンサＣ，を充鰭するように構成し、タイ
ミングスイッチＳの開放による調時動作開始時から該コ
ンデンサＣＴの前記充電による端子間電圧が一定値まで
上昇した際に、これを感知してスイッチング回路Ａ２が
動作し、調時値決定時期を機械信号に変えるマグネット
Ｍを駆動するようになしてある。そこで、このような電
気シャツタ回路特に前記亀流変換回礎をＩＣ化しようと
する場合に、このような従来の電気シャツタ回路では、
ｌｑヒによるＰＮＰトランジスタに起因する次の欠点が
生じる。
その一例を第１図に示す如く、調定惜織出力部１からの
フィルム感光度値及び認定絞り値等に応じた電気信号出
力とフオトダィオードＳＢＣにより感知した被写界の明
るさに応じた電気信号出力とを頚９光演算回路Ａ，で演
算し、その総合出力を制御情報としてトランジスタＴ２
に与え、該トランジスタＴ２に前記情報に応じた鰭流ｌ
ｏが流れるようになし、このトランジスタＴ２のコレク
タ電流ｌｏをＰＮＰトランジスタＴ３，Ｔ４からなる電
流変換回路でもつて電流ｌｃに変換し、該電流ｌｃでも
つて積分コンデンサＣ，を充鰭するように構成し、タイ
ミングスイッチＳの開放による調時動作開始時から該コ
ンデンサＣＴの前記充電による端子間電圧が一定値まで
上昇した際に、これを感知してスイッチング回路Ａ２が
動作し、調時値決定時期を機械信号に変えるマグネット
Ｍを駆動するようになしてある。そこで、このような電
気シャツタ回路特に前記亀流変換回礎をＩＣ化しようと
する場合に、このような従来の電気シャツタ回路では、
ｌｑヒによるＰＮＰトランジスタに起因する次の欠点が
生じる。
即ち、先ずＰＮＰトランジスタはその電流増幅率（ェミ
ツタ接地）ｈｆｅが低い（第３図上特性曲線１，図示）
。
ツタ接地）ｈｆｅが低い（第３図上特性曲線１，図示）
。
その為に、電流１。の変換電流ｌｃにトランジスタＴ４
のベース電流による影響が生じ易い。今、ｌｏ＝１８３
十ｌｃ３十１８４…・・…・【１｝ＩＣ＝ｈｆｅ４０１
８４………‘２１そして、トランジスタＴ３とＬとの特
性が等しいとすれば、ｌｃ３＝ｌｃ，ＩＢ３；ＩＢ４，
ｈｆｅ３ニｈに４ ………糊であるから、前記｛１１式
は１。
のベース電流による影響が生じ易い。今、ｌｏ＝１８３
十ｌｃ３十１８４…・・…・【１｝ＩＣ＝ｈｆｅ４０１
８４………‘２１そして、トランジスタＴ３とＬとの特
性が等しいとすれば、ｌｃ３＝ｌｃ，ＩＢ３；ＩＢ４，
ｈｆｅ３ニｈに４ ………糊であるから、前記｛１１式
は１。
ｉ農＋１Ｃ十髭．．．．．．．．．‘４１となり、ｌｏ
ｈにＩＣ＝・十ｈ言ｅ＝ｈ席軒３２‐１０……
…｛５｝となる。
ｈにＩＣ＝・十ｈ言ｅ＝ｈ席軒３２‐１０……
…｛５｝となる。
そこで、変換電流ｌｃが電流ｌｏに比例するためには、
ｈ栓》２であることが必要であり、好ましくは電流変換
回路における変換素子のｈ笹が出来るだけ高いことが望
ましい。
ｈ栓》２であることが必要であり、好ましくは電流変換
回路における変換素子のｈ笹が出来るだけ高いことが望
ましい。
このことは、例えば調時値を１／２０００ｓｅｃからＳ
ｅｃ程度迄変化させたい場合に、電流ｌｃをｌｍＡから
１０仇Ａ程度変化させる必要があり、第３図上１，特性
曲線図示のＰＮＰトランジスタでは、ｌｃ：１０皿Ａで
はｈｆｅ＝１０であるので、ｈね前証５’式はｌｃ＝ｈ
柿；３２・ｌｏ＝０．８９ｏとなる。
ｅｃ程度迄変化させたい場合に、電流ｌｃをｌｍＡから
１０仇Ａ程度変化させる必要があり、第３図上１，特性
曲線図示のＰＮＰトランジスタでは、ｌｃ：１０皿Ａで
はｈｆｅ＝１０であるので、ｈね前証５’式はｌｃ＝ｈ
柿；３２・ｌｏ＝０．８９ｏとなる。
ｌｃ＝１００山Ａではｈｆｅ＝斑であるので、前記【５
｝式からｌｃ＝０．９７らとなり、電流ｌｏに比例して
変換電流ｌｃが変化しない。次に、ＰＮＰトランジス外
まコレクタ電流が大きくなるとｌｃ−ＶＢＥ特性の直線
性が陣われる（第３４図上点線図示部分）。図示の如く
、例えばｌｃ＝３０山Ａ程度で直線性が悪くなるために
、トランジスタＴ３とＴ４との特性がわずかに異なると
、電流が多くなるに従って電流ｌｏとｌｃとが比例しな
くなる。実際にはｌｃ＝ｌｍＡでは誤差が多くて実用３
に供し得なくなり、結果的に、この種トランジスタによ
る回路のＩＣ化は不可能となる。本発明の目的は前述し
た問題を解決することができるカメラ等における電気シ
ャツタ装置を提供することにある。
｝式からｌｃ＝０．９７らとなり、電流ｌｏに比例して
変換電流ｌｃが変化しない。次に、ＰＮＰトランジス外
まコレクタ電流が大きくなるとｌｃ−ＶＢＥ特性の直線
性が陣われる（第３４図上点線図示部分）。図示の如く
、例えばｌｃ＝３０山Ａ程度で直線性が悪くなるために
、トランジスタＴ３とＴ４との特性がわずかに異なると
、電流が多くなるに従って電流ｌｏとｌｃとが比例しな
くなる。実際にはｌｃ＝ｌｍＡでは誤差が多くて実用３
に供し得なくなり、結果的に、この種トランジスタによ
る回路のＩＣ化は不可能となる。本発明の目的は前述し
た問題を解決することができるカメラ等における電気シ
ャツタ装置を提供することにある。
夕前記目的を達成するために、
本発明によるカメラ等における電気シャツタ装置は、Ｎ
ＰＮトランジスタＴ４２のベースにＰＮＰトランジスタ
Ｔ３２のコレクタを接続した第１のダーリントン接続回
略と、前記ＰＮＰトランジスタＴ３２のベース・ェミッ
タ間に後続されたダイオード接続のトランジスタからな
る前記ダーリントン接続回路のバイアス回路Ｔ３１と、
脚光演算回磯〔Ｓ８ＣＡ，〕と、前記バイアス回路Ｔ３
１と直列に接続されカソードが前記トランジスタＴ４２
のェミツタに接続されているダイオードＴ４１と、前記
側光演算回路〔ＳＢＣへ〕の出力電圧がベースに接続さ
れコレクタから前記バイアス回路Ｔ３１と前記ダーリン
トン接続回路に被写体の明るさに応じたコレクタ電流ｌ
ｏを供給するＮＰＮトランジスタＴ２と、前記ダーリン
トン接続回路と同等な回路でＰＮＰトランジスタＴ３４
のベース・ェミッタが前記バイアス回路Ｔ３１に接続さ
れ、ＮＰＮトランジスタＴ４４のベースが前記ＰＮＰト
ランジスタＴ３４のコレクタに接続されている第２のダ
ーリントン接続回路と、前記ＮＰＮトランジスタＴ４４
のェミッ夕と前記ＮＰＮトランジスタＴ２のェミッタ間
に接続されている積分コンデンサＣＴとからなり、前記
積分コンデンサＣＴに前記電流ｌｏに比例した充電電流
ｌｃを供Ｖ給するように構成されている。前記構成によ
れば、被写体の明るさに応じた電流は、直線性の良いＮ
ＰＮトランジスタに供給される。そしてＮＰＮトランジ
スタのコレクタを前記ＮＰＮトランジスタのベースに接
続することによって直線性は改善される。被写体の明る
さに応じた電流をＰＮＰトランジスタによって流すとＰ
ＮＰトランジスタはｈ笹が低いため直線性が損なわれる
と言う問題は完全に解決できる。
本発明によるカメラ等における電気シャツタ装置は、Ｎ
ＰＮトランジスタＴ４２のベースにＰＮＰトランジスタ
Ｔ３２のコレクタを接続した第１のダーリントン接続回
略と、前記ＰＮＰトランジスタＴ３２のベース・ェミッ
タ間に後続されたダイオード接続のトランジスタからな
る前記ダーリントン接続回路のバイアス回路Ｔ３１と、
脚光演算回磯〔Ｓ８ＣＡ，〕と、前記バイアス回路Ｔ３
１と直列に接続されカソードが前記トランジスタＴ４２
のェミツタに接続されているダイオードＴ４１と、前記
側光演算回路〔ＳＢＣへ〕の出力電圧がベースに接続さ
れコレクタから前記バイアス回路Ｔ３１と前記ダーリン
トン接続回路に被写体の明るさに応じたコレクタ電流ｌ
ｏを供給するＮＰＮトランジスタＴ２と、前記ダーリン
トン接続回路と同等な回路でＰＮＰトランジスタＴ３４
のベース・ェミッタが前記バイアス回路Ｔ３１に接続さ
れ、ＮＰＮトランジスタＴ４４のベースが前記ＰＮＰト
ランジスタＴ３４のコレクタに接続されている第２のダ
ーリントン接続回路と、前記ＮＰＮトランジスタＴ４４
のェミッ夕と前記ＮＰＮトランジスタＴ２のェミッタ間
に接続されている積分コンデンサＣＴとからなり、前記
積分コンデンサＣＴに前記電流ｌｏに比例した充電電流
ｌｃを供Ｖ給するように構成されている。前記構成によ
れば、被写体の明るさに応じた電流は、直線性の良いＮ
ＰＮトランジスタに供給される。そしてＮＰＮトランジ
スタのコレクタを前記ＮＰＮトランジスタのベースに接
続することによって直線性は改善される。被写体の明る
さに応じた電流をＰＮＰトランジスタによって流すとＰ
ＮＰトランジスタはｈ笹が低いため直線性が損なわれる
と言う問題は完全に解決できる。
以下図示の実施例に付いて詳述する。
第２図示の本発明装置の実施回路において、従来の第１
図示回路と共通な回路素子及び機能部には夫々同一記号
を附してあり、その他、制御情報に応じた電流１。
図示回路と共通な回路素子及び機能部には夫々同一記号
を附してあり、その他、制御情報に応じた電流１。
を流す回路を、ダイオード接続のトランジスタＴ３１と
ダイオードＴ４１との直結回路とＰＮＰトランジスタＴ
３２及びＮＰＮトランジスタＴ４２のダーリントン接続
回路であって前記直結回路の中点から制御入力を受ける
回路とによって構成してあり、他方、変換電流ｌｃを流
す回路ＰＮＰトランジスタＴ３３及びＮＰＮトランジス
タＴ４３からなるダーリントン接続回路とＰＮＰトラン
ジスタＴ３４及びＮＰＮトランジスタＴ４４からなるダ
ーリントン接続回路とを並列嬢続した構成であって共に
前記中点からの制御入力を受けるように構成してある。
このような構成よりなる本発明装置では、その作動時に
、制御情報に応じた電流ｌｏは１０＝１Ｃ４２十１Ｃ３
２十１８３２十ＩＣ３１十１８３１・…．・．・・【６
１又、変換電流ｌｃは １Ｃニ１Ｃ４４十１Ｃ３４十１Ｃ４３十ＩＣ３３ ．
．．．．．．．．■となり、ＰＮＰトランジスタの特性
が互に等しく、同じくＮＰＮトランジスタの特性が互に
等しいとすれば、ｈｆｅ４２＝ｈｆｅ４３＝ｈ企４４己
ｈｆｅ４ 相当ｌｃ３・＝ｌｃ３２＝ｌｃ３３コｌｃ３
４…ｌｃ８ 相当 …【１脚＝１８３２；ＩＢ３３：
ＩＢ３４三１Ｂ３相当＝憲ノ１Ｃ４２＝１Ｃ４３：１Ｃ
４４三ＩＣ４相当号又、，Ｃ３＝憲・・側 となるから、【６’，‘７’，‘８’，■式より、ｌｃ
＝２（ｌｃ３十ｌｃ４）＝２１。
ダイオードＴ４１との直結回路とＰＮＰトランジスタＴ
３２及びＮＰＮトランジスタＴ４２のダーリントン接続
回路であって前記直結回路の中点から制御入力を受ける
回路とによって構成してあり、他方、変換電流ｌｃを流
す回路ＰＮＰトランジスタＴ３３及びＮＰＮトランジス
タＴ４３からなるダーリントン接続回路とＰＮＰトラン
ジスタＴ３４及びＮＰＮトランジスタＴ４４からなるダ
ーリントン接続回路とを並列嬢続した構成であって共に
前記中点からの制御入力を受けるように構成してある。
このような構成よりなる本発明装置では、その作動時に
、制御情報に応じた電流ｌｏは１０＝１Ｃ４２十１Ｃ３
２十１８３２十ＩＣ３１十１８３１・…．・．・・【６
１又、変換電流ｌｃは １Ｃニ１Ｃ４４十１Ｃ３４十１Ｃ４３十ＩＣ３３ ．
．．．．．．．．■となり、ＰＮＰトランジスタの特性
が互に等しく、同じくＮＰＮトランジスタの特性が互に
等しいとすれば、ｈｆｅ４２＝ｈｆｅ４３＝ｈ企４４己
ｈｆｅ４ 相当ｌｃ３・＝ｌｃ３２＝ｌｃ３３コｌｃ３
４…ｌｃ８ 相当 …【１脚＝１８３２；ＩＢ３３：
ＩＢ３４三１Ｂ３相当＝憲ノ１Ｃ４２＝１Ｃ４３：１Ｃ
４４三ＩＣ４相当号又、，Ｃ３＝憲・・側 となるから、【６’，‘７’，‘８’，■式より、ｌｃ
＝２（ｌｃ３十ｌｃ４）＝２１。
・〔（ｌｃ４十ｌｃ３ ）／くＩＣ４十２１Ｃ３十２１
＆）〕＝２Ｌ・〔（ｈ艦十１）／（ｈｆｅ４十２十２／
ｈｆｅ３）〕 ・・・・・・・・・ＯＵよって、ｈ
ｆｅ４＞＞２であるならばｌｃはｌｏに比例する。例え
ば、ｌｃ＝１０仇ＡではＮＰＮトランジスタのｈｆｅ＝
７０であるので（第３図上特性曲線１２図示）、前記（
１１）式はｌｃ＝０．９７２×ｌｏｌｃ＝１００ムＡで
はｈｆｅ４＝１７０であるので、前記（１１）式より１
。
＆）〕＝２Ｌ・〔（ｈ艦十１）／（ｈｆｅ４十２十２／
ｈｆｅ３）〕 ・・・・・・・・・ＯＵよって、ｈ
ｆｅ４＞＞２であるならばｌｃはｌｏに比例する。例え
ば、ｌｃ＝１０仇ＡではＮＰＮトランジスタのｈｆｅ＝
７０であるので（第３図上特性曲線１２図示）、前記（
１１）式はｌｃ＝０．９７２×ｌｏｌｃ＝１００ムＡで
はｈｆｅ４＝１７０であるので、前記（１１）式より１
。
＝０．受粉×２Ｌであって、これは前記従来装置におけ
る鰭流ｌｏとｌｃとの関係に比べて、本発明装置におけ
る母流ｌｏとｌｃとの比例関係が大いに改善されたこと
が判かる。
る鰭流ｌｏとｌｃとの関係に比べて、本発明装置におけ
る母流ｌｏとｌｃとの比例関係が大いに改善されたこと
が判かる。
又、ＰＮＰトランジスタＴ１３，Ｔ３２．Ｔ３３及びＴ
３４に流れる電流は従来装置において毒讐相当であるの
で・ＩＣ＝１Ｍの技大軍流時でもＰＮＰトランジス外こ
流れる電流はｈｆｅ４＝２００（ａｔｌｃ４＝５００山
Ａ）として、ｌｃ３＝２．５ムＡ相当であり、その結果
、本発明菱直における前記ＰＮＰトランジス外こは比較
的小電流が流れるので、この小電流域では第４図に示す
如くそのＶＢ８−ｌｃ特性の直線性を保っている範囲で
あるので、従釆装置におけるＰＮＰトランジスタにおけ
る前記特性の非直線的による電流ｌｏとｌｃとの比例関
係の乱れを、本発明装置では改善し得た。
３４に流れる電流は従来装置において毒讐相当であるの
で・ＩＣ＝１Ｍの技大軍流時でもＰＮＰトランジス外こ
流れる電流はｈｆｅ４＝２００（ａｔｌｃ４＝５００山
Ａ）として、ｌｃ３＝２．５ムＡ相当であり、その結果
、本発明菱直における前記ＰＮＰトランジス外こは比較
的小電流が流れるので、この小電流域では第４図に示す
如くそのＶＢ８−ｌｃ特性の直線性を保っている範囲で
あるので、従釆装置におけるＰＮＰトランジスタにおけ
る前記特性の非直線的による電流ｌｏとｌｃとの比例関
係の乱れを、本発明装置では改善し得た。
このように本発頚装置は従来装直における電流変換回路
の変換特性を極めて良く改善することが出釆、この回路
のＩＣ化に充分に供し縛るものであり、しかも変換電流
回路に負荷抵抗Ｒを挿入することによって変換電流を容
易に検出することが出来て、電流制限部への附設を容易
に行うことの出釆る副次的効果をも有するものである。
の変換特性を極めて良く改善することが出釆、この回路
のＩＣ化に充分に供し縛るものであり、しかも変換電流
回路に負荷抵抗Ｒを挿入することによって変換電流を容
易に検出することが出来て、電流制限部への附設を容易
に行うことの出釆る副次的効果をも有するものである。
図面の簡単な説明第１図は従来の電気シャツタ回路にお
ける電流変換回路の一例を示す回路図、第２図は本発明
袋鷹の実施例を示す回路図、第３図はＰＮＰ及びＮＰＮ
トランジスタのｈ笹特性図、第４図はＰＮＰ及びＮＰＮ
トランジスタのＶＢ耳一１ｃ特性図である。
ける電流変換回路の一例を示す回路図、第２図は本発明
袋鷹の実施例を示す回路図、第３図はＰＮＰ及びＮＰＮ
トランジスタのｈ笹特性図、第４図はＰＮＰ及びＮＰＮ
トランジスタのＶＢ耳一１ｃ特性図である。
Ｔ，〜４４・・・・・・トランジスタ又はダイオード、
ＳＢＣ・・・・・・フオトダィオード、ＣＴ・・・・・
・時定用のコンデンサ、Ｒ……負荷抵抗、ん……洩り光
演算回路、Ａ２・”…スイッチング回略、Ｍ……マグネ
ット、１。・・・・・・制御情報に応じた電流、ｌｃ・
…・・変換電流。第１図 第２図 第３図 第４図
ＳＢＣ・・・・・・フオトダィオード、ＣＴ・・・・・
・時定用のコンデンサ、Ｒ……負荷抵抗、ん……洩り光
演算回路、Ａ２・”…スイッチング回略、Ｍ……マグネ
ット、１。・・・・・・制御情報に応じた電流、ｌｃ・
…・・変換電流。第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＮＰＮトランジスタＴ４２のベースにＰＮＰトラン
ジスタＴ３２のコレクタを接続した第１のダーリントン
接続回路と、前記ＰＮＰトランジスタＴ３２のベース・
エミツタ間に接続されたダイオード接続のトランジスタ
からなる前記ダーリントン接続回路のバイアス回路Ｔ３
１と、測光演算回路〔ＳＢＣＡ＿１〕と、前記バイアス
回路Ｔ３１と直列に接続されカソードが前記トランジス
タＴ４２のエミツタに接続されているダイオードＴ４１
と、前記測光演算回路〔ＳＢＣＡ＿１〕の出力電圧がベ
ースに接続されコレクタから前記バイアス回路Ｔ３１と
前記ダーリントン接続回路に被写体の明るさに応じたコ
レクタ電流Ｉ＿ｏを供給するＮＰＮトランジスタＴ＿２
と、前記ダーリントン接続回路と同等な回路でＰＮＰト
ランジスタＴ３４のベース・エミツタが前記バイアス回
路Ｔ３１に接続され、ＮＰＮトランジスタＴ４４のベー
スが前記ＰＮＰトランジスタＴ３４のコレクタに接続さ
れている第２のダーリントン接続回路と、前記ＮＰＮト
ランジスタＴ４４のエミツタと前記ＮＰＮトランジスタ
Ｔ＿２のエミツタ間に接続されている積分コンデンサＣ
Ｔとからなり、前記積分コンデンサＣＴに前記電流Ｉ＿
ｏに比例した充電電流Ｉ＿ｃを供給するように構成した
カメラ等における電気シヤツタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51108020A JPS603162B2 (ja) | 1976-09-09 | 1976-09-09 | カメラ等における電気シヤツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51108020A JPS603162B2 (ja) | 1976-09-09 | 1976-09-09 | カメラ等における電気シヤツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5333122A JPS5333122A (en) | 1978-03-28 |
| JPS603162B2 true JPS603162B2 (ja) | 1985-01-26 |
Family
ID=14473932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51108020A Expired JPS603162B2 (ja) | 1976-09-09 | 1976-09-09 | カメラ等における電気シヤツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603162B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0369568U (ja) * | 1989-11-13 | 1991-07-10 |
-
1976
- 1976-09-09 JP JP51108020A patent/JPS603162B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0369568U (ja) * | 1989-11-13 | 1991-07-10 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5333122A (en) | 1978-03-28 |
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