JPS6032145A - 半導体レ−ザ駆動回路 - Google Patents
半導体レ−ザ駆動回路Info
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- JPS6032145A JPS6032145A JP58141278A JP14127883A JPS6032145A JP S6032145 A JPS6032145 A JP S6032145A JP 58141278 A JP58141278 A JP 58141278A JP 14127883 A JP14127883 A JP 14127883A JP S6032145 A JPS6032145 A JP S6032145A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06832—Stabilising during amplitude modulation
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- Electromagnetism (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、光源として半導体レーザを用いた光情報記録
再生装置における半導体レーザ駆動回路に関する。
再生装置における半導体レーザ駆動回路に関する。
従来技術
第１図は光情報記録再生装置における光ピツクアップの
一般的な溝成を示すもので、記録時には半導体レーザ駆
動回路１２により記録パルスＰに応じて半導体レーザ１
の駆’ｔｌｒｋなして、その半導体レーザ１から出射さ
れたレーザビームがコリメータレンズ２で平行光にされ
たのち偏光ビームスプリッタ３で反射され、１／４波長
板４を泄っ℃直線偏光から円偏光になり、対物レンズ５
によりディスク７面の光記録媒体６に集光されてピット
形成による記録を行なう。また再生時には、半導体レー
ザ駆動回路１２にエリ半導体レーザ１の出力を弱めたう
えで前記光栄系全通してレーザビームをディスク７面上
に集光させ、そのときのディスク７面からのＩｉ射骨を
１７４波存層４を、山中ｒμｆより照射時とは９０″位
相のずれた直線偏光とし、その直線偏光を検出すること
によって再生情報を得る工５にしている。また、その直
線偏光はビームスプリッタ３を通過し、レンズ８全通し
てノ１−フミラー９でフォーカスサーボ用検出器１１お
よｉトラッキングサーボ用検出器１０にそれぞれ導かれ
、それにより各サーボ検出がなされるよ５になっている
・ このような光情報記録再生装置にあって、記録情報はデ
ジタル信号系列の形でディスク７に記録される。そのた
め半導体レーザ１のレーザビーム出力は記録パルスＰに
応じてほぼ２値的に変化し、しかも記録パルスが与えら
れていないときにもフォーカスおよびトラック検出を行
なうための再生時と同じく出力の弱いレーザビームが出
射されていなければならない、記録時におけるレーザ光
出力は再生時のそれに比較して約１０倍にもなり、ディ
スク７上の情報は光記録媒体６を記録時の強いビームで
溶融除去させることにより凹凸状のピットとして記録さ
れる。そのときの様子ｔ−第２図に示している。図中１
）１は記録レベルｔ”、、ｐｚは再生レベルをそれぞれ
示しており、ｐｌはｐｚの約１０倍に設定されている。
一般的な溝成を示すもので、記録時には半導体レーザ駆
動回路１２により記録パルスＰに応じて半導体レーザ１
の駆’ｔｌｒｋなして、その半導体レーザ１から出射さ
れたレーザビームがコリメータレンズ２で平行光にされ
たのち偏光ビームスプリッタ３で反射され、１／４波長
板４を泄っ℃直線偏光から円偏光になり、対物レンズ５
によりディスク７面の光記録媒体６に集光されてピット
形成による記録を行なう。また再生時には、半導体レー
ザ駆動回路１２にエリ半導体レーザ１の出力を弱めたう
えで前記光栄系全通してレーザビームをディスク７面上
に集光させ、そのときのディスク７面からのＩｉ射骨を
１７４波存層４を、山中ｒμｆより照射時とは９０″位
相のずれた直線偏光とし、その直線偏光を検出すること
によって再生情報を得る工５にしている。また、その直
線偏光はビームスプリッタ３を通過し、レンズ８全通し
てノ１−フミラー９でフォーカスサーボ用検出器１１お
よｉトラッキングサーボ用検出器１０にそれぞれ導かれ
、それにより各サーボ検出がなされるよ５になっている
・ このような光情報記録再生装置にあって、記録情報はデ
ジタル信号系列の形でディスク７に記録される。そのた
め半導体レーザ１のレーザビーム出力は記録パルスＰに
応じてほぼ２値的に変化し、しかも記録パルスが与えら
れていないときにもフォーカスおよびトラック検出を行
なうための再生時と同じく出力の弱いレーザビームが出
射されていなければならない、記録時におけるレーザ光
出力は再生時のそれに比較して約１０倍にもなり、ディ
スク７上の情報は光記録媒体６を記録時の強いビームで
溶融除去させることにより凹凸状のピットとして記録さ
れる。そのときの様子ｔ−第２図に示している。図中１
）１は記録レベルｔ”、、ｐｚは再生レベルをそれぞれ
示しており、ｐｌはｐｚの約１０倍に設定されている。
従来、このような光情報記録再生装置における半導体レ
ーザ１の駆動を行なわせる場合、記録動作中のレーザ出
力全記録パルス照射時以外は再生レベルに保持させるよ
うにしている（第２図参照）。
ーザ１の駆動を行なわせる場合、記録動作中のレーザ出
力全記録パルス照射時以外は再生レベルに保持させるよ
うにしている（第２図参照）。
しかしこのような手段をとると、第３図に示す工５に、
半導体レーザ１の微分員子効率が温度によって変化した
場合、電流−光出力ＩＦ￥性の傾きが変わることがあり
、そのため記録パルス照射時における半導体レーザ１の
光出力が変動してしまうことになり、正しい形状のピッ
ト全形成することができなくなってしまう、すなわち、
第３図において、光出力に応じてＩＩ、Ｉ２．Ｉ３の値
を制御し、かつ制御パルスの振幅Ａ全一定にしても、温
度Ｔ２の場合における記録パルス照射時の光出力レベル
が’ｒｏ、’ｒ、の場合に比してｐｚからｐ’ｔに低下
してしまうことＶＣなる。
半導体レーザ１の微分員子効率が温度によって変化した
場合、電流−光出力ＩＦ￥性の傾きが変わることがあり
、そのため記録パルス照射時における半導体レーザ１の
光出力が変動してしまうことになり、正しい形状のピッ
ト全形成することができなくなってしまう、すなわち、
第３図において、光出力に応じてＩＩ、Ｉ２．Ｉ３の値
を制御し、かつ制御パルスの振幅Ａ全一定にしても、温
度Ｔ２の場合における記録パルス照射時の光出力レベル
が’ｒｏ、’ｒ、の場合に比してｐｚからｐ’ｔに低下
してしまうことＶＣなる。
目的
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、半導体レ
ーザの温度による電流−光出力特性の変動の影響を受け
ることなく、常に安定した情報記録を精度良く行なわせ
ることができるようにした光情報記録再生装置における
半導体レーザ駆動回路を堤供するものである。
ーザの温度による電流−光出力特性の変動の影響を受け
ることなく、常に安定した情報記録を精度良く行なわせ
ることができるようにした光情報記録再生装置における
半導体レーザ駆動回路を堤供するものである。
構成
以下、添付図面を参照して本発明の一実施例について詳
述する。
述する。
本発明による半導体レーザ駆動回路にあっては、第４図
に示すように、半導体レーザ１に近接して設けられてそ
の出射光の強度を検出するホトディテクタ１３と、記録
パルスＰの立下りで動作する単安定マルチバイブレータ
１４および同じ（その立上りで動作する単安定マルチバ
イブレータ１５の各出カケそれぞれサンプリングパルス
として、ホトディテクタ１３の出力をサンプルホールド
するサンプルホールド回路１６．１７と、それら各サン
プルホールド出力の電圧１１１！ＶＦ１ｘ＊ Ｖｓｚ
ｋ基準設定値ＶｒｅｆｔＶｒｅｆｚとそれぞれ比較する
比較器１８．１９と、比紋器１８の出力にもとづいて記
録パルス照射時以外に半導体レーザ１の光出力を一定の
再生レベルに保持させるべく設けられた電流制御用トラ
ンジスタＴ’ｒｓ と、記録パルスＰに応じて半導体レ
ーザ１を駆動する変調用のスイッチングトランジスタＴ
ｒ３ と直列に設けられた定電流回路２０と、前記比較
器１９の出力にもとづいて記録パルス照射時に半導体レ
ーザ１の光出力を一定の記録し境ルに保持させるべく定
電流回路２０における電流制御をなす電流制御用トラン
ジスタ’Ｉ’ｒｚとによって構成すれている。
に示すように、半導体レーザ１に近接して設けられてそ
の出射光の強度を検出するホトディテクタ１３と、記録
パルスＰの立下りで動作する単安定マルチバイブレータ
１４および同じ（その立上りで動作する単安定マルチバ
イブレータ１５の各出カケそれぞれサンプリングパルス
として、ホトディテクタ１３の出力をサンプルホールド
するサンプルホールド回路１６．１７と、それら各サン
プルホールド出力の電圧１１１！ＶＦ１ｘ＊ Ｖｓｚ
ｋ基準設定値ＶｒｅｆｔＶｒｅｆｚとそれぞれ比較する
比較器１８．１９と、比紋器１８の出力にもとづいて記
録パルス照射時以外に半導体レーザ１の光出力を一定の
再生レベルに保持させるべく設けられた電流制御用トラ
ンジスタＴ’ｒｓ と、記録パルスＰに応じて半導体レ
ーザ１を駆動する変調用のスイッチングトランジスタＴ
ｒ３ と直列に設けられた定電流回路２０と、前記比較
器１９の出力にもとづいて記録パルス照射時に半導体レ
ーザ１の光出力を一定の記録し境ルに保持させるべく定
電流回路２０における電流制御をなす電流制御用トラン
ジスタ’Ｉ’ｒｚとによって構成すれている。
このように構成された本発明による半導体レーザ駆動回
路の動作について、以下説明をする。
路の動作について、以下説明をする。
ホトディテクタ１３の検出出力ａがサンプルホールド回
路１６．１７にそれぞれ与えられ、そこで記録パルスＰ
の立下り、立上りにそれぞれ同期したサンプリングパル
ス（ｌｂ＊ｃｉｃエリサンプルホールドされる。しかし
て、サンプルホールド回路１６の出力ｄは記録パルス照
射時以外すなわち再生レベルにある半導体レーザ１の光
出力の変動を示し、またサンプルホールド回路１７の出
力ｅは記録パルス照射時における半導体レーザ１の光出
力の変動を示している。第５図に、各部１８号のタイム
チャートを示している。
路１６．１７にそれぞれ与えられ、そこで記録パルスＰ
の立下り、立上りにそれぞれ同期したサンプリングパル
ス（ｌｂ＊ｃｉｃエリサンプルホールドされる。しかし
て、サンプルホールド回路１６の出力ｄは記録パルス照
射時以外すなわち再生レベルにある半導体レーザ１の光
出力の変動を示し、またサンプルホールド回路１７の出
力ｅは記録パルス照射時における半導体レーザ１の光出
力の変動を示している。第５図に、各部１８号のタイム
チャートを示している。
まず、記録パルス照射時以外における半導体レーザ１の
光出力を一定の再生レベルに保持させる際のｒＪＩ＋作
について説明する。
光出力を一定の再生レベルに保持させる際のｒＪＩ＋作
について説明する。
すなわち、サンプルホールド回路１６の出力ｄ（電圧値
ＶＳＩ ）が比較器１Ｂに与えられ、そこで再生レベル
に応じて設定された基準匝Ｖｒｅｆｓ と比較され、そ
の差出力ｖ１に応じて電流制御開用トランジスタ１’
ｒ １が適宜駆動される。その際、′電流制御用トラン
ジスタＴｒｒは次式に裏って与えられるｉｌを半導体レ
ーザＩＶＣ供給するＪ：５に一動作する。
ＶＳＩ ）が比較器１Ｂに与えられ、そこで再生レベル
に応じて設定された基準匝Ｖｒｅｆｓ と比較され、そ
の差出力ｖ１に応じて電流制御開用トランジスタ１’
ｒ １が適宜駆動される。その際、′電流制御用トラン
ジスタＴｒｒは次式に裏って与えられるｉｌを半導体レ
ーザＩＶＣ供給するＪ：５に一動作する。
Ｒ。
いま第６図に示すように、温度Ｔ１からＴ２になるよう
に電流−光出力特性が変化したとすると、当初のＩＭ、
流に対する光出力がｐｔ （再生レベルとなる）からｐ
′ｌに増加しよりとする。そのためサンプルホールド回
路１６の出力ｄの電圧ＶＳＩが第５図に示すように増加
しようとするが、その際比較器１８においてその電圧Ｖ
Ｓｔと基準電圧Ｖｒｅｆｔ とが等しくなるように負帰
還がかかつているので、比較器＋８ノ出力ｖｌがＶａｔ
＝ＶｒｅｆｘにＩＬるまで低下することになる。しか
してＩＩＩ記（１）式の関係から、電流ｉ１は第６図に
おける１′１ まで減少して光出力がｐｓ となるよう
に制御される。すなわら、電流−光出力特性が変化して
も半導体レーザ１の記録パルス照射時以外の光出力は常
に一足の再生レベルｐに保持されることになる・ 次に、記録パルス照射時に半導体レーザ１の光出力を一
定の記録レベルに保持させる際の動作について説明する
・ すなわち、サンプルホールド回路１７の出力ｅ（電圧値
ｖ８２）が比較器１９に与えられ、そこで記録レベルに
応じて設定された基ｌｌＡｌ１ｉ−Ｖｒｅｆ２ と比較
され、その差出力ｖ２に応じて屯流制ｒＭｌ用トランジ
スタＴｒ２が適宜駆動される。その際、′ｔＫ流１１ｉ
１１１１１ｔｌ用トランジスタＴｒ２は次式によって与
えられる市流’＋ｆ定電流回路２ｏにおける一方のトラ
ンジスタＴｒ６に供給する。
に電流−光出力特性が変化したとすると、当初のＩＭ、
流に対する光出力がｐｔ （再生レベルとなる）からｐ
′ｌに増加しよりとする。そのためサンプルホールド回
路１６の出力ｄの電圧ＶＳＩが第５図に示すように増加
しようとするが、その際比較器１８においてその電圧Ｖ
Ｓｔと基準電圧Ｖｒｅｆｔ とが等しくなるように負帰
還がかかつているので、比較器＋８ノ出力ｖｌがＶａｔ
＝ＶｒｅｆｘにＩＬるまで低下することになる。しか
してＩＩＩ記（１）式の関係から、電流ｉ１は第６図に
おける１′１ まで減少して光出力がｐｓ となるよう
に制御される。すなわら、電流−光出力特性が変化して
も半導体レーザ１の記録パルス照射時以外の光出力は常
に一足の再生レベルｐに保持されることになる・ 次に、記録パルス照射時に半導体レーザ１の光出力を一
定の記録レベルに保持させる際の動作について説明する
・ すなわち、サンプルホールド回路１７の出力ｅ（電圧値
ｖ８２）が比較器１９に与えられ、そこで記録レベルに
応じて設定された基ｌｌＡｌ１ｉ−Ｖｒｅｆ２ と比較
され、その差出力ｖ２に応じて屯流制ｒＭｌ用トランジ
スタＴｒ２が適宜駆動される。その際、′ｔＫ流１１ｉ
１１１１１ｔｌ用トランジスタＴｒ２は次式によって与
えられる市流’＋ｆ定電流回路２ｏにおける一方のトラ
ンジスタＴｒ６に供給する。
２
このとき変調用のスイッチングトランジスタＴｒ３がオ
ンになっているので、鼠間流回路２０における他方のト
ランジスタ’Ｉ’ｒｓが半導体レーザ１に電流１２を供
給するように動作する。したがって、半いま第６図に示
すように、温度がＴ１がらＴ２ｖｃＫ化すると、前述の
場合と全く回を子にして比較器１８ノ出力ｖ１がＶＥｌ
ｌ ＝’Ｖｒｅｆｔ Ｋ１１ルまで１氏下するとともＶ
（、比’ｉｆｆ器ｔ９の出力ｖ２がｖ８２ ＝Ｖｒｅｆ
ｚになるまで低下し、それに↓すｎｉＪ Ｆｆｅ （１
）ｖ （２）式の関係から半導体レーザ１に供給される
１圧流ｉ３は第６図における凰′３まで減少して光出力
が帛に記録レベルｐ２になるように保持される。
ンになっているので、鼠間流回路２０における他方のト
ランジスタ’Ｉ’ｒｓが半導体レーザ１に電流１２を供
給するように動作する。したがって、半いま第６図に示
すように、温度がＴ１がらＴ２ｖｃＫ化すると、前述の
場合と全く回を子にして比較器１８ノ出力ｖ１がＶＥｌ
ｌ ＝’Ｖｒｅｆｔ Ｋ１１ルまで１氏下するとともＶ
（、比’ｉｆｆ器ｔ９の出力ｖ２がｖ８２ ＝Ｖｒｅｆ
ｚになるまで低下し、それに↓すｎｉＪ Ｆｆｅ （１
）ｖ （２）式の関係から半導体レーザ１に供給される
１圧流ｉ３は第６図における凰′３まで減少して光出力
が帛に記録レベルｐ２になるように保持される。
また、記録パルス照射時以外ＶＣはスイッチングトラン
ジスタＴｒ３がオフするので、軍主流回路２゜のトラン
ジスタＴｒ５には他方のスイッチングトランジスタＴｒ
４が？Ｉ！流１流管２給するようになり、半導体レーザ
１には電流ｊｘＬか供給されなくなる。
ジスタＴｒ３がオフするので、軍主流回路２゜のトラン
ジスタＴｒ５には他方のスイッチングトランジスタＴｒ
４が？Ｉ！流１流管２給するようになり、半導体レーザ
１には電流ｊｘＬか供給されなくなる。
１、Ｃお、以上の説明では光ディスクにおけろ情報の記
録、再生を行なわせる場合について述べたが、本発明に
あっては、その他レーザビームの強弱で情報の記録をな
すものにおいて広く適用することができることはいうま
でもない。′ｆ、１こ、ホトディテクタの出力をサンプ
ルホールドする手段についても、要は記録パルス照射時
と再生レベル時の各半導体レーザの光出力をそれぞれ倹
ｔＬｌできればよいのであって、それ以外に例えばピー
クボールド回路を用いるエラにしてもよい。
録、再生を行なわせる場合について述べたが、本発明に
あっては、その他レーザビームの強弱で情報の記録をな
すものにおいて広く適用することができることはいうま
でもない。′ｆ、１こ、ホトディテクタの出力をサンプ
ルホールドする手段についても、要は記録パルス照射時
と再生レベル時の各半導体レーザの光出力をそれぞれ倹
ｔＬｌできればよいのであって、それ以外に例えばピー
クボールド回路を用いるエラにしてもよい。
効果
以上、本発明による半纏体レーザ駆動回・烙Ｖこあって
は、半導体レーザの出射光の強度ｋ ｔｒＱ出するホト
ディテクタと、そのホトディテクタＱ回出出力にもとづ
いて弱レベルにある半導体レーザ出力をホールドさせる
第１の手段と、同じく強レベルにある半導体レーザ出力
をホールドさせる第２の手段と、その第１の手段のホー
ルド出力と弱レベルの、ｌ占弗ＩＩ道との比中交をなす
第１の比較器と、その第２の手段のホールド出力と強レ
ベルの基準イ直との比較をなす第２の比較器と、第１の
比較器の差出力が零になるように半導体レーザにＡＵｆ
Ａｆ、を供給する第１の電流制伺手段と、記録パルスに
応じて半導体レーザを駆動する変調素子と直列に設けら
れた冗′屯流回路と、前記第２の比較器の差出力が零に
なるように定電流回路の屯流制ｒｉｌｌｌをなす第２の
屯流制で同手段とによって（み成されたもので、記（Ｃ
歇ルＩＪ作時におけろ半導体レーザの強９弱の光出力レ
ベルを温度変化などによる半導体レーザの電流−光出力
時１主の変動（特に傾きの変動）の影響１受けることな
く常に一定に保持さ−ビることができ、元ｉ−Ｍ報記録
再生装置にあって安定した記録、再生を行なわせること
ができるとい５泄れた利点を有している。
は、半導体レーザの出射光の強度ｋ ｔｒＱ出するホト
ディテクタと、そのホトディテクタＱ回出出力にもとづ
いて弱レベルにある半導体レーザ出力をホールドさせる
第１の手段と、同じく強レベルにある半導体レーザ出力
をホールドさせる第２の手段と、その第１の手段のホー
ルド出力と弱レベルの、ｌ占弗ＩＩ道との比中交をなす
第１の比較器と、その第２の手段のホールド出力と強レ
ベルの基準イ直との比較をなす第２の比較器と、第１の
比較器の差出力が零になるように半導体レーザにＡＵｆ
Ａｆ、を供給する第１の電流制伺手段と、記録パルスに
応じて半導体レーザを駆動する変調素子と直列に設けら
れた冗′屯流回路と、前記第２の比較器の差出力が零に
なるように定電流回路の屯流制ｒｉｌｌｌをなす第２の
屯流制で同手段とによって（み成されたもので、記（Ｃ
歇ルＩＪ作時におけろ半導体レーザの強９弱の光出力レ
ベルを温度変化などによる半導体レーザの電流−光出力
時１主の変動（特に傾きの変動）の影響１受けることな
く常に一定に保持さ−ビることができ、元ｉ−Ｍ報記録
再生装置にあって安定した記録、再生を行なわせること
ができるとい５泄れた利点を有している。
第１図は一般的な光情報記録再生装置における元ピック
アップの構成を示す図、第２図は記号時における半導体
レーザの光出力およびディスク而における記録状態を示
す図、第３図は従来の半導体レーザ駆動の場合における
電流−光出力特性を示す図、第４図は本発明による半導
体レーザ駆動回路の一実施例を示す電気的結線図、第５
図は同実施例における各部信号のタイムチャート、第６
図は同実施例の場合における電流−）ｆ：、出力特性を
示す図である。 １・・・半導体レーザ １３・・・ホトディテクタ １
４゜１５・・・単安定マルチバイブレータ １６．１７
・・・サンプルホールド回路 １８．１９・・・比較器
２０・・・定電流回路 Ｔｒ ｂ Ｔｒ ２・・・電
流制御用トランジスタＴｒ３・・・スイッチングトラン
ジスタ（変調素子）出願人代理人 鳥 井 清 第１図 第２図 ０−−−−−−−−−−−− 第３図 ＡＡ 第５図 ０−−−−−−−−−−−−−−−一 時開 □ 第６図
アップの構成を示す図、第２図は記号時における半導体
レーザの光出力およびディスク而における記録状態を示
す図、第３図は従来の半導体レーザ駆動の場合における
電流−光出力特性を示す図、第４図は本発明による半導
体レーザ駆動回路の一実施例を示す電気的結線図、第５
図は同実施例における各部信号のタイムチャート、第６
図は同実施例の場合における電流−）ｆ：、出力特性を
示す図である。 １・・・半導体レーザ １３・・・ホトディテクタ １
４゜１５・・・単安定マルチバイブレータ １６．１７
・・・サンプルホールド回路 １８．１９・・・比較器
２０・・・定電流回路 Ｔｒ ｂ Ｔｒ ２・・・電
流制御用トランジスタＴｒ３・・・スイッチングトラン
ジスタ（変調素子）出願人代理人 鳥 井 清 第１図 第２図 ０−−−−−−−−−−−− 第３図 ＡＡ 第５図 ０−−−−−−−−−−−−−−−一 時開 □ 第６図
Claims (1)
- 半導体レーザの出射光の強度を検出するホトディテクタ
と、その検出出力にもとづいて弱レベルにある半導体レ
ーザ出力をホールドさせる第１０平膜と、同じく強レベ
ルにある半導体レーザ出力をホールドさせる第２の手段
と、その第１の手段のホールド出力と弱レベルの基準値
との比ｖヲ１よす第１の比較器と、その第２の手段のホ
ールド出力と強レベルの基準値との比較をなす第２の比
較器と、第１の比軟邪の差出力が零になる工５に半導体
レーザに１流を供給する第１の市流制イ１１１手段と、
記録パルスに応じて半導体レーザを駆動するｆ調素子と
直列に設けられた駕４流回路と、−１記第２の比較器の
差出力が零になるように定電流回路の電流制御をなす第
２の電流制御手段とに、Ｃら一イを曾ｃｌ？ ４４ｑ
ｖ−平；ｒｔｌｋ＋ノ ａｕｍ７Ｊ＋ｌ＋１ＦＩＬＩ＆
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141278A JPS6032145A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141278A JPS6032145A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032145A true JPS6032145A (ja) | 1985-02-19 |
Family
ID=15288171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58141278A Pending JPS6032145A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032145A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1983
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