JPS6032333A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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Publication number
JPS6032333A
JPS6032333A JP58141677A JP14167783A JPS6032333A JP S6032333 A JPS6032333 A JP S6032333A JP 58141677 A JP58141677 A JP 58141677A JP 14167783 A JP14167783 A JP 14167783A JP S6032333 A JPS6032333 A JP S6032333A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor device
copper
sealed semiconductor
sealed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58141677A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiko Aimi
相見 俊彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP58141677A priority Critical patent/JPS6032333A/ja
Publication of JPS6032333A publication Critical patent/JPS6032333A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/70Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
    • H10W40/77Auxiliary members characterised by their shape
    • H10W40/778Auxiliary members characterised by their shape in encapsulations

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は耐湿性及び熱ストレスに対する耐量を向上さ
せた樹脂封止型半導体装置に関するものである。
従来の樹脂封止型半導体装置L1第1図に示すように、
樹脂4としてはエポキシ樹脂、半導体ペレット3を取シ
付ける放熱器材料1としては銅が一般に用いられてきた
。この銅材料lは樹脂4の外部で外部リード2として用
いられている。しかしながら銅とエポキシ材料において
はエポキシ材料の熱膨張係数の方が銅よシも大きい為に
温度上昇と共にエポキシ樹脂の方がよシ大きく伸びる為
に、半導体チップを境として、エポキシ樹脂が伸び相対
的に銅がちぢむ様な形となシ曲げ応力を生じ樹脂と銅と
の間に隙間を生じた)、半導体チップを固定しているソ
ルダーに応力が加わる等の内部応力が大きかった。この
為、この応力によシ前述の耐湿性、対熱ストレス性が弱
く力る等の欠点があった。
従って本発明は内部応力を低下させることによ少上記欠
点を改良することが目的である。
前記欠点を解決する為には金属部分と樹脂部分とからな
るバイメタルを考えてそのバイメタル効果を最小とすれ
ば良い、そこで比較的大きな熱膨張係数を持った樹脂側
を熱が加わった時に凹としてそるバイメタルを構成する
ことを特徴とした構造を得る為に半導体チップのダイボ
ンティングされる部分を銅でその厚さを0.3〜0.6
mmとし、その外側をアルミニウムでその厚さを0.7
〜1.0mm又はその比率とした組み合せ材料を持った
放熱器ととすることによシ、温度−40℃〜150℃ま
では従来の全体のソリよυもソリの量を115程度に押
えることができる。銅とアルミニウムとは冷間で接着す
ることによシ半導体の容器としても有効に使用すること
ができる。
次に本発明の一実施例を第2図を用いて説明する。TO
−220ABと呼ばれる25W′クラスの樹脂モー ル
ビ9パツケージにおいて、半導体チップをのせる部分2
を銅でQ、41TIm厚さとし延長部は外部引き出しリ
ードとして利用する。その裏面にアルミニウムのQ、 
9 mm厚さのものを接着し、放熱器とする、この様に
して出来た板を型で打ち抜いて所定の寸法としてベレッ
ト3を取υ付け、さらにボンディング工程を経て、エポ
キシ樹脂にて封止する。この様にして組立てた素子を耐
湿性及び熱ストレス試験を行ったところ従来のものと比
較して30%以上の耐量の向上がみられた。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。 第2図は本発明の一実施例による樹脂封止型半導体装置
の断面図である。 1・・・・−・放熱部、2・・・・・・+) ニド部、
3・・・・・・半導体チップ、4・・・・・・エポキシ
樹脂。 ゛くζじ・′

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 放熱器を具備した樹脂封止型半導体装置において、半導
    体チップを銅とアルミニウムの積層された金桐板の銅側
    に取り付け、しかるのち少くとも前記半導体チップを樹
    脂で封止した事を特徴とする半導体装置。
JP58141677A 1983-08-02 1983-08-02 樹脂封止型半導体装置 Pending JPS6032333A (ja)

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JPS6032333A true JPS6032333A (ja) 1985-02-19

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022211785A1 (de) * 2022-11-08 2024-05-08 Zf Friedrichshafen Ag Leistungsmodul

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DE102022211785A1 (de) * 2022-11-08 2024-05-08 Zf Friedrichshafen Ag Leistungsmodul

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