JPS6033351A - 金属薄膜の製造方法 - Google Patents
金属薄膜の製造方法Info
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- JPS6033351A JPS6033351A JP58143192A JP14319283A JPS6033351A JP S6033351 A JPS6033351 A JP S6033351A JP 58143192 A JP58143192 A JP 58143192A JP 14319283 A JP14319283 A JP 14319283A JP S6033351 A JPS6033351 A JP S6033351A
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- JP
- Japan
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- substrate
- supply roll
- electrostatic attraction
- tension
- thin film
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は金属薄膜の製造方法、特に高分子材料より成る
基板上に金属薄膜を形成する方法に関するものである。
基板上に金属薄膜を形成する方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
高分子材料より成る基板上に真空蒸着法によって金属薄
膜を形成する方法としては、この基板を円筒状キャンの
周面に沿わせて走行させつつ蒸着する方法が最も優れて
いる。
膜を形成する方法としては、この基板を円筒状キャンの
周面に沿わせて走行させつつ蒸着する方法が最も優れて
いる。
第１図はこのような方法を実施するための真空蒸着装置
の概念図である。
の概念図である。
高分子材料より成る基板１は円筒状キャン２の周面に溢
って矢印の方向に走行する。この基板１上に蒸発源５に
よって金属薄膜が形成される。なお、３は基板１の供給
ロール、４はその巻取ロールである。
って矢印の方向に走行する。この基板１上に蒸発源５に
よって金属薄膜が形成される。なお、３は基板１の供給
ロール、４はその巻取ロールである。
このような真空蒸着装置を用いて高分子材料より成る基
板上に金属薄膜を形成する際に、上記円筒状キャン２の
温度が低く室温程度以下であり、しかも、金属薄膜の膜
厚が薄く数１００Å以下である場合には、安定した金属
薄膜を形成することができる。しかし、この場合でも、
基板走行時に基板に加わる張力が太きいと、基板走行方
向に沼って長く伸びた波状しわが発生する。円筒状キャ
ンの温度を上げる必要のある場合や、金属薄膜の膜厚を
厚くしなければならない場合には、この波状しわが強く
入る。金属薄膜にこのような波状しわが入ると、使用で
きる用途が限定されてしまう。
板上に金属薄膜を形成する際に、上記円筒状キャン２の
温度が低く室温程度以下であり、しかも、金属薄膜の膜
厚が薄く数１００Å以下である場合には、安定した金属
薄膜を形成することができる。しかし、この場合でも、
基板走行時に基板に加わる張力が太きいと、基板走行方
向に沼って長く伸びた波状しわが発生する。円筒状キャ
ンの温度を上げる必要のある場合や、金属薄膜の膜厚を
厚くしなければならない場合には、この波状しわが強く
入る。金属薄膜にこのような波状しわが入ると、使用で
きる用途が限定されてしまう。
波状しわの発生を防ぐ方法としては、基板走行の際に基
板に加わる張力を弱くする方法がある。
板に加わる張力を弱くする方法がある。
第２図は基板走行の添に基板に加わる張力を検出する機
構をもった真空蒸着装置の概念図である。
構をもった真空蒸着装置の概念図である。
なお、第１図に示した装置の構成要素と対応するところ
には同じ符号を付している。
には同じ符号を付している。
一定速度で回転する円筒状キャン２の周面に沿って高分
子材料よりなる基板１がキャン２の周速度とほぼ等しい
速度で走行している。供給ロール３は、供給ロール側張
力検出装置６で検出された基板１の供給ロール側の張力
に応じて供給速度を調節する。基板１の張力が大きい場
合には供給速度を速め、張力が小さい場合には供給速度
を遅くする。巻取ロール４は、巻取ロール側張力検出装
置７で検出された基板１の巻取側での張力に応じて巻取
速度を調節する。なお、８は自由に回転するローラーで
あを。
子材料よりなる基板１がキャン２の周速度とほぼ等しい
速度で走行している。供給ロール３は、供給ロール側張
力検出装置６で検出された基板１の供給ロール側の張力
に応じて供給速度を調節する。基板１の張力が大きい場
合には供給速度を速め、張力が小さい場合には供給速度
を遅くする。巻取ロール４は、巻取ロール側張力検出装
置７で検出された基板１の巻取側での張力に応じて巻取
速度を調節する。なお、８は自由に回転するローラーで
あを。
このような真空蒸着装置において、高分子材料より成る
基板１を安定に走行させるためには、基板１の張力を一
般に１ｏｏｏｇ／ｍｔ以上にしなければならない。高分
子材料より成る基板１は静電気を帯びやすい。基板１が
静電気を帯びると、静電引力によりローラー８やキャン
２等に貼り付く。
基板１を安定に走行させるためには、基板１の張力を一
般に１ｏｏｏｇ／ｍｔ以上にしなければならない。高分
子材料より成る基板１は静電気を帯びやすい。基板１が
静電気を帯びると、静電引力によりローラー８やキャン
２等に貼り付く。
特に供給ロール３や巻取ロール４での基板同士の貼り付
きが最も強い。このような静電引力による基板１の貼り
付きがあっても、基板を安定して走行させるためには、
基板１の張力を大きくする心安がある。基板１を走行さ
ぜる際の基板に加わる張力が上記の静電引力よりも強け
れば、基板１は安定に走行する。基板走行時の張力を弱
くして行くと、供給ロール３で基板１が供給ロール３か
ら離れて供給されて行く際に離れにくくなる。これは供
給ロール３に巻かれている基板１と供給ロール３から離
れて行く基板１との間に働く静電引力が、供給ロール３
から離そうとする基板１に加わっている張力との比較で
相対的に強くなるためである。ある程度以上基板走行時
に基板に働く張力を弱くすると、基板１は供給ロール３
かも離れなくなり、供給ロール３に逆向きに巻き付いて
しオうことかある。
きが最も強い。このような静電引力による基板１の貼り
付きがあっても、基板を安定して走行させるためには、
基板１の張力を大きくする心安がある。基板１を走行さ
ぜる際の基板に加わる張力が上記の静電引力よりも強け
れば、基板１は安定に走行する。基板走行時の張力を弱
くして行くと、供給ロール３で基板１が供給ロール３か
ら離れて供給されて行く際に離れにくくなる。これは供
給ロール３に巻かれている基板１と供給ロール３から離
れて行く基板１との間に働く静電引力が、供給ロール３
から離そうとする基板１に加わっている張力との比較で
相対的に強くなるためである。ある程度以上基板走行時
に基板に働く張力を弱くすると、基板１は供給ロール３
かも離れなくなり、供給ロール３に逆向きに巻き付いて
しオうことかある。
このため、従来の第２図のような装置では、基板走行時
の基板に加わる張力をある程度以下に弱くして安定に走
行させるということは不可能であった。しかし、金属薄
膜を形成する際に波状しわが発生しないようにするには
基板の張力を小さくしなくてはならない。したがって、
第２図のような真空蒸着装置では波状のしわのない金属
薄膜を形成することは困難である。
の基板に加わる張力をある程度以下に弱くして安定に走
行させるということは不可能であった。しかし、金属薄
膜を形成する際に波状しわが発生しないようにするには
基板の張力を小さくしなくてはならない。したがって、
第２図のような真空蒸着装置では波状のしわのない金属
薄膜を形成することは困難である。
発明の目的
発明
本→は真空蒸着法により基板にしわを生じさせずに金属
薄膜を作製する方法を提供することを目的とする。
薄膜を作製する方法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は高分子材料より成る基板を走行させっつ金属薄
膜を真空蒸着法によって形成する際にしで、基板供給ロ
ールにおける基板の離れぎわ近くに金属あるいは高分子
材料よ構成る静電引付板を配置しておくことを特徴とす
る。これにより、高分子側斜より成る基板にしわを発生
させずに金属薄膜を形成することができる。
膜を真空蒸着法によって形成する際にしで、基板供給ロ
ールにおける基板の離れぎわ近くに金属あるいは高分子
材料よ構成る静電引付板を配置しておくことを特徴とす
る。これにより、高分子側斜より成る基板にしわを発生
させずに金属薄膜を形成することができる。
実施例の説明
第３図は本発明の方法の一実施例を説明するだめの装置
の概念図である。図において、第１図や第２図に示した
装置と対応する部分には同じ符号を付してｂる。その特
徴とするところは、供給ロール３における基板１の離れ
ぎわ近くに金属または高分子材料より成る静電引付板９
を配置しそいることである。高分子材料より成る基板１
は電気絶縁体であり、静電気を帯びやすい。静電気を帯
びると、基板１は供給ロール３において基板同士の静電
引力のため、供給ロール３から離れにくくなる。第３図
のように供給ロール３における基板１の離れぎわ近くに
静電引付板９があると、この静電引付板９と基板１との
間にも静電引力が働く。
の概念図である。図において、第１図や第２図に示した
装置と対応する部分には同じ符号を付してｂる。その特
徴とするところは、供給ロール３における基板１の離れ
ぎわ近くに金属または高分子材料より成る静電引付板９
を配置しそいることである。高分子材料より成る基板１
は電気絶縁体であり、静電気を帯びやすい。静電気を帯
びると、基板１は供給ロール３において基板同士の静電
引力のため、供給ロール３から離れにくくなる。第３図
のように供給ロール３における基板１の離れぎわ近くに
静電引付板９があると、この静電引付板９と基板１との
間にも静電引力が働く。
この静電引力は基板１を供給ロール３から引き離そうと
する方向の力である。この力の働きにより、基板走行時
に基板１に働く張力だけでは供給ロール３から基板１を
引き離すことが困難な場合でも、基板１を供給ロール３
からなめらかに引き離すことができる。
する方向の力である。この力の働きにより、基板走行時
に基板１に働く張力だけでは供給ロール３から基板１を
引き離すことが困難な場合でも、基板１を供給ロール３
からなめらかに引き離すことができる。
基板１と静電引付板９との間に働く静電引力の大きさは
、基板１と静電引付板９との間隔が狭いほど大きくなる
。このため基板１と静電引付板９との間隔は、基板１が
静電引付板９に接触したり貼り付いたりしない限りでき
る限り狭い方が良い。
、基板１と静電引付板９との間隔が狭いほど大きくなる
。このため基板１と静電引付板９との間隔は、基板１が
静電引付板９に接触したり貼り付いたりしない限りでき
る限り狭い方が良い。
実験の結果、基板１と静電引付板９との間隔がｓｏｍｍ
以下であれば、静電引付板９の効果が認められた。
以下であれば、静電引付板９の効果が認められた。
静電引付板９の幅は基板１の幅より広い方がその効果は
大きい０ 静電引付板９の列置による効果の違いについて第４図及
び第５図を用いて説明する。第４図及び第６図は第３図
の供給ロール３付近の拡大図である。供給ロール３は矢
印の方向に回転している。
大きい０ 静電引付板９の列置による効果の違いについて第４図及
び第５図を用いて説明する。第４図及び第６図は第３図
の供給ロール３付近の拡大図である。供給ロール３は矢
印の方向に回転している。
第４図に示すように静電引付板９が基板１の供給ロール
３からの離れぎわより図面下方にある場合、前記離れぎ
わにおいては基板１は静電引付板９による静電引力をあ
捷シ受けない。このため基板に加わる張力が弱い場合に
は基板１は供給ロールから離れにくくなり、供給ロール
３に貼り付いたまま少し回転した後、供給ロール３から
離れることになる。基板１の帯電の不均一性のため供給
ロール３かも基板１が離れる位置は一定しない。この離
れぎわの不安定性のために、基板走行が多少不安定にな
ってしまう。一方、第５図に示すように静電引付板９が
基板１の供給ロール３から離れぎわ・よシ上面上方まで
広がっている場合は、前記離れぎわにおいても基板１は
静電引付板９による静電引力を受ける。このため、基板
１に加わる張力が弱い場合でも基板１は離れぎわで供給
ロールから離れる。以上のように静電引付板が第５図に
示す位置にある場合には、基板１に加わる張力が弱くて
も、張力が強い場合と同様に、基板１を安定して走行さ
せることができる。
３からの離れぎわより図面下方にある場合、前記離れぎ
わにおいては基板１は静電引付板９による静電引力をあ
捷シ受けない。このため基板に加わる張力が弱い場合に
は基板１は供給ロールから離れにくくなり、供給ロール
３に貼り付いたまま少し回転した後、供給ロール３から
離れることになる。基板１の帯電の不均一性のため供給
ロール３かも基板１が離れる位置は一定しない。この離
れぎわの不安定性のために、基板走行が多少不安定にな
ってしまう。一方、第５図に示すように静電引付板９が
基板１の供給ロール３から離れぎわ・よシ上面上方まで
広がっている場合は、前記離れぎわにおいても基板１は
静電引付板９による静電引力を受ける。このため、基板
１に加わる張力が弱い場合でも基板１は離れぎわで供給
ロールから離れる。以上のように静電引付板が第５図に
示す位置にある場合には、基板１に加わる張力が弱くて
も、張力が強い場合と同様に、基板１を安定して走行さ
せることができる。
第３図に示した構成で薄膜を形成するに際して、円筒状
キャン２から基板１が離れる部分や、自由に回転するロ
ーラー８から基板１が離れる部分に近接して静電引付板
を設けても、基板１を円筒状キャン２や自由に回転する
ローラー８から滑かに離れさせるという効果が見られた
。
キャン２から基板１が離れる部分や、自由に回転するロ
ーラー８から基板１が離れる部分に近接して静電引付板
を設けても、基板１を円筒状キャン２や自由に回転する
ローラー８から滑かに離れさせるという効果が見られた
。
高分子材料より成る基板を円筒状キャンの周面に溢わせ
て走行させつつ金属薄膜を形成する場合、基板走行時に
基板に加わる張力が弱くないと形成された金属薄膜にし
わが発生してしまうことはすでに述べた。とのしわの発
生を防ぐためには、基板走行時に基板に加わる張力をｅ
；ｏｏｇ／−以下に保ったまま金属薄膜を形成しなくて
はならないことが実験の結果間らかになった。第２図に
示すような従来の方法では、ｒｓｏｏｇ／ｍ−以下とい
う弱い張力では基板１が供給ロール３からう捷く離れず
、供給ロール３に逆向きに巻付いたりして安定に基板を
走行させることができなかったのに対して、第３図に示
すような本発明の方法によれば、静電引例板９の働きに
より５ｏ ｏ ｇ ／ ｍｔ以下という弱い張力でも安
定に基板を走行させることができる０ 次に本発明の具体的な例について説明する。基板として
は幅１０ｃｍ、’厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタ
レートフィルムを用いた。静電引付板としてはアルミニ
ウム合金で作られた１２Ｃｍ平方の正方形の板状のもの
を用いた。この静電引付板を、基板との間隔が３ｍｍと
なるように、しかも第５図のように基板が供給ロールか
ら離れる離れぎわより上方まで広がるように設置した。
て走行させつつ金属薄膜を形成する場合、基板走行時に
基板に加わる張力が弱くないと形成された金属薄膜にし
わが発生してしまうことはすでに述べた。とのしわの発
生を防ぐためには、基板走行時に基板に加わる張力をｅ
；ｏｏｇ／−以下に保ったまま金属薄膜を形成しなくて
はならないことが実験の結果間らかになった。第２図に
示すような従来の方法では、ｒｓｏｏｇ／ｍ−以下とい
う弱い張力では基板１が供給ロール３からう捷く離れず
、供給ロール３に逆向きに巻付いたりして安定に基板を
走行させることができなかったのに対して、第３図に示
すような本発明の方法によれば、静電引例板９の働きに
より５ｏ ｏ ｇ ／ ｍｔ以下という弱い張力でも安
定に基板を走行させることができる０ 次に本発明の具体的な例について説明する。基板として
は幅１０ｃｍ、’厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタ
レートフィルムを用いた。静電引付板としてはアルミニ
ウム合金で作られた１２Ｃｍ平方の正方形の板状のもの
を用いた。この静電引付板を、基板との間隔が３ｍｍと
なるように、しかも第５図のように基板が供給ロールか
ら離れる離れぎわより上方まで広がるように設置した。
そして、基板走行時に基板に加わる張力を３００ｇ／ｍ
ｎ？として基板を走行させたところ、基板が安定に走行
した。この状態で金属薄膜として膜厚１００ｏへのＴ１
膜を形成したところ安定したしわのないＴ１膜が形成で
きた。静電引付板を設けなかった場合には、基板に加わ
る張力ｓｏｏｇ／ｍｍ’では基板を安定に走行させるこ
とができなかった。そこで、この場合に基板を安定に走
行させられる最低の張力１ｏｏｏｇ／ｍ−を与えて基板
を走行さぜつつ膜厚１００ｅ１へのＴｉ膜を形成したと
ころ、しわが発生してし捷っだ。
ｎ？として基板を走行させたところ、基板が安定に走行
した。この状態で金属薄膜として膜厚１００ｏへのＴ１
膜を形成したところ安定したしわのないＴ１膜が形成で
きた。静電引付板を設けなかった場合には、基板に加わ
る張力ｓｏｏｇ／ｍｍ’では基板を安定に走行させるこ
とができなかった。そこで、この場合に基板を安定に走
行させられる最低の張力１ｏｏｏｇ／ｍ−を与えて基板
を走行さぜつつ膜厚１００ｅ１へのＴｉ膜を形成したと
ころ、しわが発生してし捷っだ。
発明の効果
以上のように本発明の方法によれば、基板に加わる張力
が弱くても基板を安定に走行させることが可能となり、
金属薄膜形成時のしわの発生を防止することができるも
のである。
が弱くても基板を安定に走行させることが可能となり、
金属薄膜形成時のしわの発生を防止することができるも
のである。
第１図及び第２図はそれぞれ従来の金属薄膜の製造方法
を実施するための装置の概念図、第３図は本発明の金属
薄膜の製造方法の一実施例を説明するだめの真空蒸着装
置の概念図、第４図及び第５図はこの方法を実施するに
際しての静電引付板の効果を説明するだめの供給ロール
付近の拡大図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・円筒状キャン、３
・・・・・・供給０−／ｌｚ、４・・・・・・巻取ロー
ル、５・・・・・蒸発源、６・・・・・・供給ロール側
張力検出器、７・・・・・・巻取ロール側張力検出器、
８・・・・・・ローラー、９・・・・・・静電引付板０
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１毛彫
１ 図 第２図 冑 ：：１ 閂。 第３図 １ｍ／ 只５ 第４図
を実施するための装置の概念図、第３図は本発明の金属
薄膜の製造方法の一実施例を説明するだめの真空蒸着装
置の概念図、第４図及び第５図はこの方法を実施するに
際しての静電引付板の効果を説明するだめの供給ロール
付近の拡大図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・円筒状キャン、３
・・・・・・供給０−／ｌｚ、４・・・・・・巻取ロー
ル、５・・・・・蒸発源、６・・・・・・供給ロール側
張力検出器、７・・・・・・巻取ロール側張力検出器、
８・・・・・・ローラー、９・・・・・・静電引付板０
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１毛彫
１ 図 第２図 冑 ：：１ 閂。 第３図 １ｍ／ 只５ 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）高分子材料よ構成る基板を走行させつつ金属薄膜
を真空蒸着法によって形成するに際して、基板供給ロー
ルにおける前記基板の離れぎわ近くに金属あるいは高分
子材料よ構成る静電引付（２）静電引付板と基板との間
隔が３’ Ｏｍｍを越えないことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の金属薄膜の製造方法。 （３）静電引付板が基板供給ロールから基板が離れる離
れぎわより前記基板供給ロール側まで広がって配置され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の金
属薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58143192A JPS6033351A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 金属薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58143192A JPS6033351A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 金属薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6033351A true JPS6033351A (ja) | 1985-02-20 |
| JPH0517310B2 JPH0517310B2 (ja) | 1993-03-08 |
Family
ID=15333005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58143192A Granted JPS6033351A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 金属薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033351A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61278032A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-08 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法およびその装置 |
| US5360634A (en) * | 1988-12-05 | 1994-11-01 | Adiabatics, Inc. | Composition and methods for densifying refractory oxide coatings |
| CN105603380A (zh) * | 2015-10-30 | 2016-05-25 | 武汉科技大学 | 一种真空镀膜高速恒卷绕张力设备和控制方法 |
-
1983
- 1983-08-04 JP JP58143192A patent/JPS6033351A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61278032A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-08 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法およびその装置 |
| US5360634A (en) * | 1988-12-05 | 1994-11-01 | Adiabatics, Inc. | Composition and methods for densifying refractory oxide coatings |
| CN105603380A (zh) * | 2015-10-30 | 2016-05-25 | 武汉科技大学 | 一种真空镀膜高速恒卷绕张力设备和控制方法 |
| CN105603380B (zh) * | 2015-10-30 | 2018-02-13 | 武汉科技大学 | 一种真空镀膜高速恒卷绕张力设备和控制方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0517310B2 (ja) | 1993-03-08 |
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