JPS6036046B2 - 電着塗装および粉体塗装を併用したエナメル電線の製造方法 - Google Patents
電着塗装および粉体塗装を併用したエナメル電線の製造方法Info
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- JPS6036046B2 JPS6036046B2 JP14742378A JP14742378A JPS6036046B2 JP S6036046 B2 JPS6036046 B2 JP S6036046B2 JP 14742378 A JP14742378 A JP 14742378A JP 14742378 A JP14742378 A JP 14742378A JP S6036046 B2 JPS6036046 B2 JP S6036046B2
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- powder coating
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は雷着塗装と粉体塗装とを併用、あるし、は電着
塗装と粉体塗装の一種である静電流動浸債塗装とを併用
したエナメル電線の製造方法に関するものである。
塗装と粉体塗装の一種である静電流動浸債塗装とを併用
したエナメル電線の製造方法に関するものである。
ェポキシ樹脂、ポリエステルィミド樹脂などの耐熱性樹
脂が粉体塗装として開発されたことにより、粉体塗装も
防食、装飾用の分野から電気絶縁用の分野へ進出を可能
にし、例えば配電盤の絶縁母線、大型直流機の電機子お
よび整流子部、小型回転機のコイルエンド部、電子部品
封止への応用などが図られ実用化されているのは周知の
通りである。
脂が粉体塗装として開発されたことにより、粉体塗装も
防食、装飾用の分野から電気絶縁用の分野へ進出を可能
にし、例えば配電盤の絶縁母線、大型直流機の電機子お
よび整流子部、小型回転機のコイルエンド部、電子部品
封止への応用などが図られ実用化されているのは周知の
通りである。
昨今ではさらにエナメル電線の絶縁皮膜への適用が試み
られているが、今だに実用化されていない。その主要因
は粉体塗装によって得られた絶縁皮膜の絶縁耐力が高々
20〜3小/仏mで、通常の浸債塗装によるエナメル電
線の絶縁皮膜の絶縁耐力と比較して1/5〜1/8の値
しか得られないことによる。そもそも粉体塗装の絶縁皮
膜は加熱による粉体粒子の相互融着によって得られるが
、加熱によるのみでは粉体粒子の熔融、流動作用が十分
でなく、一見欠点のない皮膜が形成されるが微視的には
微細な空隙の多い絶縁皮膜が形成されている。従って薄
膜で高い絶縁耐力を要するエナメル電線の皮膜には不適
確で粉体塗装を用いたエナメル電線は実用化されていな
いのが実状である。一方電着塗装を用いたエナメル電線
は市販されてから約5年を経過しているが、エナメル皮
膜厚が50〜60りm以下のものに限られている。皮膜
厚が限定される理由として、露着塗装を用いたエナメル
電線の製造法が、従釆の浸債塗装の多数回塗布・多数回
焼付によるものと異なり、一回塗布一回焼付によって得
られることが挙げられる。即ち既存の露着エナメル電線
の製法は、水分散型ワニスを用いたものであって、特公
昭45一31555号公報に示される如く霞着後の焼付
工程の前に有機溶剤を施与する後処理工程が必須条件と
なっている。エナメル皮膜となる雷着析出層が厚くなる
と、雷着析出層内の水分あるいは後処理工程に用いた有
機溶剤が、焼付時に飛散し‘こくくなり、通常の薄肉皮
膜の焼付条件では発泡、ピンホールなどの皮膜の欠陥が
生じてくる。この現象は皮膜の厚さが厚くなると極端と
なり、通常の線引条件は電着エナメル皮膜の厚さは自ず
と50〜60仏mに限定される。本発明は露着塗装法お
よび粉体塗装法によって得られる絶縁皮膜の欠点を相補
するものであって、詳しくは雷着塗装を行なった後に粉
体塗装あるいは粉体塗装の一種である静電流動浸漬塗装
(以下静電流浸塗装)を行ないエナメル電線皮膜を形成
させることによって露着塗装法では得られ難い60仏m
以上の、しかも粉体塗装法では到底得られない100〜
20小/wmの絶縁耐力を有するエナメル電線皮覆の方
法を提供するものである。
られているが、今だに実用化されていない。その主要因
は粉体塗装によって得られた絶縁皮膜の絶縁耐力が高々
20〜3小/仏mで、通常の浸債塗装によるエナメル電
線の絶縁皮膜の絶縁耐力と比較して1/5〜1/8の値
しか得られないことによる。そもそも粉体塗装の絶縁皮
膜は加熱による粉体粒子の相互融着によって得られるが
、加熱によるのみでは粉体粒子の熔融、流動作用が十分
でなく、一見欠点のない皮膜が形成されるが微視的には
微細な空隙の多い絶縁皮膜が形成されている。従って薄
膜で高い絶縁耐力を要するエナメル電線の皮膜には不適
確で粉体塗装を用いたエナメル電線は実用化されていな
いのが実状である。一方電着塗装を用いたエナメル電線
は市販されてから約5年を経過しているが、エナメル皮
膜厚が50〜60りm以下のものに限られている。皮膜
厚が限定される理由として、露着塗装を用いたエナメル
電線の製造法が、従釆の浸債塗装の多数回塗布・多数回
焼付によるものと異なり、一回塗布一回焼付によって得
られることが挙げられる。即ち既存の露着エナメル電線
の製法は、水分散型ワニスを用いたものであって、特公
昭45一31555号公報に示される如く霞着後の焼付
工程の前に有機溶剤を施与する後処理工程が必須条件と
なっている。エナメル皮膜となる雷着析出層が厚くなる
と、雷着析出層内の水分あるいは後処理工程に用いた有
機溶剤が、焼付時に飛散し‘こくくなり、通常の薄肉皮
膜の焼付条件では発泡、ピンホールなどの皮膜の欠陥が
生じてくる。この現象は皮膜の厚さが厚くなると極端と
なり、通常の線引条件は電着エナメル皮膜の厚さは自ず
と50〜60仏mに限定される。本発明は露着塗装法お
よび粉体塗装法によって得られる絶縁皮膜の欠点を相補
するものであって、詳しくは雷着塗装を行なった後に粉
体塗装あるいは粉体塗装の一種である静電流動浸漬塗装
(以下静電流浸塗装)を行ないエナメル電線皮膜を形成
させることによって露着塗装法では得られ難い60仏m
以上の、しかも粉体塗装法では到底得られない100〜
20小/wmの絶縁耐力を有するエナメル電線皮覆の方
法を提供するものである。
即ち後処理工程後の加熱に粉体塗装または静電流浸塗装
により粉体塗料を塗布することにより、後処理工程で施
与する有機溶剤が粉体塗料粒子を膨濁せしめ、内部に残
存する空気を外部に押しやる−方、粉体塗料の溶融を促
進せしめ、粉体塗装の最低皮膜形成温度を降下させ、皮
膜形成を容易にさせるだけでなく、微視的にも微細な空
隙部が全く存在しない完全なエナメル電線皮膜が形成さ
れる。以下、本発明を添付図面の第1図及び第2図に基
づいて説明する。第1図は粉体塗装法を利用した本発明
の方法を実施するのに使用した横型線引機の主要構成要
素を示したもので、走行する導線1は水分散型ワニス2
の入った露着槽3内で雷着塗装され、次いで有機溶剤で
ある皮膜形成助剤4の入った後処理槽5内で導線1上に
露着析出された水分散型ワニス粒子が膨潤融着する。
により粉体塗料を塗布することにより、後処理工程で施
与する有機溶剤が粉体塗料粒子を膨濁せしめ、内部に残
存する空気を外部に押しやる−方、粉体塗料の溶融を促
進せしめ、粉体塗装の最低皮膜形成温度を降下させ、皮
膜形成を容易にさせるだけでなく、微視的にも微細な空
隙部が全く存在しない完全なエナメル電線皮膜が形成さ
れる。以下、本発明を添付図面の第1図及び第2図に基
づいて説明する。第1図は粉体塗装法を利用した本発明
の方法を実施するのに使用した横型線引機の主要構成要
素を示したもので、走行する導線1は水分散型ワニス2
の入った露着槽3内で雷着塗装され、次いで有機溶剤で
ある皮膜形成助剤4の入った後処理槽5内で導線1上に
露着析出された水分散型ワニス粒子が膨潤融着する。
予備加熱炉6は霞着析出層のフィルム化を促進させると
同時に被粉体塗装物である導体1の子熱を兼ねるもので
ある。子熱された導線1は粉体塗料7の入った揺動塗装
槽8内で、粉体塗装され、電着析出層上に塗布された粉
体塗料の粒子は、露着析出層内に残存する皮膜形成助剤
によって膨潤し、粉体塗装だけによって得られる粉体塗
膜と異なり、ピンホ−ルなどの欠点のない滑らかな粉体
塗膜が形成される。なお、予備加熱炉に通す工程を省略
てもよい。その後加熱炉9で、電着析出層および粉体塗
膜が加熱硬化され完全なエナメル電線が得られる。第2
図は静電流浸塗装法を利用した本発明の方法を実施する
のに使用した堅形線引機の主要構成要素を示したもので
走行する導線11は水分散型ワニス12の入った露着槽
13内で電着塗装される。
同時に被粉体塗装物である導体1の子熱を兼ねるもので
ある。子熱された導線1は粉体塗料7の入った揺動塗装
槽8内で、粉体塗装され、電着析出層上に塗布された粉
体塗料の粒子は、露着析出層内に残存する皮膜形成助剤
によって膨潤し、粉体塗装だけによって得られる粉体塗
膜と異なり、ピンホ−ルなどの欠点のない滑らかな粉体
塗膜が形成される。なお、予備加熱炉に通す工程を省略
てもよい。その後加熱炉9で、電着析出層および粉体塗
膜が加熱硬化され完全なエナメル電線が得られる。第2
図は静電流浸塗装法を利用した本発明の方法を実施する
のに使用した堅形線引機の主要構成要素を示したもので
走行する導線11は水分散型ワニス12の入った露着槽
13内で電着塗装される。
対向電極14は竜着槽13内にあり直流電源15から電
流を供給される。次いで導線11は有機溶剤である皮膜
形成助剤16の入った後処理装置17内で導線11上に
露着析出された水分散型ワニス粒子が膨潤葛虫着する。
該皮膜形成助剤16は後処理装置17の入口71から供
給され出口72から取り出され循環されるようになって
いる。皮膜形成助剤を施された導線11は荷電した粉体
塗料の入った静電流浸塗装槽19内で塗装される。粉体
塗料18は、空気取入口91、多孔性のセラミック板2
0、荷電電極21を通して送り込まれイオン化した空気
によって揺動されると共に負に帯電させられる。荷電粒
子は雷着析出層上で放電して一様に塗布され霞着析出層
内に残留する皮膜形成肋剤によって膨潤し、引き続き予
備加熱炉23で、露着析出層上の粉体粒子は一様な皮膜
となり、静電流浸塗装だけによって得られる塗膜と異な
り、ピンホールなどの欠点のない滑らかな塗膜が形成さ
れる。その後焼付加熱炉24で、雷着析出層および粉体
塗膜が加熱硬化され完全なエナメル電線が得られる。こ
こで用いられる水分散型ワニスは通常のエナメル電線用
の電着塗料が支障なく適用しうる。
流を供給される。次いで導線11は有機溶剤である皮膜
形成助剤16の入った後処理装置17内で導線11上に
露着析出された水分散型ワニス粒子が膨潤葛虫着する。
該皮膜形成助剤16は後処理装置17の入口71から供
給され出口72から取り出され循環されるようになって
いる。皮膜形成助剤を施された導線11は荷電した粉体
塗料の入った静電流浸塗装槽19内で塗装される。粉体
塗料18は、空気取入口91、多孔性のセラミック板2
0、荷電電極21を通して送り込まれイオン化した空気
によって揺動されると共に負に帯電させられる。荷電粒
子は雷着析出層上で放電して一様に塗布され霞着析出層
内に残留する皮膜形成肋剤によって膨潤し、引き続き予
備加熱炉23で、露着析出層上の粉体粒子は一様な皮膜
となり、静電流浸塗装だけによって得られる塗膜と異な
り、ピンホールなどの欠点のない滑らかな塗膜が形成さ
れる。その後焼付加熱炉24で、雷着析出層および粉体
塗膜が加熱硬化され完全なエナメル電線が得られる。こ
こで用いられる水分散型ワニスは通常のエナメル電線用
の電着塗料が支障なく適用しうる。
例えばアクリルーェポキシ系、ポリエステル系、ェボキ
シェステル系、ポリエステルイミド系、ポリエステルア
ミドイミド系およびポリィミド系などの水分散型ワニス
が挙げられる。また皮膜形成勤剤としては、使用する蚕
着塗料、粉体塗料によって適宜選ばれ、親水性あるいは
一部水性の有機溶媒、たとえばエチルセロソルブ、プチ
ルセロソルブ、ジメチルアミド、ジメチルアセトアミド
、N,Nジメチルホルムアミド(以下DM『と略す)お
よびNーメチル−2−ピロリドンなどが適宜用いられる
。粉体塗料としては、電気絶縁用の塗料でも就中ェポキ
シ樹脂とポリエステルィミド樹脂などの粉体塗料が好適
に用いられる。
シェステル系、ポリエステルイミド系、ポリエステルア
ミドイミド系およびポリィミド系などの水分散型ワニス
が挙げられる。また皮膜形成勤剤としては、使用する蚕
着塗料、粉体塗料によって適宜選ばれ、親水性あるいは
一部水性の有機溶媒、たとえばエチルセロソルブ、プチ
ルセロソルブ、ジメチルアミド、ジメチルアセトアミド
、N,Nジメチルホルムアミド(以下DM『と略す)お
よびNーメチル−2−ピロリドンなどが適宜用いられる
。粉体塗料としては、電気絶縁用の塗料でも就中ェポキ
シ樹脂とポリエステルィミド樹脂などの粉体塗料が好適
に用いられる。
以下比較例、実施例を挙げながら詳細に説明する。
比較例 1
電着エナメル電線用ワニスとして代表的なアクリルーェ
ポキシ系水分散型ワニスV−550−21(菱電化成製
)中に毎分耳hで走行する裸銅線(20)と、これに対
向する電極を浸潰し、裸銅線を陽極として直流電圧15
Vを2秒間印加して電着析出層(仕上り膜厚75ムm)
を形成させ、ついで長さ50伽程度の後処理槽内のDM
Fに6秒浸潰させた後、炉内最高温度が250℃程度の
子熱用加熱炉と炉内最高温度が36000の焼付加熱炉
内を3視診で送行させて電着塗装を施しただけのエナメ
ル電線を製作した。
ポキシ系水分散型ワニスV−550−21(菱電化成製
)中に毎分耳hで走行する裸銅線(20)と、これに対
向する電極を浸潰し、裸銅線を陽極として直流電圧15
Vを2秒間印加して電着析出層(仕上り膜厚75ムm)
を形成させ、ついで長さ50伽程度の後処理槽内のDM
Fに6秒浸潰させた後、炉内最高温度が250℃程度の
子熱用加熱炉と炉内最高温度が36000の焼付加熱炉
内を3視診で送行させて電着塗装を施しただけのエナメ
ル電線を製作した。
その特性を表1に示す。比較例 2
露着エナメル電線用ワニスとして代表的なアクリルーヱ
ポキシ系水分散型ワニスV−550一21(菱電化成製
)中に毎分5mで走行する裸銅線(20)と、これに対
向する電極を浸潰し、裸銅線を陽極として直流電圧15
Vを2秒間印加して露着析出層(仕上り皮膜厚75〃m
)を形成させ、ついで50肌程度の後処理装置内のDM
F蒸気に6秒暴露させた後、炉内温度が230〜280
00程度の子熱用加熱炉内と炉内温度が320〜390
o0の焼付加熱炉内を3町砂で走行させて露着塗装を施
しただけのエナメル電線を製作した。
ポキシ系水分散型ワニスV−550一21(菱電化成製
)中に毎分5mで走行する裸銅線(20)と、これに対
向する電極を浸潰し、裸銅線を陽極として直流電圧15
Vを2秒間印加して露着析出層(仕上り皮膜厚75〃m
)を形成させ、ついで50肌程度の後処理装置内のDM
F蒸気に6秒暴露させた後、炉内温度が230〜280
00程度の子熱用加熱炉内と炉内温度が320〜390
o0の焼付加熱炉内を3町砂で走行させて露着塗装を施
しただけのエナメル電線を製作した。
その特性を表1に示す。比較例 3予熱炉によって15
0qo程度に熱せられた裸銅線を毎分弧で走行させなが
ら揺動塗装槽内で粉体塗料(菱電化成社製VEP46−
7)を該裸銅線上に塗着させた後、34000の焼付加
熱炉内に約30秒通して粉体塗装を施しただけのエナメ
ル電線を製作した。
0qo程度に熱せられた裸銅線を毎分弧で走行させなが
ら揺動塗装槽内で粉体塗料(菱電化成社製VEP46−
7)を該裸銅線上に塗着させた後、34000の焼付加
熱炉内に約30秒通して粉体塗装を施しただけのエナメ
ル電線を製作した。
その特性は表1に示された通りである。比較例 4脱脂
された裸銅線を毎分5mで走行させながらDC4びVの
高電圧の発生電圧の静電流浸塗装装置で荷電されたェポ
キシ系粉体塗料(菱電化成社製VEP46一7)を該銅
線上に塗着させた後36000の焼付加熱炉内に約3硯
段・通して絶縁皮膜80仏mの静電流浸塗装を施しただ
けのエナメル電線を製作した。
された裸銅線を毎分5mで走行させながらDC4びVの
高電圧の発生電圧の静電流浸塗装装置で荷電されたェポ
キシ系粉体塗料(菱電化成社製VEP46一7)を該銅
線上に塗着させた後36000の焼付加熱炉内に約3硯
段・通して絶縁皮膜80仏mの静電流浸塗装を施しただ
けのエナメル電線を製作した。
その特性は表1に示された通りである。実施例 1露着
エナメル電線用ワニスとして代表的なアクリルーェポキ
シ系水分散型ワニスV−550−21(菱電化成製)に
毎分5mで走行する裸銅線(20)と、これに対向する
電極を浸潰し、裸銅線を陽極として直流電圧6VI秒間
印加して雷着析出層を形成させ、ついで長さ50肌程度
の後処理槽内のエチルセロソルブに6秒浸潰させた後、
炉内最高温度が25000程度の子熱用加熱炉内で15
秒問電着被覆銅線を子熱し、該銅線が冷えきらない内に
揺動塗装法によって粉体塗料(菱電化成社製VEP46
一7)を雷着被覆上に比較例3にならって塗装する。
エナメル電線用ワニスとして代表的なアクリルーェポキ
シ系水分散型ワニスV−550−21(菱電化成製)に
毎分5mで走行する裸銅線(20)と、これに対向する
電極を浸潰し、裸銅線を陽極として直流電圧6VI秒間
印加して雷着析出層を形成させ、ついで長さ50肌程度
の後処理槽内のエチルセロソルブに6秒浸潰させた後、
炉内最高温度が25000程度の子熱用加熱炉内で15
秒問電着被覆銅線を子熱し、該銅線が冷えきらない内に
揺動塗装法によって粉体塗料(菱電化成社製VEP46
一7)を雷着被覆上に比較例3にならって塗装する。
その後焼付加熱炉内に約3晩少通して絶縁皮膜73山m
のエナメル電線を作製した。その特性は表1の通りであ
る。実施例 2 比較例1にならって裸銅線(2め)を陽極にして直流電
圧6VI秒印加して電着析出層を形成させ、ついて長さ
25cm程度の後処理槽内のDMFに3秒浸潰させた後
炉内最高温度が25000程度の子熱用加熱内で19段
・間電着被覆銅線を子熱し、該銅線が冷えきらない内に
揺動塗装法によって無水トリメット酸、ジアメノジフェ
ニルメタソ、ポリエチレンテレフタレート、グリセリン
からなるポリエステルィミド粉体塗料を雷着被覆上に比
較例3にならって塗装し、その後400〜43000の
競付炉内に約3現砂・通して絶縁皮膜71山mのェナミ
ル電線を製作した。
のエナメル電線を作製した。その特性は表1の通りであ
る。実施例 2 比較例1にならって裸銅線(2め)を陽極にして直流電
圧6VI秒印加して電着析出層を形成させ、ついて長さ
25cm程度の後処理槽内のDMFに3秒浸潰させた後
炉内最高温度が25000程度の子熱用加熱内で19段
・間電着被覆銅線を子熱し、該銅線が冷えきらない内に
揺動塗装法によって無水トリメット酸、ジアメノジフェ
ニルメタソ、ポリエチレンテレフタレート、グリセリン
からなるポリエステルィミド粉体塗料を雷着被覆上に比
較例3にならって塗装し、その後400〜43000の
競付炉内に約3現砂・通して絶縁皮膜71山mのェナミ
ル電線を製作した。
その特性は表1の通りである。実施例 3
比較例2にならって、裸銅線(20)を陽極として直流
電圧6VI秒間印加して電着析出層を形成させ、ついで
長さ50肌程度の後処理装置内のエチルセロソルブに6
秒暴露させた後、比較例4にならってェポキシ系粉体塗
料((菱電化成社製VEP46−7)を用いて静電流浸
塗装を施し、炉内温度が230〜28000の子熱用加
熱炉内と、炉内温度が320〜39000の焼付加熱炉
内を3硯砂で走行させて絶縁皮膜72仏mのエナメル電
線を製作した。
電圧6VI秒間印加して電着析出層を形成させ、ついで
長さ50肌程度の後処理装置内のエチルセロソルブに6
秒暴露させた後、比較例4にならってェポキシ系粉体塗
料((菱電化成社製VEP46−7)を用いて静電流浸
塗装を施し、炉内温度が230〜28000の子熱用加
熱炉内と、炉内温度が320〜39000の焼付加熱炉
内を3硯砂で走行させて絶縁皮膜72仏mのエナメル電
線を製作した。
その特性は表1の通りである。実施例 4
比較例2にならって、裸銅線(2少)を陽極にして、直
流電圧6VI秒間印加して露着析出層を形成させ、つい
で長さ50肌程度の後処理装置内のDMFに6秒暴露さ
せた後、比較例4にならって無水トリメリット酸、ジァ
ミノジフェニルメタン、ポリエチレンテレフタレート、
B−ヒドロキシエチルイソシアヌレートからなるポリエ
ステルィミド粉体を用いて静電流浸塗装を施し、炉内温
度230〜28000の予熱用加熱炉内と炉内温度40
0〜430qoの競付炉内を3現砂、走行させて絶縁皮
膜70仏mのエナメル電線を製作した。
流電圧6VI秒間印加して露着析出層を形成させ、つい
で長さ50肌程度の後処理装置内のDMFに6秒暴露さ
せた後、比較例4にならって無水トリメリット酸、ジァ
ミノジフェニルメタン、ポリエチレンテレフタレート、
B−ヒドロキシエチルイソシアヌレートからなるポリエ
ステルィミド粉体を用いて静電流浸塗装を施し、炉内温
度230〜28000の予熱用加熱炉内と炉内温度40
0〜430qoの競付炉内を3現砂、走行させて絶縁皮
膜70仏mのエナメル電線を製作した。
その特性は表1の通りである。表 1
本発明により表1に示すごとく竜着塗装後粉体塗装また
は静電流浸塗装を行なることによって、太線用(平角線
を含む)の厚膜エナメル電線が工業的に製造することが
可能となった。
は静電流浸塗装を行なることによって、太線用(平角線
を含む)の厚膜エナメル電線が工業的に製造することが
可能となった。
また本発明は平角線に適することによって、より一層利
点が生ずる。
点が生ずる。
即ち霞着塗装法ではコーナ部およびエッジ部に電界が集
中することから平坦部より厚肉となり一様な厚さが得ら
れ難い。これに反して粉体塗装法ではコーナ部のカバリ
ングが悪く、平坦部よりかなり薄肉となりやすい。本発
明のごとく霞着塗装法と粉体塗装法または静電流浸塗装
法とを併用することによりコーナ部およびエッジ部のカ
バリングについては双方の欠点を相補することになり、
平角線のエナメル絶縁皮膜として望ましい状態になる。
霞着塗膜と粉体塗膜の比は使用目的に応じて決定される
べきもので薄肉で単位厚さ当りの絶縁破壊強度が高く要
求される場合は、可能なかぎり電着塗膜を厚く、絶縁塗
膜全体が厚く要求される場合は粉体塗膜を主に形成した
方が好都合となる。
中することから平坦部より厚肉となり一様な厚さが得ら
れ難い。これに反して粉体塗装法ではコーナ部のカバリ
ングが悪く、平坦部よりかなり薄肉となりやすい。本発
明のごとく霞着塗装法と粉体塗装法または静電流浸塗装
法とを併用することによりコーナ部およびエッジ部のカ
バリングについては双方の欠点を相補することになり、
平角線のエナメル絶縁皮膜として望ましい状態になる。
霞着塗膜と粉体塗膜の比は使用目的に応じて決定される
べきもので薄肉で単位厚さ当りの絶縁破壊強度が高く要
求される場合は、可能なかぎり電着塗膜を厚く、絶縁塗
膜全体が厚く要求される場合は粉体塗膜を主に形成した
方が好都合となる。
第1図及び第2図は本発明の方法を実施するのに使用す
る装置の概略図である。 1,11・・・・・・導線、2,12・・・・・・電着
液、3,13……霞着槽、4,16……皮膜形成助剤、
5,17・・・・・・後処理槽、6,23・・・・・・
子熱用加熱炉、7・・・・・・粉体塗料、8…・・・揺
動塗装槽、9,24・・・・・・加熱炉、14・・…・
電極、15・・…・直流電源、18・・・・・・帯電粉
体塗料、19・・・・・・静電流浸塗装槽、20・・・
・・・多孔性セラミック板、21……荷電電極、22・
・・・・・高電圧電源。 溝l図 紫2図
る装置の概略図である。 1,11・・・・・・導線、2,12・・・・・・電着
液、3,13……霞着槽、4,16……皮膜形成助剤、
5,17・・・・・・後処理槽、6,23・・・・・・
子熱用加熱炉、7・・・・・・粉体塗料、8…・・・揺
動塗装槽、9,24・・・・・・加熱炉、14・・…・
電極、15・・…・直流電源、18・・・・・・帯電粉
体塗料、19・・・・・・静電流浸塗装槽、20・・・
・・・多孔性セラミック板、21……荷電電極、22・
・・・・・高電圧電源。 溝l図 紫2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 電着塗装した後に粉体塗装を施すことによつて電着
塗装の後処理工程に用いる皮膜形成助剤が粉体塗装に作
用し、太線、厚肉用の絶縁皮膜形を容易にさせることを
特徴とした電着塗装および粉体塗装を併用したエナメル
電線の製造方法。 2 粉体塗装が静電流動浸漬塗装である特許請求の範囲
第1項記載のエナメル電線の製造方法。 3 電着塗装に用いる電着液がアクリルエポキシ系水分
散型ワニスである特許請求の範囲第1項または第2項記
載のエナメル電線の製造方法。 4 電着塗装の後処理工程に用いる皮膜形成助剤がエチ
ルセロソルブである特許請求の範囲第1項または第2項
記載のエナメル電線の製造方法。 5 電着塗装の後処理工程に用いる皮膜形成助剤がN,
N′ジメチルホルムアミドである特許請求の範囲第1項
または第2項記載のエナメル電線の製造方法。 6 粉体塗装としてエポキシ樹脂粉未を用いる特許請求
の範囲第1項または第2項記載のエナメル電線の製造方
法。 7 粉体塗装ととしてポリエステルイミド樹脂粉未を用
いる特許請求の範囲第1項または第2項記載のエナメル
電線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14742378A JPS6036046B2 (ja) | 1978-11-28 | 1978-11-28 | 電着塗装および粉体塗装を併用したエナメル電線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14742378A JPS6036046B2 (ja) | 1978-11-28 | 1978-11-28 | 電着塗装および粉体塗装を併用したエナメル電線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5574011A JPS5574011A (en) | 1980-06-04 |
| JPS6036046B2 true JPS6036046B2 (ja) | 1985-08-17 |
Family
ID=15429969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14742378A Expired JPS6036046B2 (ja) | 1978-11-28 | 1978-11-28 | 電着塗装および粉体塗装を併用したエナメル電線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6036046B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61208707A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-17 | 古河電気工業株式会社 | 絶縁電線の製造方法 |
-
1978
- 1978-11-28 JP JP14742378A patent/JPS6036046B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5574011A (en) | 1980-06-04 |
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