JPS6036221B2 - 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用熱硬化性樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS6036221B2 JPS6036221B2 JP21085381A JP21085381A JPS6036221B2 JP S6036221 B2 JPS6036221 B2 JP S6036221B2 JP 21085381 A JP21085381 A JP 21085381A JP 21085381 A JP21085381 A JP 21085381A JP S6036221 B2 JPS6036221 B2 JP S6036221B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- thermosetting resin
- semiconductor encapsulation
- polyimide
- resin composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Organic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高信頼性の半導体装置を得るに有用な半導体
封止用熱硬化性樹脂組成物に関する。
封止用熱硬化性樹脂組成物に関する。
近年、半導体素子を熱硬化性樹脂によって封止するいわ
ゆるプラスチックパッケージが盛んに採用され、経済性
の面で大きく寄与している。この封止材料には耐熱衝撃
性を改良するために充てん剤として無機質材料（シＩＪ
力、アルミナなど）が用いられている。これら無機質材
料中には数ｐｐｍ程度のウラニウムやトリウム等が含ま
れている。これらの不純物は、Ｑ線を放出し、メモリ素
子等で誤動作（ソフトエラーと呼ぶ）を生ずることが知
られている。このために、半導体素子の信頼性が著しく
低下する場合があった。この発明は、Ｑ線による集積回
路のソフトエラー発生を解消することを目的とするとと
もに、従来技術と同様に耐熱衝撃性を向上せしめかつ高
温高湿下における雷食性を向上させることを目的とする
。
ゆるプラスチックパッケージが盛んに採用され、経済性
の面で大きく寄与している。この封止材料には耐熱衝撃
性を改良するために充てん剤として無機質材料（シＩＪ
力、アルミナなど）が用いられている。これら無機質材
料中には数ｐｐｍ程度のウラニウムやトリウム等が含ま
れている。これらの不純物は、Ｑ線を放出し、メモリ素
子等で誤動作（ソフトエラーと呼ぶ）を生ずることが知
られている。このために、半導体素子の信頼性が著しく
低下する場合があった。この発明は、Ｑ線による集積回
路のソフトエラー発生を解消することを目的とするとと
もに、従来技術と同様に耐熱衝撃性を向上せしめかつ高
温高湿下における雷食性を向上させることを目的とする
。
すなわち、この発明は、熱硬化性樹脂にボリィミド樹脂
またはポリィミド・ィソィンドロ・キナゾリンジオン樹
脂からなるポリィミド系樹脂粉体を配合するとともに、
組成物中のハロゲンイオンの含有量を５００ｐｐｍ以下
としたことを特徴とする半導体封止用熱硬化性樹脂組成
物にある。
またはポリィミド・ィソィンドロ・キナゾリンジオン樹
脂からなるポリィミド系樹脂粉体を配合するとともに、
組成物中のハロゲンイオンの含有量を５００ｐｐｍ以下
としたことを特徴とする半導体封止用熱硬化性樹脂組成
物にある。
一般に、有機高分子材料は無機材料に比べてウラニウム
やトリウム等の不純物含有量は少ない。
やトリウム等の不純物含有量は少ない。
しかし、有機高分子材料の一例としてポリエチレン樹脂
の場合では、ウラニウム含有量は４０〜５０ｐｐｂと比
較的多く、有機高分子材料がすべてメモリ素子の封止材
料として適しているとは限らない。この発明者らは、有
機高分子材料のなかでもポリィミド樹脂またはポリィミ
ド・ィソィンドロ・キナゾリンジオン樹脂からなるポリ
ィミド系樹脂がウラニウムやトリウムの如き不純物の非
常に少ないものであることに着目し、かっこの樹脂が耐
熱性にすぐれていることからこれを粉体化して封止材料
の充てん剤として使用することにより、ソフトエラー率
の少なくしかも耐熱衝撃性にすぐれる樹脂封止が可能と
なることを見し、出したものである。
の場合では、ウラニウム含有量は４０〜５０ｐｐｂと比
較的多く、有機高分子材料がすべてメモリ素子の封止材
料として適しているとは限らない。この発明者らは、有
機高分子材料のなかでもポリィミド樹脂またはポリィミ
ド・ィソィンドロ・キナゾリンジオン樹脂からなるポリ
ィミド系樹脂がウラニウムやトリウムの如き不純物の非
常に少ないものであることに着目し、かっこの樹脂が耐
熱性にすぐれていることからこれを粉体化して封止材料
の充てん剤として使用することにより、ソフトエラー率
の少なくしかも耐熱衝撃性にすぐれる樹脂封止が可能と
なることを見し、出したものである。
また、かかる封止材料中のハロゲンイオン含有量を前述
の如き特定範囲に抑えることによって樹脂封止された半
導体の耐緑性をも向上させることに成功したものである
。この発明において充てん剤として用いられるポリィミ
ド系樹脂粉体には、ジアミンとテトラカルポン酸二無水
物ないし誘導体とを反応させて得られるポリィミド樹脂
からなる粉体のほか、ジアミンとともにジアミノカルボ
ンアミドをジアミン成分としこれとテトラカルボン酸二
無水物ないしその誘導体とを反応せて得られるポリィミ
ド・ィソィンドロ・キナゾリンジオン樹脂からなる粉体
などが含まれる。
の如き特定範囲に抑えることによって樹脂封止された半
導体の耐緑性をも向上させることに成功したものである
。この発明において充てん剤として用いられるポリィミ
ド系樹脂粉体には、ジアミンとテトラカルポン酸二無水
物ないし誘導体とを反応させて得られるポリィミド樹脂
からなる粉体のほか、ジアミンとともにジアミノカルボ
ンアミドをジアミン成分としこれとテトラカルボン酸二
無水物ないしその誘導体とを反応せて得られるポリィミ
ド・ィソィンドロ・キナゾリンジオン樹脂からなる粉体
などが含まれる。
上記に用いるジアミン、ジアミノカルボンアミドおよび
テトラカルボン酸二類水物ないしその誘導体としては従
来公知のものをいずれも使用できるが、とくに好ましい
のは芳香族系のものである。上記粉体の粒子径としては
、一般に１００メッシュフリーパス、好適には２００メ
ッシュフリ−パスである。
テトラカルボン酸二類水物ないしその誘導体としては従
来公知のものをいずれも使用できるが、とくに好ましい
のは芳香族系のものである。上記粉体の粒子径としては
、一般に１００メッシュフリーパス、好適には２００メ
ッシュフリ−パスである。
また、使用量は組成物全体の３０〜８値重量％、好適に
は４５〜６５重量％の範囲とするのがよい。この発明に
おいて上述の如きポリィミド系樹脂粉体を配合する熱硬
化性樹脂としては、ェポキシ樹脂、シリコーン樹脂、不
飽和半導体素子などが挙げられる。
は４５〜６５重量％の範囲とするのがよい。この発明に
おいて上述の如きポリィミド系樹脂粉体を配合する熱硬
化性樹脂としては、ェポキシ樹脂、シリコーン樹脂、不
飽和半導体素子などが挙げられる。
半導体装置の耐緑性を考慮したときには、リードシール
性の良好なェポキシ樹脂がもっとも好適である。これら
の熱硬化性樹脂とともに通常は適宜の硬化剤、たとえば
ェポキシ樹脂ではフェノールボラック樹脂その他の公知
の硬化剤が配合される。また、この発明の半導体封止用
熱硬化性樹脂組成物には、硬化促進剤、離型剤、難燃剤
、着色剤、表面処理剤等の各種添加剤を必要に応じて添
加配合しても差し支えない。
性の良好なェポキシ樹脂がもっとも好適である。これら
の熱硬化性樹脂とともに通常は適宜の硬化剤、たとえば
ェポキシ樹脂ではフェノールボラック樹脂その他の公知
の硬化剤が配合される。また、この発明の半導体封止用
熱硬化性樹脂組成物には、硬化促進剤、離型剤、難燃剤
、着色剤、表面処理剤等の各種添加剤を必要に応じて添
加配合しても差し支えない。
硬化促進剤としてはィミダゾール化合物や第３級アミン
等がある。離型剤としてはカルナバワックス等の天然ワ
ックス類、ステァリン酸亜鉛等の直鎖脂肪酸に金属塩や
酸アミド類、ェステル類、石油ワックス類やパラフィン
等が挙げられる。また、難燃性付与のため三酸化アンチ
モン、臭素化ヱポキシ樹脂等、着色剤としてカーボンブ
ラック等、表面処理剤としてシランカップリング剤など
を用いうる。上記のシランカップリング剤としては、ｙ
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ｙ−グリシ
ドオキシプロピルトリメトキシシラン、ｙ−グリシドオ
キシプロピルトリメトキシシラン、ピニルトリエトキシ
シラン、Ｎ一８（アミノエチル）ｙ−アミノプロピルト
リメトキシシランなどが挙げられる。このような必須成
分および任意成分を含むこの発明の熱硬化性樹脂組成物
は、これに含まれるハロゲンイオンが５０のｐｍ以下に
抑えられていることが重要である。上記範囲を逸脱する
と高温高温下での配線パターンの露食を防止できなくな
るからである。なお、ハロゲンイオンの検出は、アセト
ンで溶解した樹脂組成物に硝酸銀溶液を滴定していく電
位差分析法によって定量することができる。ハロゲンイ
オンは前記各成分から浸入してくるおそれがあるが、そ
の多くは組成物全体中に占める割合の多い樹脂分（充て
ん剤としてのポリィミド系樹脂を含む）に由来する。
等がある。離型剤としてはカルナバワックス等の天然ワ
ックス類、ステァリン酸亜鉛等の直鎖脂肪酸に金属塩や
酸アミド類、ェステル類、石油ワックス類やパラフィン
等が挙げられる。また、難燃性付与のため三酸化アンチ
モン、臭素化ヱポキシ樹脂等、着色剤としてカーボンブ
ラック等、表面処理剤としてシランカップリング剤など
を用いうる。上記のシランカップリング剤としては、ｙ
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ｙ−グリシ
ドオキシプロピルトリメトキシシラン、ｙ−グリシドオ
キシプロピルトリメトキシシラン、ピニルトリエトキシ
シラン、Ｎ一８（アミノエチル）ｙ−アミノプロピルト
リメトキシシランなどが挙げられる。このような必須成
分および任意成分を含むこの発明の熱硬化性樹脂組成物
は、これに含まれるハロゲンイオンが５０のｐｍ以下に
抑えられていることが重要である。上記範囲を逸脱する
と高温高温下での配線パターンの露食を防止できなくな
るからである。なお、ハロゲンイオンの検出は、アセト
ンで溶解した樹脂組成物に硝酸銀溶液を滴定していく電
位差分析法によって定量することができる。ハロゲンイ
オンは前記各成分から浸入してくるおそれがあるが、そ
の多くは組成物全体中に占める割合の多い樹脂分（充て
ん剤としてのポリィミド系樹脂を含む）に由来する。
したがって、使用に当たってハロゲンイオン含量の少な
い樹脂分を選定したり、また使用前にハ。ゲンィオンを
除去するための適宜の精製処理を行なうことにより、組
成物全体中のハロゲンイオン含量が前記範囲内となるよ
うに設定する。以上詳述したとおり、この発明の半導体
封止用熱硬化性樹脂組成物によれば、ソラトェラー率の
少なくしかも耐熱衝撃性にすぐれまた高温高温下での電
気特性にすぐれる樹脂封止が可能となり、信頼性の高い
半導体装置を得ることができる。
い樹脂分を選定したり、また使用前にハ。ゲンィオンを
除去するための適宜の精製処理を行なうことにより、組
成物全体中のハロゲンイオン含量が前記範囲内となるよ
うに設定する。以上詳述したとおり、この発明の半導体
封止用熱硬化性樹脂組成物によれば、ソラトェラー率の
少なくしかも耐熱衝撃性にすぐれまた高温高温下での電
気特性にすぐれる樹脂封止が可能となり、信頼性の高い
半導体装置を得ることができる。
以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説明
する。実施例 １〜２ 無水ピロメリット酸とジァミノジフェニルェーテルから
なるポリィミド樹脂粉体を公知の方法で作成した。
する。実施例 １〜２ 無水ピロメリット酸とジァミノジフェニルェーテルから
なるポリィミド樹脂粉体を公知の方法で作成した。
粉砕機により、ポリィミド樹脂粉体を２００メッシュフ
リーパスとした。また、別にェポキシ当量２２０のノボ
ラック型ェポキシ樹脂Ａ〜Ｂ、ェポキシ当量２８５の臭
素化ヱポキシ樹脂Ｄ、分子量７００のフェノールノボラ
ック樹脂を用意した。さらに、これら樹脂成分の他に２
−メチルィミダゾール、カルナ／ぐワックス、カーボン
ブラック、シランカップリング剤、三酸化アンチモンを
も用意し、これら各成分を第１表に示す割合（重量部）
で混合し、ロールで加熱混練した後、冷却及び粉砕して
、この発明の２種の半導体封止用ェポキシ樹脂組成物を
調製した。一方、上記各成分のほかに、ェポキシ当量２
２０のェポキシ樹脂Ｃおよびシリカ粉末を用意し、第１
表に併記される割合（重量部）で混合し、上記実施例１
〜２と同様にして比較用の２種の半導体封止用ェポキシ
樹脂組成物を調製した。
リーパスとした。また、別にェポキシ当量２２０のノボ
ラック型ェポキシ樹脂Ａ〜Ｂ、ェポキシ当量２８５の臭
素化ヱポキシ樹脂Ｄ、分子量７００のフェノールノボラ
ック樹脂を用意した。さらに、これら樹脂成分の他に２
−メチルィミダゾール、カルナ／ぐワックス、カーボン
ブラック、シランカップリング剤、三酸化アンチモンを
も用意し、これら各成分を第１表に示す割合（重量部）
で混合し、ロールで加熱混練した後、冷却及び粉砕して
、この発明の２種の半導体封止用ェポキシ樹脂組成物を
調製した。一方、上記各成分のほかに、ェポキシ当量２
２０のェポキシ樹脂Ｃおよびシリカ粉末を用意し、第１
表に併記される割合（重量部）で混合し、上記実施例１
〜２と同様にして比較用の２種の半導体封止用ェポキシ
樹脂組成物を調製した。
上記の各組成物でＭＯＳ−ＲＡＭ型メモリ素子を封止し
、メモリ素子のソフトエラー率を測定した結果、並びに
プレッシャークツカーテスト（高温耐湿試験）および耐
熱衝撃試験を行なった結果は、つぎの第１表に併記され
るとおりであった。
、メモリ素子のソフトエラー率を測定した結果、並びに
プレッシャークツカーテスト（高温耐湿試験）および耐
熱衝撃試験を行なった結果は、つぎの第１表に併記され
るとおりであった。
第１表（注）１）１フィットは１個の素子が１０９時間
当り１回のエラーが起ることを示す単、である。
当り１回のエラーが起ることを示す単、である。
２）不良数ノ嘗試料数
３）‐５０℃〜１５０℃、５０サイクル。
上表から明らかなように、この発明の組成物によれば、
ソフトエラー率、プレッシャークッカ−テストおよび耐
熱衝撃性をいずれも満足させることができ、高信頼性の
半導体装置が得られるものであることがわかる。
ソフトエラー率、プレッシャークッカ−テストおよび耐
熱衝撃性をいずれも満足させることができ、高信頼性の
半導体装置が得られるものであることがわかる。
実施例 ３
ペンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物とジアミノジ
フエニルエ一テルカルボキシアミドとジアミノジフエニ
ルエーテルとからなるポリイミド・ィソィンドロ・キナ
ゾリンジオン樹脂粉体を公知の方法で作成した。
フエニルエ一テルカルボキシアミドとジアミノジフエニ
ルエーテルとからなるポリイミド・ィソィンドロ・キナ
ゾリンジオン樹脂粉体を公知の方法で作成した。
粉砕機によりポリイミド粉体を２００メッシュフリーパ
スとした。また、別にポリオルガノシロキサン〔（Ｃ６
＆）３（ＣＨ３）２Ｓｊ３０２日３〕ａ、ステアリン酸
カルシウム、一酸化鉛、２エチルヘキシル酸、カーボン
ブラックを用意し、これら各成分を第２表に示す割合（
重量部）で混合し、ロールで加熱混練した後、冷却及び
粉砕して、この発明の半導体封止用シリコーン樹脂組成
物を調製した。一方、上記各成分のほかに、ポリオルガ
ノシロキサン（前記と同様の化学構造を有するもの）ｂ
およびシリカ粉末を用意し、第２表に併記される割合（
重量部）で混合し、上記実施例３と同様にして比較用の
２種の半導体封止用シリコーン樹脂組成物を調製した。
スとした。また、別にポリオルガノシロキサン〔（Ｃ６
＆）３（ＣＨ３）２Ｓｊ３０２日３〕ａ、ステアリン酸
カルシウム、一酸化鉛、２エチルヘキシル酸、カーボン
ブラックを用意し、これら各成分を第２表に示す割合（
重量部）で混合し、ロールで加熱混練した後、冷却及び
粉砕して、この発明の半導体封止用シリコーン樹脂組成
物を調製した。一方、上記各成分のほかに、ポリオルガ
ノシロキサン（前記と同様の化学構造を有するもの）ｂ
およびシリカ粉末を用意し、第２表に併記される割合（
重量部）で混合し、上記実施例３と同様にして比較用の
２種の半導体封止用シリコーン樹脂組成物を調製した。
上記の各組成物を用いて前記の実施例１〜２の場合と同
様の試験を行なった結果は、つぎの第２表に併記される
とおりであった。
様の試験を行なった結果は、つぎの第２表に併記される
とおりであった。
第２表
（注）１）ボリィミド・ィソィンドロ・キナゾリンジオ
ン樹脂粉体上表から明らかなように、上記実施例３にお
いても前記実施例１〜２の場合と同様の結果が得られて
おり、ソフトエラー率、プレッシャークツカーテストお
よび耐熱衝撃性をいずれも満足できるものであることが
わかる。
ン樹脂粉体上表から明らかなように、上記実施例３にお
いても前記実施例１〜２の場合と同様の結果が得られて
おり、ソフトエラー率、プレッシャークツカーテストお
よび耐熱衝撃性をいずれも満足できるものであることが
わかる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 熱硬化性樹脂に充てん剤としてポリイミド樹脂また
はポリイミド・イソインドロ・キナゾリンジオン樹脂か
らなるポリイミド系樹脂粉体を配合するとともに、組成
物中のハロゲンイオンの含有量を５００ｐｐｍ以下とし
たことを特徴とする半導体封止用熱硬化性樹脂組成物。 ２ 熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂からなる特許請求の範
囲第１項記載の半導体封止用熱硬化性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21085381A JPS6036221B2 (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21085381A JPS6036221B2 (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58113251A JPS58113251A (ja) | 1983-07-06 |
| JPS6036221B2 true JPS6036221B2 (ja) | 1985-08-19 |
Family
ID=16596182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21085381A Expired JPS6036221B2 (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6036221B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102924503B1 (ko) * | 2025-05-19 | 2026-02-06 | 주식회사 에스엠터치 | 리니어모터 구동형 자동문 구동 장치 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62103160U (ja) * | 1985-12-19 | 1987-07-01 | ||
| JPWO2023032803A1 (ja) * | 2021-08-30 | 2023-03-09 |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP21085381A patent/JPS6036221B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102924503B1 (ko) * | 2025-05-19 | 2026-02-06 | 주식회사 에스엠터치 | 리니어모터 구동형 자동문 구동 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58113251A (ja) | 1983-07-06 |
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| JPS6325012B2 (ja) | ||
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