JPS58113251A - 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用熱硬化性樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS58113251A JPS58113251A JP21085381A JP21085381A JPS58113251A JP S58113251 A JPS58113251 A JP S58113251A JP 21085381 A JP21085381 A JP 21085381A JP 21085381 A JP21085381 A JP 21085381A JP S58113251 A JPS58113251 A JP S58113251A
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- JP
- Japan
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- thermosetting resin
- resin
- composition
- pref
- powder
- Prior art date
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- Granted
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- Organic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高信頼性の半導体装置を得るに有用な半導体
封止用熱硬化性樹脂組成物に関する。
封止用熱硬化性樹脂組成物に関する。
近年、半導体素子を熱硬化性樹脂によって封止するいわ
ゆるプラスチックパッケージが盛んに採用され、経済性
の面で大きく寄与している。この封止材料には耐熱衝撃
性を改良するために充てん剤として無機質材料（シリカ
、アルミナなど〕が用いられている。これら無機質材料
中には数円ｎ程度のウラニウムやトリウム等が含まれて
いる。
ゆるプラスチックパッケージが盛んに採用され、経済性
の面で大きく寄与している。この封止材料には耐熱衝撃
性を改良するために充てん剤として無機質材料（シリカ
、アルミナなど〕が用いられている。これら無機質材料
中には数円ｎ程度のウラニウムやトリウム等が含まれて
いる。
これらの不純物は、α線を放出し、メモリ素子等で誤動
作（ソフトエラーと呼ぶ−）を生ずることが知られてい
る。このために、半導体素子の信頼性が著しく低下する
場合があった。
作（ソフトエラーと呼ぶ−）を生ずることが知られてい
る。このために、半導体素子の信頼性が著しく低下する
場合があった。
この発明は、α線による集積回路のソフトエラー発生を
解消することを目的とするとともに、従来技術と同様に
耐熱衝撃性を向上せしめがっ尚温高湿下における電食性
を向上させることを目的とする。
解消することを目的とするとともに、従来技術と同様に
耐熱衝撃性を向上せしめがっ尚温高湿下における電食性
を向上させることを目的とする。
すなわち、この発明は、熱硬化性樹脂にポリイミド系樹
脂粉体を配合するとともに、組成物中のハロゲンイオン
の含有量を５００ ＰＰｍ以下としたことを特徴とする
半導体封止用熱硬化性樹脂組成物にある。
脂粉体を配合するとともに、組成物中のハロゲンイオン
の含有量を５００ ＰＰｍ以下としたことを特徴とする
半導体封止用熱硬化性樹脂組成物にある。
一般に、有機高分子材料は無機材料に比べてウラニウム
やトリウム等の不純物含有量は少γｉい。
やトリウム等の不純物含有量は少γｉい。
しかし、有機高分子材料の一例としてポリエチレン樹脂
の場合では、ウラニウム含有量は４０〜５゜ＰＰｂと比
較的多く、有機高分子材料がすべてメモリ素子の封止材
料として適しているとは限らない。
の場合では、ウラニウム含有量は４０〜５゜ＰＰｂと比
較的多く、有機高分子材料がすべてメモリ素子の封止材
料として適しているとは限らない。
この発明者らは、有機高分子材料のなかでもポリ必イミ
ド系樹脂がウラニウムやトリウムの如き不純物の非常に
少ないものであることに着目し、かつこの樹脂が耐熱性
にすぐれていることからこれを粉体化して封止材料の充
てん剤として使用することにより、ソフトエラー率の少
す＜シかも耐熱衝撃性にすぐれる樹脂封止が可能となる
ことを見い出したものである。また、かかる封止材料中
のハロゲンイオン含有量を前述の如き特定範囲に抑える
ことによって樹脂封止された半導体の耐湿性をも向上さ
せることに成功したものである。
ド系樹脂がウラニウムやトリウムの如き不純物の非常に
少ないものであることに着目し、かつこの樹脂が耐熱性
にすぐれていることからこれを粉体化して封止材料の充
てん剤として使用することにより、ソフトエラー率の少
す＜シかも耐熱衝撃性にすぐれる樹脂封止が可能となる
ことを見い出したものである。また、かかる封止材料中
のハロゲンイオン含有量を前述の如き特定範囲に抑える
ことによって樹脂封止された半導体の耐湿性をも向上さ
せることに成功したものである。
この発明において充てん剤として用いられるポリイミド
系樹脂粉体には、ジアミンとテトラカルボン酸二無水物
ないしその誘導体とを反応させて得られるポリイミド樹
脂から□なる粉体のほか、ジアミンとともにジアミノカ
ルボンアミドをジアミン成分としこれとテトラカルボン
酸二無水物ないしその誘導体とを反応させて得られるポ
リイミド・インインドロ・キナゾリンジオン樹脂からな
る粉体などが含まれる。上記に用いるジアミン、ジアミ
ノカルボンアミドおよびテトラカルボン酸二無水物ない
しその誘導体としては従来公知のものをいずれも使用で
きるが、とくに好ましいのは芳香族系のものである。
系樹脂粉体には、ジアミンとテトラカルボン酸二無水物
ないしその誘導体とを反応させて得られるポリイミド樹
脂から□なる粉体のほか、ジアミンとともにジアミノカ
ルボンアミドをジアミン成分としこれとテトラカルボン
酸二無水物ないしその誘導体とを反応させて得られるポ
リイミド・インインドロ・キナゾリンジオン樹脂からな
る粉体などが含まれる。上記に用いるジアミン、ジアミ
ノカルボンアミドおよびテトラカルボン酸二無水物ない
しその誘導体としては従来公知のものをいずれも使用で
きるが、とくに好ましいのは芳香族系のものである。
上記粉体の粒子径としては、一般に１００メツシユフリ
ーパス、好適には２００メツシユフリーパスである。ま
た、使用量は組成物全体の３０〜８０重量％、好適には
４５〜６５重量％の範囲とするのがよい。
ーパス、好適には２００メツシユフリーパスである。ま
た、使用量は組成物全体の３０〜８０重量％、好適には
４５〜６５重量％の範囲とするのがよい。
この発明において上述の如きポリイミド系樹脂粉体を配
合する熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコー
ン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。半
導体装置の耐湿性を考慮したときには、リードシール性
の良好なエポキシ樹脂がもつとも好適である。これらの
熱硬化性樹脂とともに通常は適宜の硬化剤、たとえはエ
ポキシ樹脂ではフェノールノボラック樹脂その他の公知
の硬化剤が配合される。
合する熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコー
ン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。半
導体装置の耐湿性を考慮したときには、リードシール性
の良好なエポキシ樹脂がもつとも好適である。これらの
熱硬化性樹脂とともに通常は適宜の硬化剤、たとえはエ
ポキシ樹脂ではフェノールノボラック樹脂その他の公知
の硬化剤が配合される。
また、この発明の半導体封止用熱硬化性樹脂組成物には
、硬化促進剤、離型剤、難燃剤、着色剤、表面処理剤等
の各種添加剤を必要に応じて添加配合しても差し支えな
い。硬化促進剤としてはイミダゾール化合物や第３級ア
ミン等がある。離型剤としてはカルナバワックス等の天
然ワックス類、ステアリン酸亜鉛等の直鎖脂肪酸の金属
塩や酸アミド類、エステル類、石油ワックス類やパラフ
ィン等が挙げられる。また、難燃性付与のため三酸化ア
ンチモン、臭素化エポキシ樹脂等、着色剤としてカーボ
ンブラック等、表面処理剤としてシランカップリング剤
などを用いうる。上記のシランカップリング剤としては
、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−グ
リシドオキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリ
エトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
、硬化促進剤、離型剤、難燃剤、着色剤、表面処理剤等
の各種添加剤を必要に応じて添加配合しても差し支えな
い。硬化促進剤としてはイミダゾール化合物や第３級ア
ミン等がある。離型剤としてはカルナバワックス等の天
然ワックス類、ステアリン酸亜鉛等の直鎖脂肪酸の金属
塩や酸アミド類、エステル類、石油ワックス類やパラフ
ィン等が挙げられる。また、難燃性付与のため三酸化ア
ンチモン、臭素化エポキシ樹脂等、着色剤としてカーボ
ンブラック等、表面処理剤としてシランカップリング剤
などを用いうる。上記のシランカップリング剤としては
、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−グ
リシドオキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリ
エトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
このような必須成分および任意成分を含むこの発明の熱
硬化性樹脂組成物は、これに含まれるノ・ロゲンイオン
が５ Ｑ Ｑ ｐｐｍ以下に抑えられていることが重要
である。上記範囲を逸脱すると高温高湿下での配線パタ
ーンの電食を防止できなくなるからである。なお、ノ・
ロゲンイオンの検出は、アセトンで溶解した樹脂組成物
に硝酸銀溶液を滴定していく電位差分析法によって定量
することができる。
硬化性樹脂組成物は、これに含まれるノ・ロゲンイオン
が５ Ｑ Ｑ ｐｐｍ以下に抑えられていることが重要
である。上記範囲を逸脱すると高温高湿下での配線パタ
ーンの電食を防止できなくなるからである。なお、ノ・
ロゲンイオンの検出は、アセトンで溶解した樹脂組成物
に硝酸銀溶液を滴定していく電位差分析法によって定量
することができる。
ハロゲンイオンは前記各成分から混入してくるおそれが
あるが、その多くは組成物全体中に占める割合の多い樹
脂分（充てん剤としてのポリイミド系樹脂を含む）に由
来する。したがって、使用に当たってハロゲンイオン含
量の少ない樹脂分を選定したり、また使用前にノ・ロゲ
ンイオンを除去するための適宜の精製処理を行なうこと
により、組成物全体中の−・ロゲンイオン含量が前記範
囲内となるように設定する。
あるが、その多くは組成物全体中に占める割合の多い樹
脂分（充てん剤としてのポリイミド系樹脂を含む）に由
来する。したがって、使用に当たってハロゲンイオン含
量の少ない樹脂分を選定したり、また使用前にノ・ロゲ
ンイオンを除去するための適宜の精製処理を行なうこと
により、組成物全体中の−・ロゲンイオン含量が前記範
囲内となるように設定する。
以上詳述したとおり、この発明の半導体封止用熱硬化性
樹脂組成物によれば、ソフトエラー率の少なくしかも耐
熱衝撃性にすぐれまた商温高湿下での電気特性にすぐれ
る樹脂封止が可能となり、信頼性の高い半導体装置を得
ることができる。
樹脂組成物によれば、ソフトエラー率の少なくしかも耐
熱衝撃性にすぐれまた商温高湿下での電気特性にすぐれ
る樹脂封止が可能となり、信頼性の高い半導体装置を得
ることができる。
以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説明
する。
する。
実施例１〜２
無水ピロメリット酸とジアミノジフェニルエーテルから
なる社＃ポリイミド樹脂粉体を公知の方法で作成した。
なる社＃ポリイミド樹脂粉体を公知の方法で作成した。
粉砕機により、ポリイミド樹脂粉体を２００メツシユフ
リーパスとした。また、別にエポキシ当量２２０のノボ
ラック型エポキシ樹脂Ａ〜Ｂ、エポキシ当量２８５の臭
素化エポキシ樹脂０１分子量７００のフェノールノボラ
ック樹脂を用意した。さらに、これら樹脂成分の他に２
＝メチルイミダゾール、カルナバワックス、カーボンブ
ラック、シランカップリング剤、三酸化アンチモンをも
用意し、これら各成分を第１表に示す割合（重量部〕で
混合し、ロールで加熱混線した後、冷却及び粉砕して、
この発明の２種の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を調
製した。
リーパスとした。また、別にエポキシ当量２２０のノボ
ラック型エポキシ樹脂Ａ〜Ｂ、エポキシ当量２８５の臭
素化エポキシ樹脂０１分子量７００のフェノールノボラ
ック樹脂を用意した。さらに、これら樹脂成分の他に２
＝メチルイミダゾール、カルナバワックス、カーボンブ
ラック、シランカップリング剤、三酸化アンチモンをも
用意し、これら各成分を第１表に示す割合（重量部〕で
混合し、ロールで加熱混線した後、冷却及び粉砕して、
この発明の２種の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を調
製した。
一方、上記各成分のほかに、エポキシ当量２２０のエポ
キシ樹脂Ｃおよびシリカ粉末を用意し、第１表に併記さ
れる割合（重量部）で混合し、上記実施例１〜２と同様
にして比較用の２種の半導体上記の各組成物でＭＯＳ
ＲＡＭ型メモリ素子を封止し、メモリ素子のソフトエ
ラー率を測定した結果、並びにプレッシャークツカーテ
スト（高温耐湿試験）および耐熱衝撃試験を行なった結
果は、つぎの第１表に併記されるとおりであった。
キシ樹脂Ｃおよびシリカ粉末を用意し、第１表に併記さ
れる割合（重量部）で混合し、上記実施例１〜２と同様
にして比較用の２種の半導体上記の各組成物でＭＯＳ
ＲＡＭ型メモリ素子を封止し、メモリ素子のソフトエ
ラー率を測定した結果、並びにプレッシャークツカーテ
スト（高温耐湿試験）および耐熱衝撃試験を行なった結
果は、つぎの第１表に併記されるとおりであった。
（注）１〕１フイツトは１個の素子が１０時間当り１回
のエラーが起ることを示す 単位である。
のエラーが起ることを示す 単位である。
２）不良数／試料数。
３）−５０℃〜１５０℃、５０サイクル。
゛ 上表から明らかなように、この発明の組成物によれ
ば、ソフトエラー率、プレッシャークツカーテストおよ
び耐熱衝撃性をいずれも満足させることができ、高信頼
性の半導体装置が得られるものであることがわかる。
ば、ソフトエラー率、プレッシャークツカーテストおよ
び耐熱衝撃性をいずれも満足させることができ、高信頼
性の半導体装置が得られるものであることがわかる。
実施例３
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物とジアミノジ
フェニルエーテルカルボキシアミドとジアミノジフェニ
ルエーテルとからなるポリイミド・イソインドロ・キナ
ゾリンジオン樹脂粉体を公知の方法で作成した。粉砕機
によりポリイミド粉体を２００メツシユフリーパスとし
た。また、別にポリオルガノシロキサン〔（Ｃ６Ｈ５）
３（ＣＨ３）２Ｓｉ ３０２Ｈ３’） ａ 、ステアリ
ン酸カルシウム、−酸化鉛、２エチルヘキシル酸、カー
ボンブラックを用意し、これら各成分を第２表に示す割
合（重量部〕で混合し、ロールで加熱混練した後、冷却
及び粉砕して、この発明の半導体封止用シリコーン樹脂
組成物を調製した。
フェニルエーテルカルボキシアミドとジアミノジフェニ
ルエーテルとからなるポリイミド・イソインドロ・キナ
ゾリンジオン樹脂粉体を公知の方法で作成した。粉砕機
によりポリイミド粉体を２００メツシユフリーパスとし
た。また、別にポリオルガノシロキサン〔（Ｃ６Ｈ５）
３（ＣＨ３）２Ｓｉ ３０２Ｈ３’） ａ 、ステアリ
ン酸カルシウム、−酸化鉛、２エチルヘキシル酸、カー
ボンブラックを用意し、これら各成分を第２表に示す割
合（重量部〕で混合し、ロールで加熱混練した後、冷却
及び粉砕して、この発明の半導体封止用シリコーン樹脂
組成物を調製した。
一方、上記各成分のほかに、ポリオルガノシロキサン（
前記と同様の化学構造を有するもの）ｂおよびシリカ粉
末を用意し、第２表に併記される割合（重量部）で混合
し、上記実施例３と同様にして比較用の２種の半導体封
止用シリコーン樹脂組成物を調製した。
前記と同様の化学構造を有するもの）ｂおよびシリカ粉
末を用意し、第２表に併記される割合（重量部）で混合
し、上記実施例３と同様にして比較用の２種の半導体封
止用シリコーン樹脂組成物を調製した。
上記の各組成物を用いて前記の実施例１〜２の場合と同
様の試験を行なった結果は、つぎの第２表に併記される
とおりであった。
様の試験を行なった結果は、つぎの第２表に併記される
とおりであった。
第２表
（注）１）ポリイミド・インインドロ・キナゾリンジオ
ン樹脂粉体 上表から明らかなように、上記実施例３１こおｌ、Ｍで
も前記実施例１〜２の場合と同様の結果か得られており
、ソフトエラー率、プレ゛ノシャーク′ンカーテストお
よび耐熱衝撃性をし）ずれも満足できるものであること
がわかる。
ン樹脂粉体 上表から明らかなように、上記実施例３１こおｌ、Ｍで
も前記実施例１〜２の場合と同様の結果か得られており
、ソフトエラー率、プレ゛ノシャーク′ンカーテストお
よび耐熱衝撃性をし）ずれも満足できるものであること
がわかる。
特許出願人 日東電気工業株式会社
Claims (2)
- （１）熱硬化性樹脂に充てん剤としてポリイミド系樹脂
粉体を配合するとともに、組成物中の・・ロゲンイオン
の含有量を５００ ｐｐｍ以下としたことを特徴とする
半導体封止用熱硬化性樹脂組成物。 - （２）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂からなる特許請求の
範囲第（１）項記載の半導体封止用熱硬化性樹脂組成物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21085381A JPS6036221B2 (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21085381A JPS6036221B2 (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58113251A true JPS58113251A (ja) | 1983-07-06 |
| JPS6036221B2 JPS6036221B2 (ja) | 1985-08-19 |
Family
ID=16596182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21085381A Expired JPS6036221B2 (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6036221B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62103160U (ja) * | 1985-12-19 | 1987-07-01 | ||
| WO2023032803A1 (ja) * | 2021-08-30 | 2023-03-09 | 東レ株式会社 | 樹脂組成物、硬化物、有機ｅｌ表示装置および硬化物の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102924503B1 (ko) * | 2025-05-19 | 2026-02-06 | 주식회사 에스엠터치 | 리니어모터 구동형 자동문 구동 장치 |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP21085381A patent/JPS6036221B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62103160U (ja) * | 1985-12-19 | 1987-07-01 | ||
| WO2023032803A1 (ja) * | 2021-08-30 | 2023-03-09 | 東レ株式会社 | 樹脂組成物、硬化物、有機ｅｌ表示装置および硬化物の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6036221B2 (ja) | 1985-08-19 |
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