JPS6036672A - 無電解銅めつきに対する活性化法 - Google Patents
無電解銅めつきに対する活性化法Info
- Publication number
- JPS6036672A JPS6036672A JP14463883A JP14463883A JPS6036672A JP S6036672 A JPS6036672 A JP S6036672A JP 14463883 A JP14463883 A JP 14463883A JP 14463883 A JP14463883 A JP 14463883A JP S6036672 A JPS6036672 A JP S6036672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- palladium
- compound
- article
- copper plating
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 title abstract description 22
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title abstract description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 17
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 title 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 10
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 6
- 150000002941 palladium compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 claims description 4
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 abstract description 25
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 55
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 8
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical group OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 description 2
- 229930182816 L-glutamine Natural products 0.000 description 2
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 2
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001467 acupuncture Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- BHZSLLSDZFAPFH-UHFFFAOYSA-L palladium(2+);difluoride Chemical compound F[Pd]F BHZSLLSDZFAPFH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GPNDARIEYHPYAY-UHFFFAOYSA-N palladium(ii) nitrate Chemical compound [Pd+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O GPNDARIEYHPYAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- NRUVOKMCGYWODZ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenepalladium Chemical compound [Pd]=S NRUVOKMCGYWODZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004474 valine Substances 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N Asparagine Natural products OC(=O)C(N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 241000218691 Cupressaceae Species 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 244000061508 Eriobotrya japonica Species 0.000 description 1
- 235000009008 Eriobotrya japonica Nutrition 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N L-asparagine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 description 1
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- 244000082204 Phyllostachys viridis Species 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 235000009582 asparagine Nutrition 0.000 description 1
- 229960001230 asparagine Drugs 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 235000012149 noodles Nutrition 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- HBEQXAKJSGXAIQ-UHFFFAOYSA-N oxopalladium Chemical compound [Pd]=O HBEQXAKJSGXAIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011012 sanitization Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229940125725 tranquilizer Drugs 0.000 description 1
- 239000003204 tranquilizing agent Substances 0.000 description 1
- 230000002936 tranquilizing effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ｒＪ、無竜解餉めっきに対する活性化法に関丁ゐ
〇 無電解銅めっきは、印刷配線板の分野で、槓ＪｗＩ板等
の絶縁基板に回路會形成するために広く用いらｔｌてい
ゐ。
〇 無電解銅めっきは、印刷配線板の分野で、槓ＪｗＩ板等
の絶縁基板に回路會形成するために広く用いらｔｌてい
ゐ。
この場合、絶縁基板の無電解銅めっ＠が施さｎ、る１１
１１はｄＪ性化、すなわち無電解銅めりきのための触媒
核が形成さｎ、／）。この触媒核紫中心にして、無電解
銅めっ１！液中の銅イオンが析出し、成長して銅膜とな
り１回路となぁ。
１１はｄＪ性化、すなわち無電解銅めりきのための触媒
核が形成さｎ、／）。この触媒核紫中心にして、無電解
銅めっ１！液中の銅イオンが析出し、成長して銅膜とな
り１回路となぁ。
杷縁丞板ケ活性化丁ゐために、無電解銅めっきのための
触媒となる金属パラジウムｒ絶縁基板表ｒｋＩＫ形成さ
せていゐ。
触媒となる金属パラジウムｒ絶縁基板表ｒｋＩＫ形成さ
せていゐ。
従来、この金属パラジウムは。
Ｃ７１
Ｐ ｄｃｌ ＊ ＋ ５ｎＣｋ−→Ｐｄ＋５ｎＣＪ４の
反応で僧らｎており、硅礫土などの担体に担持さハ、触
媒作用を果すように工夫さｎ、ている。
反応で僧らｎており、硅礫土などの担体に担持さハ、触
媒作用を果すように工夫さｎ、ている。
そのため、 Ｓｎ、ＣＩなどの不純？ｌゲ多（宮むうぇ
に、担体葡便月４丁ゐたわ、接涜剤混入し、アティティ
プ印刷配線板用の＋７宥剤（触媒人Ｖ）付槓層儀τ製輩
丁ゐ場合、そり、ねじｎ、が発生し。
に、担体葡便月４丁ゐたわ、接涜剤混入し、アティティ
プ印刷配線板用の＋７宥剤（触媒人Ｖ）付槓層儀τ製輩
丁ゐ場合、そり、ねじｎ、が発生し。
杷Ｈ性に難点かをクリ、父、絶縁篭勝の絶縁層中１’ｉ
：混入することは困難であった。
：混入することは困難であった。
させた錯化合ｖ／Ｊｋ刀Ｉ熱し金属パラジウムγ生成さ
ぜゐことｒ待機と丁ゐ無電解鋼めっきに対する活性化法
でおる。
ぜゐことｒ待機と丁ゐ無電解鋼めっきに対する活性化法
でおる。
２１１′ｌｌＩのパラジウム化合物としては、塩化パラ
ジウム（■）、フッ化パラジウム（”）、某化バラジウ
ム（■几 ヨウ化パラジウム（■）、硝酸パラジウム（
ＩＩ）、硫酸パラジウム（ｎ）Ｔｈ 錯化パラジウム０
Ｊ）ｓ 硫化パラジウム（ＩＴ）及びこｎらの混合物が
使用さｎ、ゐ。
ジウム（■）、フッ化パラジウム（”）、某化バラジウ
ム（■几 ヨウ化パラジウム（■）、硝酸パラジウム（
ＩＩ）、硫酸パラジウム（ｎ）Ｔｈ 錯化パラジウム０
Ｊ）ｓ 硫化パラジウム（ＩＴ）及びこｎらの混合物が
使用さｎ、ゐ。
ハロゲン化物、特に塩化パラジウム（ＩＩ）が好ましい
。１価、２Ｉｌｉ１１の銅化合物としては、塩化鋼（す
、塩化鋼０Ｊ）Ｔｈ儲取組（川及びこｊ、らの混合物が
使用式れ心。
。１価、２Ｉｌｉ１１の銅化合物としては、塩化鋼（す
、塩化鋼０Ｊ）Ｔｈ儲取組（川及びこｊ、らの混合物が
使用式れ心。
アば）版としては、クルタミン叡、アスパラギンｔ’ｓ
！ りシン、アシニン、バリン、フェニルアラニン及
びこ几らの混合物が便月１６几る０２ｉＩ１１］のパラ
ジウム化合＃’にアミン醜と反応させて錯化付物を侍ゐ
ＶＣは、例えば、メタノール１．５ＣＣＫ、Ｌ−グルタ
ミン０．１７ｇ、塩化バラシｒ）ム（ＩＯ２，１ｇケ加
え振と９すめことによジ得らｎる。この錯化付物は８０
℃の加熱で金属パラジウムｒ生成丁ゐ。侶ら′ｆした錯
化合物では１１ｎ化バランウム（ｎ）はアミノ酸のアミ
ノ基に配位しており、アミ７基が結合する炭來ｖｃ結合
丁０分極した水素により金属パラジウムが生成さｎゐＯ 加熱温度は、例えば、５０〜２００℃が好１しく、アミ
ノ酸の線類により適崗が決めら７１．る〇（１） 錯化
合物ケ含む水浴液中に被めっき物ケ浸ｔｕシ引き上げ、
加熱丁０ことにより被めっきｖｌＪ表匍に金用パラジウ
ムｒ生成芒１り心〇（２）錯化合物ケ、ゴム−７エノー
ル系弄の接層剤中に分散し、この接噛剤ｔガラス布にエ
ポキシを含浸した積層板表向に塗布し、加熱乾燥丁ゐ設
階で金属パラジウム忙生成させる。
！ りシン、アシニン、バリン、フェニルアラニン及
びこ几らの混合物が便月１６几る０２ｉＩ１１］のパラ
ジウム化合＃’にアミン醜と反応させて錯化付物を侍ゐ
ＶＣは、例えば、メタノール１．５ＣＣＫ、Ｌ−グルタ
ミン０．１７ｇ、塩化バラシｒ）ム（ＩＯ２，１ｇケ加
え振と９すめことによジ得らｎる。この錯化付物は８０
℃の加熱で金属パラジウムｒ生成丁ゐ。侶ら′ｆした錯
化合物では１１ｎ化バランウム（ｎ）はアミノ酸のアミ
ノ基に配位しており、アミ７基が結合する炭來ｖｃ結合
丁０分極した水素により金属パラジウムが生成さｎゐＯ 加熱温度は、例えば、５０〜２００℃が好１しく、アミ
ノ酸の線類により適崗が決めら７１．る〇（１） 錯化
合物ケ含む水浴液中に被めっき物ケ浸ｔｕシ引き上げ、
加熱丁０ことにより被めっきｖｌＪ表匍に金用パラジウ
ムｒ生成芒１り心〇（２）錯化合物ケ、ゴム−７エノー
ル系弄の接層剤中に分散し、この接噛剤ｔガラス布にエ
ポキシを含浸した積層板表向に塗布し、加熱乾燥丁ゐ設
階で金属パラジウム忙生成させる。
（５）油化合物ｒ１エポキシ樹脂のアセトン浴液中に分
散させたワニスｔカラス布等の基材に宮陵場せ、通常の
方法によジ槓層板を製造する。ズリグレグの乾燥時、積
〜板の力り熱加圧時の熱により金属パラジウムか化成す
る。
散させたワニスｔカラス布等の基材に宮陵場せ、通常の
方法によジ槓層板を製造する。ズリグレグの乾燥時、積
〜板の力り熱加圧時の熱により金属パラジウムか化成す
る。
（４）錯化ｆｆｉ ’＋ＪＡ ｋ ｓポリエステル側層
の有像俗剤溶液中に分散妊ゼ、流延法でフィルム忙つぐ
る０Ｍ８Ｍ剤のカロ熱除去中の力ｎ熱により金属パラジ
ウムが生成丁ゐ。
の有像俗剤溶液中に分散妊ゼ、流延法でフィルム忙つぐ
る０Ｍ８Ｍ剤のカロ熱除去中の力ｎ熱により金属パラジ
ウムが生成丁ゐ。
（５）錯化合物？、ポリイミドのテトラビドロン２７ｍ
液中に分散させ、銅線に被柑丁ゐ。焼き付は時の熱によ
り金属パラジウムが生成し触媒性紫肩丁絶＃電線が得ら
ｆＬる。
液中に分散させ、銅線に被柑丁ゐ。焼き付は時の熱によ
り金属パラジウムが生成し触媒性紫肩丁絶＃電線が得ら
ｆＬる。
以−に脱明したように、本発明の方法では次の利点が達
せらｒＬる。
せらｒＬる。
（リ 生成する金属パラジウムの粒子が軸かいため、得
らｎた無電ルＦめっきの特性が優ｎる〇（２）硅楡土等
の担体を１史用しｌいで丁むので、ｕ液中でのｆ費用が
可能であり１均−混８が容易。
らｎた無電ルＦめっきの特性が優ｎる〇（２）硅楡土等
の担体を１史用しｌいで丁むので、ｕ液中でのｆ費用が
可能であり１均−混８が容易。
（５） Ｓｎ、Ｃｊ等の不純物？含互ないため、得らｎ
た無′ＦＪＬ解めっきの特性が艮い。
た無′ＦＪＬ解めっきの特性が艮い。
５−
手 本売 ζ市 韮Ｌ ｉυ：
ＩＩｌ拝ＩＪ５Ｂ年 ９月１６ＥＪ
昭川５８年特許願第１４４６３８５３
２、発明の名称
無ｉ１１”ｌめっきに対する活性化法
３、補正をする者
事ｌｆｔとの関係 特許出願人
住所 東京都新宿区西新宿−丁目１番１繋名称（４４５
）口立イｕＶＬ業株式会社代表者横山亮次 ４、 イ（Ｊｌｌ）、 ■１６０ 居所 東京都新宿区西新宿二丁目１番１司日立イＩＩ＆
ＴＪ！朱代会社内 （電話 東京 ３４６−３１１１ （大代表）６、補正
の内容 別紙の通り。
）口立イｕＶＬ業株式会社代表者横山亮次 ４、 イ（Ｊｌｌ）、 ■１６０ 居所 東京都新宿区西新宿二丁目１番１司日立イＩＩ＆
ＴＪ！朱代会社内 （電話 東京 ３４６−３１１１ （大代表）６、補正
の内容 別紙の通り。
明 １Ａｆｉ＊
１、発明の名称
無電解鋼めっきＶｃ対する活性化法
２’ 竹ｅｆｔ 請求の範囲
１、 ２１１ｉ１１のパラジウム化付物又は、１１曲、
２１曲の銅化合物τアミノ酸と反応さぜた錯化合物τ力
口熱し、金属パラジウム又に金塊ｍｋ生成さぜることｋ
ｌＦＶｆ畝と丁ゐ勲屯屏銅めつさｒＣ対するｔ占性化法
。
２１曲の銅化合物τアミノ酸と反応さぜた錯化合物τ力
口熱し、金属パラジウム又に金塊ｍｋ生成さぜることｋ
ｌＦＶｆ畝と丁ゐ勲屯屏銅めつさｒＣ対するｔ占性化法
。
６、発明の詳細な説明
本発明ｆＪｓ無電解銅めっきに対する佑性化伝に関する
。
。
無′１旺冷ｆ銅めっ＠は、印刷配輸板の分封で、積層板
等の絶縁跳板Ｖｃ＋！：！Ｊ路笛形成するために広（用
いらｔている。
等の絶縁跳板Ｖｃ＋！：！Ｊ路笛形成するために広（用
いらｔている。
この場合、絶縁基板の無電解鋼めっきが施される面は活
性化、丁ｌわち無′覗購銅めつきのための触媒核が形成
され６ｏこの触媒核を中心にして、無電解鋼めつ＠液中
の鋼イオンが廿「出し、ｂ’ｇ長して銅膜となり１回路
となる。
性化、丁ｌわち無′覗購銅めつきのための触媒核が形成
され６ｏこの触媒核を中心にして、無電解鋼めつ＠液中
の鋼イオンが廿「出し、ｂ’ｇ長して銅膜となり１回路
となる。
絶縁基板忙活性化するために、無電Ｐ？ｌ銅めっきのた
めの触媒となる金栖パラジウム又は金属＊＠７杷峠基板
表向に形成させている。
めの触媒となる金栖パラジウム又は金属＊＠７杷峠基板
表向に形成させている。
従来１例えばこの金ｐｊｉ パラジウムに、Ｃｌ
ＰｄＣ６−＋５ｎ（４−−一９Ｐｄ ＋５ｎＣｊｌａの
反応で侍ら扛ており、硅櫟士などの担体に担持さ扛、触
媒作用を果すように工夫されている。
反応で侍ら扛ており、硅櫟士などの担体に担持さ扛、触
媒作用を果すように工夫されている。
そ６！Ｊため、 Ｓｎ、ＣＩなどの不純物？多（廿ひり
λに、担体葡使用するため、接漕剤に混入し、アティテ
ィプ印刷配鍼板用の接宥刑（触媒人！ｌｌ）何種層板を
製造する場合、そり、ねじれか発生し、絶縁性に餌点か
あり１又、絶縁電解の絶縁層中に混入丁にとは困難であ
った。
λに、担体葡使用するため、接漕剤に混入し、アティテ
ィプ印刷配鍼板用の接宥刑（触媒人！ｌｌ）何種層板を
製造する場合、そり、ねじれか発生し、絶縁性に餌点か
あり１又、絶縁電解の絶縁層中に混入丁にとは困難であ
った。
本発明はこのような点ｖｃ鑑みてなさｎたもので、２価
のパラジウム化付物又は１価、２価の銅化合物ｔアミノ
酸と反応させた錯化付物ケ加熱し金属パラジウム又は金
蝿銅【生成ざぜることｒ特徴とする無゛屯屏組めっきに
対する活性化法である。
のパラジウム化付物又は１価、２価の銅化合物ｔアミノ
酸と反応させた錯化付物ケ加熱し金属パラジウム又は金
蝿銅【生成ざぜることｒ特徴とする無゛屯屏組めっきに
対する活性化法である。
２価のパラジウム化付物としては、塩化パラジウム（■
）、フッ化パラジウム（ＩＩ）、Ｍ化パラジウム（ＴＩ
） ％ ヨウ化パラジウム（ｎ）、硝酸パラジウム（１
す、硫酸パラジウム（Ｈ）、酸化パラジウム（ＩＩ）、
硫４１＝パラジウム（１１）及びこれらの混合物が使用
芒扛る〇ハロゲン化物、轡に塩化パラジウム（ｉｆ）が
好ましい。１１１１１１，２価の物化合物としては、塩
化鋼（Ｉ）。
）、フッ化パラジウム（ＩＩ）、Ｍ化パラジウム（ＴＩ
） ％ ヨウ化パラジウム（ｎ）、硝酸パラジウム（１
す、硫酸パラジウム（Ｈ）、酸化パラジウム（ＩＩ）、
硫４１＝パラジウム（１１）及びこれらの混合物が使用
芒扛る〇ハロゲン化物、轡に塩化パラジウム（ｉｆ）が
好ましい。１１１１１１，２価の物化合物としては、塩
化鋼（Ｉ）。
塩化銅（■几＃Ｌ酸銅（ＩＩ）及びこ扛らの混合ｖ！Ｉ
が使用される。
が使用される。
アミノ酸としては、グルタミン酸、アスパラギン酸、グ
リシン、アラニン、バリン、フェニルアラニン及びこ扛
らの混合物が使用される。
リシン、アラニン、バリン、フェニルアラニン及びこ扛
らの混合物が使用される。
２１１ｆＩ＋のパラジウム化合＊’にアミノ酸と反応ざ
ゼて錯化合物葡得るには１例えは、メタノール１、５
ｃｃに、Ｌ−グルタミン０．１７ｇ５塩化パラジウム（
ＩＩ） ｌ １ ｇＴ刀口え振とうすることによＶ侍ら
ｎる。この錯化合物は８０℃の刀ｎ熱で金属パラジウム
葡生成する。侮られた錯化付物では、塩化パラジウム（
ＩＩ）にアミノ酸のアミノ基に配位しており、アずノ羞
が結付する炭素に結付する分極した水素により金属パラ
ジウムか生成δ扛５− るＯ 加熱１Ｍ度は、例えば、５０〜２００℃が好ましく、ア
ミノ献の狸傾ｒより通崗が決めら扛る。
ゼて錯化合物葡得るには１例えは、メタノール１、５
ｃｃに、Ｌ−グルタミン０．１７ｇ５塩化パラジウム（
ＩＩ） ｌ １ ｇＴ刀口え振とうすることによＶ侍ら
ｎる。この錯化合物は８０℃の刀ｎ熱で金属パラジウム
葡生成する。侮られた錯化付物では、塩化パラジウム（
ＩＩ）にアミノ酸のアミノ基に配位しており、アずノ羞
が結付する炭素に結付する分極した水素により金属パラ
ジウムか生成δ扛５− るＯ 加熱１Ｍ度は、例えば、５０〜２００℃が好ましく、ア
ミノ献の狸傾ｒより通崗が決めら扛る。
本発明の襖用例を説明する０錯化合物の使用ＮはＰｄ
、Ｃｕ麺で汀１厘ｈ％以下が好ましい。
、Ｃｕ麺で汀１厘ｈ％以下が好ましい。
（１）錯化合物τ言むボ浴故申に桧めっさ９勿を反慣し
引き上Ｖ丁、加熱丁ゐことにより被めっき物表面に雀属
パラジウム又＆Ｊ金禰綱忙生成させる。
引き上Ｖ丁、加熱丁ゐことにより被めっき物表面に雀属
パラジウム又＆Ｊ金禰綱忙生成させる。
（２）餡化合吻τ、ゴムーフェノール糸等の接虐創中に
分散し、この恢＊割ｔガラス布にエポキシ樹脂反した槙
鳩儀衣囲に塗布し、澗熱乾珠する段階で金属パラジウム
又は金属銅を生成させる。
分散し、この恢＊割ｔガラス布にエポキシ樹脂反した槙
鳩儀衣囲に塗布し、澗熱乾珠する段階で金属パラジウム
又は金属銅を生成させる。
（５）錯化合物を、エポキシ樹脂のアセトン浴漱申に分
散名ぜたワニスｔガラス布寺の羞拐に８撹さぜ、通富υ
方法によ！ｌ１棟層板を製造丁ゐ。ブリグレグの転線時
、積層板の加熱加圧時の熱により金属パラジウム又ａ金
ＩＩ４給が生成する０ ４− （４） 昏１１化合９勿ヱ、ポリエステル但（月りの・
ｈ１故的Ｒす浴液中に分ｉ￥ｉ−ざゼ、流処法でフィル
ムτつ（る０南４対ｍ削り力１１熱除去中の力１）熱に
よＶ金属パラジウム又げ金属鋼が生成する〇 （ｓＩ ＜＊ｌ′４化付物ｔ１ポリイミドのテトシピド
ロンシン心欣甲に分散芒−よ、紳り載１ｃ被咎する。焼
さ付は時の熱により金桓パラジウム又０１蓋楓条ｉＪＪ
が止１戊し片Ｕ媒ｉ９二’ｔｒ勺丁肥蘇電勝かイＪら扛
る。
散名ぜたワニスｔガラス布寺の羞拐に８撹さぜ、通富υ
方法によ！ｌ１棟層板を製造丁ゐ。ブリグレグの転線時
、積層板の加熱加圧時の熱により金属パラジウム又ａ金
ＩＩ４給が生成する０ ４− （４） 昏１１化合９勿ヱ、ポリエステル但（月りの・
ｈ１故的Ｒす浴液中に分ｉ￥ｉ−ざゼ、流処法でフィル
ムτつ（る０南４対ｍ削り力１１熱除去中の力１）熱に
よＶ金属パラジウム又げ金属鋼が生成する〇 （ｓＩ ＜＊ｌ′４化付物ｔ１ポリイミドのテトシピド
ロンシン心欣甲に分散芒−よ、紳り載１ｃ被咎する。焼
さ付は時の熱により金桓パラジウム又０１蓋楓条ｉＪＪ
が止１戊し片Ｕ媒ｉ９二’ｔｒ勺丁肥蘇電勝かイＪら扛
る。
Ｖ、上直明し／（よりに、木兄ψＪの方法では仄の利点
が違せらｎる。
が違せらｎる。
（１）生成する金践パラジウム又に釜ｈ４銅υ籾子が卸
Ｊ〃・いため、倚らγした無電解めっさの軸性が被ｌ−
ゐ。
Ｊ〃・いため、倚らγした無電解めっさの軸性が被ｌ−
ゐ。
（２）硅醗土等Ｑ）担体を使用しないで丁むので。
浴液中での１史川力■］能で夕）Ｑｌ 均−ｍ台が各局
０ （３） Ｓｎ、Ｃ＃寺の不純物を台−家ない１ζＵハ得
られた無電解めっきの特性が艮い０ ＡりＯ
０ （３） Ｓｎ、Ｃ＃寺の不純物を台−家ない１ζＵハ得
られた無電解めっきの特性が艮い０ ＡりＯ
Claims (1)
- １．２１曲のパラジウム化合物又は、１１曲、２１曲の
銅化合物？アミノ酸と反応させた錯化合物葡加熱し、金
属バ２ジウムケ生成させること′に待畝と丁／ｌ）無電
解鋼めっきに対する活性化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14463883A JPS6036672A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 無電解銅めつきに対する活性化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14463883A JPS6036672A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 無電解銅めつきに対する活性化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6036672A true JPS6036672A (ja) | 1985-02-25 |
Family
ID=15366711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14463883A Pending JPS6036672A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 無電解銅めつきに対する活性化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6036672A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100047458A1 (en) * | 2005-12-06 | 2010-02-25 | Ebara-Udylite Co., Ltd. | Palladium complex and catalyst-imparting treatment solution using the same |
| US8900666B2 (en) | 2010-10-21 | 2014-12-02 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Stable nanoparticles for electroless plating |
-
1983
- 1983-08-08 JP JP14463883A patent/JPS6036672A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100047458A1 (en) * | 2005-12-06 | 2010-02-25 | Ebara-Udylite Co., Ltd. | Palladium complex and catalyst-imparting treatment solution using the same |
| US8354014B2 (en) * | 2005-12-06 | 2013-01-15 | Ebara-Udylite Co., Ltd. | Palladium complex and catalyst-imparting treatment solution using the same |
| EP1959029A4 (en) * | 2005-12-06 | 2013-07-17 | Ebara Udylite Kk | Palladium complex and catalyst-dispersing treatment solution therewith |
| US8900666B2 (en) | 2010-10-21 | 2014-12-02 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Stable nanoparticles for electroless plating |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH032356B2 (ja) | ||
| TW201109365A (en) | Polyimide film for metallizing, method for producing thereof and metal laminated polyimide film | |
| TW524896B (en) | Palladium plating solution, palladium plating film formed using the solution and lead frame for semiconductor apparatuses having the palladium plating film | |
| WO2006080626A1 (en) | Metallic laminate and method for preparing thereof | |
| JPS6036672A (ja) | 無電解銅めつきに対する活性化法 | |
| JP2663314B2 (ja) | 無電解メッキ方法 | |
| CN1063134C (zh) | 聚酰亚胺－金属箔复合膜 | |
| CN118957555A (zh) | 一种基于低共熔溶剂的逆置换沉积液及其在于铜表面逆置换制备金属活化层中的应用 | |
| JPS60221426A (ja) | ポリイミド複合体の製造法 | |
| JPS59179650A (ja) | 耐熱導電性ペ−スト組成物 | |
| JPH06104542A (ja) | 金属ベース配線基板 | |
| TW396196B (en) | Forming conductive coating by blending metallic copper powder, resol type phenolic resin, chelate agent , adhesion promoter and conductivity promoter | |
| JPS6036668A (ja) | 無電解銅めつき用触媒 | |
| JPH10242205A (ja) | ワイヤボンディング端子とその形成方法 | |
| GB2186436A (en) | Making printed circuits | |
| JPH01295847A (ja) | 表面模様付きのポリイミドフイルムから作製された熱的に安定な２層金属被覆積層体製品 | |
| JPS6036673A (ja) | 無電解銅めつきに対する活性化法 | |
| JPS58118830A (ja) | 化学メツキ用成形品の製造方法 | |
| JPS6036671A (ja) | 無電解銅めつきに対する活性化法 | |
| JP3173074B2 (ja) | 半田皮膜の形成方法 | |
| JPS5856386A (ja) | 印刷配線板の製造法 | |
| JPS63217693A (ja) | セラミツクプリント配線板およびその製造方法 | |
| JPS6036675A (ja) | 無電解銅めつき用触媒 | |
| JPS6070182A (ja) | 無電解銅めっき法 | |
| JPS63310972A (ja) | メッキ促進剤 |