JPS6036882Y2 - 超高周波半導体装置用インピ−ダンス整合回路 - Google Patents
超高周波半導体装置用インピ−ダンス整合回路Info
- Publication number
- JPS6036882Y2 JPS6036882Y2 JP1978133286U JP13328678U JPS6036882Y2 JP S6036882 Y2 JPS6036882 Y2 JP S6036882Y2 JP 1978133286 U JP1978133286 U JP 1978133286U JP 13328678 U JP13328678 U JP 13328678U JP S6036882 Y2 JPS6036882 Y2 JP S6036882Y2
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- Japan
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- high frequency
- impedance matching
- semiconductor devices
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- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/38—Impedance-matching networks
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は超高周波半導体装置用インピーダンス整合回路
に関し、特に小型構成の容易な集中定数素子型超高周波
トランジスタ等半導体装置用インピーダンス内部整合回
路に関する。
に関し、特に小型構成の容易な集中定数素子型超高周波
トランジスタ等半導体装置用インピーダンス内部整合回
路に関する。
バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ等の超
高周波高出力半導体素子の広帯域低損失の整合を実現す
るには、浮遊容量、インダクタンスなどの不要要素の介
在を避けるために、可能な限り、素子自体の近くにイン
ピーダンス整合回路を設ける必要がある。
高周波高出力半導体素子の広帯域低損失の整合を実現す
るには、浮遊容量、インダクタンスなどの不要要素の介
在を避けるために、可能な限り、素子自体の近くにイン
ピーダンス整合回路を設ける必要がある。
このため、超高周波高出力トランジスタにおいて容器内
にインピーダンス整合回路を内蔵した内部整合回路付ト
ランジスタが開発されるようになった。
にインピーダンス整合回路を内蔵した内部整合回路付ト
ランジスタが開発されるようになった。
このような内部整合回路は小型化広帯域化を実現するた
め集中定数素子による多段フィルタ構成が多く採用され
ている。
め集中定数素子による多段フィルタ構成が多く採用され
ている。
この場合、インダクタンスは導体細線、又はストリップ
導体インダクタ、等の基板上に構威された集中定数イン
ダクタが用いられ、静電容量はＭＯＳコンデンサ、ＭＩ
Ｓコンデンサ、誘電体コンデンサ等が用いられる。
導体インダクタ、等の基板上に構威された集中定数イン
ダクタが用いられ、静電容量はＭＯＳコンデンサ、ＭＩ
Ｓコンデンサ、誘電体コンデンサ等が用いられる。
コンデンサは通常、並列に配置される場合が多く、各コ
ンデンサの電極間隔はこれらを結ぶ直列誘電素子長だけ
離されている。
ンデンサの電極間隔はこれらを結ぶ直列誘電素子長だけ
離されている。
この場合、直列誘導素子としてセラミック基板上に構成
したリボンインダクタ等を用いると、インダクタを矩形
等に折りまげることにより短くインダクタを構成できる
反面、素子値の変更・調整が困難となり、また直列誘導
素子として導体細線を用いる素子値の変更・調整は容易
となるが、素子線長が長くなり過ぎ内部整合回路用誘導
素子として不適となる場合もあった。
したリボンインダクタ等を用いると、インダクタを矩形
等に折りまげることにより短くインダクタを構成できる
反面、素子値の変更・調整が困難となり、また直列誘導
素子として導体細線を用いる素子値の変更・調整は容易
となるが、素子線長が長くなり過ぎ内部整合回路用誘導
素子として不適となる場合もあった。
本考案の目的は前記欠点を除去せしめ、集中定数素子回
路の長所を生かした、超高周波半導体装置用インピーダ
ンス整合回路を提供することにある。
路の長所を生かした、超高周波半導体装置用インピーダ
ンス整合回路を提供することにある。
本考案によれば超高周波半導体素子チップに直接接続さ
れる２段フィルタ型集中定数整合回路の２段構成並列容
量素子を第１の単一誘電体薄板に集積化構成し、該２段
並列容量素子間を結ぶ直列誘導素子を導体細線と入力あ
るいは出力端子を威すマイクロストリップ線路を構威す
第２の誘電体基板上に併設構成されたストリップ導体と
の直列接続により構成したところの超高周波半導体装置
用インピーダンス整合回路が得られる。
れる２段フィルタ型集中定数整合回路の２段構成並列容
量素子を第１の単一誘電体薄板に集積化構成し、該２段
並列容量素子間を結ぶ直列誘導素子を導体細線と入力あ
るいは出力端子を威すマイクロストリップ線路を構威す
第２の誘電体基板上に併設構成されたストリップ導体と
の直列接続により構成したところの超高周波半導体装置
用インピーダンス整合回路が得られる。
本整合回路においては、２段構成並列容量素子を単一誘
電体薄板に構成し該並列容量素子間を結ぶ直列誘導素子
を導体細線と第二の誘電体基板上に構成されたストリッ
プ導体から成る誘導素子の直列接続から構成するため、
直列誘導素子長が短くなりかつ素子値の調整が容易にな
るという特徴がある。
電体薄板に構成し該並列容量素子間を結ぶ直列誘導素子
を導体細線と第二の誘電体基板上に構成されたストリッ
プ導体から成る誘導素子の直列接続から構成するため、
直列誘導素子長が短くなりかつ素子値の調整が容易にな
るという特徴がある。
以下本考案を図面を用いて詳述する。
第１図は本考案の一実施例であるマイクロ波高出力電界
効果トランジスタ用２段インピーダンス整合回路を説明
するための斜視図であり、第２図は第１図実施例の等価
回路図である。
効果トランジスタ用２段インピーダンス整合回路を説明
するための斜視図であり、第２図は第１図実施例の等価
回路図である。
第１図において、ソース接地された２チツプからなるマ
イクロ波高出力電界効果トランジスタ素子１が放熱体を
兼ねた接地導体ブロック１０にろう付は固定されたゲー
ト電極は８本のボンディング線２により高誘電率誘電体
薄板１５により構成された２個の第一の並列容量素子の
上部電極３に接続され、さらにアルミナセラミック基板
９上に構成された他端をマイクロストリップ線路８に接
続されたストリップ導体インダクタ７の一端と前記第１
の並列容量素子の上部電極３が４本の導体細線４により
接続され、前記高誘電率誘電体薄板１５により構成され
た第２の並列容量素子の上部電極５と前記マイクロスト
リップ線路８がボンディング線６で接続されている。
イクロ波高出力電界効果トランジスタ素子１が放熱体を
兼ねた接地導体ブロック１０にろう付は固定されたゲー
ト電極は８本のボンディング線２により高誘電率誘電体
薄板１５により構成された２個の第一の並列容量素子の
上部電極３に接続され、さらにアルミナセラミック基板
９上に構成された他端をマイクロストリップ線路８に接
続されたストリップ導体インダクタ７の一端と前記第１
の並列容量素子の上部電極３が４本の導体細線４により
接続され、前記高誘電率誘電体薄板１５により構成され
た第２の並列容量素子の上部電極５と前記マイクロスト
リップ線路８がボンディング線６で接続されている。
ドレイン電極はアルミナセラミック基板１１上に構成さ
れた並列容量性スタブ１３を備えたマイクロストリップ
線路の一端１２と８本の導体細線１６により接続されて
いる。
れた並列容量性スタブ１３を備えたマイクロストリップ
線路の一端１２と８本の導体細線１６により接続されて
いる。
マイクロストリップ線路の他端１４は出力端子を、マイ
クロストリップ線路８は入力端子を構成している。
クロストリップ線路８は入力端子を構成している。
第２図は第１図実施例の等価回路図を示したもので図に
おいてソース接地マイクロ波電界効果トランジスタ１の
ゲート電極３１にはインダクタンス２２，２４．２６お
よび静電容量２３．２５により構成される２段低域通過
型の入力インピーダンス整合回路が接続して設けられ、
ドレイン電極４１にはインダクタンス３６および直列線
路３２および並列容量性スタブ３３により構成された出
力インピーダンス整合回路が接続して設けられている。
おいてソース接地マイクロ波電界効果トランジスタ１の
ゲート電極３１にはインダクタンス２２，２４．２６お
よび静電容量２３．２５により構成される２段低域通過
型の入力インピーダンス整合回路が接続して設けられ、
ドレイン電極４１にはインダクタンス３６および直列線
路３２および並列容量性スタブ３３により構成された出
力インピーダンス整合回路が接続して設けられている。
なお、インダクタンス２６は十分に小すい値となるよう
に構成されている。
に構成されている。
このような本考案によれば、単一誘電体薄板に集積化構
成された多段構成組数並列容量素子間を結ぶ直列誘導素
子を導体細線と第二の誘電体基板上に構成された集中定
数誘導素子の直列接続から構成するため、組数並列容量
素子間を結ぶ誘導素子を小型かつ安定に構成できさらに
素子値調整も容易になる特徴を有し、特に高周波化、広
帯域化が要求される高出力素子用インピーダンス内部整
合回路においてその効果は顕著になる。
成された多段構成組数並列容量素子間を結ぶ直列誘導素
子を導体細線と第二の誘電体基板上に構成された集中定
数誘導素子の直列接続から構成するため、組数並列容量
素子間を結ぶ誘導素子を小型かつ安定に構成できさらに
素子値調整も容易になる特徴を有し、特に高周波化、広
帯域化が要求される高出力素子用インピーダンス内部整
合回路においてその効果は顕著になる。
なお、本実施例においては２段低域通過型のインピーダ
ンス内部整合回路について説明したが、回路はこれに限
らず、また半導体素子については電界効果トランジスタ
に限らず、バイポーラ・トランジスタあるいはガン・ダ
イオード、インバット・ダイオード等の負性抵抗ダイオ
ードでも良く、特定の素子に限るものではない。
ンス内部整合回路について説明したが、回路はこれに限
らず、また半導体素子については電界効果トランジスタ
に限らず、バイポーラ・トランジスタあるいはガン・ダ
イオード、インバット・ダイオード等の負性抵抗ダイオ
ードでも良く、特定の素子に限るものではない。
第１図は本考案の一実施例であるところのマイクロ波高
出力電界効果トランジスタ用多段インピーダンス整合回
路を説明するための斜視図であり、１は電界効果トラン
ジスタ素子、２，４．６および１６は導体細線、１５は
高誘電率薄板３および５は容量素子の上部電極、７はス
トリップ導体インダクタ、８．１２および１４はストリ
ップ線路、１３は並列容量性スタブ、９および１１はア
ルミナ基板、１０は接地導体ブロックである。 第２図は第１図実施例の等価回路図であり１はソース接
地された電界効果トランジスタ素子、３１はゲート電極
、４１はドレイン電極、２２，２４．２６および３６は
インダクタ、２３および２５はキャパシタ、３２は直列
線路、３３は並列スタブである。
出力電界効果トランジスタ用多段インピーダンス整合回
路を説明するための斜視図であり、１は電界効果トラン
ジスタ素子、２，４．６および１６は導体細線、１５は
高誘電率薄板３および５は容量素子の上部電極、７はス
トリップ導体インダクタ、８．１２および１４はストリ
ップ線路、１３は並列容量性スタブ、９および１１はア
ルミナ基板、１０は接地導体ブロックである。 第２図は第１図実施例の等価回路図であり１はソース接
地された電界効果トランジスタ素子、３１はゲート電極
、４１はドレイン電極、２２，２４．２６および３６は
インダクタ、２３および２５はキャパシタ、３２は直列
線路、３３は並列スタブである。
Claims (1)
- 超高周波半導体素子チップに直接接続される２段フィル
タ型集中定数整合回路の２段構成並列容量素子を第１の
単一誘電体薄板に集積化構成し、該第２段並列容量素子
間を結ぶ直列誘導素子を、導体細線と入力あるいは出力
端子を威すマイクロストリップ線路を構成する第２の誘
電体基板上に併設構成されたストリップ導体との直列接
続により構威したことを特徴とする超高周波半導体装置
用インピーダンス整合回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978133286U JPS6036882Y2 (ja) | 1978-09-27 | 1978-09-27 | 超高周波半導体装置用インピ−ダンス整合回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978133286U JPS6036882Y2 (ja) | 1978-09-27 | 1978-09-27 | 超高周波半導体装置用インピ−ダンス整合回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5551084U JPS5551084U (ja) | 1980-04-03 |
| JPS6036882Y2 true JPS6036882Y2 (ja) | 1985-11-01 |
Family
ID=29101606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978133286U Expired JPS6036882Y2 (ja) | 1978-09-27 | 1978-09-27 | 超高周波半導体装置用インピ−ダンス整合回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6036882Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0821804B2 (ja) * | 1989-08-04 | 1996-03-04 | 松下電器産業株式会社 | 高周波トランジスタの整合回路 |
-
1978
- 1978-09-27 JP JP1978133286U patent/JPS6036882Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5551084U (ja) | 1980-04-03 |
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