JPS6037772A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6037772A
JPS6037772A JP58147018A JP14701883A JPS6037772A JP S6037772 A JPS6037772 A JP S6037772A JP 58147018 A JP58147018 A JP 58147018A JP 14701883 A JP14701883 A JP 14701883A JP S6037772 A JPS6037772 A JP S6037772A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
semiconductor equipment
present
diffusion layer
metal film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58147018A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP58147018A priority Critical patent/JPS6037772A/ja
Publication of JPS6037772A publication Critical patent/JPS6037772A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装ｆｉｘに訃けるＳｉ配配溝構造関する
。
従来、半ｊｊｉ体装置１３に赴けるＳｉ配配線ｊｌｊ　
；ｊ’、ｉ　ＩｆＪ、’、第１図に１ｌｕｒ面図で示す
如き措′造となっていた。すなわち、ＳＺ基板１の表面
には拡散ノζＳ、’ｌ　２．絶縁膜３が形成され、該絶
Ａ・ス膜３を介してＳｉ配線４が多結晶ｓ７で形７ｊ、
ｔζさ′ｉ１１、該Ｓ　ｉ配線４昧泄縁膜３に開けられ
たコンタクト穴を通して拡散層２と接続されて成るのが
通例であった。
しかし、上記従来技術によると、Ｓｉ配線の抵抗値が高
いという欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、抵抗値の低
いＳｉ配配線５告を提供することを目的とする。
前記目的を達成するための本発明の基本的なｔｌ・覧成
は、半導体装置に於て、ｓ７配線の底面及び側面には金
属膜が形成されて成ることを特徴とする。
以下、実施例によυ本発明を詳述する。
第２図は本発明の一実施例を示す１へカ体装僅のｓ７配
線構造の断面図である。すなわち、Ｂｌ基板１１の表面
には拡散層１２．絶オー１．形Ｊ１：３が形成され、該
絶縁膜１３を介してＴｉ等の金属膜１４が凹状に形成さ
れ、その中にＳｉ配線１５がす１１め込寸れて形成され
拡散層１２とＳｉ配；１・宇とはコンタクト穴より接続
されて成る。
本発明の如く、ｓ４配線の底部１２及び側部に金属膜を
形成することにより、Ｓｉ配線の抵抗値が下がると共に
、上部Ｓｉｒ＋ｔＢ’Ａとの接りがＳｉ同志で低接触抵
抗でできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図Ｉは、従来技術による半導体装置のＳｉ配線構造
を示す断１７ｉ７図、第２図は木発ツＪによる半導体装
置のｓ７配線ｆ１タ造を示す断面図である。 １．１１・・Ｓｉ基板　２，２・−拡散層　３゜１；３
・・絶縁紛　４，１５・・ｓ７配紳　Ｊ４・・金属膜。 以　上 出願人　株式会社師訪精工舎 代１・１１人　弁理士最　上　筋 痛　１　吊

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. Ｓｉ配線の底面及び側面には金属膜が形成されて成る事
    を特徴とする半導体装置。
JP58147018A 1983-08-10 1983-08-10 半導体装置 Pending JPS6037772A (ja)

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JP58147018A JPS6037772A (ja) 1983-08-10 1983-08-10 半導体装置

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JPS6037772A true JPS6037772A (ja) 1985-02-27

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ID=15420679

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62235774A (ja) * 1986-04-07 1987-10-15 Matsushita Electronics Corp 半導体装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62235774A (ja) * 1986-04-07 1987-10-15 Matsushita Electronics Corp 半導体装置

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