JPS6027146A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6027146A JPS6027146A JP13419483A JP13419483A JPS6027146A JP S6027146 A JPS6027146 A JP S6027146A JP 13419483 A JP13419483 A JP 13419483A JP 13419483 A JP13419483 A JP 13419483A JP S6027146 A JPS6027146 A JP S6027146A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- metal film
- present
- insulating film
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置のＳｉ配線の配線構造に関する。
従来、半導体装置におけるＳｉ配線は、第１図に断面図
で示す如き構造となっていた。すなわち、Ｓｉ基板１の
表面には拡散層２、絶縁膜３が形成され、該絶縁膜３上
ｉｃ Ｓｊ配線４が形成され、該Ｓｉ配線４は絶縁膜３
Ｖｃ開けられたコンタクト穴を通して下地Ｂｉと接続さ
れて成るのが通例であった。
で示す如き構造となっていた。すなわち、Ｓｉ基板１の
表面には拡散層２、絶縁膜３が形成され、該絶縁膜３上
ｉｃ Ｓｊ配線４が形成され、該Ｓｉ配線４は絶縁膜３
Ｖｃ開けられたコンタクト穴を通して下地Ｂｉと接続さ
れて成るのが通例であった。
し、かじ、上記従来技術によると、Ｓｉ配綜層の抵抗値
が大きいという欠点があった。
が大きいという欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、低抵抗値の
Ｓｉ配線構造を提供することを目的とする。
Ｓｉ配線構造を提供することを目的とする。
上にピ目的を達成するための本発明の井水的な構成は、
半導体装置に於てＳｉ配線の下地”ＳＺとのコンタクト
部を除き、少なくとも底部を含む周囲に金属膜が形成さ
れて成ることを特徴とする。
半導体装置に於てＳｉ配線の下地”ＳＺとのコンタクト
部を除き、少なくとも底部を含む周囲に金属膜が形成さ
れて成ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明による半導体装置のＳｉ配線の断面図を
示す。すなわち、ｓｉ基板１１の表面１ｃＨ拡散層１２
、絶縁膜１３が形成され、該絶縁膜上に第１のＴｉ等の
金属膜１４が形成され、該金属膜１４と絶縁膜１５を通
して開けられたコンタクト穴を通してＳｉ配線１５が形
成され、該Ｓｉ配線１５の表面に第２のＴｉ等の金属膜
１６が形成されて成る。
示す。すなわち、ｓｉ基板１１の表面１ｃＨ拡散層１２
、絶縁膜１３が形成され、該絶縁膜上に第１のＴｉ等の
金属膜１４が形成され、該金属膜１４と絶縁膜１５を通
して開けられたコンタクト穴を通してＳｉ配線１５が形
成され、該Ｓｉ配線１５の表面に第２のＴｉ等の金属膜
１６が形成されて成る。
本発明の如く、Ｓｉ配線の周囲を金属膜で被覆すること
により、Ｓｉ配線の低抵抗化を計ることができる効果が
ある。
により、Ｓｉ配線の低抵抗化を計ることができる効果が
ある。
尚、第１の金属膜１４と第２の金属膜１６とけ同一材料
である必櫓′ケなく、異種金属で序、ってもよく、又、
金属膜はＴｊＫ限定するものではなく、その他Ｎｉ、Ｍ
Ｏ，Ｗ、Ｏｕ、Ａ１等や多層金属膜であっても良く、又
金属膜のＳｉ配配線側部一部が欠落して形成されてく、
良い。
である必櫓′ケなく、異種金属で序、ってもよく、又、
金属膜はＴｊＫ限定するものではなく、その他Ｎｉ、Ｍ
Ｏ，Ｗ、Ｏｕ、Ａ１等や多層金属膜であっても良く、又
金属膜のＳｉ配配線側部一部が欠落して形成されてく、
良い。
第１図は従来球術による半導体装置のｓｉｉ線構造を示
す断面図。第２図は本発明の一実施例を示す半導体装置
のＢｉｉ線構造を示す断面図である。 １．１１・・・・・・Ｓｉ基板 ２．１２・・・・・・拡散層 ３．１６・・・・・・絶縁膜 ４．１５・・・・・・ｓｉ配線 １４．１６・・・・・・金属膜 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工台 ２
す断面図。第２図は本発明の一実施例を示す半導体装置
のＢｉｉ線構造を示す断面図である。 １．１１・・・・・・Ｓｉ基板 ２．１２・・・・・・拡散層 ３．１６・・・・・・絶縁膜 ４．１５・・・・・・ｓｉ配線 １４．１６・・・・・・金属膜 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工台 ２
Claims (1)
- Ｓｉ配線の下地Ｓｉとのコンタクト部を除き、少なくと
も底部を含む周囲に金属膜が形成されて成ることを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13419483A JPS6027146A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13419483A JPS6027146A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027146A true JPS6027146A (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=15122628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13419483A Pending JPS6027146A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027146A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01140768A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Sony Corp | 半導体装置 |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP13419483A patent/JPS6027146A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01140768A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Sony Corp | 半導体装置 |
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