JPS6038681B2 - 紫外用多層膜 - Google Patents
紫外用多層膜Info
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- JPS6038681B2 JPS6038681B2 JP53118757A JP11875778A JPS6038681B2 JP S6038681 B2 JPS6038681 B2 JP S6038681B2 JP 53118757 A JP53118757 A JP 53118757A JP 11875778 A JP11875778 A JP 11875778A JP S6038681 B2 JPS6038681 B2 JP S6038681B2
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
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- G02B5/0816—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers
- G02B5/0825—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers the reflecting layers comprising dielectric materials only
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- G02B5/28—Interference filters
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- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2008—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the reflectors, diffusers, light or heat filtering means or anti-reflective means used
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、遠紫外領域のビームは反射させ、他の波長領
域のビームは透過させる様な紫外用多層膜に関するもの
である。
域のビームは透過させる様な紫外用多層膜に関するもの
である。
現在、超ＢＩの開発に伴ない、Ｘ線リソグラフィー、電
子線リソグラフィー、Ｄｅｅｐ、Ｕ１ｔｒａ．Ｖｉｏｌ
ｅｔ（遠紫外）リソグラフィーが注目されている。
子線リソグラフィー、Ｄｅｅｐ、Ｕ１ｔｒａ．Ｖｉｏｌ
ｅｔ（遠紫外）リソグラフィーが注目されている。
特に遠紫外露光法は波長２００〜３０仇仇の紫外線を用
いる転写リソグラフィー技術であり、従来のフオトリソ
グラフィー技術の延長上にあり、事実１山以下のパター
ンが転写されている。レジストの暁付けにはＸｅ−Ｈｇ
ランプを光源としたミラー照明系を用いるが、ミラーは
アルミニウムとフッ化マグネシウムを蒸着したものであ
り、波長２０ｍｍ以上の光ビームを良く反射するので、
シリコンウェーフアの温度上昇をもたらし、転写パター
ンの精度が低下する。従来、波長が２０加仇〜２５仇机
である遠紫外域に存する光ビームを効率良く反射させ、
２５肌ｍ以上の光ビームを透過させる多層膜としては、
高屈折率層と低屈折率層の交互層より成り、高屈折率に
酸化トリウムを用いる多層膜が知られている。
いる転写リソグラフィー技術であり、従来のフオトリソ
グラフィー技術の延長上にあり、事実１山以下のパター
ンが転写されている。レジストの暁付けにはＸｅ−Ｈｇ
ランプを光源としたミラー照明系を用いるが、ミラーは
アルミニウムとフッ化マグネシウムを蒸着したものであ
り、波長２０ｍｍ以上の光ビームを良く反射するので、
シリコンウェーフアの温度上昇をもたらし、転写パター
ンの精度が低下する。従来、波長が２０加仇〜２５仇机
である遠紫外域に存する光ビームを効率良く反射させ、
２５肌ｍ以上の光ビームを透過させる多層膜としては、
高屈折率層と低屈折率層の交互層より成り、高屈折率に
酸化トリウムを用いる多層膜が知られている。
この高屈折率層に酸化トリウムを用いる理由は、他の誘
電体の高屈折率の物質は遠紫外城の波長領域の光ビーム
を吸収し、反射率を低下させるのに比し、酸化トリウム
は遠紫外城の光ビームをほとんど吸収しない為、反射率
の低下を生ぜしめないからである。しかしながら、酸化
トリウム膜は放射性を有している為に取り扱い上、問題
があり、使用しないことが望ましいのである。又、遠紫
外領域の光ビームを高反射させる為に、上記高屈折率の
誘電体膜に代って無吸収の中間屈折率膜（ＴｈＦ４、Ｎ
２０３、ＢａＦ２）を用い、中間屈折率膜と低屈折率膜
との交互層で形成される。
電体の高屈折率の物質は遠紫外城の波長領域の光ビーム
を吸収し、反射率を低下させるのに比し、酸化トリウム
は遠紫外城の光ビームをほとんど吸収しない為、反射率
の低下を生ぜしめないからである。しかしながら、酸化
トリウム膜は放射性を有している為に取り扱い上、問題
があり、使用しないことが望ましいのである。又、遠紫
外領域の光ビームを高反射させる為に、上記高屈折率の
誘電体膜に代って無吸収の中間屈折率膜（ＴｈＦ４、Ｎ
２０３、ＢａＦ２）を用い、中間屈折率膜と低屈折率膜
との交互層で形成される。
しかし、斯様な構成で高反射を得るには、層数が２０〜
３０層と多くなり、製作が困難である上に反射帯の幅も
狭くなり、所望の反射帯幅が得にくいという難点がある
。本発明の目的は遠紫外領域の光ビーム、主として２０
仇肌〜２５仇肌の光ビームを良好に反射し、他の波長領
域の光ビームは透過させる様な紫外用多層際を提供する
ことにある。
３０層と多くなり、製作が困難である上に反射帯の幅も
狭くなり、所望の反射帯幅が得にくいという難点がある
。本発明の目的は遠紫外領域の光ビーム、主として２０
仇肌〜２５仇肌の光ビームを良好に反射し、他の波長領
域の光ビームは透過させる様な紫外用多層際を提供する
ことにある。
即ち、本発明の目的は、遠紫外領域の光ビームを高い率
で反射し、且つ反射帯の幅が適切である様な紫外用多層
膜を提供することにある。
で反射し、且つ反射帯の幅が適切である様な紫外用多層
膜を提供することにある。
本発明の更なる目的は、製作上容易な紫外用多層膜を提
供することにある。
供することにある。
本発明に於ける紫外用多層膜に於いては、紫外波長域で
吸収を有する高屈折率議電体層と紫外波長域で吸収の無
い中間屈折率と低屈折率の誘電体層を効果的に配置する
ことにより上記目的を達成せんとするものである。
吸収を有する高屈折率議電体層と紫外波長域で吸収の無
い中間屈折率と低屈折率の誘電体層を効果的に配置する
ことにより上記目的を達成せんとするものである。
即ち、基板側には紫外波長域で吸収を有する高屈折率誘
電体層と吸収の無い低屈折率の誘電体層を交互に配した
第１薄膜群を該第１薄膜群上には紫外波長域で吸収の無
い中間屈折率の誘電体層と同じく低屈折率の誘電体層を
交互に配した第２薄膜群を設けるものである。上誌第１
薄膜群は、遠紫外波長城に表われる反射帯城の半値中を
充分に取る為に設けられるもので、上記高屈折率層によ
る吸収の悪影響を出来るだけ最４・に押さえる為に、高
屈折率層は基板側に設けたものである。尚、本発明に於
いて、用いる高屈折率とは屈折率が１．９以上、低屈折
率とは１．５以下、その中間を中間屈折率と定めるもの
である。
電体層と吸収の無い低屈折率の誘電体層を交互に配した
第１薄膜群を該第１薄膜群上には紫外波長域で吸収の無
い中間屈折率の誘電体層と同じく低屈折率の誘電体層を
交互に配した第２薄膜群を設けるものである。上誌第１
薄膜群は、遠紫外波長城に表われる反射帯城の半値中を
充分に取る為に設けられるもので、上記高屈折率層によ
る吸収の悪影響を出来るだけ最４・に押さえる為に、高
屈折率層は基板側に設けたものである。尚、本発明に於
いて、用いる高屈折率とは屈折率が１．９以上、低屈折
率とは１．５以下、その中間を中間屈折率と定めるもの
である。
以下、本発明に関して詳述する。
第１図は中間屈折率の層と低屈折率の層の交互層より形
成した紫外波長城で反射帯を有する多層膜の透過率特性
曲線を示す図であり縦軸に透過率Ｔ、機軸に波長入が示
されている。
成した紫外波長城で反射帯を有する多層膜の透過率特性
曲線を示す図であり縦軸に透過率Ｔ、機軸に波長入が示
されている。
第１図の中間屈折率の物質としては酸化アルミニウム、
低屈折率の物質としてはフッ化マグネシウムが、又基板
には溶融石英が用いられている。第１図に示す曲線１１
は１１層構成、曲線１２は２１層構成に於ける垂直入射
に対する特性を示すもので、曲線１１及び曲線１２に対
する膜緩成を第１表に示す。第１表曲線１１ 基板（
溶融石英）−（ＭＬ）５Ｍ−空気曲線１２ 基板（溶融
石英）一（ＭＬ）ｌｏＭ−空気尚、Ｍは酸化アルミニウ
ムの層を、Ｌはブツ化マグネシウムの層を示し、両層Ｍ
，Ｌの光学的膜厚‘ま、畑学である。
低屈折率の物質としてはフッ化マグネシウムが、又基板
には溶融石英が用いられている。第１図に示す曲線１１
は１１層構成、曲線１２は２１層構成に於ける垂直入射
に対する特性を示すもので、曲線１１及び曲線１２に対
する膜緩成を第１表に示す。第１表曲線１１ 基板（
溶融石英）−（ＭＬ）５Ｍ−空気曲線１２ 基板（溶融
石英）一（ＭＬ）ｌｏＭ−空気尚、Ｍは酸化アルミニウ
ムの層を、Ｌはブツ化マグネシウムの層を示し、両層Ｍ
，Ｌの光学的膜厚‘ま、畑学である。
但し入。‘ま基準波係ここでは入ｏ ＝２３加のと設定
した。又、酸化アルミニウムの屈折率は、実験の結果よ
りｎ＝１．６１＋了羊前。の分散式に従い、フッ化マグ
ネシウムの屈折率はｎ＝・‐３７十７千罰。の分散式に
従い、溶融石英の屈折率は・ｎこ１‐４５十÷主意。の
分散式に従うものである。第１図に示す如く、中間屈折
率と低屈折率より成る膜では、１１層構成では反射率は
たかだか７０％であるのに対し、層数を増して２１層と
すると、反射率は９０％以上と良好であるのに対して、
半値中は約３仇肌と狭く、薄紫外領域で良好な反射帯を
得ることは不可能である。本発明に於いては、この反射
帯域の中を広める為に、あえて遠紫外域で吸収を有する
高屈折率の誘電体層を用いるのであるが、ここで遠紫外
域で吸収を有する譲亀体が一般的にどの様な特性を有す
るのかを酸化ジルコニウムを用いて例示する。第２図は
、波長２３仇凧に於いて、酸化ジルコニウムの単層膜の
幾可学的膜厚ｄを変化させた場合の、反射率Ｒ、透過率
Ｔ、及び吸収率Ａの変化の様子を穣軸に上記幾可学的膜
厚ｄの変化を取って示したものである。又、第３図には
、酸化ジルコニウムの幾可学的膜厚を２範のと固定し、
波長入を変化させた場合の反射率Ｒ、透過率Ｔ及び吸収
率の特性曲線を、横軸に波長入を取って示している。尚
、酸化ジルコニウムの波長入に対する屈折率ｎ−ｉｋを
第２表に示す。ここでｋは吸収係数である。第２表 以後、酸化ジルコニウムの屈折率ｎ−ｉｋは第２表に従
うものとする。
した。又、酸化アルミニウムの屈折率は、実験の結果よ
りｎ＝１．６１＋了羊前。の分散式に従い、フッ化マグ
ネシウムの屈折率はｎ＝・‐３７十７千罰。の分散式に
従い、溶融石英の屈折率は・ｎこ１‐４５十÷主意。の
分散式に従うものである。第１図に示す如く、中間屈折
率と低屈折率より成る膜では、１１層構成では反射率は
たかだか７０％であるのに対し、層数を増して２１層と
すると、反射率は９０％以上と良好であるのに対して、
半値中は約３仇肌と狭く、薄紫外領域で良好な反射帯を
得ることは不可能である。本発明に於いては、この反射
帯域の中を広める為に、あえて遠紫外域で吸収を有する
高屈折率の誘電体層を用いるのであるが、ここで遠紫外
域で吸収を有する譲亀体が一般的にどの様な特性を有す
るのかを酸化ジルコニウムを用いて例示する。第２図は
、波長２３仇凧に於いて、酸化ジルコニウムの単層膜の
幾可学的膜厚ｄを変化させた場合の、反射率Ｒ、透過率
Ｔ、及び吸収率Ａの変化の様子を穣軸に上記幾可学的膜
厚ｄの変化を取って示したものである。又、第３図には
、酸化ジルコニウムの幾可学的膜厚を２範のと固定し、
波長入を変化させた場合の反射率Ｒ、透過率Ｔ及び吸収
率の特性曲線を、横軸に波長入を取って示している。尚
、酸化ジルコニウムの波長入に対する屈折率ｎ−ｉｋを
第２表に示す。ここでｋは吸収係数である。第２表 以後、酸化ジルコニウムの屈折率ｎ−ｉｋは第２表に従
うものとする。
第２図において、膜厚ｄの増加とともに吸収率Ａは増大
する傾向にあり、ｄが十分大きくなると、透過率Ｔは０
に近ずき、反射率Ｒは空気との境界面での反射のみとな
り、約２０．５％に近ずく。
する傾向にあり、ｄが十分大きくなると、透過率Ｔは０
に近ずき、反射率Ｒは空気との境界面での反射のみとな
り、約２０．５％に近ずく。
基準波長を２３仇のとすると、第２図に示す如くき波長
膜厚（５７．軌の）に相当する酸化ジルコニウムの幾可
膜厚２かの（２２．０×２．６４二５８）では、１２％
の吸収率、３７％の反射率を有する。又、第３図に示す
特性曲線より明らかな様に、吸収係数ｋが除々に大きく
なる２５仇の以下では吸収Ａも除々に大きくなり、波長
２０仇仇近傍では吸収率が４０％を越えるものである。
膜厚（５７．軌の）に相当する酸化ジルコニウムの幾可
膜厚２かの（２２．０×２．６４二５８）では、１２％
の吸収率、３７％の反射率を有する。又、第３図に示す
特性曲線より明らかな様に、吸収係数ｋが除々に大きく
なる２５仇の以下では吸収Ａも除々に大きくなり、波長
２０仇仇近傍では吸収率が４０％を越えるものである。
次に、高屈折率議電体層として酸化ジルコニウムと低屈
折率談電体層としてフツ化マグネシウムより成る多層膜
交互層の層数を変化させた場合の反射率、透過率及び吸
収率の変化を第４図から第７図に示す。
折率談電体層としてフツ化マグネシウムより成る多層膜
交互層の層数を変化させた場合の反射率、透過率及び吸
収率の変化を第４図から第７図に示す。
第４図は３層、第５図は５層、第６図は７層、第７図は
１１層より成る場合の特性を示し、その膜横成を第３表
に示す。但し基板には石英を、又光線の入射角は零度で
ある。第３表 特性曲線４１（第４図） 基板（石英）−（ＨＬ）Ｈ−空気 特性曲線５１（第５図） 基板（石英）−（ＨＬ）２日−空気 特性曲線６１（第６図） 基板（石英）−（ＨＬ）３日一空気 特性曲線７１（第７図） 基板（石英）−（ＨＬ）５Ｈ−空気 但し、日は酸化ジルコニウム、Ｌはフツ化マグネシウム
で、日の層もＬの層も波長２３仇肌に於いてその光学的
膜陣が６血肌である。
１１層より成る場合の特性を示し、その膜横成を第３表
に示す。但し基板には石英を、又光線の入射角は零度で
ある。第３表 特性曲線４１（第４図） 基板（石英）−（ＨＬ）Ｈ−空気 特性曲線５１（第５図） 基板（石英）−（ＨＬ）２日−空気 特性曲線６１（第６図） 基板（石英）−（ＨＬ）３日一空気 特性曲線７１（第７図） 基板（石英）−（ＨＬ）５Ｈ−空気 但し、日は酸化ジルコニウム、Ｌはフツ化マグネシウム
で、日の層もＬの層も波長２３仇肌に於いてその光学的
膜陣が６血肌である。
第４図から第７図に於いて、２３仇肌の波長に注目する
と、反射率Ｒは、３層、５層、７層及び１１層と交互層
の層数が増加するに伴って、６６％、７８％、８２％、
８３％と除々に増加するが、吸収率Ａは１５％、１６％
、１６％、１７％と余り変化しない。第８図は第７図に
示す曲線に対応する１１層構成において、各々の層の光
学的濃厚が等しいという関係を保持した状態で、各層の
光学的膜厚を仇肌から１０仇仇まで変化させた時、波長
２３仇肌における反射率、透過率及び吸収率の変化を示
す。
と、反射率Ｒは、３層、５層、７層及び１１層と交互層
の層数が増加するに伴って、６６％、７８％、８２％、
８３％と除々に増加するが、吸収率Ａは１５％、１６％
、１６％、１７％と余り変化しない。第８図は第７図に
示す曲線に対応する１１層構成において、各々の層の光
学的濃厚が等しいという関係を保持した状態で、各層の
光学的膜厚を仇肌から１０仇仇まで変化させた時、波長
２３仇肌における反射率、透過率及び吸収率の変化を示
す。
第８図に示す様に、波長２３仇肌を基準波長と見れば、
基準波長の章の膜厚の近傍、即ち５７‐取れの近傍で、
反射率Ｒは最大値を取る。又、吸収率Ａは膜厚の厚さが
厚くなるに従って増大するが、基準波長の享の膜厚に近
づくにつれて減少し、更にこの膜厚より厚くなると、吸
収率は再び増大する。即ち、吸収を有する高瀬折率の誘
電体層を用いても、第４図から第６図に見られる様に、
層数と共に反射率を上げる事が出来る。
基準波長の章の膜厚の近傍、即ち５７‐取れの近傍で、
反射率Ｒは最大値を取る。又、吸収率Ａは膜厚の厚さが
厚くなるに従って増大するが、基準波長の享の膜厚に近
づくにつれて減少し、更にこの膜厚より厚くなると、吸
収率は再び増大する。即ち、吸収を有する高瀬折率の誘
電体層を用いても、第４図から第６図に見られる様に、
層数と共に反射率を上げる事が出来る。
又吸収率は膜厚と共に、反射率Ｒにも依存している事が
第８図より明らかである。しかしながら、第６図及び第
７図に示される如く反射率の最高値は、その波長に於け
る吸収係数ｋの大きさに影響され、波長２３仇肌におい
ては、７層構成でほぼ限界であり、１１層まで層数を増
加させても効果が薄い事がわかる。第９図には、第５図
に示す５層膜構成において、各々の層の光学的膜厚が２
３印肌の波長に対して５仇机のときの特性を示す。
第８図より明らかである。しかしながら、第６図及び第
７図に示される如く反射率の最高値は、その波長に於け
る吸収係数ｋの大きさに影響され、波長２３仇肌におい
ては、７層構成でほぼ限界であり、１１層まで層数を増
加させても効果が薄い事がわかる。第９図には、第５図
に示す５層膜構成において、各々の層の光学的膜厚が２
３印肌の波長に対して５仇机のときの特性を示す。
第９図に示す様に、反射率Ｒは波長２１肌肌で最大値７
２％を得る。更に、層数を増加させても、反射率Ｒはこ
れ以上の値を得られない。従って紫外城で吸収を有する
高屈折率の誘電体物質として例えば酸化ジルコニウム、
紫外城で吸収を有さない低屈折率の譲亀体物質として例
えばフツ化マグネシウムを用いて交互層を形成する場合
、特定波長、換言すれば基準波長における吸収係数が大
きい程、反射鏡を構成する多層膜の有効な層数は少なく
なる。そして２０仇机から２５皿肌の遠紫外城では、５
層又は７層が有効な層数である。本発明に於いては、反
射率Ｒを上げる為に、上記高屈折率の譲露体と低屈折率
の譲霞体の交互層の上に、更に紫外城で吸収の無い中間
屈折率の誘電体と低屈折率の誘電体の交互層より成る薄
膜層を設けるものである。
２％を得る。更に、層数を増加させても、反射率Ｒはこ
れ以上の値を得られない。従って紫外城で吸収を有する
高屈折率の誘電体物質として例えば酸化ジルコニウム、
紫外城で吸収を有さない低屈折率の譲亀体物質として例
えばフツ化マグネシウムを用いて交互層を形成する場合
、特定波長、換言すれば基準波長における吸収係数が大
きい程、反射鏡を構成する多層膜の有効な層数は少なく
なる。そして２０仇机から２５皿肌の遠紫外城では、５
層又は７層が有効な層数である。本発明に於いては、反
射率Ｒを上げる為に、上記高屈折率の譲露体と低屈折率
の譲霞体の交互層の上に、更に紫外城で吸収の無い中間
屈折率の誘電体と低屈折率の誘電体の交互層より成る薄
膜層を設けるものである。
第１０図は本発明に係る紫外用多層膜の一実施例を示す
特性曲線で、その膜礎成は、石葵基板上に、基板側から
教えて第１、３、５層目に高屈折率誘電体の酸化ジルコ
ニウムの層、同じく第７、９、１１層目‘こ中間屈折率
誘電体の酸化アルミニウムの層、同じく第２、４、６、
８、１０層目に低屈折率誘電体のフッ化マグネシウムの
層より成る１１層構成である。そして各々の層の膜厚は
、２３仇仇の波長における光学的膜厚が全て６仇机であ
る。この膜構成は、第５図に示す５層構成の膜上に、酸
化アルミニウムとフッ化マグネシウムの交互層を設けた
ものと等しい。第１０図に示す特性曲線と第５図に示す
特性曲線を比較すると、明らかに反射率Ｒの向上が認め
られ、又第１図の２１層構成の特性曲線と比較すれば著
しい半値中の拡大が認められる。第１１図は第１０図に
示す膜構成に於いて、各層の膜厚を波長２３皿仇に於け
る光東に対してその光学的膜厚が５仇仇となる様にした
ものの特性曲線を示すもので、第９図に示す特性曲線と
比較すると、２１仇仇における反射率Ｒの大中な向上が
認められる。
特性曲線で、その膜礎成は、石葵基板上に、基板側から
教えて第１、３、５層目に高屈折率誘電体の酸化ジルコ
ニウムの層、同じく第７、９、１１層目‘こ中間屈折率
誘電体の酸化アルミニウムの層、同じく第２、４、６、
８、１０層目に低屈折率誘電体のフッ化マグネシウムの
層より成る１１層構成である。そして各々の層の膜厚は
、２３仇仇の波長における光学的膜厚が全て６仇机であ
る。この膜構成は、第５図に示す５層構成の膜上に、酸
化アルミニウムとフッ化マグネシウムの交互層を設けた
ものと等しい。第１０図に示す特性曲線と第５図に示す
特性曲線を比較すると、明らかに反射率Ｒの向上が認め
られ、又第１図の２１層構成の特性曲線と比較すれば著
しい半値中の拡大が認められる。第１１図は第１０図に
示す膜構成に於いて、各層の膜厚を波長２３皿仇に於け
る光東に対してその光学的膜厚が５仇仇となる様にした
ものの特性曲線を示すもので、第９図に示す特性曲線と
比較すると、２１仇仇における反射率Ｒの大中な向上が
認められる。
次に、本発明の如く、基板側に紫外城で吸収を有する高
屈折率の誘電体層を設ける事が有利なことについて述る
。
屈折率の誘電体層を設ける事が有利なことについて述る
。
第１２図Ａ、第１３図Ａ及び第１４図Ａに示す膜構成は
、それぞれ１５層構成であり、高屈折率誘電体層日とし
て酸化ジルコニウムの層が３層「中間屈折率誘電体層Ｍ
として酸化アルミニウムの層が５層、低屈折率誘電体層
Ｌとしてフッ化マグネシウムの層が７層配されている。
第１２図Ａ、第１３図Ａ、第１４図Ａに於ける膜構成に
於いて異なる所は、紫外城で吸収を有する酸化ジルコニ
ウムの高屈折率誘電体層日の配される部所であり、第１
２図Ａでは高屈折率議電体層日は光東が入射する入射煤
質側に配され、第１３図Ａでは高屈折率誘電体層印ま基
板側、中間部及び入射煤質側の３ケ所に分配して配され
、本発明に係る第１４図Ａでは高屈折率誘電体層日は基
板側に配されている。尚、基板は溶融石英であり、２３
仇凧の波長の光東に対し総ての層日，Ｍ，Ｌの光学的膜
厚は５７．５ｎ肌である。第１２図Ｂは第１２図Ａの、
第１３図Ｂは第１３図Ａの、第１４図Ｂは第１４図Ａの
膜横成に対する特性曲線である。第１２図Ｂ、第１３図
Ｂ及び第１４図Ｂの特性曲線から明らかな様に、基板側
に吸収性の高屈折率層を配した場合が基準波長２３仇の
近傍で最も反射率Ｒが大きく、且つ吸収率Ａが小さいこ
とが分る。従って高屈折率層を含む薄膜層は基板側に配
するのが良い。第１５図は本発明に係る紫外用多層膜の
一実施例を示すもので、特に２０仇の〜２５仇仇の波長
域において高反射率を有し、２５仇のから赤外城にかけ
ての波長城で高透過を有するものである。
、それぞれ１５層構成であり、高屈折率誘電体層日とし
て酸化ジルコニウムの層が３層「中間屈折率誘電体層Ｍ
として酸化アルミニウムの層が５層、低屈折率誘電体層
Ｌとしてフッ化マグネシウムの層が７層配されている。
第１２図Ａ、第１３図Ａ、第１４図Ａに於ける膜構成に
於いて異なる所は、紫外城で吸収を有する酸化ジルコニ
ウムの高屈折率誘電体層日の配される部所であり、第１
２図Ａでは高屈折率議電体層日は光東が入射する入射煤
質側に配され、第１３図Ａでは高屈折率誘電体層印ま基
板側、中間部及び入射煤質側の３ケ所に分配して配され
、本発明に係る第１４図Ａでは高屈折率誘電体層日は基
板側に配されている。尚、基板は溶融石英であり、２３
仇凧の波長の光東に対し総ての層日，Ｍ，Ｌの光学的膜
厚は５７．５ｎ肌である。第１２図Ｂは第１２図Ａの、
第１３図Ｂは第１３図Ａの、第１４図Ｂは第１４図Ａの
膜横成に対する特性曲線である。第１２図Ｂ、第１３図
Ｂ及び第１４図Ｂの特性曲線から明らかな様に、基板側
に吸収性の高屈折率層を配した場合が基準波長２３仇の
近傍で最も反射率Ｒが大きく、且つ吸収率Ａが小さいこ
とが分る。従って高屈折率層を含む薄膜層は基板側に配
するのが良い。第１５図は本発明に係る紫外用多層膜の
一実施例を示すもので、特に２０仇の〜２５仇仇の波長
域において高反射率を有し、２５仇のから赤外城にかけ
ての波長城で高透過を有するものである。
第１５図Ａに膜構成を第１５図Ｂに波長特性を示す。第
１５図Ａに示す如く、１５層構成の膜で、日は酸化ジル
コニウム、Ｍは酸化アルミニウム、Ｌはフッ化マグネシ
ウムの層を示す。更に基板側（石英）から教えて第１眉
目の光学的膜厚は４仇仇、第２層から第６層目までは５
仇ｍ、第７層から第１５層目までは６知れである。但し
、この光学的膜厚は入射光東の波長を４８仇肌として算
出したものである。第１６図８に示す特性曲線は入射角
が３母受の場合であり第１５図Ｂには示されていないが
、５０仇凧以上の光東に対しても透過率は９０％以上を
示した。第１５図Ｂに示す如く、酸化アルミニウムとフ
ッ化マグネシウムの交互層（第１図）に比して約２倍の
半値中を持ち、又少ない層数で高反射率が得られ、製作
上も容易である。
１５図Ａに示す如く、１５層構成の膜で、日は酸化ジル
コニウム、Ｍは酸化アルミニウム、Ｌはフッ化マグネシ
ウムの層を示す。更に基板側（石英）から教えて第１眉
目の光学的膜厚は４仇仇、第２層から第６層目までは５
仇ｍ、第７層から第１５層目までは６知れである。但し
、この光学的膜厚は入射光東の波長を４８仇肌として算
出したものである。第１６図８に示す特性曲線は入射角
が３母受の場合であり第１５図Ｂには示されていないが
、５０仇凧以上の光東に対しても透過率は９０％以上を
示した。第１５図Ｂに示す如く、酸化アルミニウムとフ
ッ化マグネシウムの交互層（第１図）に比して約２倍の
半値中を持ち、又少ない層数で高反射率が得られ、製作
上も容易である。
第１図は中間屈折率の議蚤体層と低屈折率の誘電体層の
交互層より成る紫外用多層膜の特性曲線を示す図、第２
図は酸化ジルコニウム単層の膜厚変化特性を示す図、第
３図は酸化ジルコニウム単層の特性を示す図、第４図、
第５図、第６図及び第７図は各々酸化ジルコニウムとフ
ッ化マグネシウムの交互層より成る多層膜の波長特性を
示す図、第８図は酸化ジルコニウムとフッ化マグネシウ
ムの交互層より成る多層膜の膜厚変化特性を示す図、第
９図は酸化ジルコニウムとフッ化マグネシウムの交互層
より成る多層膜の波長特性を示す図、第１０図及び第１
１図は各々本発明に係る紫外用多層膜の波長特性を示す
図、第１２図Ａ，Ｂ、第１３図Ａ，Ｂ、第１４図Ａ，Ｂ
は、本発明に係る紫外用多層膜の効果を説明する為の図
、第１５図Ａ，Ｂは本発明に係る紫外用多層膜の腰構成
及び波長特性を示す図。 入・・・・・・波長、Ｔ・・・・・・透過率、Ｒ・・・
・・・反射率、Ａ．・・・・・吸収率。 弟‘図 第８図 第２図 孫ろ図 ※４図 第５図 弟と図 弟ヮ図 ※ｑ図 貫首 ーー 図 日系 ｌ０ 図 弟に図 ｈ弟 ほ 図 （Ａ） 髪 ーろ 図 くめ 弟（ｒ今図 ※‘４図 くＢ） 弟 ｌ５ 図
交互層より成る紫外用多層膜の特性曲線を示す図、第２
図は酸化ジルコニウム単層の膜厚変化特性を示す図、第
３図は酸化ジルコニウム単層の特性を示す図、第４図、
第５図、第６図及び第７図は各々酸化ジルコニウムとフ
ッ化マグネシウムの交互層より成る多層膜の波長特性を
示す図、第８図は酸化ジルコニウムとフッ化マグネシウ
ムの交互層より成る多層膜の膜厚変化特性を示す図、第
９図は酸化ジルコニウムとフッ化マグネシウムの交互層
より成る多層膜の波長特性を示す図、第１０図及び第１
１図は各々本発明に係る紫外用多層膜の波長特性を示す
図、第１２図Ａ，Ｂ、第１３図Ａ，Ｂ、第１４図Ａ，Ｂ
は、本発明に係る紫外用多層膜の効果を説明する為の図
、第１５図Ａ，Ｂは本発明に係る紫外用多層膜の腰構成
及び波長特性を示す図。 入・・・・・・波長、Ｔ・・・・・・透過率、Ｒ・・・
・・・反射率、Ａ．・・・・・吸収率。 弟‘図 第８図 第２図 孫ろ図 ※４図 第５図 弟と図 弟ヮ図 ※ｑ図 貫首 ーー 図 日系 ｌ０ 図 弟に図 ｈ弟 ほ 図 （Ａ） 髪 ーろ 図 くめ 弟（ｒ今図 ※‘４図 くＢ） 弟 ｌ５ 図
Claims (1)
- １ 紫外域において吸収を有する高屈折率誘電体層と紫
外域で無吸収の中間屈折率誘電体層及び低屈折率誘電体
層より成る多層膜に於いて、多層膜の基板側には上記高
屈折率誘電体層と上記低屈折率誘電体層の交互層よる成
る第１薄膜群、該第１薄膜群上には上記中間屈折率誘電
体層及び低屈折率誘電体層の交互層より成る第２薄膜群
を設けた事を特徴とする紫外用多層膜。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53118757A JPS6038681B2 (ja) | 1978-09-27 | 1978-09-27 | 紫外用多層膜 |
| US06/079,083 US4320936A (en) | 1978-09-27 | 1979-09-26 | Far ultraviolet dielectric multilayer film |
| DE19792939204 DE2939204A1 (de) | 1978-09-27 | 1979-09-27 | Mehrschichtiger uv-belag |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53118757A JPS6038681B2 (ja) | 1978-09-27 | 1978-09-27 | 紫外用多層膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5545061A JPS5545061A (en) | 1980-03-29 |
| JPS6038681B2 true JPS6038681B2 (ja) | 1985-09-02 |
Family
ID=14744296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53118757A Expired JPS6038681B2 (ja) | 1978-09-27 | 1978-09-27 | 紫外用多層膜 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4320936A (ja) |
| JP (1) | JPS6038681B2 (ja) |
| DE (1) | DE2939204A1 (ja) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5257140A (en) * | 1982-05-03 | 1993-10-26 | Hughes Aircraft Company | Mirror for infrared and visible wavelength radiation |
| JPS60181704A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Canon Inc | 真空紫外用反射ミラー |
| JPS6199330A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-17 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS61222128A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Fujitsu Ltd | 投影露光方法 |
| JPS61253763A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-11-11 | 松下電子工業株式会社 | 白熱電球 |
| DE3525892C1 (de) * | 1985-07-19 | 1986-10-02 | Optische Werke G. Rodenstock, 8000 München | Reflexionsvermindernder Belag fuer ein optisches Element aus organischem Material |
| JPS63501622A (ja) * | 1985-10-09 | 1988-06-23 | コモンウエルス サイエンテイフイツク アンド インダストリアル リサ−チ オ−ガナイゼイシヨン | 皮膚傷の光線療法 |
| EP0250975B1 (en) * | 1986-06-13 | 1991-08-28 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Illumination system |
| EP0267599B1 (en) * | 1986-07-24 | 1992-04-15 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Fly eye lens unit for illumination |
| DE3902144A1 (de) * | 1989-01-25 | 1990-08-02 | Heraeus Gmbh W C | Deuterium-lampe fuer spektralanalyse-vorrichtungen |
| US5400179A (en) * | 1992-02-18 | 1995-03-21 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Optical multilayer thin film and beam splitter |
| DE69412358T2 (de) * | 1993-05-10 | 1999-02-25 | Optical Coating Laboratory Inc., Santa Rosa, Calif. | Selbstheilende UV-undurchlässige Beschichtung mit flexiblem Polymersubstrat |
| US5513039A (en) * | 1993-05-26 | 1996-04-30 | Litton Systems, Inc. | Ultraviolet resistive coated mirror and method of fabrication |
| US5648653A (en) * | 1993-10-22 | 1997-07-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical filter having alternately laminated thin layers provided on a light receiving surface of an image sensor |
| WO1995021137A1 (en) * | 1994-02-07 | 1995-08-10 | Nikon Corporation | Optical glass for polarizing optical systems, method of manufacturing the same, and polarizing beam splitter |
| US5600487A (en) * | 1994-04-14 | 1997-02-04 | Omron Corporation | Dichroic mirror for separating/synthesizing light with a plurality of wavelengths and optical apparatus and detecting method using the same |
| WO1997033203A1 (en) * | 1996-03-07 | 1997-09-12 | Philips Electronics N.V. | Imaging system and apparatus for ultraviolet lithography |
| US6501188B1 (en) | 1997-07-03 | 2002-12-31 | Micron Technology, Inc. | Method for improving a stepper signal in a planarized surface over alignment topography |
| US5933743A (en) * | 1997-07-03 | 1999-08-03 | Micron Technology, Inc. | Method of improving alignment signal strength by reducing refraction index at interface of materials in semiconductors |
| TWI257530B (en) * | 1999-12-01 | 2006-07-01 | Asml Netherlands Bv | Method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus and apparatus therefor |
| JP3678120B2 (ja) * | 2000-06-06 | 2005-08-03 | ウシオ電機株式会社 | 偏光光照射装置 |
| JP2002071946A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-12 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 偏光フィルタおよびそれを用いた光学装置 |
| DE10064143A1 (de) * | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Zeiss Carl | Reflexionsminderungsbeschichtung für Ultraviolettlicht bei großen Einfallswinkeln |
| DE10213088B4 (de) * | 2002-03-18 | 2005-03-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Optisches Element, Verfahren zu seiner Herstellung und zur Bestimmung seiner optischen Eigenschaften |
| KR101240775B1 (ko) * | 2006-09-12 | 2013-03-07 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 소수성 코팅을 갖는 액침 리소그래피용 광학 장치 및 이를 포함하는 투영 노광 장치 |
| DE102006062480A1 (de) * | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Element mit hydrophober Beschichtung, Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage damit |
| US7826009B2 (en) * | 2006-12-21 | 2010-11-02 | 3M Innovative Properties Company | Hybrid polarizer |
| US7791687B2 (en) * | 2006-12-21 | 2010-09-07 | 3M Innovative Properties Company | Display including reflective polarizer |
| US8817371B1 (en) * | 2008-08-01 | 2014-08-26 | Simon Andrew Boothroyd | Polarizing beam splitters |
| BR112012011654A2 (pt) | 2009-11-18 | 2020-08-25 | 3M Innovantive Properties Company | filmes opticos de multiplas camadas |
| DE102011054837A1 (de) * | 2011-10-26 | 2013-05-02 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Optisches Element |
| DE102015218763A1 (de) * | 2015-09-29 | 2017-03-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Element |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1135199B (de) * | 1959-10-06 | 1962-08-23 | Karl Krebs Dr | Interferenzfilter mit nichtmetallischen Spiegelschichtensystemen fuer das ultra-violette Gebiet von 310 bis 240 mª– |
| US3247392A (en) * | 1961-05-17 | 1966-04-19 | Optical Coating Laboratory Inc | Optical coating and assembly used as a band pass interference filter reflecting in the ultraviolet and infrared |
| CH523509A (de) * | 1970-09-18 | 1972-05-31 | Balzers Patent Beteilig Ag | Interferenzfilter, bestehend aus einer Mehrzahl von abwechselnd hoch- und niedrigbrechenden lichtdurchlässigen Schichten auf einem lichtdurchlässigen Träger, welches innerhalb eines bestimmten Wellenlängenbereichs ein bestimmtes Wellenlängenband reflektiert, die Strahlung der übrigen Teile des genannten Bereiches jedoch hindurchlässt |
| CH556548A (de) * | 1972-09-19 | 1974-11-29 | Balzers Patent Beteilig Ag | Aus abwechselnd hoch- und niederbrechenden oxidschichten aufgebautes verlustarmes, hochreflektierendes vielschichtsystem. |
-
1978
- 1978-09-27 JP JP53118757A patent/JPS6038681B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-09-26 US US06/079,083 patent/US4320936A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-09-27 DE DE19792939204 patent/DE2939204A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2939204C2 (ja) | 1990-06-28 |
| US4320936A (en) | 1982-03-23 |
| JPS5545061A (en) | 1980-03-29 |
| DE2939204A1 (de) | 1980-04-24 |
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