JPH01196852A - 半導体集積回路装置の電極配線 - Google Patents
半導体集積回路装置の電極配線Info
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- JPH01196852A JPH01196852A JP2219388A JP2219388A JPH01196852A JP H01196852 A JPH01196852 A JP H01196852A JP 2219388 A JP2219388 A JP 2219388A JP 2219388 A JP2219388 A JP 2219388A JP H01196852 A JPH01196852 A JP H01196852A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置における金属電極配線の材
料構成に関する。
料構成に関する。
従来、半導体集積回路装置の電極配線、とりわけ金属電
極配線に関しては蒸６Ａρ及びその合金が用いられるの
が通例であった。
極配線に関しては蒸６Ａρ及びその合金が用いられるの
が通例であった。
しかし、上記従来技術によると、Ａβ配腺がエレクトロ
舎マイグレーシｇ／あるいはストレス−マイグレーシコ
ン等により断線するという問題点があった。
舎マイグレーシｇ／あるいはストレス−マイグレーシコ
ン等により断線するという問題点があった。
本発明は、かかる従来技術の問題点をなくし、半導体集
積回路装置における金属電極配線、とりわけ多層金ａ電
極配線に於て、エレクトロ・マイグレーシコンやストレ
ス・マイグレーション現象等による断線をなくするため
の電極配線の材料構成を提倶する事を目的とする。
積回路装置における金属電極配線、とりわけ多層金ａ電
極配線に於て、エレクトロ・マイグレーシコンやストレ
ス・マイグレーション現象等による断線をなくするため
の電極配線の材料構成を提倶する事を目的とする。
本発明は、かかる従来技術の問題点をなくするために、
半導体集積回路装置のｆｌ！極配腺に関し、（１） 金
属電極をＮｉあるいはＮｉ合金メッキ層にて形成する事
、及び （２） 第１の電極と第２の電極とを居間絶縁膜を介し
、コンタクト穴を通してｖｅ続する多層配線構造に於て
、前記フンタクト穴部をＮｉあるいはＮｉ合金メッキ層
にて埋め込む事 等の手段をとる。
半導体集積回路装置のｆｌ！極配腺に関し、（１） 金
属電極をＮｉあるいはＮｉ合金メッキ層にて形成する事
、及び （２） 第１の電極と第２の電極とを居間絶縁膜を介し
、コンタクト穴を通してｖｅ続する多層配線構造に於て
、前記フンタクト穴部をＮｉあるいはＮｉ合金メッキ層
にて埋め込む事 等の手段をとる。
以下、実施例により本発明を詳述する。
ｍ１図及び第２は、半導体集積回路装置におけるＮｉメ
フキ電電極配色Ｎｉメッキ埋め込み層の断面図を示し、
第３図及び第４図はそれらの製作工程を示す。
フキ電電極配色Ｎｉメッキ埋め込み層の断面図を示し、
第３図及び第４図はそれらの製作工程を示す。
第１図では、半導体基板１の表面に、５ｉＯ１、Ｓ Ｉ
３ Ｎ ａ 、ガラスあるいはポリイミド等から成る
絶縁膜２が形成され、該絶縁膜２の表面に、Ｎ ｓある
いはＮｉ−３ｎ合金等のＮｉメッキ電極妃ｍ３が形成さ
れて成る状態を示している。
３ Ｎ ａ 、ガラスあるいはポリイミド等から成る
絶縁膜２が形成され、該絶縁膜２の表面に、Ｎ ｓある
いはＮｉ−３ｎ合金等のＮｉメッキ電極妃ｍ３が形成さ
れて成る状態を示している。
第２図では、半導体基板１１０表面に、第１の絶縁膜１
２が形成され、その上に第１の電極配線１３が形成され
、その上に第２の絶縁膜１４が形成され、該ｍ２の絶縁
膜１２にはコンタクト穴が開けられ、該フンタクト穴部
にメッキに上るＮｉまたはＮｉ−５ｎ等から成るＮｉメ
ッキ埋め込み層１５が形成され、その上に第２の電極配
線１６が多層配線構造にて形成されて成る。
２が形成され、その上に第１の電極配線１３が形成され
、その上に第２の絶縁膜１４が形成され、該ｍ２の絶縁
膜１２にはコンタクト穴が開けられ、該フンタクト穴部
にメッキに上るＮｉまたはＮｉ−５ｎ等から成るＮｉメ
ッキ埋め込み層１５が形成され、その上に第２の電極配
線１６が多層配線構造にて形成されて成る。
第３図では（ａ）半導体基板３１の表面に絶縁ｖ：３２
が形成され、その上に、Ｃｒ、ＷＳｉ、Ｍｏ５ｉ１Ｔｉ
Ｓｊ１Ｔｊ−Ｐｔ等の金属又はシリサイド膜等が蒸着に
て蒸着金屑膜３３として形成され、（ｂ）次で、レジス
ト膜３４が電極配線をする部分を除いて窓開は形成され
、（Ｃ）次で、前記窓開は部に、電気メッキ又は無電界
メッキにてＮｉメッキ局３５から形成され、（ｄ）次で
！／レジスト膜蒸着金属膜の不要部を除いてＮｉメッキ
電極配線３６が形成されて成る。
が形成され、その上に、Ｃｒ、ＷＳｉ、Ｍｏ５ｉ１Ｔｉ
Ｓｊ１Ｔｊ−Ｐｔ等の金属又はシリサイド膜等が蒸着に
て蒸着金屑膜３３として形成され、（ｂ）次で、レジス
ト膜３４が電極配線をする部分を除いて窓開は形成され
、（Ｃ）次で、前記窓開は部に、電気メッキ又は無電界
メッキにてＮｉメッキ局３５から形成され、（ｄ）次で
！／レジスト膜蒸着金属膜の不要部を除いてＮｉメッキ
電極配線３６が形成されて成る。
第４図では（ａ）半導体基板４１の表面に第１の絶縁膜
４２が形成され、その上に、第１の電極配線４３が形成
され、（ｂ）次で第２の絶縁ｌＩ２４４が形成されると
共に、該第２の絶縁膜４４のにはコンタクト穴４５が形
成され、（Ｃ）次で前記コンタクト穴４５に電気メッキ
又は無電界メッキにてＮｉメッキ埋め込みｒ！Ｊ４６が
形成されて成り、更にその上に第２の電極配線を施すと
、多層金属配線となる。
４２が形成され、その上に、第１の電極配線４３が形成
され、（ｂ）次で第２の絶縁ｌＩ２４４が形成されると
共に、該第２の絶縁膜４４のにはコンタクト穴４５が形
成され、（Ｃ）次で前記コンタクト穴４５に電気メッキ
又は無電界メッキにてＮｉメッキ埋め込みｒ！Ｊ４６が
形成されて成り、更にその上に第２の電極配線を施すと
、多層金属配線となる。
本発明により半４体集積回路ＨＦａにおける金属配線の
エレクトロ・マイグレーシフ／やストレス・マイグレー
シコンの無い電極配線が可能となる効果がある。
エレクトロ・マイグレーシフ／やストレス・マイグレー
シコンの無い電極配線が可能となる効果がある。
第１図及び第２図は本発明の実施例を示す半導体集積回
路装置におけるＮｉメフキ電極配線の断面図とＮｉメッ
キ埋め込み層の断面図であり、第３図（ａ） 〜（ｄ）
及び第４図（ａ） 〜（ｃ）はそれらの製作工程を示す
図。 １．１１．３１．４１・・・半導体基板２．１２．１４
．３２．４２．４４・・・絶縁膜３．３５．３Ｅｉ・・
・Ｎｉメッキ電極配線１３．１６，４３・・・電極配線 １５．４６”・・・Ｎｉメッキ埋め込み層／１５’：
／Ｊｉ〆７千理ｊン丹漕 第２図 （α） 第３図 ＣＣ） 第３図
路装置におけるＮｉメフキ電極配線の断面図とＮｉメッ
キ埋め込み層の断面図であり、第３図（ａ） 〜（ｄ）
及び第４図（ａ） 〜（ｃ）はそれらの製作工程を示す
図。 １．１１．３１．４１・・・半導体基板２．１２．１４
．３２．４２．４４・・・絶縁膜３．３５．３Ｅｉ・・
・Ｎｉメッキ電極配線１３．１６，４３・・・電極配線 １５．４６”・・・Ｎｉメッキ埋め込み層／１５’：
／Ｊｉ〆７千理ｊン丹漕 第２図 （α） 第３図 ＣＣ） 第３図
Claims (2)
- （１）半導体集積回路装置に於て、金属電極をＮｉある
いはＮｉ合金メッキ層にて形成した事を特徴とする半導
体集積回路装置の電極配線。 - （２）前記半導体集積回路装置に於て、第１の電極と第
２の電極とを層間絶縁膜を介し、コンタクト穴を通して
接続する多層配線構造であり、前記コンタクト穴部はＮ
ｉあるいはＮｉ合金メッキ層にて埋め込まれて成る事を
特徴とする第１項記載の半導体集積回路装置の電極配線
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2219388A JPH01196852A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 半導体集積回路装置の電極配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2219388A JPH01196852A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 半導体集積回路装置の電極配線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01196852A true JPH01196852A (ja) | 1989-08-08 |
Family
ID=12075962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2219388A Pending JPH01196852A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 半導体集積回路装置の電極配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01196852A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08255911A (ja) * | 1994-12-30 | 1996-10-01 | Siliconix Inc | 分布抵抗を低減する厚い金属レイヤを有する縦形パワーｍｏｓｆｅｔ及びその製作方法 |
| JPH08264785A (ja) * | 1994-12-30 | 1996-10-11 | Siliconix Inc | 集積回路ダイ及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-02 JP JP2219388A patent/JPH01196852A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08255911A (ja) * | 1994-12-30 | 1996-10-01 | Siliconix Inc | 分布抵抗を低減する厚い金属レイヤを有する縦形パワーｍｏｓｆｅｔ及びその製作方法 |
| JPH08264785A (ja) * | 1994-12-30 | 1996-10-11 | Siliconix Inc | 集積回路ダイ及びその製造方法 |
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