JPS6041220A - 露光パタ−ンの検査方法 - Google Patents
露光パタ−ンの検査方法Info
- Publication number
- JPS6041220A JPS6041220A JP58149829A JP14982983A JPS6041220A JP S6041220 A JPS6041220 A JP S6041220A JP 58149829 A JP58149829 A JP 58149829A JP 14982983 A JP14982983 A JP 14982983A JP S6041220 A JPS6041220 A JP S6041220A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- exposure
- electron beam
- proximity effect
- point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は、電子ビーム露光による露光パターンの検査方
法に関し、特に近接効果の補正結果の事前評価方法に関
する。
法に関し、特に近接効果の補正結果の事前評価方法に関
する。
（１１） 従来技術と問題点
電子ビーム露光により高精度のパターンを形成するには
、所請、近接効果を補正することが不可欠である。
、所請、近接効果を補正することが不可欠である。
６ 周知の如く、近接効果は、被露光物上に塗布された
レジスト膜中での電子ビーム散乱（前方散乱）及び、被
露光物である基板からの電子ビーム散乱（後方散乱）に
よって、描画後のレジストパターンが、電子ビーム照射
パターンより大きく広がるという現象である。
レジスト膜中での電子ビーム散乱（前方散乱）及び、被
露光物である基板からの電子ビーム散乱（後方散乱）に
よって、描画後のレジストパターンが、電子ビーム照射
パターンより大きく広がるという現象である。
このためパターン間の間隔が、凡そ２μｍ以下になると
結果的にパターン形状の著しい歪が生じ、パターン精度
が低下する。
結果的にパターン形状の著しい歪が生じ、パターン精度
が低下する。
そこで、露光パターン毎に、電子ビーム散乱強度分布と
パターン形状及び隣接パターンからの影響を考慮して最
適な照射量をあらかじめ、各パターン毎に設定したり、
あるいは描画パターンを変形しておくという方法により
近接効果を補正している。
パターン形状及び隣接パターンからの影響を考慮して最
適な照射量をあらかじめ、各パターン毎に設定したり、
あるいは描画パターンを変形しておくという方法により
近接効果を補正している。
耐力露光パターンの微細化、複雑化につれて近接効果の
補正が確実になされているかを検証する必要がますます
増大している。
補正が確実になされているかを検証する必要がますます
増大している。
しかしながら、パターン数が１０′； 〜１０′個のオ
ーダーの大規模かつパターン形状の複雑な集積回路装置
（ＩＣ）のパターンを人手により検証することは不可能
である。
ーダーの大規模かつパターン形状の複雑な集積回路装置
（ＩＣ）のパターンを人手により検証することは不可能
である。
又、集積回路装置の高集積化に伴ない、露光パターンの
微細化が、進みサブミクロンのパターン幅及びスペース
幅からなるＩＣパターンの露光が必要となっている。
微細化が、進みサブミクロンのパターン幅及びスペース
幅からなるＩＣパターンの露光が必要となっている。
従来、２〜３μｍの設計パターンルールの際には最小パ
ターン間隔を設定し、デザインルールの検証を行なって
いた。しかし１μｍ以下のパターンルールの際には、同
じパターン間隔でもレジストの解像度等の露光条件及び
パターン条件により解像する場合としない場合があり、
露光条件及びパターン条件を考慮したデザインルールの
検証が必要である。
ターン間隔を設定し、デザインルールの検証を行なって
いた。しかし１μｍ以下のパターンルールの際には、同
じパターン間隔でもレジストの解像度等の露光条件及び
パターン条件により解像する場合としない場合があり、
露光条件及びパターン条件を考慮したデザインルールの
検証が必要である。
（Ｃ）発明の目的
本発明はかかる事情に鑑みて、近接効果が適切に補正さ
れているか否かを、又ある露光条件のもとで、露光パタ
ーンが解像可能かどうかを事前に比較的簡単に検証し得
る電子ビーム露光パターンの検査方法を提供することに
ある。
れているか否かを、又ある露光条件のもとで、露光パタ
ーンが解像可能かどうかを事前に比較的簡単に検証し得
る電子ビーム露光パターンの検査方法を提供することに
ある。
（ｄ） 発明の構成
本発明の特徴は、所定の設計パターンデータに対し、露
光条件に基づいて近接効果を補正して、露光データを決
定し、前記、設計パターンのそれぞれの各辺上に複数の
サンプル点を設定し、露光データに対する電子ビーム照
射が、該サンプル点のそれぞれに及ぼす散乱電子ビーム
強度（Ｆｉ）を算出し、該サンプル点のそれぞれにおけ
る散乱電子ビーム強度（Ｆｉ）と前記それぞれのパター
ンと同等のパターン幅を有するパターン辺上にあり、か
つ近接効果の影響が無視しうる程度である点における散
乱電子ビーム強度（ＦＯ）との比（Ｆｉ／Ｆｏ）を算出
し、該強度比（Ｆｉ／ＦＯ）との露光後のパターン寸法
との関係を用いて、各辺上の該サンプル点での露光後の
パターン寸法をめ、露光後のパターン寸法の最大と最小
の差が、設定範囲内にあるかどうかを比較することによ
り、近接効果の補正結果の事前評価を行なうことにある
。
光条件に基づいて近接効果を補正して、露光データを決
定し、前記、設計パターンのそれぞれの各辺上に複数の
サンプル点を設定し、露光データに対する電子ビーム照
射が、該サンプル点のそれぞれに及ぼす散乱電子ビーム
強度（Ｆｉ）を算出し、該サンプル点のそれぞれにおけ
る散乱電子ビーム強度（Ｆｉ）と前記それぞれのパター
ンと同等のパターン幅を有するパターン辺上にあり、か
つ近接効果の影響が無視しうる程度である点における散
乱電子ビーム強度（ＦＯ）との比（Ｆｉ／Ｆｏ）を算出
し、該強度比（Ｆｉ／ＦＯ）との露光後のパターン寸法
との関係を用いて、各辺上の該サンプル点での露光後の
パターン寸法をめ、露光後のパターン寸法の最大と最小
の差が、設定範囲内にあるかどうかを比較することによ
り、近接効果の補正結果の事前評価を行なうことにある
。
（ｅ）発明の実施例
以下、本発明の実施例を図面を用いて、具体的に説明す
る。
る。
第１図は、本実施例に用いた電子ビーム露光装置の制御
システムの要部を示すブロック図で、１は中央処理装置
（ＣＰＵ）、２は設計パターンデータを格納するための
主記憶装置（メモリ）、３は近接効果を補正するための
露光データを生成する補正演算回路、４は上記露光デー
タを格納するための第１のバッファメモリ （バッファ
Ｉ）、５は各サンプル点での露光後のパターン寸法の最
大と最小が、設定範囲内にあるかどうかを比較・検査す
る検査演算回路、６は検査演算の結果の出力を格納する
ための第２のバッファメモリ （バッファ■）、７は表
示装置である。
システムの要部を示すブロック図で、１は中央処理装置
（ＣＰＵ）、２は設計パターンデータを格納するための
主記憶装置（メモリ）、３は近接効果を補正するための
露光データを生成する補正演算回路、４は上記露光デー
タを格納するための第１のバッファメモリ （バッファ
Ｉ）、５は各サンプル点での露光後のパターン寸法の最
大と最小が、設定範囲内にあるかどうかを比較・検査す
る検査演算回路、６は検査演算の結果の出力を格納する
ための第２のバッファメモリ （バッファ■）、７は表
示装置である。
第２図乃至第４図は、本発明の原理を示す図で、以下第
１図を参照しながら本実施例を説明する。
１図を参照しながら本実施例を説明する。
第２図において、実線は設計パターンを示し、この設計
パターンデータはあらかじめメモリ２に格納しておく。
パターンデータはあらかじめメモリ２に格納しておく。
破線のパターンは、上記設計パターンを得るために近接
効果を補正し、実際に電子ビームを照射する領域（以下
これを照射パターンと略記する）を示す。
効果を補正し、実際に電子ビームを照射する領域（以下
これを照射パターンと略記する）を示す。
本実施例の露光パターンの検査を行うには、まずＣＰＵ
Ｉの指令によりメモリ２から上記設計パターンデータを
読み出し、補正演算回路３において、あらかじめ定めら
れた補正方法に基づいて補正演算を行ない、補正量を算
出する。たとえば、各パターンに−Ｍのそれぞれについ
て、各辺上にサンプル点を設定し、他のパターンからの
影響を算出する。サンプル点としては、例えば、各辺の
２等分点を選ぶ。このとき、パターンＬのように形状の
複雑なパターンは、単純な矩形パターンに分割して補正
を行う。
Ｉの指令によりメモリ２から上記設計パターンデータを
読み出し、補正演算回路３において、あらかじめ定めら
れた補正方法に基づいて補正演算を行ない、補正量を算
出する。たとえば、各パターンに−Ｍのそれぞれについ
て、各辺上にサンプル点を設定し、他のパターンからの
影響を算出する。サンプル点としては、例えば、各辺の
２等分点を選ぶ。このとき、パターンＬのように形状の
複雑なパターンは、単純な矩形パターンに分割して補正
を行う。
即ち、パターンＬの場合は、パターンＬ、及びパターン
Ｌ、とに分割し、それぞれについて上述の如く、各辺上
にサンフル点を設定する。
Ｌ、とに分割し、それぞれについて上述の如く、各辺上
にサンフル点を設定する。
電子ビーム散乱強度分布ｆ （ｒ）は９周知の如く、外
部から照射するビーム中心からの距離ｒので表わされる
。（１）式において、第１項目は前方散乱を、第２項目
は後方散乱を示す。上式中Ａ〜Ｃは、それぞれ、レジス
トの感度や厚さ、あるいは、基板材料等の条件によって
定まる定数であり、あらかじめ与えられている。
部から照射するビーム中心からの距離ｒので表わされる
。（１）式において、第１項目は前方散乱を、第２項目
は後方散乱を示す。上式中Ａ〜Ｃは、それぞれ、レジス
トの感度や厚さ、あるいは、基板材料等の条件によって
定まる定数であり、あらかじめ与えられている。
このｆｉ１式を用いて、各照射パターンについて積分す
ることにより他のパターンからの影響分を算出し、各サ
ンプル点での露光強度が、一定になるように、連立方程
式を解く等により寸法及び照射量に対する補正量をめる
。
ることにより他のパターンからの影響分を算出し、各サ
ンプル点での露光強度が、一定になるように、連立方程
式を解く等により寸法及び照射量に対する補正量をめる
。
第２図の実線で示す設計パターンを上記補正量を用いて
補正することにより破線で示す照射パターンが得られる
。
補正することにより破線で示す照射パターンが得られる
。
上述の本実施例の近接効果の補正は、各辺について一個
のサンプル点を選び、このサンプル点を各辺の代表点と
して補正量を決定した平均的な補正方法である。
のサンプル点を選び、このサンプル点を各辺の代表点と
して補正量を決定した平均的な補正方法である。
従って、パターン条件により、各パターンの全域にわた
って適切に補正されているとは限らない。
って適切に補正されているとは限らない。
なお、近接効果の補正を各辺毎に、それぞれ１個のサン
プル点について行なったが、これはサンプル点の数を増
すと所要時間が非常多くなり、実用的でないためである
。又、レジストの解像度の限界により、あらゆるパター
ン条件について適切に補正されているとは限らない。
プル点について行なったが、これはサンプル点の数を増
すと所要時間が非常多くなり、実用的でないためである
。又、レジストの解像度の限界により、あらゆるパター
ン条件について適切に補正されているとは限らない。
そこで、以下の各工程により露光パターンの検査を行な
う。
う。
（１）第１工程
第３図のようなパターン幅Ｗ、パターン長Ｈのパターン
の中心軸上において、パターンの端点Ａから０．０５
μｍ、 ０．１ ｐｍ、 ０．１５ ｕｍ −−−−−
−と離れた点Ｂ、、Ｃ−−−−一での各々の散乱強度Ｆ
。。
の中心軸上において、パターンの端点Ａから０．０５
μｍ、 ０．１ ｐｍ、 ０．１５ ｕｍ −−−−−
−と離れた点Ｂ、、Ｃ−−−−一での各々の散乱強度Ｆ
。。
Ｆ ７ 、Ｆ ｚ 、−−−−−−を算出し、０．０５
．ｕｍでの（Ｂ点）比Ｆ。／Ｆ、、０．１．ｕｍでの（
０点）比Ｆ０／Ｆｚ、−−−と各点での比を計算し、各
種パターンについてテーブル化しておく。
．ｕｍでの（Ｂ点）比Ｆ。／Ｆ、、０．１．ｕｍでの（
０点）比Ｆ０／Ｆｚ、−−−と各点での比を計算し、各
種パターンについてテーブル化しておく。
（２）第２工程
第４図において、図の黒丸の点にサンプル点を設定する
。サンプル点の設定場所はパターンの頂点、パターン辺
の中点２周囲のパターンが、最も影響を及ぼす点である
。
。サンプル点の設定場所はパターンの頂点、パターン辺
の中点２周囲のパターンが、最も影響を及ぼす点である
。
各サンプル点での散乱電子ビーム強度Ｆｉと近接効果の
無視し得る程度である点における散乱電子ビーム強度（
Ｆｏ）との比Ｆｉ／Ｆｏを算出する。
無視し得る程度である点における散乱電子ビーム強度（
Ｆｏ）との比Ｆｉ／Ｆｏを算出する。
（３）第３工程
第１工程でのテーブルと各サンプル点での比Ｆｉ ／
Ｆ ｏを比較し、各サンプル点でのパターン寸法を算出
し、その最大と最小が、設定範囲内にあり るかどうかにより評価を行なう。
Ｆ ｏを比較し、各サンプル点でのパターン寸法を算出
し、その最大と最小が、設定範囲内にあり るかどうかにより評価を行なう。
（４） 第４工程
補正パターンにおいて、パターン寸法が設定範囲内にな
い場所を行なう。抽出したパターンデータは、第２のバ
ッファメモリ６に格納される。
い場所を行なう。抽出したパターンデータは、第２のバ
ッファメモリ６に格納される。
上述のようにして得られたパターンデータは表示装置７
に表示される。この表示装置７には、必要に応じて設計
パターン、照射パターン等を表示させることも勿論可能
である。このように本実施例によれば、比較的容易に近
接効果が適切に補正されているか否かを、又ある露光条
件のもとで露光パターンが、解像可能かどうかを事前に
検証し得る。
に表示される。この表示装置７には、必要に応じて設計
パターン、照射パターン等を表示させることも勿論可能
である。このように本実施例によれば、比較的容易に近
接効果が適切に補正されているか否かを、又ある露光条
件のもとで露光パターンが、解像可能かどうかを事前に
検証し得る。
ｌｆｌ 発明の詳細
な説明した如く、本発明によれば近接効果の補正結果を
容易に検証することができ、従ってパターン精度の向上
、及び歩留り向上が図られる。
容易に検証することができ、従ってパターン精度の向上
、及び歩留り向上が図られる。
第１図は、本発明の実施例に使用した電子ビーム露光装
置の制御システムの要部を示すブロック０ 図、第２図乃至第４図は、本発明の詳細な説明するため
の設計パターンと補正パターン図、サンプル点を示す図
である。 １は中央処理装置、２はパターンデータ用メモリ、３は
補正演算回路、４はバッファメモリ、５は検査演算回路
、６はバッファメモリ、７は表示装置を示す。 １ １０６−
置の制御システムの要部を示すブロック０ 図、第２図乃至第４図は、本発明の詳細な説明するため
の設計パターンと補正パターン図、サンプル点を示す図
である。 １は中央処理装置、２はパターンデータ用メモリ、３は
補正演算回路、４はバッファメモリ、５は検査演算回路
、６はバッファメモリ、７は表示装置を示す。 １ １０６−
Claims (1)
- 所定の設計パターンデータに対し、露光条件に基づいて
近接効果を補正して、露光データを決定し、前記、設計
パターンのそれぞれの各辺上に、複数のサンプル点を設
゛定し、露光データに対する電子ビーム照射が、該サン
プル点のそれぞれに及ぼす散乱電子ビーム強度（Ｆｉ）
を算出し、該サンプル点のそれぞれにおける散乱電子ビ
ーム強度（Ｆｉ）と、前記それぞれのパターンと同等の
パターン幅を有するパターン辺上にあり、かつ近接効果
の影響が、無視しうる程度である点における散乱電子ビ
ーム強度（ＦＯ）との比（Ｆｉ／ＦＯ）を算出し、該強
度比（Ｆｉ／Ｆｏ）と、露光後のパターン寸法との関係
を用いて、各辺上の該サンプル点での露光後のパターン
寸法をめ、露光後のパターン寸法の最大と最小の差が、
設定範囲内にあるかどうかを比較することにより、近接
効果の補正結果の事前評価を行なうことを特徴とする露
光パターンの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58149829A JPS6041220A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 露光パタ−ンの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58149829A JPS6041220A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 露光パタ−ンの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6041220A true JPS6041220A (ja) | 1985-03-04 |
Family
ID=15483582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58149829A Pending JPS6041220A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 露光パタ−ンの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041220A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5810824A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-21 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
| JPS5843516A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-14 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
-
1983
- 1983-08-17 JP JP58149829A patent/JPS6041220A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5810824A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-21 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
| JPS5843516A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-14 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
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