JPS6041660B2 - エチリデンジアセテ−トの製造方法 - Google Patents
エチリデンジアセテ−トの製造方法Info
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- JPS6041660B2 JPS6041660B2 JP55139713A JP13971380A JPS6041660B2 JP S6041660 B2 JPS6041660 B2 JP S6041660B2 JP 55139713 A JP55139713 A JP 55139713A JP 13971380 A JP13971380 A JP 13971380A JP S6041660 B2 JPS6041660 B2 JP S6041660B2
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- reaction
- methyl
- catalyst
- ethylidene diacetate
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酢酸メチルまたはジメチルエーテル、一酸化
炭素、および水素をハイドロカルボニル化反応させるこ
とを特徴とするエチリデンジアセテートの製造法に関す
る。
炭素、および水素をハイドロカルボニル化反応させるこ
とを特徴とするエチリデンジアセテートの製造法に関す
る。
さらに詳しくは、沃化物または臭化物であるハロゲン化
物、リンヌは窒素を含有する有機窒素族化合物並びにニ
ッケルより成る触媒の存在下、酢酸メチルまたはジメチ
ルエーテルと一酸化炭素および水素を反応させてエチリ
デンジアセテートを製造する方法において、助触媒とし
て特定のパラジウム担持触媒を用いることを特徴とする
エチリデンジアセテートの製造方法に関する。 従来、
エチリデンジアセテートの合成方法としてアセチレンと
酢酸を原料とする方法やアセトアルデヒドと無水酢酸と
を反応させることによつて合成する方法が一般に知られ
ている。
物、リンヌは窒素を含有する有機窒素族化合物並びにニ
ッケルより成る触媒の存在下、酢酸メチルまたはジメチ
ルエーテルと一酸化炭素および水素を反応させてエチリ
デンジアセテートを製造する方法において、助触媒とし
て特定のパラジウム担持触媒を用いることを特徴とする
エチリデンジアセテートの製造方法に関する。 従来、
エチリデンジアセテートの合成方法としてアセチレンと
酢酸を原料とする方法やアセトアルデヒドと無水酢酸と
を反応させることによつて合成する方法が一般に知られ
ている。
また最近、ハロゲン化物の存在下、反応液に可溶性のロ
ジウム、パラジウムの塩あるいは錯体を主触媒として使
用し、かつ特定の有機窒素族化合物あるいは無機金属化
合物を助触媒とする液相均一触媒系において酢酸メチル
あるいはジメチルエーテルからエチリデンジアセテート
を合成する方法が特開昭51−11540号として開示
された。この高価な貴金属を用いる方法に対して、ニッ
ケルまたはコバルトを用いる新規な触媒系による方法を
特願昭54一1176印号として、また、生成物、触媒
の分離、回収が容易な固体触媒、すなわちパラジウム金
属を多孔質無機物質に担持した固体触媒を用いる方法を
特願昭55−28433号として本発明者らは先に特許
出願した。前者の方法は安価な触媒を用いる点で、また
後者の方法は生成物、触媒の分離、回収が容易であると
いう点で、優れた方法であるが、本発明者らは反応速度
およびエチリデンジアセテートの収率をさらに上昇する
目的で鋭意研究を続けたところ、ハロゲン化物並びにニ
ッケルより成る触媒に助触媒としてパラジウム金属を用
いる触媒系を見い出し本発明を完成した。すなわち、本
発明は沃化物または臭化物であるハロゲン化物の少なく
とも一種、リン又は窒素を含有する有機窒素族化合物、
並びにニッケルよりなる触媒の存在下、酢酸メチルまた
はジメチルエーテルと一酸化炭素および水素とを反応さ
せてエチリデンジアセテートを製造する方法において、
助触媒として細孔容積0.03〜2.5d/g、表面積
0.1〜15007Tf/gの多孔質無機物質にパラジ
ウム金属を0.01〜30%(重量)担持させた固体触
媒を、ニッケルに対しパラジウムが1〜1/30(モル
比)となるように用いることを特徴とするエチリデンジ
アセテートの製造方法である。
ジウム、パラジウムの塩あるいは錯体を主触媒として使
用し、かつ特定の有機窒素族化合物あるいは無機金属化
合物を助触媒とする液相均一触媒系において酢酸メチル
あるいはジメチルエーテルからエチリデンジアセテート
を合成する方法が特開昭51−11540号として開示
された。この高価な貴金属を用いる方法に対して、ニッ
ケルまたはコバルトを用いる新規な触媒系による方法を
特願昭54一1176印号として、また、生成物、触媒
の分離、回収が容易な固体触媒、すなわちパラジウム金
属を多孔質無機物質に担持した固体触媒を用いる方法を
特願昭55−28433号として本発明者らは先に特許
出願した。前者の方法は安価な触媒を用いる点で、また
後者の方法は生成物、触媒の分離、回収が容易であると
いう点で、優れた方法であるが、本発明者らは反応速度
およびエチリデンジアセテートの収率をさらに上昇する
目的で鋭意研究を続けたところ、ハロゲン化物並びにニ
ッケルより成る触媒に助触媒としてパラジウム金属を用
いる触媒系を見い出し本発明を完成した。すなわち、本
発明は沃化物または臭化物であるハロゲン化物の少なく
とも一種、リン又は窒素を含有する有機窒素族化合物、
並びにニッケルよりなる触媒の存在下、酢酸メチルまた
はジメチルエーテルと一酸化炭素および水素とを反応さ
せてエチリデンジアセテートを製造する方法において、
助触媒として細孔容積0.03〜2.5d/g、表面積
0.1〜15007Tf/gの多孔質無機物質にパラジ
ウム金属を0.01〜30%(重量)担持させた固体触
媒を、ニッケルに対しパラジウムが1〜1/30(モル
比)となるように用いることを特徴とするエチリデンジ
アセテートの製造方法である。
本発明による酢酸メチルまたはジメチルエーテルのハイ
ドロカルボニル化反応は詳細な反応操作は明確ではない
が、総合反応として次の化学反応式によつて表わすこと
ができる。
ドロカルボニル化反応は詳細な反応操作は明確ではない
が、総合反応として次の化学反応式によつて表わすこと
ができる。
(1)酢酸メチルを原料として場合
(2)ジメチルエーテルを原料とした場合本発明の触媒
は、沃化物または臭化物の少なくとも一種であるハロゲ
ン化物並びに安価なニッケルを主触媒とし、これに少量
のパラジウム担持固体触媒を助触媒として使用するもの
てある。
は、沃化物または臭化物の少なくとも一種であるハロゲ
ン化物並びに安価なニッケルを主触媒とし、これに少量
のパラジウム担持固体触媒を助触媒として使用するもの
てある。
主触媒金属として使用するニッケルまたはニッケル化合
物成分としては有機、無機のニッケル化合物物が利用で
きる。たとえば、ニッケル粉末、酢酸ニッケル、沃化ニ
ッケル、ニッケルアセチルアセトン、ニッケルテトラカ
ルボニル、ニツケルジカルボニル、ニツケルジカルボニ
ルビストリフエニルホスフイン、テトラメチルアンモニ
ウム沃化ニッケル等種々のニッケル化合物が使用される
。前記ニッケルまたはニッケル化合物成分は単独で使用
・しても主触媒として有効であるが活性は低く、パラジ
ウム金属と併用し、混合使用するとき、きわめて高活性
となる。すなわち、ニッケルと不溶性パラジウム金属の
併用が非常に著しく反応の進行に影響し、両者の交互作
用によつて、速い反応速度と高いエチリデンジアセテー
トの収率を得るこができる。助触媒としてニッケルとと
もに使用するパラジウム金属はパラジウム担持固体金属
である。本発明におけるパラジウム担持触媒について説
明する。
物成分としては有機、無機のニッケル化合物物が利用で
きる。たとえば、ニッケル粉末、酢酸ニッケル、沃化ニ
ッケル、ニッケルアセチルアセトン、ニッケルテトラカ
ルボニル、ニツケルジカルボニル、ニツケルジカルボニ
ルビストリフエニルホスフイン、テトラメチルアンモニ
ウム沃化ニッケル等種々のニッケル化合物が使用される
。前記ニッケルまたはニッケル化合物成分は単独で使用
・しても主触媒として有効であるが活性は低く、パラジ
ウム金属と併用し、混合使用するとき、きわめて高活性
となる。すなわち、ニッケルと不溶性パラジウム金属の
併用が非常に著しく反応の進行に影響し、両者の交互作
用によつて、速い反応速度と高いエチリデンジアセテー
トの収率を得るこができる。助触媒としてニッケルとと
もに使用するパラジウム金属はパラジウム担持固体金属
である。本発明におけるパラジウム担持触媒について説
明する。
担持方法は例えば通常の浸清法、混練法、吸着法、共沈
法、イオン交換法等によるがその他の方法も実施可能で
ある。その一部を例示すlるとパラジウム金属あるいは
パラジウム化合物と、必要に応じてその他の成分を含有
する溶液を多孔質無機物質の含浸し、ついでホルムアル
デヒド、水素、ギ酸ソーダ、一酸化炭素、ナトリウムボ
ローハイドライド、リチウムアルミニウムハイドライド
、あるいはヒドラジンなどの通常の環元手段によつてパ
ラジウム化合物をパラジウム金属へ変性せしめて、乾燥
することによつて行なわれるが、もとよりこれらの方法
にのみ限定されるものではなく、パラジウム金属を担持
させうる限り、方法のいかんを問うものではない。尚、
担持に使用されるパラジウム形態は零原子価あるいは高
原子価の任意の便利な形で利用できるがその一部を例示
すれば、Pd金属、PdO,Pd(0H)2,Pd(N
O3)2Pd(NO2)2,PdS04,Pd3(PO
4)2,〔Pd(NH3)4〕X2,(NH4)2Pd
X1,Na2PdX4,K2PdX4,L12PdX4
,PC1X2,Pd(0AC)2,Pd(AcAc)2
,PdX2(PhCN)2(式中のXはF,Cl,Br
またはI,Phはフェニル基、0Acはアセトキシ基、
AcAcはアセチルアセトネート基をそれぞれ示す)が
あげられる。本発明の触媒において用いられる担体は、
これが流動床又は固体床反応器中で用いられるような、
例えば400メッシュ乃至1インチの粒子の大きさの多
孔質無機物質から構成される。固体重量に比例する細孔
容積の範囲は0.03乃至2.5d/gであり好ましく
0.05乃至1.5d/gである。同様に固体重量に比
例する表面積の範囲は0.1乃至1500rr1/g好
ましくは1乃至1500rrI/yである。平均細孔半
径の範囲は0.1乃至20000A好ましくは1乃至2
000人であり、5乃至1500Aが特に有効である。
又、得られる固体触媒の担体に対するパラジウム金属の
担加量は広い範囲て可能であるが、担体の表面積を考慮
して0.01〜30%(重量)が特に好ましい担持範囲
である。本発明において使用される多孔質無機物質とし
ては炭素、グラファイト、骨炭、アルミナ、シリカ、シ
リカアルミナ、硫酸バリウム、ゼオライト、スピネル、
マグネシア付アルミナ、トリア、酸化チタン、酸化ジル
コニウム、酸化トリウム、酸化ランタン、酸化セリウム
、酸化亜鉛、タンタリウム、粘土、ケイソウ土、セライ
ト、アスベスト、軽石、ホーキライト、白土、Supe
r−FiltrOIのような天然および処理された白土
、炭化シリコン、沸石および沸石モレキユラシーブ、セ
ラミック蜂窩、ポリア、セメントなどが用いられるが好
ましくは炭素、グラファイト、骨炭、アルミナ、シリカ
、シリカアルミナ、硫酸バリウム、ゼオライト、スピネ
ル、マグネシア付アルミナさらに好ましくは炭素、グラ
ファイト、骨炭、アルミミナ、シリカ、シリカアルミナ
、硫酸バリウムであつて、特に炭素が有効に用いられる
。
法、イオン交換法等によるがその他の方法も実施可能で
ある。その一部を例示すlるとパラジウム金属あるいは
パラジウム化合物と、必要に応じてその他の成分を含有
する溶液を多孔質無機物質の含浸し、ついでホルムアル
デヒド、水素、ギ酸ソーダ、一酸化炭素、ナトリウムボ
ローハイドライド、リチウムアルミニウムハイドライド
、あるいはヒドラジンなどの通常の環元手段によつてパ
ラジウム化合物をパラジウム金属へ変性せしめて、乾燥
することによつて行なわれるが、もとよりこれらの方法
にのみ限定されるものではなく、パラジウム金属を担持
させうる限り、方法のいかんを問うものではない。尚、
担持に使用されるパラジウム形態は零原子価あるいは高
原子価の任意の便利な形で利用できるがその一部を例示
すれば、Pd金属、PdO,Pd(0H)2,Pd(N
O3)2Pd(NO2)2,PdS04,Pd3(PO
4)2,〔Pd(NH3)4〕X2,(NH4)2Pd
X1,Na2PdX4,K2PdX4,L12PdX4
,PC1X2,Pd(0AC)2,Pd(AcAc)2
,PdX2(PhCN)2(式中のXはF,Cl,Br
またはI,Phはフェニル基、0Acはアセトキシ基、
AcAcはアセチルアセトネート基をそれぞれ示す)が
あげられる。本発明の触媒において用いられる担体は、
これが流動床又は固体床反応器中で用いられるような、
例えば400メッシュ乃至1インチの粒子の大きさの多
孔質無機物質から構成される。固体重量に比例する細孔
容積の範囲は0.03乃至2.5d/gであり好ましく
0.05乃至1.5d/gである。同様に固体重量に比
例する表面積の範囲は0.1乃至1500rr1/g好
ましくは1乃至1500rrI/yである。平均細孔半
径の範囲は0.1乃至20000A好ましくは1乃至2
000人であり、5乃至1500Aが特に有効である。
又、得られる固体触媒の担体に対するパラジウム金属の
担加量は広い範囲て可能であるが、担体の表面積を考慮
して0.01〜30%(重量)が特に好ましい担持範囲
である。本発明において使用される多孔質無機物質とし
ては炭素、グラファイト、骨炭、アルミナ、シリカ、シ
リカアルミナ、硫酸バリウム、ゼオライト、スピネル、
マグネシア付アルミナ、トリア、酸化チタン、酸化ジル
コニウム、酸化トリウム、酸化ランタン、酸化セリウム
、酸化亜鉛、タンタリウム、粘土、ケイソウ土、セライ
ト、アスベスト、軽石、ホーキライト、白土、Supe
r−FiltrOIのような天然および処理された白土
、炭化シリコン、沸石および沸石モレキユラシーブ、セ
ラミック蜂窩、ポリア、セメントなどが用いられるが好
ましくは炭素、グラファイト、骨炭、アルミナ、シリカ
、シリカアルミナ、硫酸バリウム、ゼオライト、スピネ
ル、マグネシア付アルミナさらに好ましくは炭素、グラ
ファイト、骨炭、アルミミナ、シリカ、シリカアルミナ
、硫酸バリウムであつて、特に炭素が有効に用いられる
。
上記多孔質無機物質は均一粒度および不均一粒度および
毛細管状の粒子として用いられ、必要に応じて成型物、
押出物、セラミック棒、ボール、破壊細片、−タイルお
よびそれらの類似物のような型で用いられる。以上の本
発明による固体触媒組成物は商業的に容易に入手し得る
化合物を使用して簡単に製造することができる。その製
造には、前記した如く特異的条件を必要としないことは
明らかだが、同時に担体から容易に金属成分を離脱させ
て、パラジウム金属の単離および触媒の再生を行なうこ
とができる。以上、助触媒として使用するパラジウム金
属について述べたが、本発明の固体触媒中のパラジウム
金属の溶出低抗性は大きく、後述す!る実施例からも明
らかな如く時間あたり90.0%以上、通常99.0%
以上、好適条件下では99.9%以上のパラジウム金属
が固体触媒として保持される。反応は金属触媒とともに
ハロゲン化物の存在を必要とするが好適なハロゲン化物
は臭化物または!ヨウ化物またはその混合物である。通
常、ハロゲン化物は大部分がヨウ化メチルの様なハロゲ
ン化アルキル、アセチルヨウダイドの様な酸ハロゲニド
、ヨウ化水素のようなハロゲン化水素またはそれらの任
意の混合物の形を使用し、そのまま反応る液に導入する
ことができる。さらにこれらのハロゲン化物すなわち、
ハロゲン化アルキル、酸ハロゲニド、またはハロゲン化
水素の任意の一種類以上が反応液中で生成するような物
質を反応液に導入する方法も有効である。反応液中でそ
の中の他の成分と反応してハロゲン化アルキル、酸ハロ
ゲニドまたはハロゲン化水素を生成する物質には無機ハ
ロゲン化物、例えばリチウム、ナトリウム、カリウムの
ようなアルカリ金属ハロゲン化物およびマグネシウム、
カルシウムのようなアルカリ土類金属ハロゲン化物ある
いはアルミニウム、亜鉛、銅、ランタン又はセリウムな
どのような金属ハロゲン化物ならびに臭素または沃素が
ある。以・上のハロゲン化物のうち、反応器の耐触性、
あるいは反応生成物の分離、精製の点から、臭化メチル
および沃化メチルのようなハロゲン化メチルを用いるこ
とは特に好ましい実施態様である。本発明においては以
上の主触媒及ひ助触媒を組合せて用いるが、更に反応速
度を速めるために促進剤としてリン又は窒素を含む有機
窒素族化合物を用いる。促進剤として効果的な化合物を
群に分類して限定的でなく例示する。
毛細管状の粒子として用いられ、必要に応じて成型物、
押出物、セラミック棒、ボール、破壊細片、−タイルお
よびそれらの類似物のような型で用いられる。以上の本
発明による固体触媒組成物は商業的に容易に入手し得る
化合物を使用して簡単に製造することができる。その製
造には、前記した如く特異的条件を必要としないことは
明らかだが、同時に担体から容易に金属成分を離脱させ
て、パラジウム金属の単離および触媒の再生を行なうこ
とができる。以上、助触媒として使用するパラジウム金
属について述べたが、本発明の固体触媒中のパラジウム
金属の溶出低抗性は大きく、後述す!る実施例からも明
らかな如く時間あたり90.0%以上、通常99.0%
以上、好適条件下では99.9%以上のパラジウム金属
が固体触媒として保持される。反応は金属触媒とともに
ハロゲン化物の存在を必要とするが好適なハロゲン化物
は臭化物または!ヨウ化物またはその混合物である。通
常、ハロゲン化物は大部分がヨウ化メチルの様なハロゲ
ン化アルキル、アセチルヨウダイドの様な酸ハロゲニド
、ヨウ化水素のようなハロゲン化水素またはそれらの任
意の混合物の形を使用し、そのまま反応る液に導入する
ことができる。さらにこれらのハロゲン化物すなわち、
ハロゲン化アルキル、酸ハロゲニド、またはハロゲン化
水素の任意の一種類以上が反応液中で生成するような物
質を反応液に導入する方法も有効である。反応液中でそ
の中の他の成分と反応してハロゲン化アルキル、酸ハロ
ゲニドまたはハロゲン化水素を生成する物質には無機ハ
ロゲン化物、例えばリチウム、ナトリウム、カリウムの
ようなアルカリ金属ハロゲン化物およびマグネシウム、
カルシウムのようなアルカリ土類金属ハロゲン化物ある
いはアルミニウム、亜鉛、銅、ランタン又はセリウムな
どのような金属ハロゲン化物ならびに臭素または沃素が
ある。以・上のハロゲン化物のうち、反応器の耐触性、
あるいは反応生成物の分離、精製の点から、臭化メチル
および沃化メチルのようなハロゲン化メチルを用いるこ
とは特に好ましい実施態様である。本発明においては以
上の主触媒及ひ助触媒を組合せて用いるが、更に反応速
度を速めるために促進剤としてリン又は窒素を含む有機
窒素族化合物を用いる。促進剤として効果的な化合物を
群に分類して限定的でなく例示する。
(1)三価の窒素族化合物
(4)一般式M÷R2で表示される窒素族化合物(但し
、MはN,Pを表わす。
、MはN,Pを表わす。
)(a)Rl,R2.R3が水素あるいは炭素数1〜1
0の飽和アルキル基、シクロアルキル基またはア リー
ル基を表わし、夫々お互いに同一でも異つていてもよい
化合物M=N アンモニア、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリ
メチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、ト
リエチルアミン、ジメチルエチルアミン、トリーn−プ
ロピルアミン、トリーIsO−プロピルアミン、トリー
n−ブチルアミン、トリーTert−ブチルアミン、ア
ニリン、ジメチルアニリン、ジエチルアニリン、ジメチ
ルベンジルアミン、トルイジン、トリフェニルアミン、
シクロヘキシルアミン等のアミン類M=Pトリーn−プ
ロピルホスフィン、トリー1s0−プロピルホスフィン
、トリーn−ブチルホスフィン、トリーTert−ブチ
ルホスフィン、トリ−シクロヘキシルホスフィン、トリ
−フェニルホスフィン等のホスフィン類(b)R1が水
素あるいは炭素数1〜10の飽和アルキル基、シクロア
ルキル基またはアリール基を表わし、R2,R3が炭素
数1〜5のポリメチレン基で結ばれた化合物 ピロリジ
ン、N−メチルピロリジン、ピペリジン、N−フェニル
ピペリジン等の環状化合物(c)Rl,R2が水素ある
いは炭素数1〜10の飽和アルキル基、シクロアルキル
基、シクロアルキル基、またはアリール基を表わし、夫
々同一でもお互いに異なつてもよい。
0の飽和アルキル基、シクロアルキル基またはア リー
ル基を表わし、夫々お互いに同一でも異つていてもよい
化合物M=N アンモニア、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリ
メチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、ト
リエチルアミン、ジメチルエチルアミン、トリーn−プ
ロピルアミン、トリーIsO−プロピルアミン、トリー
n−ブチルアミン、トリーTert−ブチルアミン、ア
ニリン、ジメチルアニリン、ジエチルアニリン、ジメチ
ルベンジルアミン、トルイジン、トリフェニルアミン、
シクロヘキシルアミン等のアミン類M=Pトリーn−プ
ロピルホスフィン、トリー1s0−プロピルホスフィン
、トリーn−ブチルホスフィン、トリーTert−ブチ
ルホスフィン、トリ−シクロヘキシルホスフィン、トリ
−フェニルホスフィン等のホスフィン類(b)R1が水
素あるいは炭素数1〜10の飽和アルキル基、シクロア
ルキル基またはアリール基を表わし、R2,R3が炭素
数1〜5のポリメチレン基で結ばれた化合物 ピロリジ
ン、N−メチルピロリジン、ピペリジン、N−フェニル
ピペリジン等の環状化合物(c)Rl,R2が水素ある
いは炭素数1〜10の飽和アルキル基、シクロアルキル
基、シクロアルキル基、またはアリール基を表わし、夫
々同一でもお互いに異なつてもよい。
R3はある炭素数1〜10の飽和脂肪酸アシル基を表わ
す化合物及びR1が水素あるいは炭素数1〜10の飽和
アルキル基、シクロアルキル基、またはアリール基でR
2,R3がカルボキシポリメチレン基で結ばれたラクタ
ム化合物 アセトアミド、N,N−ジメチルセアセトア
ミド、アセトアリニド、N−メチルーN−フェニルアセ
トアミド等のカルボン酸アミド類及びN−メチルーピロ
ジノン等のラクタム類(d)Rl,R2,R3の中の少
なくとも一つがカルボキシメチル基で、残りが水素ある
いは炭素数1〜10の飽和アルキル基、シクロアルキル
基またはアリール基を表わし、同一ても異なつてもよい
化合物N,N−ジメチルグリシン、N,N−ジエチルグ
リシン、イミノジ酢酸、Nーメチルジイミノ酢酸、ニト
リロトリ酢酸等のカルボン酸誘導体(e)R1が炭素数
1〜10の飽和アルキル基、シクロアルキル基、あるい
はアリール基を表わし、R2.R3はMと結合したニト
リル類M=N アセトニトリル、プロビオニトリル、ベンゾニトリル等
のニトリル類(B)一般式二1〉M「R5−M2〈工3
で表わされる有機窒素族化合物(但し、Ml,M2はN
,Pであり、同一でも異なつていてもよい。
す化合物及びR1が水素あるいは炭素数1〜10の飽和
アルキル基、シクロアルキル基、またはアリール基でR
2,R3がカルボキシポリメチレン基で結ばれたラクタ
ム化合物 アセトアミド、N,N−ジメチルセアセトア
ミド、アセトアリニド、N−メチルーN−フェニルアセ
トアミド等のカルボン酸アミド類及びN−メチルーピロ
ジノン等のラクタム類(d)Rl,R2,R3の中の少
なくとも一つがカルボキシメチル基で、残りが水素ある
いは炭素数1〜10の飽和アルキル基、シクロアルキル
基またはアリール基を表わし、同一ても異なつてもよい
化合物N,N−ジメチルグリシン、N,N−ジエチルグ
リシン、イミノジ酢酸、Nーメチルジイミノ酢酸、ニト
リロトリ酢酸等のカルボン酸誘導体(e)R1が炭素数
1〜10の飽和アルキル基、シクロアルキル基、あるい
はアリール基を表わし、R2.R3はMと結合したニト
リル類M=N アセトニトリル、プロビオニトリル、ベンゾニトリル等
のニトリル類(B)一般式二1〉M「R5−M2〈工3
で表わされる有機窒素族化合物(但し、Ml,M2はN
,Pであり、同一でも異なつていてもよい。
)(a)Rl,R2,R3,R4は、水素あるいは炭素
数1〜10の飽和アルキル基、シクロアルキル基、ある
いはアリール基を表わし、R5は炭素数1〜10のポリ
メチレン基、フェニレン基、あるいかカルボニル基を表
わす化合物119M2かN9P エチレンビス(ジフェニルホスフィン)、フェニレンビ
ス(ジメチルホスフィン)、ビス(ジフエニルアルシノ
)エタン、ビス(ジー1s0ープロピルアルシノ)ヘキ
サン、ビス(ジエチルスチビノ)ペンタン、N,N,N
″,N″−テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N
″,N″−テトラエチルエチレンジアミン、N,N,N
!,N′−テトラーn−プロピルエチレンジアミン、N
,N,N″,N″−テトラメチルメチレンジアミン、N
,N,N″,N″−テトラメチル尿素、N−メチルー2
ーピロジノン、トリエチレンジアミン等の化合物(b)
Rl,R3が水素あるいは炭素数1〜10の飽和アルキ
ル基、シクロアルキル基、あるいはアリール基で、R2
,R4が炭素数1〜5のポリメチレン基で結ばれ且つR
5が炭素数1〜5のポリアルキルメチレン基の化合物ピ
ペラジン、N−メチルーピペラジン、Nーエチルーピペ
ラジン、2−メチルーN−N″−ジメチルピペラジン等
の環状化合物(c)その他の化合物 2,5−ジカルボキシピペラジン、シクロヘキサンー1
,2−ジアミンーN,N,N″,N−テトラ酢酸、及び
塩並びにテトラメチルエステル、エチレンジアミンテト
ラ酢酸及び塩並びにテトラメチルエステル、1,4ーア
ザビシクロ(2,2,2〕オクタン、メチル置換1,4
ージアザシクロ〔2,2,2〕オクタン、アジポニトリ
ル、N−メチルモルホリン等の化合物■) 複素環化合
物 ピリジおよびアルキルピリジン類:ピリジン、α−ピコ
リン、β−ピコリン、γ−ピコリン、2−エチルピリジ
ン、3−エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−プ
ロピルピリジン、4−プロピルピリジン、4−ブチルピ
リジン、4−イソブチルピリジン、4−t−ブチルピリ
ジン、2,6−ルチジン、2,4−ルチジン、2,5−
ルチジン3,4−ルチジン、3,5−ルチジン、2,4
,6−コリジン、2ーメチルー4−エチルピリジン、2
−メチルー5−エチルピリジン、3−メチルー4−エチ
ルピリジン、3−エチルー4−メチルピリジン、3,4
−ジエチルピリジン、3,5−ジエチルピリジン、2−
メチルー5−ブチルピリジン、4−ペンチルピリジン、
4−(5−ノニル)ーピリジン、2,6−ジプロピルピ
リジン、2ーメチルー3−エチルー6−プロピルピリジ
ン、2,6−ジエチルピリジン、2,6−ジプロピルピ
リジン、2,6−ジブチルピリジン、2,6−ジーt−
ブチルピリジン;官能基を含むピリジン類:2−シアノ
ピリジン、3−シアノピリジン、4−シアノピリジン、
2,6ージシアノピリジン、3,5ージシアノピリジン
、2−シアノー6−メチルーピリジン、3−シアノー5
−メチルーピリジン、ピコリン酸アミド、ニコチン酸ア
ミド、イソニコチン酸アミド、ピコリン酸、ニコチン酸
、イソニコチン酸、ジビコリン酸、ジニコチン酸、シン
コメトロニツク酸、5−ブチルーピコリン酸、ニコチン
酸アルキルエステル、2−アミノーピリジン、3−アミ
ノピリジン、4−アミノピリジン、2,3−ジアミノピ
リジン、2,5−ジアミノピリジン、2,6−ジアミノ
ピリジン、2,3,6−トリアミノピリジン、2−アミ
ノー3−メチルピリジン、2−アミノー4ーメチルピリ
ジン、2−アミノー5−メチルピリジン、2−アミノ6
−メチルピリジン、2−アミノー4−エチルピリジン、
2−アミノー4−プロピルピリジン、2−アミノー4−
(5−ノニル)−ピリジン、2−アミノー4,6−ジメ
チルピリジン、2,6−ジアミノー4−メチルピリジン
、2,2″−ジピリジルアミン、4−(N,N−ジメチ
ルアミノ)ピリジン、2−ヒドロキシピリジン、3−ヒ
ドロキシピリジン、4−ヒドロキシピリジン、2,6−
ジヒドロキシピリジン、3−ヒドロキシー6−メチルピ
リジン、2−クロロピリジン、2,6−ジクロロピリジ
ン、4−クロロピリジン、2−アミノー5−クロロピリ
ジン、2−アミノー3,5−ジクロロピリジン、2−メ
チルー3,5−ジクロロー6−メチルピリジン、2−ア
ミノー5−クロロー3−メチルリジン、2−アミノー3
.5−ジクロロー4−メチルピリジン、22−アミノー
3,5−ジクロロー4,6−ジメチルピリジン、4−ア
ミノー3,5−ジクロロピリジン、ピリジンーN−オキ
シド、α−ピコリンーN−オキシド、β−ピコリンN−
オキシド、γ−ピコリンーN−オキシド、2,6−ルチ
ジンーN−オキシド、3,5−ルチジンーN−オキシド
、4−フェニルプロピルピリジンーN−オキシド、1,
3−ジー(4−ピリジル)ープロパンジーN−オキシド
、4−(5−ノニル)−ピリジンーN−オキシド、2−
クロロピリジンーN−オキシド、4−シアノピリジンー
N−オキシド、2−ピリジンメタノール、3−ピリジン
メタノール、4−ピリジンメタノール、2,6ーピリジ
ンメタノール、2−ピリジンエタノール、4−ピリジン
エタノール、3−ピコリルアミン、4−ピコリルアミン
、2−メチルアミノエチルピリジン、4−アルキルアミ
ノエチルピリジン、4−ピペリジノエチルピリジン、4
−(4−ピペコリノエチル)−ピリジン、4−モルホリ
ノエチルピリジン;環状化合物を含むピリジン類;2−
フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、2−ベンジ
ルピリジン、4−ベンジルピリジン、4−フェニルプロ
ピルピリジン、4,4″ージピリジル、4,4″−ジメ
チルー2,2″ージピリジル、1,3−ジー(4−ピリ
ジル)プロパン、1,2ージー(4−ピリジン)一エタ
ン、1,2−ジー(4−ピリジル)一エチレン、1,2
,3−トリー(4−ピリジル)プロパン、2,4,6−
トリー(4−ピリジル)−S−トリアジン、2,4−ジ
ー(4−ピリジル)−6−メチルーS−トリアジン、2
,5−ジー(4−ピリジル)−S−テトラジンニアルケ
ニルピリジンと高分子量ピリジン類:2−ビニルピリジ
ン、4−ビニルピリジン、2−ビニルー6−メチルーピ
リジン、2−ビニルー5エチルピリジン、4−ブテニル
ピリジン、4−ビニルピリジンホモポリマー、2−ビニ
ルピリジンホモポリマー、2−ビニルピリジンコポリマ
ー、4−ビニルピリジンーアクリロトリルーコポリマー
、4−ビニルピリジンースチレンーコポリマー、4−ビ
ニルピリジンージビニルベンゼンーコポリマー、2−ビ
ニルピリジンージビニルベンゼンコポリマー、4−ビニ
ルピリジンホモポリマーーN−オキシドニピロール類:
ピロリン類:ピリミジン類:ピラジン類:ピラゾール類
:ピラゾリル類:ピリタジン類:イミダゾール類:1,
10−フエナントロリン及びその誘導体:1,10−フ
エナントロリン、4−クロルー1,10−フエナントロ
リン、5−(チアベンチル)−1,10−フエナントロ
リンニキノリン及びその誘導体:キノリン、2−(ジメ
チルアミノ)−6−メトキシキノリン、8−ヒドロキシ
キノリン、2−カルボキシキノリン(■) 五価の窒素
族化合物 酢酸アンモニウム、プロピオン酸アンモニウム、トリフ
エニルホスフインイミニウムクロリド以上の化合物群の
うち特に窒素又はリンを含有する有機窒素族化合物が好
ましい。
数1〜10の飽和アルキル基、シクロアルキル基、ある
いはアリール基を表わし、R5は炭素数1〜10のポリ
メチレン基、フェニレン基、あるいかカルボニル基を表
わす化合物119M2かN9P エチレンビス(ジフェニルホスフィン)、フェニレンビ
ス(ジメチルホスフィン)、ビス(ジフエニルアルシノ
)エタン、ビス(ジー1s0ープロピルアルシノ)ヘキ
サン、ビス(ジエチルスチビノ)ペンタン、N,N,N
″,N″−テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N
″,N″−テトラエチルエチレンジアミン、N,N,N
!,N′−テトラーn−プロピルエチレンジアミン、N
,N,N″,N″−テトラメチルメチレンジアミン、N
,N,N″,N″−テトラメチル尿素、N−メチルー2
ーピロジノン、トリエチレンジアミン等の化合物(b)
Rl,R3が水素あるいは炭素数1〜10の飽和アルキ
ル基、シクロアルキル基、あるいはアリール基で、R2
,R4が炭素数1〜5のポリメチレン基で結ばれ且つR
5が炭素数1〜5のポリアルキルメチレン基の化合物ピ
ペラジン、N−メチルーピペラジン、Nーエチルーピペ
ラジン、2−メチルーN−N″−ジメチルピペラジン等
の環状化合物(c)その他の化合物 2,5−ジカルボキシピペラジン、シクロヘキサンー1
,2−ジアミンーN,N,N″,N−テトラ酢酸、及び
塩並びにテトラメチルエステル、エチレンジアミンテト
ラ酢酸及び塩並びにテトラメチルエステル、1,4ーア
ザビシクロ(2,2,2〕オクタン、メチル置換1,4
ージアザシクロ〔2,2,2〕オクタン、アジポニトリ
ル、N−メチルモルホリン等の化合物■) 複素環化合
物 ピリジおよびアルキルピリジン類:ピリジン、α−ピコ
リン、β−ピコリン、γ−ピコリン、2−エチルピリジ
ン、3−エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−プ
ロピルピリジン、4−プロピルピリジン、4−ブチルピ
リジン、4−イソブチルピリジン、4−t−ブチルピリ
ジン、2,6−ルチジン、2,4−ルチジン、2,5−
ルチジン3,4−ルチジン、3,5−ルチジン、2,4
,6−コリジン、2ーメチルー4−エチルピリジン、2
−メチルー5−エチルピリジン、3−メチルー4−エチ
ルピリジン、3−エチルー4−メチルピリジン、3,4
−ジエチルピリジン、3,5−ジエチルピリジン、2−
メチルー5−ブチルピリジン、4−ペンチルピリジン、
4−(5−ノニル)ーピリジン、2,6−ジプロピルピ
リジン、2ーメチルー3−エチルー6−プロピルピリジ
ン、2,6−ジエチルピリジン、2,6−ジプロピルピ
リジン、2,6−ジブチルピリジン、2,6−ジーt−
ブチルピリジン;官能基を含むピリジン類:2−シアノ
ピリジン、3−シアノピリジン、4−シアノピリジン、
2,6ージシアノピリジン、3,5ージシアノピリジン
、2−シアノー6−メチルーピリジン、3−シアノー5
−メチルーピリジン、ピコリン酸アミド、ニコチン酸ア
ミド、イソニコチン酸アミド、ピコリン酸、ニコチン酸
、イソニコチン酸、ジビコリン酸、ジニコチン酸、シン
コメトロニツク酸、5−ブチルーピコリン酸、ニコチン
酸アルキルエステル、2−アミノーピリジン、3−アミ
ノピリジン、4−アミノピリジン、2,3−ジアミノピ
リジン、2,5−ジアミノピリジン、2,6−ジアミノ
ピリジン、2,3,6−トリアミノピリジン、2−アミ
ノー3−メチルピリジン、2−アミノー4ーメチルピリ
ジン、2−アミノー5−メチルピリジン、2−アミノ6
−メチルピリジン、2−アミノー4−エチルピリジン、
2−アミノー4−プロピルピリジン、2−アミノー4−
(5−ノニル)−ピリジン、2−アミノー4,6−ジメ
チルピリジン、2,6−ジアミノー4−メチルピリジン
、2,2″−ジピリジルアミン、4−(N,N−ジメチ
ルアミノ)ピリジン、2−ヒドロキシピリジン、3−ヒ
ドロキシピリジン、4−ヒドロキシピリジン、2,6−
ジヒドロキシピリジン、3−ヒドロキシー6−メチルピ
リジン、2−クロロピリジン、2,6−ジクロロピリジ
ン、4−クロロピリジン、2−アミノー5−クロロピリ
ジン、2−アミノー3,5−ジクロロピリジン、2−メ
チルー3,5−ジクロロー6−メチルピリジン、2−ア
ミノー5−クロロー3−メチルリジン、2−アミノー3
.5−ジクロロー4−メチルピリジン、22−アミノー
3,5−ジクロロー4,6−ジメチルピリジン、4−ア
ミノー3,5−ジクロロピリジン、ピリジンーN−オキ
シド、α−ピコリンーN−オキシド、β−ピコリンN−
オキシド、γ−ピコリンーN−オキシド、2,6−ルチ
ジンーN−オキシド、3,5−ルチジンーN−オキシド
、4−フェニルプロピルピリジンーN−オキシド、1,
3−ジー(4−ピリジル)ープロパンジーN−オキシド
、4−(5−ノニル)−ピリジンーN−オキシド、2−
クロロピリジンーN−オキシド、4−シアノピリジンー
N−オキシド、2−ピリジンメタノール、3−ピリジン
メタノール、4−ピリジンメタノール、2,6ーピリジ
ンメタノール、2−ピリジンエタノール、4−ピリジン
エタノール、3−ピコリルアミン、4−ピコリルアミン
、2−メチルアミノエチルピリジン、4−アルキルアミ
ノエチルピリジン、4−ピペリジノエチルピリジン、4
−(4−ピペコリノエチル)−ピリジン、4−モルホリ
ノエチルピリジン;環状化合物を含むピリジン類;2−
フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、2−ベンジ
ルピリジン、4−ベンジルピリジン、4−フェニルプロ
ピルピリジン、4,4″ージピリジル、4,4″−ジメ
チルー2,2″ージピリジル、1,3−ジー(4−ピリ
ジル)プロパン、1,2ージー(4−ピリジン)一エタ
ン、1,2−ジー(4−ピリジル)一エチレン、1,2
,3−トリー(4−ピリジル)プロパン、2,4,6−
トリー(4−ピリジル)−S−トリアジン、2,4−ジ
ー(4−ピリジル)−6−メチルーS−トリアジン、2
,5−ジー(4−ピリジル)−S−テトラジンニアルケ
ニルピリジンと高分子量ピリジン類:2−ビニルピリジ
ン、4−ビニルピリジン、2−ビニルー6−メチルーピ
リジン、2−ビニルー5エチルピリジン、4−ブテニル
ピリジン、4−ビニルピリジンホモポリマー、2−ビニ
ルピリジンホモポリマー、2−ビニルピリジンコポリマ
ー、4−ビニルピリジンーアクリロトリルーコポリマー
、4−ビニルピリジンースチレンーコポリマー、4−ビ
ニルピリジンージビニルベンゼンーコポリマー、2−ビ
ニルピリジンージビニルベンゼンコポリマー、4−ビニ
ルピリジンホモポリマーーN−オキシドニピロール類:
ピロリン類:ピリミジン類:ピラジン類:ピラゾール類
:ピラゾリル類:ピリタジン類:イミダゾール類:1,
10−フエナントロリン及びその誘導体:1,10−フ
エナントロリン、4−クロルー1,10−フエナントロ
リン、5−(チアベンチル)−1,10−フエナントロ
リンニキノリン及びその誘導体:キノリン、2−(ジメ
チルアミノ)−6−メトキシキノリン、8−ヒドロキシ
キノリン、2−カルボキシキノリン(■) 五価の窒素
族化合物 酢酸アンモニウム、プロピオン酸アンモニウム、トリフ
エニルホスフインイミニウムクロリド以上の化合物群の
うち特に窒素又はリンを含有する有機窒素族化合物が好
ましい。
さらに好ましい有機促進剤は三価のリンを含有するホス
フィン化合物またはピリジンに代表される複素環化合物
である。本発明において主触媒として使用するニッケル
の使用量は反応液の全容量を基準にして1e当り10−
6〜5モル、好ましくは10−4〜4モル、さらに好ま
しくは10−3〜2モル、最も好ましくは5×10−3
〜1.0モルの範囲が一般に選択される。
フィン化合物またはピリジンに代表される複素環化合物
である。本発明において主触媒として使用するニッケル
の使用量は反応液の全容量を基準にして1e当り10−
6〜5モル、好ましくは10−4〜4モル、さらに好ま
しくは10−3〜2モル、最も好ましくは5×10−3
〜1.0モルの範囲が一般に選択される。
本発明において使用する不容性パラジウム金属触媒の使
用量は反応を流動床で行なうか固定床で行なうかによつ
て異なるが、一般的にいつて、パラジウムの金属基準で
反応液に対して、1×10−4乃至25重量%、好まし
くは5×10−4乃至20重量%、さらに好ましくは1
×10−3乃至15重量%の範囲が選択されるが、特に
2.5×10−3乃至10重量%の範囲は有効である。
ニッケルに対するパラジウムの比率は、1〜1/30(
モル比)である。反応全圧は揮発性の反応媒体を液相に
保ち、一酸化炭素および水素を適当な分圧に保つのに十
分であればよい。一酸化炭素および水素の好適な分圧は
0.5〜700気圧、最適な分圧は1〜600気圧、さ
らに最適な分圧は3〜5叩気圧であるがこれより広い0
.05〜10叩気圧の範囲の分圧でもさしつかえない。
又、前記の金属触媒とともに使用するハロゲン化合物の
使用量はハロゲン原子基準で反応液の全容量を基準にし
て1e当り10−3〜15モル、好ましくは10−2〜
5モル、さらに好ましくは10−1〜3モルの範囲で用
いられる。
用量は反応を流動床で行なうか固定床で行なうかによつ
て異なるが、一般的にいつて、パラジウムの金属基準で
反応液に対して、1×10−4乃至25重量%、好まし
くは5×10−4乃至20重量%、さらに好ましくは1
×10−3乃至15重量%の範囲が選択されるが、特に
2.5×10−3乃至10重量%の範囲は有効である。
ニッケルに対するパラジウムの比率は、1〜1/30(
モル比)である。反応全圧は揮発性の反応媒体を液相に
保ち、一酸化炭素および水素を適当な分圧に保つのに十
分であればよい。一酸化炭素および水素の好適な分圧は
0.5〜700気圧、最適な分圧は1〜600気圧、さ
らに最適な分圧は3〜5叩気圧であるがこれより広い0
.05〜10叩気圧の範囲の分圧でもさしつかえない。
又、前記の金属触媒とともに使用するハロゲン化合物の
使用量はハロゲン原子基準で反応液の全容量を基準にし
て1e当り10−3〜15モル、好ましくは10−2〜
5モル、さらに好ましくは10−1〜3モルの範囲で用
いられる。
本発明の方法を実施するための反応は反応温度が20〜
5000C1好ましくは30〜3500C、さらに好ま
しくは40〜2500Cの領域が適当である。
5000C1好ましくは30〜3500C、さらに好ま
しくは40〜2500Cの領域が適当である。
本発明に用いられる原料物質であるジメチルエーテル、
酢酸メチルはいかなる方法て得られるものでも利用でき
る。例えばジメチルエーテルはメタノールの脱水二量化
反応によつて、又酢酸メチルは通常メタノールと酢酸と
のエステル反応によ】つて、あるいはメタノールと酢酸
エステルとの工ステル交換反応によつて供給される。こ
の場合基礎原料である酢酸はメタノールと一酸化炭素と
の反応により製造されたり(例えば特開昭54一592
11、特開昭54−63002、特開昭54−6661
4)あるいは本発明の方法によるエチリデンジアセテー
トを酢酸ビニルに変換する方法において〔例えば米国特
許2,425,389,I化誌74(9)1825(1
971),HydrOcarbOnPrOcess44
(11)287(1965)等〕、併産される酢酸を利
用することもて”きる。あるいは又、酢酸メチルはメタ
ノールと合成ガスとの反応によつて生成〔例えば特公昭
48−2525,特開昭51−149213,特開昭5
2−136110,特開昭52−136111等〕され
るものを利用しても良い。以上のような方法によつて供
給される酢酸メチル中にはメタノール、ジメチルエーテ
ル、酢酸、アセトアルデヒド、ジメチルアセタール、ヨ
ウ化メチルなどのヨウ化物に代表されるハロゲン化物等
の不純物が混入されるであろうことが予想されるが、反
応の総合収支を乱さないかぎり、上記不純物も許容して
反応を好適に進めることができる。尚、エチリデンジア
セテートを酢酸ビニルに変換する方法において併産する
酢酸を酢酸メチルの原料とすることは、メタノールと合
成ガスから酢酸ビニルを製造するという総合プロセスに
おいて好ましい実施態様であるし、さらに得られた酢酸
ビニル重合体とメタノールとからポニビニルアルコール
と酢酸メチルを製造し、副生する酢酸メチルを本発明の
原料とすることもできる。前述のエチリデンジアセテー
トの生成反応式における原料ガスの化学量論量は酢酸メ
チル、あるいはジメチルエーテルを原料として使用する
か、あるいは混合物を使用するかによつて一酸化炭素対
水素のモル比が2:1〜4:1の間で変化する。しかし
ながら実際上は一酸化炭素対水素のモル比ははるかに広
い範囲、1:10〜100:1、好ましくは1:50〜
50:1、さらに好ましくは1:10〜10:1を使用
できる。一酸化炭素対水素の化学量論比に近い混合ガス
の時、最良の結果が得られるので一酸化炭素対水素のモ
ル比を0.5:1〜5:1の範囲にすることは特に好ま
しい。又、本発明で使用される一酸化炭素及び水素は各
々単独で反応帯へ圧入してよく、又、一酸化炭素及び水
素混合のいわゆる゛合成ガス″の形態で導入しても良い
。又、これらの原料ガスは必ずしも純度の高いものでな
くても良く、二酸化炭素、メタン、窒素、希ガス等を含
有していても良い。しかし極端に低い純度の原料ガスは
反応系の圧力を増加するので好ましくない。本発明の方
法においては原料酢酸メチルおよびジメチルエーテルま
た生成物であるエチリデンジアセテート自体が反応溶媒
を兼ねるので、溶媒は必ずしも用いなくてもよいが、反
応環境で原料および生成物と相溶性の有機溶媒および希
釈剤を使用することも可能である。
酢酸メチルはいかなる方法て得られるものでも利用でき
る。例えばジメチルエーテルはメタノールの脱水二量化
反応によつて、又酢酸メチルは通常メタノールと酢酸と
のエステル反応によ】つて、あるいはメタノールと酢酸
エステルとの工ステル交換反応によつて供給される。こ
の場合基礎原料である酢酸はメタノールと一酸化炭素と
の反応により製造されたり(例えば特開昭54一592
11、特開昭54−63002、特開昭54−6661
4)あるいは本発明の方法によるエチリデンジアセテー
トを酢酸ビニルに変換する方法において〔例えば米国特
許2,425,389,I化誌74(9)1825(1
971),HydrOcarbOnPrOcess44
(11)287(1965)等〕、併産される酢酸を利
用することもて”きる。あるいは又、酢酸メチルはメタ
ノールと合成ガスとの反応によつて生成〔例えば特公昭
48−2525,特開昭51−149213,特開昭5
2−136110,特開昭52−136111等〕され
るものを利用しても良い。以上のような方法によつて供
給される酢酸メチル中にはメタノール、ジメチルエーテ
ル、酢酸、アセトアルデヒド、ジメチルアセタール、ヨ
ウ化メチルなどのヨウ化物に代表されるハロゲン化物等
の不純物が混入されるであろうことが予想されるが、反
応の総合収支を乱さないかぎり、上記不純物も許容して
反応を好適に進めることができる。尚、エチリデンジア
セテートを酢酸ビニルに変換する方法において併産する
酢酸を酢酸メチルの原料とすることは、メタノールと合
成ガスから酢酸ビニルを製造するという総合プロセスに
おいて好ましい実施態様であるし、さらに得られた酢酸
ビニル重合体とメタノールとからポニビニルアルコール
と酢酸メチルを製造し、副生する酢酸メチルを本発明の
原料とすることもできる。前述のエチリデンジアセテー
トの生成反応式における原料ガスの化学量論量は酢酸メ
チル、あるいはジメチルエーテルを原料として使用する
か、あるいは混合物を使用するかによつて一酸化炭素対
水素のモル比が2:1〜4:1の間で変化する。しかし
ながら実際上は一酸化炭素対水素のモル比ははるかに広
い範囲、1:10〜100:1、好ましくは1:50〜
50:1、さらに好ましくは1:10〜10:1を使用
できる。一酸化炭素対水素の化学量論比に近い混合ガス
の時、最良の結果が得られるので一酸化炭素対水素のモ
ル比を0.5:1〜5:1の範囲にすることは特に好ま
しい。又、本発明で使用される一酸化炭素及び水素は各
々単独で反応帯へ圧入してよく、又、一酸化炭素及び水
素混合のいわゆる゛合成ガス″の形態で導入しても良い
。又、これらの原料ガスは必ずしも純度の高いものでな
くても良く、二酸化炭素、メタン、窒素、希ガス等を含
有していても良い。しかし極端に低い純度の原料ガスは
反応系の圧力を増加するので好ましくない。本発明の方
法においては原料酢酸メチルおよびジメチルエーテルま
た生成物であるエチリデンジアセテート自体が反応溶媒
を兼ねるので、溶媒は必ずしも用いなくてもよいが、反
応環境で原料および生成物と相溶性の有機溶媒および希
釈剤を使用することも可能である。
一般に使用し得る溶媒としては酢酸、無水酢酸、プロピ
オン酸、酪酸、オクタン酸、フタル酸、安息香酸等の有
機酸類、酢酸メチル、エチレングリコールジアセテート
、プロピレングリコールジアセテート、酢酸フェニル、
酢酸トリル等の有機酸エステル類、ドデカン、ヘキサデ
カン、ベンゼン、ナフタレン、ビフェニル等の炭化水素
類、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフエ
ート、ジブチルフェニルホスフェート、テトラメチルオ
ルトシリケート、テトラブチルシリケート、等の無機酸
エステル類、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類
、アセトン、メチルエチルケトン、ジブチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、アセトフェノン、ベンゾフェノ
ン等のケトン類が挙げられる。反応生成物であるエチリ
デンジアセテートの類縁化合物てある酢酸、無水酢酸を
溶媒として用いることは好ましい実施態様である。本発
明の反応はエチリデンジアセテートの製造を意図とする
ものであるが、特にエチリデンジアセテートは水によつ
て分解が助長される性質を有するから、特に水が混在し
てきやすい溶媒及び原料エステル又はエーテルを無水状
態にして反応系に供給し、反応系それ自体を実質的に無
水の状態にすることが肝要である。
オン酸、酪酸、オクタン酸、フタル酸、安息香酸等の有
機酸類、酢酸メチル、エチレングリコールジアセテート
、プロピレングリコールジアセテート、酢酸フェニル、
酢酸トリル等の有機酸エステル類、ドデカン、ヘキサデ
カン、ベンゼン、ナフタレン、ビフェニル等の炭化水素
類、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフエ
ート、ジブチルフェニルホスフェート、テトラメチルオ
ルトシリケート、テトラブチルシリケート、等の無機酸
エステル類、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類
、アセトン、メチルエチルケトン、ジブチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、アセトフェノン、ベンゾフェノ
ン等のケトン類が挙げられる。反応生成物であるエチリ
デンジアセテートの類縁化合物てある酢酸、無水酢酸を
溶媒として用いることは好ましい実施態様である。本発
明の反応はエチリデンジアセテートの製造を意図とする
ものであるが、特にエチリデンジアセテートは水によつ
て分解が助長される性質を有するから、特に水が混在し
てきやすい溶媒及び原料エステル又はエーテルを無水状
態にして反応系に供給し、反応系それ自体を実質的に無
水の状態にすることが肝要である。
反応原料中に水が混在することは一般に生じうる現象で
あるが、市販の合成ガス並びに酢酸メチル又はジメチル
エーテルに含まれている程度の少量の水の混在は許容し
て問題は生じない。
あるが、市販の合成ガス並びに酢酸メチル又はジメチル
エーテルに含まれている程度の少量の水の混在は許容し
て問題は生じない。
しかしながら、通常任意の一種以上の反応原料に10モ
ル%以上の水が混在することは避けるべきであつて、反
応系への大過剰の水の誘導は生成物の分解を招来し易い
。この点において5モル%、さらに好ましくは3モル%
以下の含水量であることが望ましい。本発明の方法は好
ましくはある反応帯に封入された反応液中で行なわれる
が、方法そのものは回分式、半連続式または連続式に行
なうことができる。
ル%以上の水が混在することは避けるべきであつて、反
応系への大過剰の水の誘導は生成物の分解を招来し易い
。この点において5モル%、さらに好ましくは3モル%
以下の含水量であることが望ましい。本発明の方法は好
ましくはある反応帯に封入された反応液中で行なわれる
が、方法そのものは回分式、半連続式または連続式に行
なうことができる。
連続操業においては好ましくは反応原料および触媒は適
当な反応帯に供給され、反応混合物は連続的に蒸留され
て揮発性の有機成分の所定量を分離し、そして触媒を含
有する蒸留残液は再循環して使用することもできる。又
、別の好ましい方法は反応帯から連続的に流出するエチ
リデンジアセテートを含む反応混合物を適当な別の反応
帯に供給して酢酸ビニルを酢酸に変換し、これらの反応
混合物を蒸留して酢酸メチル、酢酸および酢酸ビニルを
分離、回収し、そして触媒を含有する蒸留残液を再循環
してさらに反応を行なうこともできる。尚、本発明にお
いて、目的生成物エチリデンジアセテートとともに酢酸
あるいは無水酢酸、アセトアルデヒドを副生することが
あるが、前記連続操業においては無水酢酸、アセトアル
デヒドは反応帯へ循環作用する。以上、詳細に説明した
本発明の方法は安価な触媒によりエチリデンジアセテー
トをハイドロカルボニル化反応により製造するものであ
り、工業的意義はきわめて高いものである。
当な反応帯に供給され、反応混合物は連続的に蒸留され
て揮発性の有機成分の所定量を分離し、そして触媒を含
有する蒸留残液は再循環して使用することもできる。又
、別の好ましい方法は反応帯から連続的に流出するエチ
リデンジアセテートを含む反応混合物を適当な別の反応
帯に供給して酢酸ビニルを酢酸に変換し、これらの反応
混合物を蒸留して酢酸メチル、酢酸および酢酸ビニルを
分離、回収し、そして触媒を含有する蒸留残液を再循環
してさらに反応を行なうこともできる。尚、本発明にお
いて、目的生成物エチリデンジアセテートとともに酢酸
あるいは無水酢酸、アセトアルデヒドを副生することが
あるが、前記連続操業においては無水酢酸、アセトアル
デヒドは反応帯へ循環作用する。以上、詳細に説明した
本発明の方法は安価な触媒によりエチリデンジアセテー
トをハイドロカルボニル化反応により製造するものであ
り、工業的意義はきわめて高いものである。
以下、実施例によりさらに具体的に説明する。
実施例1耐圧容器に酢酸メチル59.2g1酢酸48.
0g1沃化メチル29.7g12,6−ルチジン9.7
4g1ニッケル粉末1.78gおよびパラジウム金属を
粉末状の活性炭に担持させたもの(日本エンゲルハルト
製、パjラジウム担持量5%)4.45gを入れ、容器
内を一酸化炭素と水素の混合ガス(CO:H2=2:1
)で置換し、更に60kg/CFlfGまで加圧してか
ら攪拌しながら加熱した。180℃まで昇温したところ
で、酸化炭素と水素の混合ガス(CO:H2=2:1)
を圧入して100kg/DGとし、この温度、圧力を3
時間保つた。
0g1沃化メチル29.7g12,6−ルチジン9.7
4g1ニッケル粉末1.78gおよびパラジウム金属を
粉末状の活性炭に担持させたもの(日本エンゲルハルト
製、パjラジウム担持量5%)4.45gを入れ、容器
内を一酸化炭素と水素の混合ガス(CO:H2=2:1
)で置換し、更に60kg/CFlfGまで加圧してか
ら攪拌しながら加熱した。180℃まで昇温したところ
で、酸化炭素と水素の混合ガス(CO:H2=2:1)
を圧入して100kg/DGとし、この温度、圧力を3
時間保つた。
この間に圧力の低下が見られるのでその分だけ混合ガス
を補つて100kg/DGに圧力を保つた。反応後冷却
して反応液を分析したところ、未反応酢酸メチル、酢酸
、沃化メチルと共に、エチリデンジアセテート24.0
g1無水酢酸6.7gbく含まれていた。また原子吸光
分析の結果、使用したパラジウムの99%が活性炭に保
持されていることが判つた。
を補つて100kg/DGに圧力を保つた。反応後冷却
して反応液を分析したところ、未反応酢酸メチル、酢酸
、沃化メチルと共に、エチリデンジアセテート24.0
g1無水酢酸6.7gbく含まれていた。また原子吸光
分析の結果、使用したパラジウムの99%が活性炭に保
持されていることが判つた。
実施例2〜10実施例と同様の操作を行なつて得た結果
を、実施例1と同様に第1表に示した。
を、実施例1と同様に第1表に示した。
比較例1
N1末0.587g..L110.67g.sCH31
13.4g1(n一Bu)3P(トリーn−ブチルホス
フィン)4.5g1溶媒として酢酸16gおよび原料と
して酢酸メチル19.8gを反応容器に充顛し室温にて
水素100kg/d1一酸化炭素100k9/Cllを
圧入した。
13.4g1(n一Bu)3P(トリーn−ブチルホス
フィン)4.5g1溶媒として酢酸16gおよび原料と
して酢酸メチル19.8gを反応容器に充顛し室温にて
水素100kg/d1一酸化炭素100k9/Cllを
圧入した。
反応器を2001Cまで昇温し、この温度で7時間反応
を行なつた。放冷後、反応液を分析したところ、無水酢
酸18n10e%とともにエチリデンジアセテート0.
015gが検出された。
を行なつた。放冷後、反応液を分析したところ、無水酢
酸18n10e%とともにエチリデンジアセテート0.
015gが検出された。
比較例2
100m1のオートクレーブに酢酸メチル20.0g1
酢酸15.0g1ヨウ化メチル8.0g12−ビニルピ
リジン0.320gおよびパラジウムブラック(日本エ
ンゲルハルト製)0.0647gを入れ、一酸化炭素と
水素の混合ガス(CO:H2=2:1)を使用して、容
器内を置換し、更に60k9/DGまで加圧してから撹
拌しながら加熱した。
酢酸15.0g1ヨウ化メチル8.0g12−ビニルピ
リジン0.320gおよびパラジウムブラック(日本エ
ンゲルハルト製)0.0647gを入れ、一酸化炭素と
水素の混合ガス(CO:H2=2:1)を使用して、容
器内を置換し、更に60k9/DGまで加圧してから撹
拌しながら加熱した。
175DCまで昇温してところで、一酸化炭素と水素の
混合ガス(CO:H2、=2:1)を圧入して100k
9/CItGとし、この温度、圧力を4時間保つた。
混合ガス(CO:H2、=2:1)を圧入して100k
9/CItGとし、この温度、圧力を4時間保つた。
ガスクロマトグラフで分析したところ、エチリデンジア
セテートの生成は認められなかつた。
セテートの生成は認められなかつた。
比較例3N1末を使用しなかつた以外は実施例6と同様
に反応させた。
に反応させた。
エチリデンジアセテートの生成量は1.1g1無水酢酸
の生成量は0.4gであつた。酢酸メチル基準のエチリ
デンジアセテートの収率は1.9%と計算される。比較
例4 Ni末0.90gの代わりにクロム粉末0.90gを用
いた以外は実施例6と同様に反応させた。
の生成量は0.4gであつた。酢酸メチル基準のエチリ
デンジアセテートの収率は1.9%と計算される。比較
例4 Ni末0.90gの代わりにクロム粉末0.90gを用
いた以外は実施例6と同様に反応させた。
エチリデンジアセテートの生成量は1.0gであつた。
酢酸メチル基準のエチリデンジアセテートの収率は1.
7と計算される。比較例5 Ni/l(0.90gの代わりにクロムカルボニル0.
90gを用いた以外は実施例6と同様に叛応させた。
酢酸メチル基準のエチリデンジアセテートの収率は1.
7と計算される。比較例5 Ni/l(0.90gの代わりにクロムカルボニル0.
90gを用いた以外は実施例6と同様に叛応させた。
Claims (1)
- 1 沃化物または臭化物であるハロゲン化物の少なくと
も一種、リン又は窒素を含有する有機窒素族化合物並び
にニッケルよりなる触媒の存在下、酢酸メチルまたはジ
メチルエーテルと一酸化炭素および水素とを反応させて
エチリデンジアセテートを製造する方法において、助触
媒として細孔容積0.03〜5.5cm^3/g、表面
積0.1〜1500m^2/gの多孔質無機物質にパラ
ジウム金属を0.01〜30%(重量)但持させた固体
物質を、ニッケルに対しパラジウムが1〜1/30(モ
ル比)となるように用いることを特徴とするエチリデン
ジアセテートの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55139713A JPS6041660B2 (ja) | 1980-10-06 | 1980-10-06 | エチリデンジアセテ−トの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55139713A JPS6041660B2 (ja) | 1980-10-06 | 1980-10-06 | エチリデンジアセテ−トの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5764644A JPS5764644A (en) | 1982-04-19 |
| JPS6041660B2 true JPS6041660B2 (ja) | 1985-09-18 |
Family
ID=15251679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55139713A Expired JPS6041660B2 (ja) | 1980-10-06 | 1980-10-06 | エチリデンジアセテ−トの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041660B2 (ja) |
-
1980
- 1980-10-06 JP JP55139713A patent/JPS6041660B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5764644A (en) | 1982-04-19 |
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