JPS604275A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPS604275A JPS604275A JP58110946A JP11094683A JPS604275A JP S604275 A JPS604275 A JP S604275A JP 58110946 A JP58110946 A JP 58110946A JP 11094683 A JP11094683 A JP 11094683A JP S604275 A JPS604275 A JP S604275A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- reflecting surface
- stem
- metal
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
- H10H20/856—Reflecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は高光沢の反射面を右４る半導体発光素子に関り
るｂので、本素子＃、Ｌ ４ｅｊに光ファイバーどの光
結合などに使用される。
るｂので、本素子＃、Ｌ ４ｅｊに光ファイバーどの光
結合などに使用される。
［ブト明の技術的背與」
半導体発光素子は、発光踪の半導体発光素子ペレッ１〜
から放射される光をね効に外部に取り出すため、光反射
面が使用されている。
から放射される光をね効に外部に取り出すため、光反射
面が使用されている。
従来の金属ステ八本体に掘り込まれた光反射面を持つ半
導体発光素子の４ｊ、ｌｉ ３Ｘムと製造方法について
、従来例第１図を参照して説明Ｊる。 第１図（１１）
は、ボンディング用リード線孔（以下単に１リード孔」
という）２を右りる金属ステム本体１にプレス加工等に
より光反射面３を掘り込ｌｖｌごものを、金属ステム本
体１の中心線とリード孔２の中心線とを含む面で切断し
た断面図゛Ｃある。 金属スチーム本体１の材質は、そ
の酸化膜が刀ラスどよくなじむ鉄又は１ス合金であり、
プレス加」ニにまって製作される。 次にリード孔２の
内表面と外部取り出し用電極４（以下単に１リード線、
１という）の封着部の表面とに酸化ｌｌ５ｊを形成Ｊる
。 次に該金属ステム本体１どリード線４どカラス細銘
又（３１ガラス粉とをＮ、雰囲気のか中で数百”Ｃ〜・
壬数百℃の高温に加熱して、金属ステム本体１にリード
線４をガラス５を介して気密に溶着する。 次に他方の
リード線４′を溶接等−Ｃ金属ス−ｊム本体１に接続す
る。しかる後、メッキ舌の表面処理をＩＪ色して光反射
面３を掘り込まれた金属ス７ム本体１が完成り゛る［リ
ード線４おＪ：ひ４′を有し、かつメッキ処理された金
属ステへ水体１を以下単にステムという（第１図（ｂ）
参照１ｏ 該ステムに半う５・体発光ヌ１子ベレツ１へ
７を固盾し、ボンデイングワイ（７８を用い（ペレツｌ
＝ ’？とリード線４とを電気的に１ｑ続りる［以−］
二の■稈を終えたものを以下単に［ステｌ＼）’ｔンブ
リ」といつく第１図（Ｃ）参照）１６次にカラスレンス
を持つシ１ルを不活１イ［ガス例えばＮ、カスの雰囲気
中でステムアセンブリに気密溶接し℃半導体発光素子を
形成りる。
導体発光素子の４ｊ、ｌｉ ３Ｘムと製造方法について
、従来例第１図を参照して説明Ｊる。 第１図（１１）
は、ボンディング用リード線孔（以下単に１リード孔」
という）２を右りる金属ステム本体１にプレス加工等に
より光反射面３を掘り込ｌｖｌごものを、金属ステム本
体１の中心線とリード孔２の中心線とを含む面で切断し
た断面図゛Ｃある。 金属スチーム本体１の材質は、そ
の酸化膜が刀ラスどよくなじむ鉄又は１ス合金であり、
プレス加」ニにまって製作される。 次にリード孔２の
内表面と外部取り出し用電極４（以下単に１リード線、
１という）の封着部の表面とに酸化ｌｌ５ｊを形成Ｊる
。 次に該金属ステム本体１どリード線４どカラス細銘
又（３１ガラス粉とをＮ、雰囲気のか中で数百”Ｃ〜・
壬数百℃の高温に加熱して、金属ステム本体１にリード
線４をガラス５を介して気密に溶着する。 次に他方の
リード線４′を溶接等−Ｃ金属ス−ｊム本体１に接続す
る。しかる後、メッキ舌の表面処理をＩＪ色して光反射
面３を掘り込まれた金属ス７ム本体１が完成り゛る［リ
ード線４おＪ：ひ４′を有し、かつメッキ処理された金
属ステへ水体１を以下単にステムという（第１図（ｂ）
参照１ｏ 該ステムに半う５・体発光ヌ１子ベレツ１へ
７を固盾し、ボンデイングワイ（７８を用い（ペレツｌ
＝ ’？とリード線４とを電気的に１ｑ続りる［以−］
二の■稈を終えたものを以下単に［ステｌ＼）’ｔンブ
リ」といつく第１図（Ｃ）参照）１６次にカラスレンス
を持つシ１ルを不活１イ［ガス例えばＮ、カスの雰囲気
中でステムアセンブリに気密溶接し℃半導体発光素子を
形成りる。
［背））ｊ技術の問題点］
００ｊホの従来構造のステムにおいては、リード線４を
金属ステム本体１にカラスを用いて気密に固着する場合
に、あらかじめリード線４の表面と金属ステ八本体１の
表面とには酸化膜が形成され、かつＮ、雰囲気中で゛敬
白℃・へ・千数自°Ｃの高温に加熱される。 このため
光反射面３を含む金属ステム本体１の表面は酸化等によ
つ（変質し、そのあと、メッキ処理等を行っても、光反
射面３は肌荒れを生じ、かつ金ＩＩバ光沢を失い、光反
ＱＪ １ｌｉ−ｉ ３を艮射率の高い高光沢の鏡面仕上
りにりることＩＪ非７＋’＋に困ｉｌｌ ｔ”ある。
このＩこめ発展Ｑ：Ｉ ｉｌｕ ３の光の反Ｑ’１率は
低下し、１ゼｂい外部発光効＋の？１′ξ’７ ｆＡ介
光累了が得られない。
金属ステム本体１にカラスを用いて気密に固着する場合
に、あらかじめリード線４の表面と金属ステ八本体１の
表面とには酸化膜が形成され、かつＮ、雰囲気中で゛敬
白℃・へ・千数自°Ｃの高温に加熱される。 このため
光反射面３を含む金属ステム本体１の表面は酸化等によ
つ（変質し、そのあと、メッキ処理等を行っても、光反
射面３は肌荒れを生じ、かつ金ＩＩバ光沢を失い、光反
ＱＪ １ｌｉ−ｉ ３を艮射率の高い高光沢の鏡面仕上
りにりることＩＪ非７＋’＋に困ｉｌｌ ｔ”ある。
このＩこめ発展Ｑ：Ｉ ｉｌｕ ３の光の反Ｑ’１率は
低下し、１ゼｂい外部発光効＋の？１′ξ’７ ｆＡ介
光累了が得られない。
［発明のＩ％１的１
本発明の目的は、金属スラム木（ホに掘り込まれた光反
射面を右Ｊるステムを使用しに丁）９体発光素子におい
で、金属光沢を失った発展ＩＩ面の表ａｆｊにプレス加
工処理を施し、高光沢劇の光反射面を右するステムとし
、該ステムを使用した外部光）を効率の高い半導体発光
素子を１ｊｔ供Ｊること（゛ある。。
射面を右Ｊるステムを使用しに丁）９体発光素子におい
で、金属光沢を失った発展ＩＩ面の表ａｆｊにプレス加
工処理を施し、高光沢劇の光反射面を右するステムとし
、該ステムを使用した外部光）を効率の高い半導体発光
素子を１ｊｔ供Ｊること（゛ある。。
［発明の１■要１
従来技術ど同一の製造工程で、金属スｉム本体１に掘り
込まれた光反射面３及び該金属スフム木体１にガラス５
により溶着された外部取り出し用電極４を有する第１図
（１））に示覆ようなステムを作成する。 次にステム
に土ツブング処ｊ！Ｉ＋ ２ｑを施したのち電気メッキ
等の方法にＪ、り光反射面３を含む金属ステム本体１に
金等のメッキ膜を形成づる。 次に光反射面３の形状と
ほぼ相似で、光反射面３の形状Ｊ、りひと回り大きいポ
ンチｌことえば第２図（ＩＩ＞、（Ｃ）に示ザような、
ボンデを、−ぞの端部側面がメッキされた光反射面３に
一致するように当Ｃたのｌ）プレス加」処理をするどｒ
−ｈ光沢の反射面３が４１７られる。 これはメッキさ
れた光反射面ζ３のメッキ金属が加Ｌ１−された状態で
、加月−された方向に、（の展１１によっ−Ｃ変位し、
新鮮’（１メツＡ−金属の面が露出し、その結果高光沢
の光の反部ｊ＄の高い光反射面３が１．Ｉられるものと
考えられる１゜ 光反射面３に高光沢度を生じしめるプレス加工処理（・
二おいて重要なのはプレス加工量（第２図（ｄ ）に示
Ｃノブレスブｊ向のポンプ変位早（１であられり）′Ｃ
′、あまり加工量を多くづるとメッキ割れが４１し光沢
の効果が薄れ、また加１吊が過少の場合にも光沢の効果
が１りられない。 高光沢面が１ｑられるブレス加工量
には一定の幅がある。 この幅は反射面のメッキ金属の
種類、メッキの厚さ等、および光反射面３の幾何学的形
状によって相界りるので具体的には試行を繰り返し、Ｉ
Ｉ光沢而面１！７られるプレス加］ニア１４ ｄを決定
すればよい。 メッキ金属の種類は金、銀、アルミニウ
ｌＸ等展１ノしか人ぎく、かつ可視光、赤外領域にＪｙ
ＬＪる反則率が高い金属がよい。
込まれた光反射面３及び該金属スフム木体１にガラス５
により溶着された外部取り出し用電極４を有する第１図
（１））に示覆ようなステムを作成する。 次にステム
に土ツブング処ｊ！Ｉ＋ ２ｑを施したのち電気メッキ
等の方法にＪ、り光反射面３を含む金属ステム本体１に
金等のメッキ膜を形成づる。 次に光反射面３の形状と
ほぼ相似で、光反射面３の形状Ｊ、りひと回り大きいポ
ンチｌことえば第２図（ＩＩ＞、（Ｃ）に示ザような、
ボンデを、−ぞの端部側面がメッキされた光反射面３に
一致するように当Ｃたのｌ）プレス加」処理をするどｒ
−ｈ光沢の反射面３が４１７られる。 これはメッキさ
れた光反射面ζ３のメッキ金属が加Ｌ１−された状態で
、加月−された方向に、（の展１１によっ−Ｃ変位し、
新鮮’（１メツＡ−金属の面が露出し、その結果高光沢
の光の反部ｊ＄の高い光反射面３が１．Ｉられるものと
考えられる１゜ 光反射面３に高光沢度を生じしめるプレス加工処理（・
二おいて重要なのはプレス加工量（第２図（ｄ ）に示
Ｃノブレスブｊ向のポンプ変位早（１であられり）′Ｃ
′、あまり加工量を多くづるとメッキ割れが４１し光沢
の効果が薄れ、また加１吊が過少の場合にも光沢の効果
が１りられない。 高光沢面が１ｑられるブレス加工量
には一定の幅がある。 この幅は反射面のメッキ金属の
種類、メッキの厚さ等、および光反射面３の幾何学的形
状によって相界りるので具体的には試行を繰り返し、Ｉ
Ｉ光沢而面１！７られるプレス加］ニア１４ ｄを決定
すればよい。 メッキ金属の種類は金、銀、アルミニウ
ｌＸ等展１ノしか人ぎく、かつ可視光、赤外領域にＪｙ
ＬＪる反則率が高い金属がよい。
なおリード線４は金属スラーム水４４＼１にガラスを介
して溶着されているので゛、ブレλ加１−処理のどきに
リード孔２に力が波及しガラス！′５がクランクし易い
。 封着ガラスのクラックは水素子の気ｈ９竹を損い、
外気が内部に侵入し、水素子の’ｌ、′］竹の不安定要
因どなる。 このためプレス加工処理に使用するボンデ
の形状はプレスしたどさり−１−几２にその力が直接影
響しないＪ：うに、たとえば第２図（ｂ）および（Ｃ）
に示１Ｊ、うに一部を切り欠いた形とげればよい。 こ
れに、Ｊ、リカラスのクランクを防止できる。 第２図
（ａ ）に示リス１ムの光反射面３に前記高光沢プレス
加工処理を施したのら、従来技術と同一の製造１−稈に
Ｊ、り半２９体発光素子を形成する。
して溶着されているので゛、ブレλ加１−処理のどきに
リード孔２に力が波及しガラス！′５がクランクし易い
。 封着ガラスのクラックは水素子の気ｈ９竹を損い、
外気が内部に侵入し、水素子の’ｌ、′］竹の不安定要
因どなる。 このためプレス加工処理に使用するボンデ
の形状はプレスしたどさり−１−几２にその力が直接影
響しないＪ：うに、たとえば第２図（ｂ）および（Ｃ）
に示１Ｊ、うに一部を切り欠いた形とげればよい。 こ
れに、Ｊ、リカラスのクランクを防止できる。 第２図
（ａ ）に示リス１ムの光反射面３に前記高光沢プレス
加工処理を施したのら、従来技術と同一の製造１−稈に
Ｊ、り半２９体発光素子を形成する。
［発明の実施例１
木ブを明の実施例第２図を参照しＣｆｆ１２明づる。
ｆｉ １図と第２図とで同−符シＪの部分は半導体発光
素子のそれぞれハＩト一部分をあられす。
素子のそれぞれハＩト一部分をあられす。
ａ′８２図＜ａ ）は従来例第１図（ｂ）と同一テある
。 第２図（１１）は本発明にｉ１３い−Ｃ先位則面３
を高光沢（Ｊプレス加工処理を４るどぎ使用するポンプ
の側ＩＩ′１１図Ｃ・あり、ダ！２図（Ｃ）はその平面
図である。 前述のようにブ１ノス時の力が直接リード
孔２に影響を！ヲえないＪ、うポンプの形状は第２図（
ｂ）にＪ、び（Ｃ）に示り切欠部６を有し、切欠部６を
のぞいたボンデ端部側面の形状は光反射面３の形状と相
似形Ｃ光反射面３Ｊ、りわずか大きくなっている３、
第２図（（１）はプレス加工ｆ１を説明力るための断面
図である。 光反射面３を示Ｊ実線はプレス加に処理前
の光反射面３の断面の形状を示り−９一点鎖線の折れ心
線９はプレス加工直前にｄ３１ノるボンデｐＪ：部のイ
ー“ｌ置を示し、ボンデ端部側面（，１切欠部６をのぞ
き、光反射面３ど接触している。 一点鎖線の折れ曲線
１０はプレス加工処理後の光反射面３の断面の形状を示
す。
。 第２図（１１）は本発明にｉ１３い−Ｃ先位則面３
を高光沢（Ｊプレス加工処理を４るどぎ使用するポンプ
の側ＩＩ′１１図Ｃ・あり、ダ！２図（Ｃ）はその平面
図である。 前述のようにブ１ノス時の力が直接リード
孔２に影響を！ヲえないＪ、うポンプの形状は第２図（
ｂ）にＪ、び（Ｃ）に示り切欠部６を有し、切欠部６を
のぞいたボンデ端部側面の形状は光反射面３の形状と相
似形Ｃ光反射面３Ｊ、りわずか大きくなっている３、
第２図（（１）はプレス加工ｆ１を説明力るための断面
図である。 光反射面３を示Ｊ実線はプレス加に処理前
の光反射面３の断面の形状を示り−９一点鎖線の折れ心
線９はプレス加工直前にｄ３１ノるボンデｐＪ：部のイ
ー“ｌ置を示し、ボンデ端部側面（，１切欠部６をのぞ
き、光反射面３ど接触している。 一点鎖線の折れ曲線
１０はプレス加工処理後の光反射面３の断面の形状を示
す。
プレス加工処理のプレス＋１１１ ’、１吊は、ポンプ
９品ｉ ｒ’＋ｌｌの側面を光反射面３に一致さ１↓た
時のポンチ−底１菌の位置を基準としプレス（幾械によ
・）（（〕えら１′シるプレス革づなわちポンチ底面の
変４１′７． Ｃ７）値（第２［ズ１（ｄ ）の開Ｈ１
ｄ）をも・）−（あうねり（二ととしｌこ。
９品ｉ ｒ’＋ｌｌの側面を光反射面３に一致さ１↓た
時のポンチ−底１菌の位置を基準としプレス（幾械によ
・）（（〕えら１′シるプレス革づなわちポンチ底面の
変４１′７． Ｃ７）値（第２［ズ１（ｄ ）の開Ｈ１
ｄ）をも・）−（あうねり（二ととしｌこ。
本発明では最適のプレス加工１７１を決定りるＩこめ、
プレス機械にＪ、つ−Ｃｆ）λられる一／″レスへ＞
７．；） ４４９々弯化させて試行を重ね、最先沢ａを
生じしめるプレス加二［量ｄをめた。１ 本発明の実施例では第２図（ｄ）ｌこ示ηＪ、うに光反
射面３の開孔部の直径［〕、は２１ｎｌｌｌ 、顔面３
の底部の直径り、は１ｍｍ 、顔面３）の開孔部と底８
ｂとの距離１２は１ｍｍ 、リード孔２の白ｉ￥１）４
（ま１．５ｎｖ、また光反射面３の中心からリード孔２
のＣ１１）らまでの距離１．は２．５４ ｍ ｍ （゛
あり、光反射面３のメッキ面の金属は展性のよい金とし
、メッキ厚Ｉよ１品口１と覆る。 この実施例で゛最先
）１り度をηせしめろプレス加工量ｄは３０μｍ１〜５
０μｎ１の範囲Ｃあった。 使用したポンチ（第２図（
ｂ）Ｊ５よび（Ｃ）参照）は材質は普通の鋼を用い、ポ
ンチ端部の側面は精密イ１上どりる１、 ボンデ底部の
外径］〕、は光反射面３の底部の内径１つ、より３０μ
０１〜５０μｍ人きく、すなわら外径Ｉ−）、は１，０
３ｍｎ１−１ 、０５ ｍ ｍであり、まＩこボンデの
端部側面の形状は、切欠部６を除いて光反射面３３の形
状と相似である３゜切欠部６は第２図（ｂ）Ｊ７Ｊ、び
（Ｃ）に承り−にうに、ポンチ底面の直径上にあって底
面の中心よりの距離１１）が０，４ｎｖどイする点を通
り、かつポンチ中心線どの角度αが２５石となる平面を
切断面としＣボンデ端部を切り火いＣ’＋：’ｊられる
。
プレス機械にＪ、つ−Ｃｆ）λられる一／″レスへ＞
７．；） ４４９々弯化させて試行を重ね、最先沢ａを
生じしめるプレス加二［量ｄをめた。１ 本発明の実施例では第２図（ｄ）ｌこ示ηＪ、うに光反
射面３の開孔部の直径［〕、は２１ｎｌｌｌ 、顔面３
の底部の直径り、は１ｍｍ 、顔面３）の開孔部と底８
ｂとの距離１２は１ｍｍ 、リード孔２の白ｉ￥１）４
（ま１．５ｎｖ、また光反射面３の中心からリード孔２
のＣ１１）らまでの距離１．は２．５４ ｍ ｍ （゛
あり、光反射面３のメッキ面の金属は展性のよい金とし
、メッキ厚Ｉよ１品口１と覆る。 この実施例で゛最先
）１り度をηせしめろプレス加工量ｄは３０μｍ１〜５
０μｎ１の範囲Ｃあった。 使用したポンチ（第２図（
ｂ）Ｊ５よび（Ｃ）参照）は材質は普通の鋼を用い、ポ
ンチ端部の側面は精密イ１上どりる１、 ボンデ底部の
外径］〕、は光反射面３の底部の内径１つ、より３０μ
０１〜５０μｍ人きく、すなわら外径Ｉ−）、は１，０
３ｍｎ１−１ 、０５ ｍ ｍであり、まＩこボンデの
端部側面の形状は、切欠部６を除いて光反射面３３の形
状と相似である３゜切欠部６は第２図（ｂ）Ｊ７Ｊ、び
（Ｃ）に承り−にうに、ポンチ底面の直径上にあって底
面の中心よりの距離１１）が０，４ｎｖどイする点を通
り、かつポンチ中心線どの角度αが２５石となる平面を
切断面としＣボンデ端部を切り火いＣ’＋：’ｊられる
。
上記高光沢を４１−じしめるブ１ノス加二ｌ二処理を先
位ｑ・ｊ面３に施したスラムに従来技術と同一の方法に
より半導体発光索子ベレット７およびボ゛ンディングワ
イＶ７８をマウン１へし完成されたステムアセンブリを
形成し、次にガラスレンスを持つシェルと該ステムアセ
ンブリを気密浴］８して半導体発光素子を形成Ｊる。
位ｑ・ｊ面３に施したスラムに従来技術と同一の方法に
より半導体発光索子ベレット７およびボ゛ンディングワ
イＶ７８をマウン１へし完成されたステムアセンブリを
形成し、次にガラスレンスを持つシェルと該ステムアセ
ンブリを気密浴］８して半導体発光素子を形成Ｊる。
［発明の効果Ｊ
本発明にＪ、れば、金属ステム本体に掘り込まれたステ
ムの光反射面の光沢石は大幅に向上し、反射面の光の反
則率は従来の約７５％に比べ一約９５％に向上し、外部
発光効率の高い半榎体ざＬ光索ｊ′を提供Ｊることがで
きる。 又価格面からは従来価格の約５％増程度で、他
の方法に比へ価格増が少ないにもかかわらず光出方向上
に効果か上がった。
ムの光反射面の光沢石は大幅に向上し、反射面の光の反
則率は従来の約７５％に比べ一約９５％に向上し、外部
発光効率の高い半榎体ざＬ光索ｊ′を提供Ｊることがで
きる。 又価格面からは従来価格の約５％増程度で、他
の方法に比へ価格増が少ないにもかかわらず光出方向上
に効果か上がった。
第１図は従来技術を説明りるための図面Ｃ１同図（ａ）
は金属ステム本体に掘り込まれた反射面を右り−る金属
ステムの…１面図であり、同図（１））は該金属ステム
本体にガラスにＪ、り溶着された外部取り出し用電極を
有Ｊ−るステムの断面図、ｌｌ−１品１図（Ｃ）はベー
ン１−等を固着したスフムアレンｊりの断面図である。 第２図は本発明を説明りるための図面（、同図＜ａ＞は
第１図（ｂ）と−１７ｉｌ−−−’ｉｘある。 第２図
（ｂ）および（Ｃ）は高光沢庶を／ＩＩ！シめるプレス
加工処理に使用覆るポンチの外形の一例を示づもので同
図＜ｂ ＞は側面図、同図（Ｃ）は５１７面図て゛ある
。 第２図（ｄ ）はプレス加工処理にＪｅｔプるプレ
ス加工量を説明Ｊるｌ〔めのステム中心部の断面図であ
る１゜ １・・・金属ステム水イホ、 ３・・・光層射面、 ４
・・・外部取り出し電極、 ５・・・ガラス、 ９・・
・プレス加工処理直前のボンｆの位置を示りＩＪｉれ直
線、１０・・・プレス加工処理後の先位１１１＝Ｉ而の
断面を示り折れ曲線。 持直出願人 東京芝浦電気株］ｒ℃会苔第 １ 図 第２（支）
は金属ステム本体に掘り込まれた反射面を右り−る金属
ステムの…１面図であり、同図（１））は該金属ステム
本体にガラスにＪ、り溶着された外部取り出し用電極を
有Ｊ−るステムの断面図、ｌｌ−１品１図（Ｃ）はベー
ン１−等を固着したスフムアレンｊりの断面図である。 第２図は本発明を説明りるための図面（、同図＜ａ＞は
第１図（ｂ）と−１７ｉｌ−−−’ｉｘある。 第２図
（ｂ）および（Ｃ）は高光沢庶を／ＩＩ！シめるプレス
加工処理に使用覆るポンチの外形の一例を示づもので同
図＜ｂ ＞は側面図、同図（Ｃ）は５１７面図て゛ある
。 第２図（ｄ ）はプレス加工処理にＪｅｔプるプレ
ス加工量を説明Ｊるｌ〔めのステム中心部の断面図であ
る１゜ １・・・金属ステム水イホ、 ３・・・光層射面、 ４
・・・外部取り出し電極、 ５・・・ガラス、 ９・・
・プレス加工処理直前のボンｆの位置を示りＩＪｉれ直
線、１０・・・プレス加工処理後の先位１１１＝Ｉ而の
断面を示り折れ曲線。 持直出願人 東京芝浦電気株］ｒ℃会苔第 １ 図 第２（支）
Claims (1)
- １ 全屈スＩム本体に掘り込まれた光反射面及び該金属
ステム本体にガラスにより溶着された外部取り出し用電
極を右りるステムにおいで、上記光反射面にメッキ処理
と高光沢瓜をと１：ぜしめるプレス加二ｌｌ処理とが施
されていることを特徴とづるステムを用いた半導体発光
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58110946A JPS604275A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58110946A JPS604275A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604275A true JPS604275A (ja) | 1985-01-10 |
Family
ID=14548553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58110946A Pending JPS604275A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604275A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5055892A (en) * | 1989-08-29 | 1991-10-08 | Hewlett-Packard Company | High efficiency lamp or light accepter |
| JPH0488179A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-23 | Tokyo Gas Co Ltd | 既設埋設管の電食防止工法 |
| JPH05320960A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-07 | Nkk Corp | 埋設配管電気防食用陽極の縦型設置工法 |
| JP2003304000A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード用パッケージの製造方法 |
| EP1686631A2 (en) | 2005-01-31 | 2006-08-02 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Light-emitting diode apparatus |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP58110946A patent/JPS604275A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5055892A (en) * | 1989-08-29 | 1991-10-08 | Hewlett-Packard Company | High efficiency lamp or light accepter |
| JPH0488179A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-23 | Tokyo Gas Co Ltd | 既設埋設管の電食防止工法 |
| JPH05320960A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-07 | Nkk Corp | 埋設配管電気防食用陽極の縦型設置工法 |
| JP2003304000A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード用パッケージの製造方法 |
| EP1686631A2 (en) | 2005-01-31 | 2006-08-02 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Light-emitting diode apparatus |
| EP1686631A3 (en) * | 2005-01-31 | 2008-01-23 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Light-emitting diode apparatus |
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