JPS6010761A - ダイオ−ド電極部品 - Google Patents
ダイオ−ド電極部品Info
- Publication number
- JPS6010761A JPS6010761A JP58119404A JP11940483A JPS6010761A JP S6010761 A JPS6010761 A JP S6010761A JP 58119404 A JP58119404 A JP 58119404A JP 11940483 A JP11940483 A JP 11940483A JP S6010761 A JPS6010761 A JP S6010761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- section
- diode
- electrode
- diameter part
- diametral section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/20—Conductive package substrates serving as an interconnection, e.g. metal plates
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＤＨＤ（ｄｏｕｂｌｅ ｈｅａｔ ５ｉｎｋ
ｄｉｏｄｅ）型封止ダイオード電極に関する。特に、リ
ート８線を一定長に切断後、小径部と大径部を有する電
極を釘打ち加工または成形加工によって組合せ−〔得ら
れるリードレスダイオード電極において、／Ｊ％径部と
大径部との釘打ち加工または成形加工の際に該大径部の
内側面に環状または点状に凸部を形成し、ガラス封止後
のガラスクラックを防止し、さらに偏心度（該小径部と
該大径部の中心位置の偏心）を改善したダイオード９電
極部品に関するものである。
ｄｉｏｄｅ）型封止ダイオード電極に関する。特に、リ
ート８線を一定長に切断後、小径部と大径部を有する電
極を釘打ち加工または成形加工によって組合せ−〔得ら
れるリードレスダイオード電極において、／Ｊ％径部と
大径部との釘打ち加工または成形加工の際に該大径部の
内側面に環状または点状に凸部を形成し、ガラス封止後
のガラスクラックを防止し、さらに偏心度（該小径部と
該大径部の中心位置の偏心）を改善したダイオード９電
極部品に関するものである。
従来市販されているダイオード電極の殆んどは、第１図
に示すように両端部にリード線１を具備した電極２間に
半導体素子６を装着し、電極２の周囲を封止ガラス４に
て封止したＤＨＤ型ガラス封止ダイオード電極である。
に示すように両端部にリード線１を具備した電極２間に
半導体素子６を装着し、電極２の周囲を封止ガラス４に
て封止したＤＨＤ型ガラス封止ダイオード電極である。
この種の電極を有する該ダイオードをプリント基板等に
装着する際には、プリント基板の装着孔に細長いリード
線１を挿入して用いる。
装着する際には、プリント基板の装着孔に細長いリード
線１を挿入して用いる。
また、プリント基板への該ダイオード９の装着を容易に
した第２図に示すようなり一トゝ線を有しないＤＨＤ型
ガラス封止リードレスダイオード８も考案され、その需
要が次第に急増しつつある。このようなり一ドゝレスダ
イオードゝの電極２には第３図に示すようなジュメット
線が使用される。第３図はジュメット線の拡大断面図を
示す。ジュメット線は心線５（例えば、Ｆｅ−Ｎｉ線）
に銅層６を被覆しこの表面に亜酸化鋼（Ｇｕ ２０ ）
層７を施こして成る。
した第２図に示すようなり一トゝ線を有しないＤＨＤ型
ガラス封止リードレスダイオード８も考案され、その需
要が次第に急増しつつある。このようなり一ドゝレスダ
イオードゝの電極２には第３図に示すようなジュメット
線が使用される。第３図はジュメット線の拡大断面図を
示す。ジュメット線は心線５（例えば、Ｆｅ−Ｎｉ線）
に銅層６を被覆しこの表面に亜酸化鋼（Ｇｕ ２０ ）
層７を施こして成る。
すなわち、リートゝレスダイオード８の電極２には該ジ
ュメット線を一定長に切断し、釘打ち加工を施こして第
４図に示すような小径部８と大径部９とからなる電極２
を使用している。
ュメット線を一定長に切断し、釘打ち加工を施こして第
４図に示すような小径部８と大径部９とからなる電極２
を使用している。
この電極２間の中央部に第２図に示すようにシリコン等
の半導体素子３を装着し、電極２の周囲を封止ガラス４
で封止することによって該ダイオードゝを得ている。
の半導体素子３を装着し、電極２の周囲を封止ガラス４
で封止することによって該ダイオードゝを得ている。
しかしながら、この方式のガラス封止では、大径部９の
内側面と封止ガラス４の端面が第２図にＡで示すように
直接接着し、釘打ち時の変形の際に銅被覆層６と心線５
の割合が小径部８の割合より小さくなったりするため、
ガラスとの膨張係数に差が発生したり、心線５のＦｅ−
Ｎｉ合金が強加工により膨張係数が小さくなったりする
ため、ガラス封止後特に半田付時にガラスクラックが発
生することが多く、これがリーク不良の原因となり、ダ
イオード８の信頼性を著しく低下させる欠点かある。
内側面と封止ガラス４の端面が第２図にＡで示すように
直接接着し、釘打ち時の変形の際に銅被覆層６と心線５
の割合が小径部８の割合より小さくなったりするため、
ガラスとの膨張係数に差が発生したり、心線５のＦｅ−
Ｎｉ合金が強加工により膨張係数が小さくなったりする
ため、ガラス封止後特に半田付時にガラスクラックが発
生することが多く、これがリーク不良の原因となり、ダ
イオード８の信頼性を著しく低下させる欠点かある。
これを改良したものとして、第５図に示すダイオード電
極極が知られている。すなわち、大径部９と小径部８と
の他に中径部１０が形成され、この中径部１０により封
止ガラス４の端面が変形加工をうけた大径部９に直接接
触するのを防止し、封止ガラス４と大径部９との膨張係
数の差により発生するガラスクラックを防止したもので
ある。
極極が知られている。すなわち、大径部９と小径部８と
の他に中径部１０が形成され、この中径部１０により封
止ガラス４の端面が変形加工をうけた大径部９に直接接
触するのを防止し、封止ガラス４と大径部９との膨張係
数の差により発生するガラスクラックを防止したもので
ある。
しかし、中径部１０を形成するには第６図に示すよう金
型１２の一部１３を研削加工する必要があり、釘打ち加
工時、特に高速加工すると切断加工されたジュメット線
１４が１６部分で傾くことがある。このため、釘打ち後
に第７図に示すように大径部９と小径部８の中心がずれ
（第７図中ｌで示す）、ダイオード組立時に封止ガラス
４が挿入出来なかったり、ダイオードが曲がって形成さ
］れる不都合がある。
型１２の一部１３を研削加工する必要があり、釘打ち加
工時、特に高速加工すると切断加工されたジュメット線
１４が１６部分で傾くことがある。このため、釘打ち後
に第７図に示すように大径部９と小径部８の中心がずれ
（第７図中ｌで示す）、ダイオード組立時に封止ガラス
４が挿入出来なかったり、ダイオードが曲がって形成さ
］れる不都合がある。
本発明はこれらの点を改良するもので、ガラスクラック
を防止することができ、しかも大径部と小径部との偏心
度を著しく減少することができるダイオード９電極部品
を提供することを目的とする。
を防止することができ、しかも大径部と小径部との偏心
度を著しく減少することができるダイオード９電極部品
を提供することを目的とする。
本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第８図および第９図は本発明第一実施例の説明図であり
、第８図は金型の要部断面図を示し、第９図は電極の斜
視図を示す。
、第８図は金型の要部断面図を示し、第９図は電極の斜
視図を示す。
釘打ち用ジュメット線１４として０．５〜１．５ｍｍφ
の素線を２〜３闘長さに切断したのち、環状凸部形成用
に一部１５を研削加工した金型１２に挿入してパンチ１
６で釘打ちを行うと第９図に示すような本発明の特徴と
する環状凸部１７を有するダイオード電極が形成される
。
の素線を２〜３闘長さに切断したのち、環状凸部形成用
に一部１５を研削加工した金型１２に挿入してパンチ１
６で釘打ちを行うと第９図に示すような本発明の特徴と
する環状凸部１７を有するダイオード電極が形成される
。
ここで、本発明によれば釘打ち加工時にジュメット線１
４が金型１２の一部１５で傾くことがなく大径部９と小
径部８との中心がずれることがない。また、ダイオード
組立時にも環状凸部１７により大径部９と封止ガラス４
とが直接接触するのが防止されガラスクラックが防止さ
れる。さらに、環状凸部１７の幅ｄは大径部９の長さＤ
より小さｄ＞グとすると環状凸部１７の側面の影響が出
てガラスクラックを発生する場合があり好ましくない。
４が金型１２の一部１５で傾くことがなく大径部９と小
径部８との中心がずれることがない。また、ダイオード
組立時にも環状凸部１７により大径部９と封止ガラス４
とが直接接触するのが防止されガラスクラックが防止さ
れる。さらに、環状凸部１７の幅ｄは大径部９の長さＤ
より小さｄ＞グとすると環状凸部１７の側面の影響が出
てガラスクラックを発生する場合があり好ましくない。
また、ｄ＝丁 とした時の大径部９と小径部８との偏心
ｌは偏心ｌが０．２朋以上となる率が従来電極が０．５
〜１．０％であるのに対して本発明電極では０，２％以
下である。
ｌは偏心ｌが０．２朋以上となる率が従来電極が０．５
〜１．０％であるのに対して本発明電極では０，２％以
下である。
第１０図は本願発明の第二実施例を示す斜視図であり、
第一実施例と比較すると凸部１８を点状（３点以上）に
形成したところに特徴がある。
第一実施例と比較すると凸部１８を点状（３点以上）に
形成したところに特徴がある。
以上説明したように本発明によれば、大径部と小径部と
を有するリードレスダイオード電極において、大径部の
内側面に小径部と接しない凸部を形成することとした。
を有するリードレスダイオード電極において、大径部の
内側面に小径部と接しない凸部を形成することとした。
したがって、大径部と封止ガラスとの直接接触すること
が防止できガラスクラックを防止することができ、しか
も大径部と小径部との偏心を著しく減少することができ
る。このため、ダイオードの信頼性を著しく向上するこ
とができる等の優れた効果を有する。
が防止できガラスクラックを防止することができ、しか
も大径部と小径部との偏心を著しく減少することができ
る。このため、ダイオードの信頼性を著しく向上するこ
とができる等の優れた効果を有する。
第１図は従来のリード線付きＤＨＤ型ダイオードの断面
図。 第２図は従来のり一ト８レスＤＨＤ型ダイオードゝの断
面図。 第３図はジュメット線の拡大断面図。 第４図は第２図に示したダイオードの電極の拡大斜視図
。 第５図は従来の改良型の電極の拡大斜視図。 第６図は第５図の電極を得るための金型の要部断面図。 第７図は偏心状態を示す断面図。 第８図は本発明第一実施例の金型の要部断面図。 第９図は本発明第一実施例の斜視図。 第１０図は本発明第二実施例の斜視図。 ２・・・電極、３・・・半導体素子、４・・・封止ガラ
ス、８・・・小径部、９・・・大径部、 １７・・・環
状凸部、１８・・・点状の凸部。 第１図 第２図 第°区ｌ 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 手続補正書 ′ １、事件の表示 昭和５８年特許願第１１９４０４ 号 ２、発明の名称 ダイオード電極部品 ６、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名称（２１３）住友電気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の〔特許請求の範囲〕の欄 図面の第７図 ２１．−ζ：〕、 （別紙） （１）明細書の特許請求の範囲を以下の通り補正する。 「（１）小径部と大径部を有する電極を釘打ち加工また
は成形加工によって組合わせて得られるリート９レスダ
イオード電極において、 上記大径部内側面の上記小径部と接しない位置に凸部が
形成された ことを特徴とするダイオード電極部品。 （２）上記凸部の幅（ｄ、）と上記大径部の長さくＤ）
とがｄく− である特許請求の範囲第（１）項に記載のダイオード電
極部品。」 Ｃｌ２）図面（第７図）を添付する図面の通り補正する
。なお、補正個所は中心線を図面から削除した点。 以 上 第７図
図。 第２図は従来のり一ト８レスＤＨＤ型ダイオードゝの断
面図。 第３図はジュメット線の拡大断面図。 第４図は第２図に示したダイオードの電極の拡大斜視図
。 第５図は従来の改良型の電極の拡大斜視図。 第６図は第５図の電極を得るための金型の要部断面図。 第７図は偏心状態を示す断面図。 第８図は本発明第一実施例の金型の要部断面図。 第９図は本発明第一実施例の斜視図。 第１０図は本発明第二実施例の斜視図。 ２・・・電極、３・・・半導体素子、４・・・封止ガラ
ス、８・・・小径部、９・・・大径部、 １７・・・環
状凸部、１８・・・点状の凸部。 第１図 第２図 第°区ｌ 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 手続補正書 ′ １、事件の表示 昭和５８年特許願第１１９４０４ 号 ２、発明の名称 ダイオード電極部品 ６、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名称（２１３）住友電気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の〔特許請求の範囲〕の欄 図面の第７図 ２１．−ζ：〕、 （別紙） （１）明細書の特許請求の範囲を以下の通り補正する。 「（１）小径部と大径部を有する電極を釘打ち加工また
は成形加工によって組合わせて得られるリート９レスダ
イオード電極において、 上記大径部内側面の上記小径部と接しない位置に凸部が
形成された ことを特徴とするダイオード電極部品。 （２）上記凸部の幅（ｄ、）と上記大径部の長さくＤ）
とがｄく− である特許請求の範囲第（１）項に記載のダイオード電
極部品。」 Ｃｌ２）図面（第７図）を添付する図面の通り補正する
。なお、補正個所は中心線を図面から削除した点。 以 上 第７図
Claims (2)
- （１）小径部と大径部を有する電極を釘打ち加工または
成形加工によって組合わせて得られるリート８レスダイ
オード電もｉにおいて、上記大径部内側面の上記小径部
と接しない位置に凸部が形成された ことを特徴とするダイオード電極部品。 - （２）上記凸部の幅（均と上記大径部の長さくＤ）とが
ｄ＞７ である特許請求の範囲第（１）項に記載のダイオード電
極部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58119404A JPS6010761A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | ダイオ−ド電極部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58119404A JPS6010761A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | ダイオ−ド電極部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010761A true JPS6010761A (ja) | 1985-01-19 |
| JPS6318334B2 JPS6318334B2 (ja) | 1988-04-18 |
Family
ID=14760640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58119404A Granted JPS6010761A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | ダイオ−ド電極部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010761A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182040U (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-13 | ||
| US4789444A (en) * | 1986-02-15 | 1988-12-06 | Solex Research Corporation Of Japan | Process for electrolytically producing metals of Ni, Co, Zn, Cu, Mn, and Cr from a solution thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5883154U (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-06 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 電子部品 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP58119404A patent/JPS6010761A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5883154U (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-06 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 電子部品 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182040U (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-13 | ||
| US4789444A (en) * | 1986-02-15 | 1988-12-06 | Solex Research Corporation Of Japan | Process for electrolytically producing metals of Ni, Co, Zn, Cu, Mn, and Cr from a solution thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6318334B2 (ja) | 1988-04-18 |
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