JPH01244653A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01244653A JPH01244653A JP63072275A JP7227588A JPH01244653A JP H01244653 A JPH01244653 A JP H01244653A JP 63072275 A JP63072275 A JP 63072275A JP 7227588 A JP7227588 A JP 7227588A JP H01244653 A JPH01244653 A JP H01244653A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- plating
- nickel
- gold
- island
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に樹脂封止型の半導体装
置に関する。
置に関する。
従来より安価で多量生産に適する半導体装置として樹脂
封止型半導体装置が広く採用されている。
封止型半導体装置が広く採用されている。
第２図は従来の樹脂封止型半導体装置の一例の断面図で
ある。
ある。
リードフレーム１は中央に半導体素子を固着するアイラ
ンド２とアイランドの周囲に配置されたリードとから成
り、リードはインナーリード３ａとこれに連結して外へ
延びるアウターリード３ｂとを有する。インナーリード
３ａの先端には銀被膜４が設けられる。
ンド２とアイランドの周囲に配置されたリードとから成
り、リードはインナーリード３ａとこれに連結して外へ
延びるアウターリード３ｂとを有する。インナーリード
３ａの先端には銀被膜４が設けられる。
アイランド２に半導体素子６を固着し、ワイヤーボンデ
ィング法によって半導体素子の電極と銀被膜との間を金
属線７で接続し、樹脂８で封止する。
ィング法によって半導体素子の電極と銀被膜との間を金
属線７で接続し、樹脂８で封止する。
リードフレームのフレーム及びタイバーを切断除去した
後、錫−鉛合金めっきを行ってアウターリード３ｂを錫
−鉛合金被膜５で覆って、半導体装置、を完成させる。
後、錫−鉛合金めっきを行ってアウターリード３ｂを錫
−鉛合金被膜５で覆って、半導体装置、を完成させる。
上述した従来の方法では、インナーリード３ａの先端部
に金又は銀のめつき被膜を形成し、アイランド２に搭載
した半導体素子６の電極とボンディング結線を行ない、
その後樹脂封止してからアウターリード部に錫又は錫・
鉛合金のめつき被膜を形成していたため、リードフレー
ム上のめつき工程が別々の工程で行なわれ、生産性が悪
く、このため生産日程が長くかかりコストが上がるとい
う欠点がある。
に金又は銀のめつき被膜を形成し、アイランド２に搭載
した半導体素子６の電極とボンディング結線を行ない、
その後樹脂封止してからアウターリード部に錫又は錫・
鉛合金のめつき被膜を形成していたため、リードフレー
ム上のめつき工程が別々の工程で行なわれ、生産性が悪
く、このため生産日程が長くかかりコストが上がるとい
う欠点がある。
本発明は、半導体素子を搭載したアイランドと、該アイ
ランドに近接し、前記半導体素子の電極と電気的に接続
する複数のインナーリードと該各インナーリードに連続
して外へ延びるアウターリードとを有する樹脂封止型の
半導体装置に於いて、前記インナーリードの先端部及び
アウターリードの表面が少くとも二層の金属被膜で覆う
ことによって構成される。
ランドに近接し、前記半導体素子の電極と電気的に接続
する複数のインナーリードと該各インナーリードに連続
して外へ延びるアウターリードとを有する樹脂封止型の
半導体装置に於いて、前記インナーリードの先端部及び
アウターリードの表面が少くとも二層の金属被膜で覆う
ことによって構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
リードフレーム素材を用いインナーリード３ａの先端部
及びアウターリード３ｂの表面にめっき法でニッケル被
膜９を形成し、ニッケル被膜９上の０，２μｍ厚の金被
膜１０を形成する。次に、アイランド２に半導体素子６
を搭載し、ワイヤーボンディング法で金属線７の結線を
行ない樹脂８で封止する。上記以外は第２図の従来例と
同じである。
及びアウターリード３ｂの表面にめっき法でニッケル被
膜９を形成し、ニッケル被膜９上の０，２μｍ厚の金被
膜１０を形成する。次に、アイランド２に半導体素子６
を搭載し、ワイヤーボンディング法で金属線７の結線を
行ない樹脂８で封止する。上記以外は第２図の従来例と
同じである。
ニッケルめっき、金めつきは通常の電気めっき法により
形成したものでありニッケルめっき厚は０．１〜３．０
μｍがリードフレーム素材と金めっき膜の密着性のため
望ましい。また、金めつき厚は厚いほどボンディング性
、半田付性が良いが、下地膜にニッケル被膜があると０
．１μｍ厚の薄い金被膜でも、組立工程性の熱エージン
グに於いても半田付性は劣化しない。
形成したものでありニッケルめっき厚は０．１〜３．０
μｍがリードフレーム素材と金めっき膜の密着性のため
望ましい。また、金めつき厚は厚いほどボンディング性
、半田付性が良いが、下地膜にニッケル被膜があると０
．１μｍ厚の薄い金被膜でも、組立工程性の熱エージン
グに於いても半田付性は劣化しない。
また、銅、ニッケル、金等の三層めっき被膜の構造を用
いても問題は無く、めっき厚としては下層膜の銅めっき
は０．１〜２．０μｍあれば良い。
いても問題は無く、めっき厚としては下層膜の銅めっき
は０．１〜２．０μｍあれば良い。
以上説明したように、本発明は、樹脂封止した半導体装
置のインナーリードの先端部とアウターリードをニッケ
ルめっき被膜と金めっき被膜の二層構造にし、同一工程
でめっき被膜を形成したので、従来のインナーリードと
アウターリードのめっき被膜の形成に比べ生産性が向上
するという効果を有する。
置のインナーリードの先端部とアウターリードをニッケ
ルめっき被膜と金めっき被膜の二層構造にし、同一工程
でめっき被膜を形成したので、従来のインナーリードと
アウターリードのめっき被膜の形成に比べ生産性が向上
するという効果を有する。
また、めっき表面が金めつき被膜を施こされていること
により半田付性、ボンディング性が良好であり、半導体
装置の信頼性が著しく向上するという効果も有する。
により半田付性、ボンディング性が良好であり、半導体
装置の信頼性が著しく向上するという効果も有する。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の樹
脂封止型半導体装置の一例の断面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・アイランド、３ａ・
・・インナーリード、３ｂ・・・アウターリード、４・
・・銀被膜、５・・・錫−鉛合金被膜、６・・・半導体
素子、７・・・金属線、８・・・樹脂、９・・・ニッケ
ル被膜、１ｏ・・・金被膜。
脂封止型半導体装置の一例の断面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・アイランド、３ａ・
・・インナーリード、３ｂ・・・アウターリード、４・
・・銀被膜、５・・・錫−鉛合金被膜、６・・・半導体
素子、７・・・金属線、８・・・樹脂、９・・・ニッケ
ル被膜、１ｏ・・・金被膜。
Claims (1)
- 半導体素子を搭載したアイランドと、該アイランドに
近接し、前記半導体素子の電極と電気的に接続する複数
のインナーリードと該各インナーリードに連続して外へ
延びるアウターリードとを有する樹脂封止型の半導体装
置に於いて、前記インナーリードの先端部及びアウター
リードの表面が少くとも二層の金属被膜で覆われている
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63072275A JPH01244653A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63072275A JPH01244653A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01244653A true JPH01244653A (ja) | 1989-09-29 |
Family
ID=13484571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63072275A Pending JPH01244653A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01244653A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04115558A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
| JPH06163783A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Goto Seisakusho:Kk | 半導体装置用リードフレーム及びそのメッキ方法 |
| EP0778618A3 (en) * | 1992-12-23 | 1998-05-13 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Lead frame and method for manufacturing it |
| KR19990016048A (ko) * | 1997-08-12 | 1999-03-05 | 윤종용 | 솔더가 도금된 리드 프레임 및 그를 사용한 반도체 칩패키지의 제조방법 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63072275A patent/JPH01244653A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04115558A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
| JPH06163783A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Goto Seisakusho:Kk | 半導体装置用リードフレーム及びそのメッキ方法 |
| EP0778618A3 (en) * | 1992-12-23 | 1998-05-13 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Lead frame and method for manufacturing it |
| US5909053A (en) * | 1992-12-23 | 1999-06-01 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Lead frame and method for manufacturing same |
| KR19990016048A (ko) * | 1997-08-12 | 1999-03-05 | 윤종용 | 솔더가 도금된 리드 프레임 및 그를 사용한 반도체 칩패키지의 제조방법 |
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