JPS6043873A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性めある光導電部材に関する０ 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
　／暗電流（Ｉｄ）　）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無公害であること、更に
は固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に
処理することができること等の特性が要求される。殊に
、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に
組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使
用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ　−Ｓｉと表記す）があ
り、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、
独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置
へ、の応用が記載されている〇丙午ら、従来のａ−８ｉ
で構成された光導電層を有する光導電部材は、暗抵抗値
、光感度、光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性
、及び耐湿性等の使用環境特性の点、更には経時的安定
性の点において、結合的な特性向上を計る必要があると
いう更て改良される可き点が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる或いは、高速
で繰返し使用すると応答性が次第に低下する、等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｉは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロゲンランプや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。又、別には、照射される光が光導電層中に於
いて、充分吸収されずに、支持体に到達する光の量が多
くなると、支持体自体が光導電層を透過して来る光に対
する反射率が高い場合には、光導電層内に於いて多重反
射による干渉が起って、画像の「ボケ」が生ずる一要因
となる。この影響は、解像度を上げる為に、照射スポッ
トを小さくする程犬きくなシ、殊に半導体レーザを光源
とする場合には大きな問題となっている。

更に、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはその
他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として
光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の
仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電
的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就で電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子（Ｓｉ）とゲルマニウム原子（Ｇｅ　）とを母
体とする非晶質材料、殊に、これ等の原子を母体とし、
水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方
を少なくとも含有するアモルファス材料、所謂水素化ア
モルファスシリコンゲルマニウム１ハロゲン化アモルフ
ァスシリコンゲルマニウム、或いはハロゲン含有水素化
アモルファスシリコンゲルマニウム〔以後これ等の総称
的表記として［ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊを使用す
る］から構成される非晶質層を有する光導電部材の構成
を以後に説明される様に特定化して作成された光導室部
材は実用上著しく優れた特性を示すばかシでなく、従来
の光導電部材と較べてみてもちらゝゆる点において凌駕
していること、殊に電子写真用の光導電部材として著し
く優れた特性を有していること及び長波長側に於ける吸
収スペクトル特性に優れていることを見出した点に基い
ている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境聾であシ
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分あり、優れた電子写真特性を有する光導電部
材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、／・−フトーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が
容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性を有する光導電部材を提供することでもあ
る。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と光受容
層とを有し、該光受容層は、シリコン原子を含む非晶質
材料で構成された第１の非晶質層（１）とシリコン原子
とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第
２の非晶質層（Ｉｔ）とが前記支持体側より順に設けら
れた層構成を有し、前記第２の非晶質層（ＩＩ）中に於
けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一で
ある事を特徴とする。前記第１の非晶質層（１）中また
は前記第２の非晶質層（ＩＩ）中の少なくともどちらか
一方に水素原子又は／及びノ・ロゲン原子が含有される
のが望ましく、また前記第１の非晶質層（１）中および
前記第２の非晶質層（Ｉｆ）中の少なくともどちらか一
方に伝導性を支配する物質が含有されるのも望〜ましい
。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、′前記した諸問題の総てを解決し得、極
めて優れた電気的、光学的。

光導電的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って本発明の光導電部材に就いて詳細に
説明する。

第１図は本発明の光導電部材の層構成を説明するために
模式的に示した構造図である。

第１図に示す光導電部材１００は；光導電部材用として
の支持体１０１の上に、充分な体積抵抗と光導電性を有
する光受容層１０２とを有し、光受容層１０２は支持体
１０１側よりａｓｉ（Ｈ，Ｘ）から成る第１の非晶質層
（Ｉ）　１０２　。

その上にａ−８ｔ　Ｇｅ　（Ｈ’、　Ｘ）から成る第２
の非晶質層（Ｉｔ）　１０３を有す、る。光導電性は、
第１及び第２の非晶質層のいずれに荷わせても良いが、
いずれにしても入射される光が充分到達し得る層が少な
くとも光導電性を有する様に層設針される必要がある。

又、この場合、第１及び第２の非晶質層の両者が夫々所
望の波長スペクトルの光に対して光導電性を有し、且つ
充分な量のフォトキャリアを発生し得る層として設計さ
れるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、第１の非晶質／＃（Ｉ
）まだは第２の非晶質層（ＩＩ）の少なくとも一方に伝
導性を支配する物質（Ｃ）を含有させることによって含
有される層の伝導性を所望に従って任意に制御すること
ができる。物質（Ｃ）は、光受容層に於いて、或いは、
第１及び第２の非晶質層の夫々に於いて層厚方向には均
一でも不均一でも、いずれの分布状態であっても良い様
に含有される。又、物質（Ｃ）の含有される層領域（Ｐ
Ｎ）に於いて、その層厚方向に物質０は、連続的に均−
或いは不均一な分布状態となる様に含有される。

たとえば第２の非晶質層（ＩＩ）の層厚を第１の非晶質
層（Ｉ）の層厚より厚くし主に第２の非晶質層（ＩＩ）
を電荷発生層と電荷輸送層としての機能を持たせる様に
して用いる場合には伝導性を支配する物質（Ｃ）は第１
の非晶質層（１）では支持体側で多くなる分布状態とな
るようにすることが望ましく、また伝導性を支配する物
質（Ｃ）は第２の非晶質層（ｎ）では第１の非晶質層（
Ｉ）と第２の非晶質層（ｎ）の界面又は界面近傍で多く
なる分布状態となるようにすることが望ましいＯ 他方第１の非晶質層（１）の層厚を第２の非晶質層（ｎ
）の層厚よシ厚くし主に第２の非晶質層（ｎ）を電荷発
生層とし、第１の非晶質層（１）を電荷輸送層としての
機能をもたせる様にして用いる場合には伝導性を支配す
る物質（Ｃ）は第１の非晶質層（Ｉ）の支持体側によシ
多く分布する様に含有させることが望ましい。

上記した様に、本発明に於いては光受容層中に伝導性を
制御する物質（Ｃ）を層厚方向に連続的に含有する層領
域（ＰＮ）を設けることによって、高感度化、１１気的
耐圧の向上等を計ることが出来る。

このような伝導性を支配する物質（Ｃ）としては、所謂
、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本
発明に於いては、Ｓｉ又はＧｅに対して、Ｐ型伝導特性
を与えるＰ型不純物及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不純
物を挙げることが出来る。具体的には、Ｐ型不純物とし
ては周期律表第■族に属する原子（第■族原子）、例え
ばＢ（硼素）、Ａｔ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム
）、Ｉｎ（インジウム）Ｓ　Ｔｔ（タリウム）等があり
、殊に好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第■族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）ｙＡｓ（砒り、ｓｂ（ア
ンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であシ、殊に、好適に
用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、光受容層中に設けられる伝導性を支配
する物質（Ｃ）の含有されている層領域（ＰＮ）に含有
される伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含有量は、該層
領域（ＰＮ）に要求される伝導特性、或いは該層領域（
ＰＮ）が直に接触して設けられる支持体との、接触界面
に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜
選択することが出来る。又、前゛記層領域に直に接触し
て設けられる他の層領域の腎性や、該他の層領域との接
触界面に於ける特性との関係も考慮されて、伝導特性を
制御する物質の含有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質の含有量としては、好ましくは、０．
００１〜５ｘｌ　Ｏ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ５より好
適には０．５−Ｉ　Ｘ　ｌ　Ｏ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ５最適には１〜５　Ｘ　１０３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
　とされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（’ＰＮ）を第１の非晶質層（１）に設け
る場合、該物質（Ｃ）の含有量を、好ましくは３０　ａ
ｔｏｍｉｃ　９９ｍ以上、より好適には５０ａｔｏｒｎ
ｉｃ　Ｐｐｍ以上１最適には１００　ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上とするこ゛とによって、例えば該含有させる物
質が前記のＰ型不純物の場合には、光受容層の自由表面
が■極性に帯電処理を受けだ際に支持体側からの光受容
層中へ注入される電子の移動を効果的に阻止することが
出来、又、前記含有させる物質が前記のｎ型不純物の場
合には、光受容層の自由表面がθ極性に帯電処理を受け
た際に、支持体側から光受容層中へ注入される正孔の移
動を効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には前記層領域（Ｉ）Ｎ）を除いた部分
の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に含有される伝導
特性を支配する物質の極性とは別の極性の伝導特性を支
配する物質を含有させても良いし、或いは、同極性の伝
導特性を支配する物質を、層領域（ＰＮ）に含有される
実際の量よりも一段と少ない量にして含有させても良い
ものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質の極性や含有量に応じて所望に
従って適宜決定されるものであるが、好１しくけ、０．
００１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ、より好適には
０．０５〜５００　ａｔｏｍｉ　ｃｐｐｍ、最適には０
．１〜２００　ａｔｏｍｉ　ｃ　ｐｐｍとされるのが望
ましいものである。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（２）に同
種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、層領
域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは、３０　
ａｔｏｍｌｃ　９９ｍ以下とするのが望ましいものであ
る。上記した場合の他に、本発明に於いては光受容層中
に、一方の極性を有する伝導性を支配する物質を含有さ
せだ層領域と、他方の極性を有する伝導性を支配する物
質を含有させだ層領域とを直に接触する様に設けて、該
接触領域に所謂空乏層を設けることも出来る。詰シ、例
えば光受容層中に、前記のＰ型不純物を含有する層領域
と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に接触する
様に設けて所謂Ｐ７ｎ接合を形成して、空乏層を設ける
ことが出来る。

本発明において、必要に応じて光受容層中に含有される
ハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩素
、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適な
ものとして挙げることが出来る。

本発明に於いて、ａ−８ｔ（ＨｆＸ）で構成される第１
の非晶質層（１）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或は、イオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例え
ば、グロー放電法によって％　ａ　５ｔ（Ｈ＋Ｘ）で構
成される第１の非晶質層（１）を形成するには、基本的
にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原
料ガスと共に、水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得
る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起
させ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面
上にａ　−Ｓｉ　（Ｈ２Ｘ）から成る層を形成させれば
良い。又、スパッタリング法で形成する場合には、例え
ばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをペース
とした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲッ
トをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及び
ハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の
堆積室に導入してやれば良い。

本発明において第１の非晶質層（１）を形成するのに使
用される原料ガスとなる出発物質としては、次のものが
有効なものとして挙げることが出来る。

先ずＳｉ供給用の原料ガスとなる出発物質としては′％
　ＳｉＬ　、　５ｉ２Ｈａ　、　５ｉｓＨａ　ｔ　Ｓｉ
Ｊ＋。等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シ
ラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に
、層作成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点で
５ｔｕｎ　ｌ　Ｓ　１２Ｈ６が好ましいものとして挙げ
られる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件Ｓｉ供給用
の原料ガスとなる有効な出発物質としては、上記の水素
化硅素の他に、ハロゲン原子（Ｘ）を含む硅素化合物、
所謂、ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体、具体的
には例えばＳｉＦ４．５ｉｔＦａ　、　５ｉＣ４、５ｉ
Ｂｒｎ等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げる
ことが出来、更には、５ｉＨｔＦ＊　ｔ　５ｉＨｄｚ　
ｓ　Ｓｔ迅Ｃ４Ｈ５ｉＨＣ４＋Ｓｉ％Ｂｒｔ　ｔ　５ｉ
ＨＢｒｓ等のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態
の或はガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとする
ハロゲン化物も有効な電荷注入防止層形成の為のＳｔ供
給用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等のハロゲン原子（Ｘ）を含む硅素化合物を使用す
る場合にも前述した様に層形成条件の適切な還択によっ
て形成される第１の非晶質層（１）中にＳｉと共にＸを
導入することが出来る。

本発明において第一の非晶質層（Ｉ）を形成する際に使
用されるハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有
効な出発物質としては、上記したものの他に、例えば、
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素゛のハ１ｌｆｆゲンガス、
ＢｒＦ　、　Ｃ１Ｆ　、　Ｃ７Ｆ３　。

ＢｒＦａ　ｌ　ＢｒＦ５　ｌ　ＩＦ３　＋　ＩＦｔ　、
ＩＣｔ、　ＩＢｒ等のハＣｌゲン間化合物、ＨＦ　、　
ＨＣｔ、　ＨＢｒ　、　ＨＩ等のハｉｆｆゲン化水素を
挙げることが出来る。

第１の非晶質層（Ｉ）を構成する層領域中に。

伝導特性を制御する物質、例えば、第■族原子或いは第
■族原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第■
族原子導入用の出発物質或いは第■族原子導入用の出発
物質をガス状態で堆積室中に、第１の非晶質層（Ｉ）を
形成する為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。

この様な第■族原子導入用の出発物質と成シ得るものと
しては、常温常圧でガス伏の又は、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。その様な第１Ｉ族原子導入用の出発物質として具体
的には硼素原子導入用としては、ＢｚＨａ　、　Ｂ４Ｈ
ＩＯ、Ｂ＝、Ｈｏ　、Ｂ５ＨＩＩ　。

ＢａＨ＋ｏ　、Ｂ６Ｈ１２、Ｂ１１Ｈ１４等の水素化硼
素、　ＢＦ３−　ＢＣｌｓ　＋ＢＢｒｓ等のハロゲン化
硼素等が挙げられる。この他、Ａ江４　＋　ＧａＣＡｓ
　ｌ　Ｇａ　（ＣＨｓ　）ｓ　ｔ　ＩｎＣ４３１’ｒｚ
ｃｔ。

等も挙げることが出来る。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨｓ　
、Ｐ２Ｈ４等の水素北隣、　ＰＨ４，Ｉ　。

ＰＦｓ　、　ＰＦ５　＋　ＰＣｌ５　＋　Ｐｃｔ、　、
　ＰＢＢ　ｔ　ＰＢｒ、　、ＰＩ、等のハロゲン比隣が
挙げられる。この他、Ａｓ１（ｓ　ｒＡｓＦ、　、　Ａ
ｓＣ４、ＡｓＢｒ、　、’　ＡｓＦａ　、　ＳｂＨ＊　
＋　５ｂｌｉ’ｓ　＋ＳｂＦ５．５ｂＣ４、５ｂＣ４＋
　＋　ＢｉＬ　、　ＢｉＣｔ、　、　Ｂ１Ｂｒ５等も第
■族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げるこ
とが出来る。

本発明に於いて、第１の非晶質層（Ｉ）中に含有される
水素原子（Ｉ（）の量又はハロゲン原子■の量又は水素
原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋、Ｘ）は好ましくは
１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％　ｓより好適には５〜３０
　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい０ 第１の非晶質層（１）中に含有される水素原子（Ｈ）又
は／及び・・ロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例
えば支持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或はハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆
積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば
良い。

本発明の第１の非晶質層（１）の層厚は、該非晶質層（
１）が主に支持体と第２の非晶質層（Ｉｆ）との密着層
として働くか、または密着層と電荷輸送層として働くか
によって適宜法められる。

前者の場合には、好ましくは１０００λ〜５０μｍ１よ
シ好壕しくは２０００人〜３０μｍ１最適には２０００
人〜１０μｍとされるのが望ましい。後者の場合には好
ましくは１〜１００μｍ１よシ好ましくは１〜８０μｍ
１最適には２〜５０μｍとされるのが望ましい。

本発明の光導電部材においては、第２の非晶質層（Ｉ［
、）中に含有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層
厚方向においては、不均一な分布状態を取シ、支持体の
表面と平行な面内方向には均一な分布状態とされるのが
望ましい。

この様な層構造に第２の非晶質層（ＩＩ）を形成するこ
とによって、可視光領域を含む、比較的短波長から比較
的長波長足の全領域′の波長の光に対して光感度が優れ
ている光導電部材とし得るものである。

又、第２の非晶質層（ｎ）中に於けるゲルマニウム原子
の分布状態は、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に
分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが第
１の非晶質層（１）より自由表面に向って減少する変化
が与えられているもの、第１の非晶質層（Ｉ）より自由
表面に向って増加する変化が与えられているもの、また
はこれ等両者の特徴を合わせ持っているもの等の層構成
などが許される。

本発明の光導電部材に於いては、第１の非晶質層（■）
、と第２の非晶質層（Ｉ［）とを構成する非晶質材料の
夫々がシリコン原子という共通の構成要素を有している
ので、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成
されている。

第２図乃至第１３図には、本発明における光導電部材の
第２の非晶質層（ＩＩ）中に含有されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１３図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、第２の非晶質層（ｎ）のＪ（
支）厚を示し、ｊＢは第１の非晶質層（Ｉ）の第２の非
晶質層（ｎ）の端面の位置を、ｔＴは支持体側とは反対
側の第２の非晶５質層（Ｉ［）の端面の位置を示す。即
ち、ゲルマニウム原子の含有される第２の非晶質層（ｎ
）はｔｅ側よシｔＴ側に向って層形成が友される。

第２図には、第２の非晶質層（ＩＩ）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が
示される。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る第２の非晶質層（Ｉｆ）が形成される表面と該第２の
非晶質層（ｎ）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔ＋
の位置までは、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣ８な
る一定の値を取り乍らゲルマニウム原子が形成される第
２の非晶質層（ＩＩ）に含有され、位置ｔ、よりは濃度
Ｃ２より界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減少さ
れている。界面位置ｔＴにおいてはゲルマニウム原子の
分布濃度ＣはＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで
濃度Ｃ１から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて
濃度Ｃ３となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ、まではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ８と一定値とされ、位
置ｔ、と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少
され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置ｔＢよ多位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ。

よ多連続的に徐々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的
に零とされている。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ３間において。

は、濃度Ｃ０と一定値であシ、位置ｔＴにおいては濃度
ＣＩＯとされる。位置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布
濃度Ｃは一次関数的に位置ｔ３よ多位置ｔＴに至るまで
減少されている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
より位置ｔ４までは濃度Ｃ１□の一定値を数多、位置ｔ
４より位置ｔＴまでは濃度Ｃ□２より濃度Ｃ１９まで一
次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢよ多位置ｔＴに至
るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１，よ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置ｔＢより位置ｔｓＫ至るまでは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１，より濃度
Ｃｕｅまで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔＴ
との間においては、濃度Ｃ１１１の一定値とされた例が
示されている。

第１０図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置ｔＢにおいて濃度ＣＩ’ｒであり、位
置ｔ６に至るまではこの濃度ＣＩ７より初めはゆっくり
と減少され、　ｔｅの位置付近においては、急激に減少
されて位置ｔ６では濃度ｃｐｓとされる。

位置ｔ、と位置ｔ、との間においては、初め急激に減少
されて１、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ、
で濃度Ｃ１１となり、位置１１と位置ｔ。

との間では、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ
８において、濃度Ｃ２゜に至る。位置ｔ、と′位置ｔＴ
の間においては、濃度Ｃ２０より実質的に零になる様に
図に示す如き形状の曲線に従って減少されている。

第１１図に示す例においては、位置ｔＢよシｔ９までゲ
ルマニウム濃度ＣＷ２で一定で位置ｔ９から位置ｔＢま
でゲルマニウム濃度Ｃｏｇにされている。

第１２図に示す例においては、位置ｔＢではゲルマニウ
ム濃度は実質的に零で位置ｔＴでゲルマニウム濃度がＣ
ｔＳに図のように増加している。

第１３図においては、位置ｔＢではゲルマニウム濃度は
実質的に零で位置ｔＢから位置ｔｌＧでの濃度Ｃ２４ま
で図のようにゲルマニウム濃度が増加し、位置ｔ１゜か
ら位置ｔ７までゲルマニウム濃度Ｃ２４で一定である。

以上第２図から第１３図までのゲルマニウム濃度で第２
図から第１０図までの第１の非晶質層（Ｉ）側近傍でゲ
ルマニウム濃度が多い分布と第１１図から第１３図まで
の第２の非晶質層（ＩＩ）の自由表面近傍でゲルマニウ
ム濃度の多い分布との組み合せのゲルマニウム濃度分布
にしてもよいものである。

以上、第２図乃至第１３図により、第２の非晶質層（Ｉ
［）中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布
状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明において
は、第１の非晶質層（１）側および第２の非晶質層（１
１）の自由表面側において、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃの高い部分を有し、第２の非晶質層（１）の中央に
おいては、前記分布濃度Ｃは第１の非晶質層（１）側お
よび第２の非晶質層（ＩＩ）の自由表面側に較べて可成
り低くされた部分を有するゲルマニウム原子の分布状態
が第２の非晶質層（１）に設けられている。

本発明に於ける光導電部材を構成する光受容層を構成す
る第２の非晶質層（Ｉ［）は好ましくは上記した様に第
１の非晶質層（１）側および／または第２の非晶質層（
ｎ）の自由表面側の方にゲルマニウム原子が比較的高濃
度で含有されている局在領域（Ａ）を有するのが望まし
い。

本発明に於いては局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１３
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢまたは
１Ｔより５μ以内に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔ
ＢまたはｔＴより５μ厚までの全層領域（ＬＴ　）とさ
れる場合もあるし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる
場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ　）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される非晶質層に要求される特性
に従って適宜決められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子に対して、好ましく
は１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には
５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはｌＸｌ
０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態
となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第２の非晶質層（１）は、第１の非晶質層（１）側ま
たは、第２の非晶質層（１）の自由表面からの層厚で５
μ以内（ｔＢがら５μ厚の層領域）に分布濃度の最大値
Ｃｍａｘが存在する様に形成されるのが好ましい。

本発明において、第２の非晶質層（ＩＩ）に含有される
ゲルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効
果的に達成される様に所望に従って適宜決められるが、
好ましくは１〜９．５Ｘ１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、
より好ましくは１００〜８　Ｘ　１ｃｐａｔｃｍｉｃｐ
ｐｍ、最適には５００〜７　Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　
ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明において、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される
第２の非晶質層（１）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ　−８ｉＧｅ　（Ｈ
ａ　Ｘ）で構成される第２の非晶質層（１）を形成する
には、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳ
ｉ供給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給
し得るＧｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子
（団導入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望
のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生
起させ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表
面上に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の
変化率曲線に従って制御し乍らａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、
Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリン
グ法で形成する場合には、例えばＡｒ　、Ｈｅ　’４の
不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの
雰囲気中でＳｉで構成された゛ターゲット、或いは、該
ターゲットとＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用
して、又は、ＳｉとＧｅの混合されたターゲットを使用
して、必要に応じて、Ｈｅ。

Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給用の原料ガスを
、必要に応じて、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆１１２１
に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成すると共
に、前記Ｇｅ供給用の原料ガスのガス流量を所望の変化
率曲線に従って制御し乍ら、前記のターゲットをスパッ
タリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着ボートに収
容し、この蒸発源をｍ　抗加熱法、或いは、エレクトロ
ンビーム法（ＥＩ３法）等によって加熱蒸発させ、飛翔
蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外
は、スパッタリング法の場合と同様にする事で行うこと
が出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４＊　８ｉ２Ｈ，ｅ　５ｉ３
Ｈ３ｔＳｉ４Ｈ１ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水
素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ，、Ｓｉ、Ｈ６が好ましいもの
として挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
，、Ｇｅ２Ｈ６１Ｇｅ、Ｈ６ａ　Ｇｅ、Ｈｌ（、ｔ　ｂ
、Ｈｌ、　＃　Ｇｅ６Ｈ，４ｅ　Ｇｅ７Ｈ，６゜Ｇｅ５
Ｈ１ｓ　ｔ　ＧｅｇＨ，。等のガス状態の又はガス化し
得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給
効率の良さ等の点で、ＧｅＨ，、Ｇｅ、Ｈａ。

Ｇｅ３Ｈｓ　、が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
、又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを借成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ　＋　ＣｔＦ　＋　ＣｅＦ３゜ＢｒＦ　
５　ｅ　ＢｒＦ　３　＋　ＩＦ　３　ｍ　ＩＰ　？　ｌ
　ＩＣ１！＃　ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げるこ
とが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ、　＊　８ｉ２Ｆ６＃　５ｉＣ１４，８ｉＢｒ、等
のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出
来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上に；・四ゲン原子を含むａ−８ｉＧｅ
から成る第２の非晶質層（１）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第２の非晶
質層（１）を作成する場合゛、基本的には、例えばＳｉ
供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素と価供給用の原
料ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ　、　Ｈ２，Ｈ
ｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして
第２の非晶質Ｊ’Ｍ　（１１）を形成する堆積室に導入
し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲
気を形成することによって、所望の支持体上に第２の非
晶質層Ｃ１１）を形成し得るものであるが、水素原子の
導入割合の制御を一層容易になる様に計る為にこれ等の
ガスに更に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガ
スも所望量混合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ　、　ＨＣｅ。

ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化合物、５ｉ）（２Ｆ’、　
、　５ｉＨ２Ｉ２゜ＳｉＨ，０ｇ２．５ｉＨＣｅ、　＋
　５ｉＨ２Ｂｒ！、　５ｉＨＢｒｓ　等のハ０ゲン置換
水素化硅素、及びＧｅＨＦ３＊　ＧｅＨ２Ｆ、　＊　Ｇ
ｅＨ３Ｆ　。

ＧｅＨ８ｅ３．　ＧｅＨ８Ｃｅ！、　、　ＧｅＨ８Ｃｅ
、　ＧｅＨＢｒ３．　ＧｅＨ，Ｂｒ、　ｅＧｅＨ３Ｂｒ
　、　ＧｅＨＩ、　、　ＧｅＨ，Ｉ２．　ＧｅＨ３Ｉ等
の水素化ハロゲン化ゲルマニウム、等の水素原子を構成
要素の１つとするハロゲン化物、ＧｅＦ、　ｅ　ＧｅＣ
ｅ、ｒ　Ｃ３ｅＢｒ、ｅＧｅ■４．　ＧｅＦｔ、　Ｇｅ
Ｃｇ、　、　ＧｅＢｒ、　、　ＧｅＩ、等の／ＸＥｌｌ
ゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し
得る物質も有効な第２の非晶質層（Ｕ）形成用の出発物
質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物は、第２
の非晶質層（１）形成の際に層中にハロゲン原子の導入
と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好適なハ
ロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第２の非晶質層（Ｉ＋）中に構造的に導入す
るには、上記の他にＨ２、或いはＳｉＨ，、５ｉ２Ｈ，
。

Ｓｉ３Ｈｇ　＋　５ｉａＨｔ。等の水素化硅素をＧｅを
供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、
或いは、ＧｅＨ，、Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３Ｈ６、Ｇｅ４Ｈ
１ｏ、　Ｇｅ５Ｈ，。

Ｇｅ６Ｈ１４ｓ　Ｇｅ７Ｈ１６ｐ　ＧｅＢＨ，３１Ｇｅ
４Ｈ１ｏ等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給する為の
シリコン又はシリコン化合物と、を堆積室中に共存させ
て放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第２の非晶質層（Ｕ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は好ましくは０．０１〜４０　
ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａｔｏ
ｍｉｃ％、最適には０．１〜２５　ａｔａｎｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

第２の非晶質層（１）中に含有される水素原子（Ｗ又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば
支持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン
原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積
装置系内へ導入するけ、放電々力等を制御してやれば良
い。

第２の非晶質層−を構成する層領域中に、伝導特性を制
御する物質、例えば、第（１）族原子或いは第Ｖ族原子
を構造的に尋人するには、層形成の際に、第１族原子導
入用の出発物質或いは第１族原子導入用の出発物質をガ
ス状態で堆積室中に、非晶質層を形成する為の他の出発
物質と共に導入してやれば良い。この様な第１族原子導
入用の出発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガ
ス状の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し
得るものが採用されるのが望ましい。その様な第１族原
子導入用の出発物質として具体的には硼素原子導入用と
しては、ＢｚＨａ　−Ｂ４Ｈ１０−Ｂ！ＩＨＩＩ　、Ｂ
ｓＨｔ、ｔ　−Ｂ６Ｈ１０−１３ａＨｓ２−　Ｂ６Ｈ１
４等の水素化硼素、１３Ｆ３．　ＢＣｅ、　、　ＢＢｒ
ｓ等の／”ｔ　Ｉｆｆゲン化硼素等が挙げられる。この
他、ＡｔＣｅ、　ｐＧａ（Ｊｓ、　Ｇａ　（ＣＨｓ　）
　ｓ　；’、Ｉｎ（Ｊ３．　ＴｌＣｌ＞等も挙げること
が出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ，、
Ｐ２Ｈ，等の水素比隣、　Ｐ）（Ｊ　、　ＰＦ３゜ＰＦ
、　、　Ｐｅｇ３．　Ｐｅｇ、　、　ＰＢｒｓ、　ＰＢ
ｒｉ　ｅ　ＰＩ３　等の７％　Ｔ２ゲン化燐が挙げられ
る。この他、ＡｓＩ（、、ＡｓＦ３　。

ＡｓＣｇ、ＡｓＢｒ、、、ＡｓＦ、、　ｓｂｕ、、　ｓ
ｂＦ、、　ｓｂｐ、、　８ｂＣｅ。

５ｂＣ１ａ　、　Ｂ　ｉＨ，、Ｂ　ｉＣｅ、　、　Ｂ　
ｉＢｒ、等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なもの
として挙【ブることが出来る。

本発明の光導電部材に於ける第２の非晶質層（＋１）の
層厚は第２の非晶質層を主しこフオトキャ１）アの発生
層として用いる場合にはフォトギヤ１ノアの励起光源に
対する第２の非晶質層の吸収係数を考慮して適宜法めら
れ、好ましく番１１０００λ〜５０μｍより好ましくは
１０００λ〜３０μｍ１最適には１０００人〜２０μｍ
とされるのカミ望まししゝ０ また第２の非晶質層（ＩＩ）を主にフォトキャリアの発
生及び輸送する層として用いる場合（まフォトキャリア
が効率よく輸送される様に所望に従って適宜法められ、
好ましくは１〜１００μｍ１より好ましくは１〜８０μ
ｍ１最適には２〜５０μｍとされるのが望ましい。

層領域の層厚としては、該層領域と該層領域上に形成さ
れる他の層領域とに要求される特性に上とされるのが望
ましい。

又、上記層領域中に含有される伝導特性を制御する物質
の含有量が３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる場
合には、該層領域の層厚の上限としては、好ましくは１
０μ以下、好適には８μ以下、最適には５μ以下とされ
るのが望ましい。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、Ｎ１ｔｒｅステンレス。

ｈｅ　＋Ｃｒ　ｐＭｏ　、Ａｕ　ｔＮｂ　、Ｔａ　＊Ｖ
＋Ｔｉ　、Ｐｔ　ｅ　Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が
挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロース７セｆ−
）、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ボ９塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラスセラミック、紙等
が通常使用される。これ等の電気絶縁性支持体は、好適
には少なくともその一方の表面を導電処理され、該感電
処理された表面側に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ　ｒＡ
ｚ　、Ｏｒ　、ＭＯ、Ａｕ　、　Ｉｒ　、Ｎｂ　、Ｔａ
　、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｉ　ｔＰｄ　、　Ｉｎ２Ｏ３、８ｎ
Ｏ２，ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋　８ｎＯ２）等から成る薄
膜を設けることによって導電性が付与され、或いはポリ
エステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎｒ
　Ｃｒ　＊　ＡＩ！ｒ　Ａｇ　＊　Ｐｂ　−Ｚｎ　＋　
Ｎｔ　＊Ａｕ＋Ｃｒ２Ｍｏ＊Ｉｒ＋Ｎｂ、Ｔａ、ＶｓＴ
ｉ　、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着
、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付
与される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、
板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決
定されるが、例えば、第１図の光導電部材１００を電子
写真用像形成部材として使用するのであれば連続高速複
写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ま
しい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成さ
れる様に適宜決定されるが、光導電部側として可撓性が
要求される場合には、支持体として機能が充分発揮され
る範囲内であれば可能な限り薄くされる。丙午ら、この
様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の
点から、通常は、１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１８図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図１’１）１１０２〜１１０６　のガスボンベには、本
発明の光導電部材を形成するだめの原料ガスが會封され
ておシ、その−例として例えば１１０２は、Ｈｅで稀釈
されだ５ｉｌ−ｉ、ガス（純度９９．９９９％。

以下Ｓ　ｉｎ　４／　Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０３
はＬ（ｅで弁釈されたＧｅＨ，ガス（純度９９．９９９
チ、以下ＧｅＨ，／　Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０４
はＨｅで稀釈されたＳｉＦ４ガス（純度９９．９９％、
以下Ｓ　ｉ　Ｆ４／Ｈｅ　と略す。）ボンベ、１１０５
はＨｅで稀釈されたＢ、Ｈ，ガス（純度９９．９９Ｌ％
、以下、　Ｂ、Ｈ，／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０６
はＨ！ガス（純度９９．９９９条）ボンベである。

これらのガスを反応１１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６　
、　リークバルブ１１３５が閉じられているととを確認
し、又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１
１１７〜１１２１　、補助バルブ１１３２　。

１１３３が開かれていることを確認して、先づメインパ
ルプ１１３４を開いて反応室１１０１、及び各ガス配管
内を排気する。次に真空計１１３６の読みが約５×１０
−φｔｏｒ　ｒになった時点で補助バルブ１１３２　、
１１３３、流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上にｍｌの非晶質層（１
）を形成する場合の一例をあげると、ガスボンベ１１０
２よシ８　ｉＨ４／　Ｈｅガス、ガスボンベ１１０５よ
ＯＢ、Ｈ，／　Ｈｅガスをバルブ１１２２．１１２５を
夫々開いて出口圧ゲージ１１２７　、１１３０の圧を１
ｋｇ／ｃｒｉ　に調整し、流入バルブ１１１２　、１１
１５を徐々に開ケて、マスクロコントローラ１１０７゜
１１１０内に夫々流入させる。引き続いて流出パルプ１
１１７　、１１２０、補助バルブ１１３２を徐々に開い
て夫々のガスを反応室１１０１に流入させる。

このとき８１Ｌ／Ｈｅガス流量とＢ、　Ｈ＠／　Ｈｅガ
ス流量との比が所望の値になるように流出パルプ１１１
７　、１１２０を調整し、又、反応室１１０１内の圧力
が所望の値になるように真空計１１３６の読みを見なが
らメインバルブ１１３４の開口を調整する。そして基体
１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８によ＃）５０〜
４００℃の範囲の温度に設定されていることを確認され
た後、電源１１４０を所望の電力に設定して反応室１１
０１内にグロー放電を生起させて基体１１３７上に第１
の非晶質層中を形成する。

次に第１の非晶質Ｍ（Ｉ）上に第２の非晶質層（Ｍ）を
形成する場合の一例をあげると、ガスボンベ１１０２よ
シＳ　ｉｎ４　／　Ｈｅガス、ガスボンベ１１０３よｐ
　ＧｅＨ，／　Ｈｅガス、ガスボンベ１１０５より＆Ｈ
。

／Ｈｅガスをバルブ１１２２．１１２３．１１２５を夫
々開いて出口圧ゲージ１１２７，１１２８．１１３０の
圧を１　＃／ｄ　に調整し、流入バルブ１１１２，１１
１３　。

１１１５を徐々に開けて、マス７０コントローラ１１０
７．１１０８．１１１０内に夫々流入させる。引き続い
て流出パルプ１１１７．１１１８．１１２０．補助バル
ブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０１
に流入させる。このときＳｉＨ４／Ｈｅガス流量とＧｅ
Ｈ，／Ｈｅガス流慧とＢ、Ｈ，／Ｈｅ　ｉ　ス流り：と
の比が所望の値になるように流出パルプ１１１７．１，
１１８．１１２０を調整し、ゲルマニウムの０度分布を
制（ｉｌｌする。又、反応室１］０１内の圧力が所望の
値になるように真空計１１３６の読みを見ながらメイン
パルプ１１３４の開口を調整する。そして基体１１３７
の温度が加熱ヒーター１１３８によ、Ｃ５０〜４００°
Ｃの範囲の温度に設定されていることを確認された後、
電源１１４０を所望の電力に設定して反応′室１１０１
内にグロー族１（１を生起させて第２の非晶質層叩を形
成する。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体１１３７はモータ１１３９によシ一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

こうして得られた各試料を、帯電露光実験装置に設侃し
■５．　ＯＫＶでＱ、３　温間コロナ帯電を行い、直ち
に光像を照射した。光＠はタングステンラング光源を用
い、２１ｕｘｓｅｃの光量を透過型のテストチャートを
通して照射させた。

その後直ちに○荷電性の現像剤（トナーとキャリアーを
含む）を像形成部材表面をカスケードすることによって
、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材上のトナー画像を■５．　ＯＫＶのコロナ帯電で転
写紙上に転写したところ、解像力に優れ、階調再現性の
良い鮮明な高濃度の画像が得られた。

上記において、光源をタングステンランプの代シに８１
０　ｎｍのＧ　ａ　Ａ　ｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ）
を用いて、静電像の形成を行った以外は、上記と同様の
トナー画像形成条件にして、トナー転写画像の画質評価
を行ったところ、解像力に優れ階調再現性の良い鮮明な
高品位の画像が得られた。

実施例１ 第１８図に示した製造装置にょシ、シリンダを作成した
。この際、各試料の光受容層中に含有される硼素原子及
びゲルマニウム原子の分布状態が第１４人図、第１４Ｂ
図、第１５図に夫々示される。各試料中の硼素原子及び
ゲルマニウム原子の分布状態は、予め定められたガス流
量の変化率曲線に従って、該当するバルブの開閉状態を
自動的に操作することによって、Ｉ３．Ｈ。

及びＧｃ　Ｆ４　のガス流量を調節することによって形
成した。各試料に於ける硼素原子及びゲルマニウム原子
の分布状態は第３表に示される。

実施例２ 第１８図に示した製造装置によυ、シリンダー状ＡＡ基
体上に第２表に示す条件で７ｆｆ、子写真用像形成部材
としての各試料（試料２１−１〜２８−６）を作成した
。この際、各試料の光受容層中に含有される硼素原子及
びゲルマニウム原子の分布状態が第１６図、第１７図に
夫々示される。各試料中の硼素原子及びゲルマニウム原
子の分布状態は、予め定められたガス流量の変′化率曲
線に従って、該当するパルプの開閉状態を自動的に操作
することによって、Ｂ、Ｈ，及びＧ　ｅ　Ｆ、のガス流
量を調節することによって形成分布状態は第４表に示さ
れる。これ等の各試料に就て実施例１と同様の画像評価
を行ったところ、いずれも高品質のトナー転写画像が得
られた０

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光導電部材の層構成を説明する為の模
式的説明図、第２図乃至第１３図は夫々ゲルマニウム原
子の分布状態を示す図、第１４Ａ図乃至第１７図は夫々
実症例に於ける層中に含有される原子の分布状態を示す
図、第１８図は本発明の光導電部材を製造する為の装置
の一例を示す模式図である。 １０１・・・支持体　１０２・・・光受容層　１０３・
・・第１の非晶質層（Ｉ）　１０４・・・第２の非晶質
ＩＩ　（Ｉ＋）出願人　キャノン株式会社 ｌθ０ ／ 一一一一つ一〇 一□□−→−Ｃ Ｃ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　光導電部材用の支持体と光導電性を有する光受
   容層とを有し、該光受容層は、シリコン原子を含む非晶
   質材料で構成された第１の非晶質層（Ｉ）とシリコン原
   子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された
   第２の非晶質層（１）とを有し、該第２の非晶質層（Ｉ
   ｆ）内に含まれるゲルマニウム原子が不均一に分布して
   いることを特徴とする光導電部材。 （２）第１の非晶質層（１）および第２の非晶質層（Ｉ
   Ｉ）の少なくとも一方に水素原子又は／及びハロゲン原
   子が含有されている特許請求の範囲第１項に記載の光導
   電部材。 （８）第１の非晶質層（Ｄおよび第２の非晶質層（Ｉｔ
   ）の少なくとも一方に伝導性を支配する物質が含有され
   ている特許請求の範囲第１項および第２項に記載の光導
   電部材。 （４）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属する
   原子である特許請求の範囲第３項に記載の光導電部材。 （５）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属する
   原子である特許請求の範囲第３項に記載の光導電部材。