JPS6045061A - 縦方向ｐνｐトランジスタ - Google Patents
縦方向ｐνｐトランジスタInfo
- Publication number
- JPS6045061A JPS6045061A JP58152742A JP15274283A JPS6045061A JP S6045061 A JPS6045061 A JP S6045061A JP 58152742 A JP58152742 A JP 58152742A JP 15274283 A JP15274283 A JP 15274283A JP S6045061 A JPS6045061 A JP S6045061A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- base
- area
- electrode
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明のＦＡする技術分野〕
本発明１ベース１１１．流制限用のベース抵抗を内蔵１
７た相方向ＰＮＰ ）ランジスタに〜Ｊする〇〔従来技
術とその問題点〕 従来縦方向ＰＮＰ トランジスタのベースに抵抗をイで
Ｊ加するには、ＰＮＰトランジスタグーッグに抵抗体を
接続したハイブリッド型がほとんどであった・そのため
接続工数が必袈とな９泊利費も高くなる。
７た相方向ＰＮＰ ）ランジスタに〜Ｊする〇〔従来技
術とその問題点〕 従来縦方向ＰＮＰ トランジスタのベースに抵抗をイで
Ｊ加するには、ＰＮＰトランジスタグーッグに抵抗体を
接続したハイブリッド型がほとんどであった・そのため
接続工数が必袈とな９泊利費も高くなる。
本発明は、抵抗体の接続の心労がないベース抵抗を同一
チップに内蔵し、た縦方向））Ｎｌ） ）ランジスタを
提供することを目的とする。
チップに内蔵し、た縦方向））Ｎｌ） ）ランジスタを
提供することを目的とする。
本発明はＰ型半導体基板内に卯、−のＮ ’、ｔｌ域と
２［５二のＮ領域が、第一〇Ｎ領域内に第二のＰ領域が
、第二〇Ｎ領域内に第三〇Ｐ領領域それぞｉ１形成され
、基板本来の第一のＰ領域、第二のＰ領域、第一、第二
のＮ領域はそれぞれ一つのオームＴｌ： １１１ｔ ｒ
ｌ、極を、第三のＰ領域Ｕｔ’ｉｌｌれて位１ｆｔ′□
Ｊる二つのメーム接触電極をそれぞれ有し、氾−のｐ
４．ｉ＋城の′「（１、極はコレクタ端子に、第二のＰ
領域のη１．イ次丸・よび第二〇Ｎ領域の％、極はエミ
ッタ端子に、第二のＰ６１１域の一方の１１．、極はベ
ース端イにそれぞれνに〕１−へ１１、かつ第一〇Ｎ領
域の電極と第三〇Ｐ領領域他方の′ｒ！１、（−が相互
に接続されていることによって上記の目的を構成する。
２［５二のＮ領域が、第一〇Ｎ領域内に第二のＰ領域が
、第二〇Ｎ領域内に第三〇Ｐ領領域それぞｉ１形成され
、基板本来の第一のＰ領域、第二のＰ領域、第一、第二
のＮ領域はそれぞれ一つのオームＴｌ： １１１ｔ ｒ
ｌ、極を、第三のＰ領域Ｕｔ’ｉｌｌれて位１ｆｔ′□
Ｊる二つのメーム接触電極をそれぞれ有し、氾−のｐ
４．ｉ＋城の′「（１、極はコレクタ端子に、第二のＰ
領域のη１．イ次丸・よび第二〇Ｎ領域の％、極はエミ
ッタ端子に、第二のＰ６１１域の一方の１１．、極はベ
ース端イにそれぞれνに〕１−へ１１、かつ第一〇Ｎ領
域の電極と第三〇Ｐ領領域他方の′ｒ！１、（−が相互
に接続されていることによって上記の目的を構成する。
〔発り１１の実施例〕
第１１＆ｉｉｔ木発つｊの一実施例を示ｔ、、ｐ形シリ
コン基板１内に二つのＮｉ１ｌＩ域２，３が上ｍ１から
の辷択拡散により形成されている。さらにＮ領域２゜３
の内部姉はｒ］び上面からの選択拡散によりＰ領域４，
５が形成されている。このＰ形基板の本来σ・Ｉ）令１
．’ｌ Ｊ＋ｉ４１をコし・フタ領域、ＮｆｌＩ域２を
ベース領域、Ｐ領域４をエミッタ領域としてＰＮＰトラ
ンジスタを払底（７、Ｐ領域５によってベース抵抗を構
成づる。ＪなわちＰ領域５に間隔を（ｆ＋いた二つの電
％６．７をＡ−〕、ｋぞ斤１しさぜ、ベース領域２にＮ
４領坤、２１を介してメーム接触する電極８と電極７と
を枦Ｈ１する。このようにしてＰ領域４の電極９をエミ
ッタ端子Ｅに Ｐ領域５の電極６をベース端子Ｂに、基
板１に２１層１１を介して接触する電極１０をコレクタ
端子Ｃに接続−ノーれ目：ベース抵抗１２を内メ代する
ＰＮＰ トランジスタができ上がるが、このままではＰ
領域５、Ｎ領域３およびＰ領域ｌで構成されるトランジ
スタの寄４Ｆ：、効果が生ずるためＮ領域３にＮ″領域
３１を介して接触する電極１３をエミッタ端子Ｅと杆１
．Ｆ、、ｌ、、してＮ領域３と■〕弔・Ｉ賊５の間に逆
バイアスをかり、γイ斗テ１．す：１１：を昨く。この
結果得られたＰＮＰ ｌ・ランジスクの）価回路（」第
２図に示しだ通りで、二つの宥４１７タイメード１４゜
１５が形成さｔする。
コン基板１内に二つのＮｉ１ｌＩ域２，３が上ｍ１から
の辷択拡散により形成されている。さらにＮ領域２゜３
の内部姉はｒ］び上面からの選択拡散によりＰ領域４，
５が形成されている。このＰ形基板の本来σ・Ｉ）令１
．’ｌ Ｊ＋ｉ４１をコし・フタ領域、ＮｆｌＩ域２を
ベース領域、Ｐ領域４をエミッタ領域としてＰＮＰトラ
ンジスタを払底（７、Ｐ領域５によってベース抵抗を構
成づる。ＪなわちＰ領域５に間隔を（ｆ＋いた二つの電
％６．７をＡ−〕、ｋぞ斤１しさぜ、ベース領域２にＮ
４領坤、２１を介してメーム接触する電極８と電極７と
を枦Ｈ１する。このようにしてＰ領域４の電極９をエミ
ッタ端子Ｅに Ｐ領域５の電極６をベース端子Ｂに、基
板１に２１層１１を介して接触する電極１０をコレクタ
端子Ｃに接続−ノーれ目：ベース抵抗１２を内メ代する
ＰＮＰ トランジスタができ上がるが、このままではＰ
領域５、Ｎ領域３およびＰ領域ｌで構成されるトランジ
スタの寄４Ｆ：、効果が生ずるためＮ領域３にＮ″領域
３１を介して接触する電極１３をエミッタ端子Ｅと杆１
．Ｆ、、ｌ、、してＮ領域３と■〕弔・Ｉ賊５の間に逆
バイアスをかり、γイ斗テ１．す：１１：を昨く。この
結果得られたＰＮＰ ｌ・ランジスクの）価回路（」第
２図に示しだ通りで、二つの宥４１７タイメード１４゜
１５が形成さｔする。
本発明し１、縦方向ＰＮＰ ｌ・ランジスクのＰ形で基
板に別にＮ領域に囲まれたＰ形の抵おｉ’、 ４Ｆｉ
ＪｐＪを形ハ（５しベース領域に接続し、てベース抵抗
として内蔵さ−けると共に、抵抗領域を囲むＮ領埴庖エ
ミツクに・］９４絖して寄生効果を防いだもので、担抗
内メパ３の／（め夕１部接続の必要が々＜、シ、かもト
ランジンクイ′・領域の形成と同一工程で形成できる／
、め上級；ｈよび面相几１価の低減と信頼性の向上か辻
ぜられる。
板に別にＮ領域に囲まれたＰ形の抵おｉ’、 ４Ｆｉ
ＪｐＪを形ハ（５しベース領域に接続し、てベース抵抗
として内蔵さ−けると共に、抵抗領域を囲むＮ領埴庖エ
ミツクに・］９４絖して寄生効果を防いだもので、担抗
内メパ３の／（め夕１部接続の必要が々＜、シ、かもト
ランジンクイ′・領域の形成と同一工程で形成できる／
、め上級；ｈよび面相几１価の低減と信頼性の向上か辻
ぜられる。
第１図は本発明の一実Ｍｌｉ例ｔＺ−＋ ｌｊ：ｌ：
ｉｌＩＩｇｌ、ｆｉｉ ２ しｌ ｌｃｔぞの噌−価回
路図である。 １・・・・・・Ｐ形基板、２・・・・・・ベース領域、
４・・・・ エミッタ領域、５・・・・ベース抵抗領域
、１２・・・・・・ベース抵抗。 代バ人有埋土 山 口 熟 第１図 第２図
ｉｌＩＩｇｌ、ｆｉｉ ２ しｌ ｌｃｔぞの噌−価回
路図である。 １・・・・・・Ｐ形基板、２・・・・・・ベース領域、
４・・・・ エミッタ領域、５・・・・ベース抵抗領域
、１２・・・・・・ベース抵抗。 代バ人有埋土 山 口 熟 第１図 第２図
Claims (1)
- １）Ｐ形半導体基板内に紀−〇Ｎ領域と第二のＮ領域が
？Ｐ−のＮ領域内に第二のＰ領域が、第二のＮ領域内
に第三のＰ領域がそれぞｉｔ影形成れ、ノー・板本来の
Ｐ領域、第二のＰ領域、第一、第二〇Ｎ領昆−はそれぞ
れ一つのオーム接触電極を、第三のＰ領域は離れで位戦
する二つのオーム接触１Ｌ極をそれぞれイ１し、第一の
Ｐ領域のＩＬ 皆はコレクタ端子ｖく六４４４二〇Ｐ領
域の電極および８１′、二〇Ｎ領域の？Ｉ１．極はエミ
ッタ端子に、第三のＰ領域の一力の１１ｊ、極シＪ、ベ
ース端子にそれぞれ接触され、かつ第一のＮ領域の電極
と第三のＰ領域の他方の’Ｔ（ｉ、極が相互に接す、さ
れたことを１１り徴とｊる射・Ｌ方向ＰＮＰ ）ランジ
スタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152742A JPS6045061A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 縦方向ｐνｐトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152742A JPS6045061A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 縦方向ｐνｐトランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045061A true JPS6045061A (ja) | 1985-03-11 |
| JPH0314224B2 JPH0314224B2 (ja) | 1991-02-26 |
Family
ID=15547162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58152742A Granted JPS6045061A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 縦方向ｐνｐトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045061A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6936904B2 (en) | 1997-04-10 | 2005-08-30 | Denso Corporation | Photo sensing integrated circuit device and related circuit adjustment |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5242386A (en) * | 1975-09-30 | 1977-04-01 | Nec Corp | Semiconducteor device |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58152742A patent/JPS6045061A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5242386A (en) * | 1975-09-30 | 1977-04-01 | Nec Corp | Semiconducteor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6936904B2 (en) | 1997-04-10 | 2005-08-30 | Denso Corporation | Photo sensing integrated circuit device and related circuit adjustment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0314224B2 (ja) | 1991-02-26 |
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