JPS6046036A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS6046036A
JPS6046036A JP58153873A JP15387383A JPS6046036A JP S6046036 A JPS6046036 A JP S6046036A JP 58153873 A JP58153873 A JP 58153873A JP 15387383 A JP15387383 A JP 15387383A JP S6046036 A JPS6046036 A JP S6046036A
Authority
JP
Japan
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silanol solution
glass layer
plasma
layer
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58153873A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiji Sagawa
誠二 寒川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6046036A publication Critical patent/JPS6046036A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6342—Liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques or spray coating
    • H—ELECTRICITY
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    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC

Landscapes

  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基板
上の段部の平担化方法に関するものであの段部を平担化
することは配線層等の段切れ等から欠くべからざるもの
である。そのための方法として、シラノール溶液の塗布
による膜形成が用いられることが多い。
すなわち、第１図に示すように、半導体基板１上Ｋ例え
ば配線層としての多結晶シリコン層１を選択的に形成し
た場合（第１図（４））、該層１によって生じる段差を
平担化するために、まず、ＣＶＤによってリンガラス（
Ｐ２Ｏ）層２を形成しく同図＠）、そして、シラノール
容液３を塗布して熱処理によシ硬化している（同図（Ｃ
１）。しかしながら、従来の方法では、シラノール溶液
とＰＳＧ膜２との密着性が悪いために、第１図０に示す
ように、塗布後の熱処理によって、この膜３にクラック
が入ってしまう。
本発明の目的は、シラノール溶液塗布によって形成され
るガラス層のクラック破壊を防止し得る方法を提供する
ことにある。
本発明は、段差を有する半導体上をフレオン系がスプラ
ズマ（ＯＦ、＋０．）で処理してシラノール溶液を塗布
することを特徴とする特 これによりて、シラノール溶液によるガラス層と下地層
との密着性が良くなシ、クラックの発生を防止すること
ができる。
以下、本発明の実施例を示す。第２図は本発明の一実施
例であシ、第１図と同様圧して多線層配線１上にリンガ
ラス層２をＣＶＤ法によシ約１μｍ形成する（第２図（
６）、＠）。次に、第２図０で示すように、ＣＦ、＋０
．プラズマ処理４を施す。この後、シラノール溶液を回
転塗布し、３００℃で６０分、９００℃で６０分の熱処
理を施してガラス層３を形成し、これによってリンガラ
ス層２の平担化をはかったものである。プラズマ処理に
より、ガラス層３とリンガラス層２との密着性がよくな
シ、クラック発生が防止される。
この様に、本発明を用いれば、半導体基板上の段部をな
だらかＫすることが出来、その後の工程において良好な
配線が形成できる。
なお本実施例では、シラノール溶液塗布膜の熱処理は９
００℃で行っているが、用途に応じ適当な温度で良い。
また、シラノール溶液中には、リン等の不純物を添加し
ておいても良い。
【図面の簡単な説明】
第１図（５）乃至０は従来例を示す工程断面図、第２図
（５）乃至０は本発明の一実施例を示す工程断面図であ
る。 １・・・・・・多結晶シリコン層、２・・・・・・リン
ガラス膜、３・・・・・・シラノール溶液塗布により形
成されたガラス膜、４・・・・・・ＣＦ、十〇、プラズ
マ。 Ｚ　ｌ　図 （Ａ） （β） （Ｃ） 身 力！倶 公、゛ ／／ 箭　？　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体上の段部を平担化するためにシラノール溶液を塗
    布する工程を有する半導体装置の製造方法において、フ
    レオン系ガスプラズマ雰囲気中にさらした後に前記シラ
    ノール溶液を塗布することを特徴とする半導体装置の製
    造方法。
JP58153873A 1983-08-23 1983-08-23 半導体装置の製造方法 Pending JPS6046036A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61240636A (ja) * 1985-04-17 1986-10-25 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
US5376591A (en) * 1992-06-05 1994-12-27 Semiconductor Process Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO1999039383A1 (en) * 1998-01-28 1999-08-05 Trikon Equipments Limited Method for treating silicon-containing polymer layers
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JP2011253846A (ja) * 2010-05-31 2011-12-15 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法

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