JPH09167761A - Ｓｏｇ膜の形成方法 - Google Patents
Ｓｏｇ膜の形成方法Info
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- JPH09167761A JPH09167761A JP32611395A JP32611395A JPH09167761A JP H09167761 A JPH09167761 A JP H09167761A JP 32611395 A JP32611395 A JP 32611395A JP 32611395 A JP32611395 A JP 32611395A JP H09167761 A JPH09167761 A JP H09167761A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 下地となる金属配線の保護膜にクラックを生
じさせることのないＳＯＧ膜の形成方法を提供する。 【解決手段】 ＳＯＧ液４を滴下した後、ウェハを５０
０〜１０００rpm 程度の低速で回転させることにより滴
下したＳＯＧ液４をその上面が平坦となるようにＡｌ配
線２およびＳｉ基板１の上方に塗り広げ、ついで、５秒
以内に４８００rpm 以上の高速で回転させることにより
Ａｌ配線２の上方にあたる部分のＳＯＧ液４を除去す
る。これにより、Ａｌ配線２の、隣のＡｌ配線と隣接す
る側Ａと平坦面側ＢとでＳＯＧの量が同程度となる。
じさせることのないＳＯＧ膜の形成方法を提供する。 【解決手段】 ＳＯＧ液４を滴下した後、ウェハを５０
０〜１０００rpm 程度の低速で回転させることにより滴
下したＳＯＧ液４をその上面が平坦となるようにＡｌ配
線２およびＳｉ基板１の上方に塗り広げ、ついで、５秒
以内に４８００rpm 以上の高速で回転させることにより
Ａｌ配線２の上方にあたる部分のＳＯＧ液４を除去す
る。これにより、Ａｌ配線２の、隣のＡｌ配線と隣接す
る側Ａと平坦面側ＢとでＳＯＧの量が同程度となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程において層間絶縁膜の平坦化の目的で用いられるＳ
ＯＧ膜の形成方法に関するものである。
工程において層間絶縁膜の平坦化の目的で用いられるＳ
ＯＧ膜の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、多層
配線化の実施に伴い、各配線間の層間絶縁膜の平坦化が
行われている。層間絶縁膜の平坦化技術としては、従来
より、ＳＯＧ（Spin On Glass） を用いる方法が知られ
ている。例えば、ＳＯＧを用いた平坦化技術の一つが特
開平７−１４２４６４号公報に開示されている。ここに
は、図１３に示されるように、下層配線を覆う保護膜上
の有機物を分解除去した後、ＳＯＧ液を塗布、ベークす
ることで、絶縁性、密着性に優れたＳＯＧ膜を形成する
方法が記載されている。
配線化の実施に伴い、各配線間の層間絶縁膜の平坦化が
行われている。層間絶縁膜の平坦化技術としては、従来
より、ＳＯＧ（Spin On Glass） を用いる方法が知られ
ている。例えば、ＳＯＧを用いた平坦化技術の一つが特
開平７−１４２４６４号公報に開示されている。ここに
は、図１３に示されるように、下層配線を覆う保護膜上
の有機物を分解除去した後、ＳＯＧ液を塗布、ベークす
ることで、絶縁性、密着性に優れたＳＯＧ膜を形成する
方法が記載されている。
【０００３】層間絶縁膜を平坦化する場合、このように
して下層配線を完全に覆う厚いＳＯＧ膜を形成した後、
ウェハ全面にエッチバックを施してＳＯＧ膜の上面を平
坦化するという方法がある。あるいは、エッチバックを
行わずに、塗布したＳＯＧ液をベークする前に比較的高
速でウェハを回転させて、各下層配線間の間隙、または
下層配線の段差部に表面が凹状となったＳＯＧを残すと
いう方法がある。
して下層配線を完全に覆う厚いＳＯＧ膜を形成した後、
ウェハ全面にエッチバックを施してＳＯＧ膜の上面を平
坦化するという方法がある。あるいは、エッチバックを
行わずに、塗布したＳＯＧ液をベークする前に比較的高
速でウェハを回転させて、各下層配線間の間隙、または
下層配線の段差部に表面が凹状となったＳＯＧを残すと
いう方法がある。
【０００４】前者の方法はウェハを均一に平坦化する方
法であるが、エッチバックが必要なために工程数が多く
なるという欠点を持っている。その一方、後者の方法は
ウェハを均一に平坦化するというよりも下層配線の段差
をなだらかにするというものであり、ＳＯＧ液塗布時の
スピンのみで簡単に実施できるため、半導体製造工程に
おいてはこの方法がよく用いられている。
法であるが、エッチバックが必要なために工程数が多く
なるという欠点を持っている。その一方、後者の方法は
ウェハを均一に平坦化するというよりも下層配線の段差
をなだらかにするというものであり、ＳＯＧ液塗布時の
スピンのみで簡単に実施できるため、半導体製造工程に
おいてはこの方法がよく用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＳＯＧ膜の形成方法においては、次のような問題が生じ
ていた。以下、図２を用いて説明する。図２はＳＯＧ膜
の従来の形成方法を示す図であり、図２（ａ）に示すよ
うに、Ｓｉ基板１からなるウェハ上にＡｌによる配線パ
ターン２が形成されている。なお、Ａｌ配線２の膜厚は
７００〜１０００ｎｍ、線幅は０．８〜１．０μｍ、配
線間隔は０．８〜１．２μｍである。
ＳＯＧ膜の形成方法においては、次のような問題が生じ
ていた。以下、図２を用いて説明する。図２はＳＯＧ膜
の従来の形成方法を示す図であり、図２（ａ）に示すよ
うに、Ｓｉ基板１からなるウェハ上にＡｌによる配線パ
ターン２が形成されている。なお、Ａｌ配線２の膜厚は
７００〜１０００ｎｍ、線幅は０．８〜１．０μｍ、配
線間隔は０．８〜１．２μｍである。
【０００６】次に、図２（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板
１表面およびＡｌ配線２表面上に、膜厚１００〜３００
ｎｍ程度のＣＶＤ膜３を形成する。なお、ＣＶＤ膜３と
してはＰＳＧまたはＰ−ＳｉＯが用いられ、これがＡｌ
配線の保護膜となる。
１表面およびＡｌ配線２表面上に、膜厚１００〜３００
ｎｍ程度のＣＶＤ膜３を形成する。なお、ＣＶＤ膜３と
してはＰＳＧまたはＰ−ＳｉＯが用いられ、これがＡｌ
配線の保護膜となる。
【０００７】そして、図２（ｃ）に示すように、ＣＶＤ
膜３の上にＳＯＧ液４を塗布する。この際、ＳＯＧ液４
を滴下すると、ＳＯＧ液４は配線２と配線２の間に溜ま
りやすく、平坦な箇所には溜まりにくい。ついで、ＳＯ
Ｇ液４を滴下したウェハを４５００rpm 前後の回転数で
回転させると、図２（ｄ）に示すように、配線２間のＳ
ＯＧ液４ａの量はそれ程変化しないが、平坦な箇所のＳ
ＯＧ液４ｂは振り切られてしまい、Ａｌ配線２の側壁部
分に残るのみとなる。
膜３の上にＳＯＧ液４を塗布する。この際、ＳＯＧ液４
を滴下すると、ＳＯＧ液４は配線２と配線２の間に溜ま
りやすく、平坦な箇所には溜まりにくい。ついで、ＳＯ
Ｇ液４を滴下したウェハを４５００rpm 前後の回転数で
回転させると、図２（ｄ）に示すように、配線２間のＳ
ＯＧ液４ａの量はそれ程変化しないが、平坦な箇所のＳ
ＯＧ液４ｂは振り切られてしまい、Ａｌ配線２の側壁部
分に残るのみとなる。
【０００８】その後、ウェハにベークを施すことにより
ＳＯＧ膜４の脱水処理を行う。このベーク工程では、３
００〜５００℃の温度で約６０分の熱処理を行うことに
より、ＳＯＧに脱水反応が生じ、層間絶縁膜として完成
する。
ＳＯＧ膜４の脱水処理を行う。このベーク工程では、３
００〜５００℃の温度で約６０分の熱処理を行うことに
より、ＳＯＧに脱水反応が生じ、層間絶縁膜として完成
する。
【０００９】ところで、このベーク工程においては、一
般にＡｌ配線には自身が膨張する方向に内部応力が生
じ、ＣＶＤ膜およびＳＯＧ膜には自身が収縮する方向に
内部応力が生じる。ところが、図２（ｄ）に示したよう
に、一つのＡｌ配線２の上部を見ると、隣のＡｌ配線が
隣接する側（図中符号Ａで示す）と平坦面側（図中符号
Ｂで示す）とでその部分に存在するＳＯＧの量が大きく
異なっている。
般にＡｌ配線には自身が膨張する方向に内部応力が生
じ、ＣＶＤ膜およびＳＯＧ膜には自身が収縮する方向に
内部応力が生じる。ところが、図２（ｄ）に示したよう
に、一つのＡｌ配線２の上部を見ると、隣のＡｌ配線が
隣接する側（図中符号Ａで示す）と平坦面側（図中符号
Ｂで示す）とでその部分に存在するＳＯＧの量が大きく
異なっている。
【００１０】ＳＯＧが少ない平坦面側ＢのＣＶＤ膜３で
はＡｌの膨張によって生じる引張応力が分散されるため
問題は生じない。これに対して、ＳＯＧが多いＡｌ配線
隣接側ＡのＣＶＤ膜３ではＡｌの膨張による引張応力が
ＳＯＧ膜４ａの圧縮応力で抑えられてしまい、逃げるこ
とができない。さらに、こちら側ではＣＶＤ膜３とＳＯ
Ｇ膜４ａとの熱膨張率差による応力も大きくなる。した
がって、Ａｌ配線隣接側Ａと平坦面側Ｂで応力の不均衡
が生じ、Ａｌ配線隣接側ＡのＣＶＤ膜３の角の部分に応
力が集中するため、この部分がはじけるようにＣＶＤ膜
３にクラック５が生じる。その結果、Ａｌ配線２の絶縁
性、信頼性の劣化が生じることになる。
はＡｌの膨張によって生じる引張応力が分散されるため
問題は生じない。これに対して、ＳＯＧが多いＡｌ配線
隣接側ＡのＣＶＤ膜３ではＡｌの膨張による引張応力が
ＳＯＧ膜４ａの圧縮応力で抑えられてしまい、逃げるこ
とができない。さらに、こちら側ではＣＶＤ膜３とＳＯ
Ｇ膜４ａとの熱膨張率差による応力も大きくなる。した
がって、Ａｌ配線隣接側Ａと平坦面側Ｂで応力の不均衡
が生じ、Ａｌ配線隣接側ＡのＣＶＤ膜３の角の部分に応
力が集中するため、この部分がはじけるようにＣＶＤ膜
３にクラック５が生じる。その結果、Ａｌ配線２の絶縁
性、信頼性の劣化が生じることになる。
【００１１】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、下地となる金属配線の保護膜にク
ラックを生じさせることのないＳＯＧ膜の形成方法を提
供することを目的とする。
されたものであって、下地となる金属配線の保護膜にク
ラックを生じさせることのないＳＯＧ膜の形成方法を提
供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のＳＯＧ膜の形成方法は、基板上に形成さ
れた金属配線に保護膜を被覆し、保護膜上に金属配線と
基板上面との段差を低減するためのＳＯＧ膜を回転塗布
により形成する方法において、ＳＯＧ液を基板上に滴下
した後、基板を低速で回転させることにより滴下したＳ
ＯＧ液をその上面が平坦となるように金属配線および基
板の上方に塗り広げ、ついで、基板を高速で回転させる
ことにより少なくとも金属配線の上方にあたる部分のＳ
ＯＧ液を除去することを特徴とするものである。
めに、本発明のＳＯＧ膜の形成方法は、基板上に形成さ
れた金属配線に保護膜を被覆し、保護膜上に金属配線と
基板上面との段差を低減するためのＳＯＧ膜を回転塗布
により形成する方法において、ＳＯＧ液を基板上に滴下
した後、基板を低速で回転させることにより滴下したＳ
ＯＧ液をその上面が平坦となるように金属配線および基
板の上方に塗り広げ、ついで、基板を高速で回転させる
ことにより少なくとも金属配線の上方にあたる部分のＳ
ＯＧ液を除去することを特徴とするものである。
【００１３】より具体的には、ＳＯＧ液を基板上に滴下
した後、基板を低速で回転させる際の回転数を５００〜
１０００rpm とし、その後、基板を高速で回転させる際
の回転数を４８００rpm 以上とし、基板の低速回転と高
速回転の間の時間間隔を５秒以内とすることが望まし
い。
した後、基板を低速で回転させる際の回転数を５００〜
１０００rpm とし、その後、基板を高速で回転させる際
の回転数を４８００rpm 以上とし、基板の低速回転と高
速回転の間の時間間隔を５秒以内とすることが望まし
い。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
１を参照して説明する。図１は本実施の形態のＳＯＧ膜
の形成方法を順を追って示す図である。
１を参照して説明する。図１は本実施の形態のＳＯＧ膜
の形成方法を順を追って示す図である。
【００１５】図１（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１から
なる５インチ径のウェハ上にＡｌによる配線パターン２
が形成されている。なお、Ａｌ配線２の膜厚は７００〜
１０００ｎｍ、線幅は０．８〜１．０μｍ、配線間隔は
０．８〜１．２μｍである。
なる５インチ径のウェハ上にＡｌによる配線パターン２
が形成されている。なお、Ａｌ配線２の膜厚は７００〜
１０００ｎｍ、線幅は０．８〜１．０μｍ、配線間隔は
０．８〜１．２μｍである。
【００１６】次に、図１（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板
１表面およびＡｌ配線２表面上に、膜厚１００〜３００
ｎｍ程度のＣＶＤ膜３を形成する。なお、ＣＶＤ膜３と
してはＰＳＧまたはＰ−ＳｉＯが用いられ、これがＡｌ
配線２の保護膜となる。ここまでの工程は従来の方法と
同様である。
１表面およびＡｌ配線２表面上に、膜厚１００〜３００
ｎｍ程度のＣＶＤ膜３を形成する。なお、ＣＶＤ膜３と
してはＰＳＧまたはＰ−ＳｉＯが用いられ、これがＡｌ
配線２の保護膜となる。ここまでの工程は従来の方法と
同様である。
【００１７】そして、図１（ｃ）に示すように、ＣＶＤ
膜３の上にＳＯＧ液４を塗布する。通常、ＳＯＧ液４は
Ａｌ配線２間のような狭い箇所には入り込みやすく、Ａ
ｌ配線２上やＳｉ基板１上などの比較的広い平坦部には
残りにくいという性質を持っている。そこで、ＳＯＧ液
４がＣＶＤ膜３を完全に覆い、Ａｌ配線２上やＳｉ基板
１上にも充分残るだけの量を滴下する。例えば、径が５
インチのウェハで２〜３ｃｃとする。
膜３の上にＳＯＧ液４を塗布する。通常、ＳＯＧ液４は
Ａｌ配線２間のような狭い箇所には入り込みやすく、Ａ
ｌ配線２上やＳｉ基板１上などの比較的広い平坦部には
残りにくいという性質を持っている。そこで、ＳＯＧ液
４がＣＶＤ膜３を完全に覆い、Ａｌ配線２上やＳｉ基板
１上にも充分残るだけの量を滴下する。例えば、径が５
インチのウェハで２〜３ｃｃとする。
【００１８】ついで、ＳＯＧ液４を滴下したウェハを低
速回転で、例えば回転数５００〜１０００rpm 程度で
０．２〜０．５秒間回転させることにより、Ａｌ配線２
のパターンの有無にかかわらず膜の上面がほぼ平坦とな
るようにＳＯＧ液４を塗り広げる。ついで、回転モータ
の電源を切り、回転数を低下させて回転が完全に止まる
までの間、すなわち、通例、５秒以内に高速回転、例え
ば４８００rpm 以上まで回転数を上げることにより、余
分なＳＯＧ液４だけが振り切られ、図１（ｄ）に示すよ
うに、Ａｌ配線２間の狭い側Ａと広い平坦部側Ｂで同じ
量のＳＯＧ液４が残る。なお、高速回転に上昇させる途
中、再び低速回転を経ることになるが、非常に短い時間
であるため、これは無視できる。
速回転で、例えば回転数５００〜１０００rpm 程度で
０．２〜０．５秒間回転させることにより、Ａｌ配線２
のパターンの有無にかかわらず膜の上面がほぼ平坦とな
るようにＳＯＧ液４を塗り広げる。ついで、回転モータ
の電源を切り、回転数を低下させて回転が完全に止まる
までの間、すなわち、通例、５秒以内に高速回転、例え
ば４８００rpm 以上まで回転数を上げることにより、余
分なＳＯＧ液４だけが振り切られ、図１（ｄ）に示すよ
うに、Ａｌ配線２間の狭い側Ａと広い平坦部側Ｂで同じ
量のＳＯＧ液４が残る。なお、高速回転に上昇させる途
中、再び低速回転を経ることになるが、非常に短い時間
であるため、これは無視できる。
【００１９】例えば低速回転の回転数を５００rpm 未満
とした場合、ウェハ中央部に滴下したＳＯＧ液が充分に
広がらないため、ウェハ中央部チップのＳＯＧ膜４の厚
みとウェハ周辺部チップのＳＯＧ膜４の厚みの差が極め
て大きくなり、特にウェハ周辺部チップのＳＯＧ膜４の
厚みは、図１（ｃ）に示すように、Ａｌ配線２上のＣＶ
Ｄ膜３にまで達することがない。すなわち、ＳＯＧ膜４
が従来技術として示した図２（ｃ）と同じ形態となるた
め、このウェハを回転させることでＡｌ配線２上のＳＯ
Ｇ膜４を除去し、図１（ｄ）に示すように、Ａｌ配線２
間の狭い側Ａと広い平坦部側Ｂで同じ量のＳＯＧ膜４を
残すことができなくなってしまう。したがって、低速回
転時の回転数の下限を５００rpm とする。
とした場合、ウェハ中央部に滴下したＳＯＧ液が充分に
広がらないため、ウェハ中央部チップのＳＯＧ膜４の厚
みとウェハ周辺部チップのＳＯＧ膜４の厚みの差が極め
て大きくなり、特にウェハ周辺部チップのＳＯＧ膜４の
厚みは、図１（ｃ）に示すように、Ａｌ配線２上のＣＶ
Ｄ膜３にまで達することがない。すなわち、ＳＯＧ膜４
が従来技術として示した図２（ｃ）と同じ形態となるた
め、このウェハを回転させることでＡｌ配線２上のＳＯ
Ｇ膜４を除去し、図１（ｄ）に示すように、Ａｌ配線２
間の狭い側Ａと広い平坦部側Ｂで同じ量のＳＯＧ膜４を
残すことができなくなってしまう。したがって、低速回
転時の回転数の下限を５００rpm とする。
【００２０】一方、低速回転の回転数を１０００rpm 以
上とした場合、回転数が増大するにつれてウェハに作用
する遠心力が増大し、ＳＯＧ滴下量に対してウェハの外
に飛ばされるＳＯＧの割合が増大するため、ウェハ内に
残存する、特にＡｌ配線２間を除く部分のＳＯＧの量が
少なくなる。すると、ＳＯＧ膜４の厚みは結局のところ
Ａｌ配線２上のＣＶＤ膜３にまで達することがなく、上
記と同様、広い平坦部側Ｂの膜厚が薄いＳＯＧ膜４しか
形成できない。したがって、低速回転時の回転数の上限
を１０００rpm とする。
上とした場合、回転数が増大するにつれてウェハに作用
する遠心力が増大し、ＳＯＧ滴下量に対してウェハの外
に飛ばされるＳＯＧの割合が増大するため、ウェハ内に
残存する、特にＡｌ配線２間を除く部分のＳＯＧの量が
少なくなる。すると、ＳＯＧ膜４の厚みは結局のところ
Ａｌ配線２上のＣＶＤ膜３にまで達することがなく、上
記と同様、広い平坦部側Ｂの膜厚が薄いＳＯＧ膜４しか
形成できない。したがって、低速回転時の回転数の上限
を１０００rpm とする。
【００２１】また、高速回転の回転数を４８００rpm 未
満とした場合、Ａｌ配線２上のＣＶＤ膜３上にＳＯＧ膜
４が残留してしまい、Ａｌ配線２間のＳＯＧ膜４と平坦
部側のＳＯＧ膜が連続的に繋がるため、所望の半導体構
造が得られない。したがって、高速回転時の回転数の下
限を４８００rpm とする。
満とした場合、Ａｌ配線２上のＣＶＤ膜３上にＳＯＧ膜
４が残留してしまい、Ａｌ配線２間のＳＯＧ膜４と平坦
部側のＳＯＧ膜が連続的に繋がるため、所望の半導体構
造が得られない。したがって、高速回転時の回転数の下
限を４８００rpm とする。
【００２２】さらに、低速回転と高速回転の時間間隔に
ついては、時間間隔が５秒を越えるとウェハが完全に回
転を停止してしまうため、滴下するＳＯＧ液はウェハの
外に飛ばされることなく、ウェハ裏面側に浸透する。と
ころが、ＳＯＧ液がウェハ裏面に浸透すると、その後の
乾燥工程やウェハ搬送工程等で浸透したＳＯＧ液が粉末
状態となってパーティクルの原因となるため、好ましく
ない。したがって、低速回転と高速回転の間の時間間隔
の上限値を５秒とする。なお、この５秒は、通例のスピ
ンコータの場合であって、要はウェハの回転が完全に停
止しない時間であればよい。
ついては、時間間隔が５秒を越えるとウェハが完全に回
転を停止してしまうため、滴下するＳＯＧ液はウェハの
外に飛ばされることなく、ウェハ裏面側に浸透する。と
ころが、ＳＯＧ液がウェハ裏面に浸透すると、その後の
乾燥工程やウェハ搬送工程等で浸透したＳＯＧ液が粉末
状態となってパーティクルの原因となるため、好ましく
ない。したがって、低速回転と高速回転の間の時間間隔
の上限値を５秒とする。なお、この５秒は、通例のスピ
ンコータの場合であって、要はウェハの回転が完全に停
止しない時間であればよい。
【００２３】そして、ＳＯＧ膜４を所定の形状に形成し
た後、ウェハにベークを施すことによりＳＯＧ膜４の脱
水処理を行う。このベーク工程では、３００〜５００℃
の温度で約６０分の熱処理を行うと、ＳＯＧに脱水反応
が生じ、層間絶縁膜として完成する。
た後、ウェハにベークを施すことによりＳＯＧ膜４の脱
水処理を行う。このベーク工程では、３００〜５００℃
の温度で約６０分の熱処理を行うと、ＳＯＧに脱水反応
が生じ、層間絶縁膜として完成する。
【００２４】本実施の形態のＳＯＧ膜の形成方法によれ
ば、図１（ｄ）に示すように、一つのＡｌ配線２を見た
ときに、隣のＡｌ配線と隣接する側Ａと平坦面側Ｂとで
その部分に存在するＳＯＧの量を同じにすることができ
る。そこで、ベーク工程でウェハに熱が加えられたとき
に、Ａｌの熱膨張によるＣＶＤ膜３の引張応力がＳＯＧ
膜４の圧縮応力で抑えられる度合がＡｌ配線隣接側Ａと
平坦面側Ｂとで同程度になり、かつ、ＣＶＤ膜３とＳＯ
Ｇ膜４の熱膨張率差による応力も双方で同程度となる。
ば、図１（ｄ）に示すように、一つのＡｌ配線２を見た
ときに、隣のＡｌ配線と隣接する側Ａと平坦面側Ｂとで
その部分に存在するＳＯＧの量を同じにすることができ
る。そこで、ベーク工程でウェハに熱が加えられたとき
に、Ａｌの熱膨張によるＣＶＤ膜３の引張応力がＳＯＧ
膜４の圧縮応力で抑えられる度合がＡｌ配線隣接側Ａと
平坦面側Ｂとで同程度になり、かつ、ＣＶＤ膜３とＳＯ
Ｇ膜４の熱膨張率差による応力も双方で同程度となる。
【００２５】すなわち、応力がＡｌ配線隣接側Ａと平坦
面側Ｂで均衡し、従来の形成方法を用いた場合のように
応力が片側に集中することがないので、ＣＶＤ膜３にク
ラックが生じることがない。したがって、ＳＯＧ膜がそ
の本来の目的である平坦化の役目を果たすことは勿論、
従来の形成方法に比べて、Ａｌ配線の絶縁性や信頼性を
向上させることができる。
面側Ｂで均衡し、従来の形成方法を用いた場合のように
応力が片側に集中することがないので、ＣＶＤ膜３にク
ラックが生じることがない。したがって、ＳＯＧ膜がそ
の本来の目的である平坦化の役目を果たすことは勿論、
従来の形成方法に比べて、Ａｌ配線の絶縁性や信頼性を
向上させることができる。
【００２６】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば本実施の形態では５インチウェハを用いる場合を例
として示したが、ウェハ径が多少大きくなったとして
も、ＳＯＧの滴下量は数ｃｃ程度あればウェハ回転後に
ウェハ上に残存するＳＯＧの量が飽和状態となるため、
本発明の効果が同様に得られる。したがって、異なる径
のウェハに対しても低速回転および高速回転時のウェハ
の回転数のみを前述した範囲に設定することによって本
発明の方法を実現することができる。
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば本実施の形態では５インチウェハを用いる場合を例
として示したが、ウェハ径が多少大きくなったとして
も、ＳＯＧの滴下量は数ｃｃ程度あればウェハ回転後に
ウェハ上に残存するＳＯＧの量が飽和状態となるため、
本発明の効果が同様に得られる。したがって、異なる径
のウェハに対しても低速回転および高速回転時のウェハ
の回転数のみを前述した範囲に設定することによって本
発明の方法を実現することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
ＳＯＧ膜の形成方法によれば、金属配線のうち、隣の金
属配線と隣接する側と平坦面側でその部分に存在するＳ
ＯＧの量を同程度とすることができるため、ベーク工程
でウェハに熱を加えたときに保護膜中に生じる金属配線
の熱膨張による引張応力、ＳＯＧ膜の圧縮応力を金属配
線側と平坦面側で均衡させることができる。したがっ
て、従来の形成方法を用いた場合のように応力が片側に
集中することがないので、金属配線を覆う保護膜にクラ
ックが生じることがなく、金属配線の絶縁性や信頼性を
向上させることができる。
ＳＯＧ膜の形成方法によれば、金属配線のうち、隣の金
属配線と隣接する側と平坦面側でその部分に存在するＳ
ＯＧの量を同程度とすることができるため、ベーク工程
でウェハに熱を加えたときに保護膜中に生じる金属配線
の熱膨張による引張応力、ＳＯＧ膜の圧縮応力を金属配
線側と平坦面側で均衡させることができる。したがっ
て、従来の形成方法を用いた場合のように応力が片側に
集中することがないので、金属配線を覆う保護膜にクラ
ックが生じることがなく、金属配線の絶縁性や信頼性を
向上させることができる。
【図１】本発明の一実施の形態であるＳＯＧの形成方法
を順を追って示す図である。
を順を追って示す図である。
【図２】従来のＳＯＧの形成方法を順を追って示す図で
ある。
ある。
１ Ｓｉ基板 ２ Ａｌ配線（金属配線） ３ ＣＶＤ膜（保護膜） ４，４ａ，４ｂ ＳＯＧ膜（ＳＯＧ液） ５ クラック
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に形成された金属配線に保護膜を
被覆し、該保護膜上に前記金属配線と基板上面との段差
を低減するためのＳＯＧ膜を回転塗布により形成する方
法において、 ＳＯＧ液を基板上に滴下した後、該基板を低速で回転さ
せることにより滴下したＳＯＧ液をその上面が平坦とな
るように金属配線および基板の上方に塗り広げ、つい
で、基板を高速で回転させることにより少なくとも金属
配線の上方にあたる部分のＳＯＧ液を除去することを特
徴とするＳＯＧ膜の形成方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＳＯＧ膜の形成方法に
おいて、 前記ＳＯＧ液を前記基板上に滴下した後、該基板を低速
で回転させる際の回転数を５００〜１０００rpm とし、
その後、基板を高速で回転させる際の回転数を４８００
rpm 以上とすることを特徴とするＳＯＧ膜の形成方法。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載のＳＯＧ膜の形
成方法において、 前記基板の低速回転と高速回転の間の時間間隔を５秒以
内とすることを特徴とするＳＯＧ膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32611395A JPH09167761A (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | Ｓｏｇ膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32611395A JPH09167761A (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | Ｓｏｇ膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09167761A true JPH09167761A (ja) | 1997-06-24 |
Family
ID=18184238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32611395A Withdrawn JPH09167761A (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | Ｓｏｇ膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09167761A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010003577A (ko) * | 1999-06-24 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법 |
| JP2011253846A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-12-14 JP JP32611395A patent/JPH09167761A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010003577A (ko) * | 1999-06-24 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법 |
| JP2011253846A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030304 |