JPS6046149B2 - 低速電子線用螢光体 - Google Patents
低速電子線用螢光体Info
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- JPS6046149B2 JPS6046149B2 JP57038549A JP3854982A JPS6046149B2 JP S6046149 B2 JPS6046149 B2 JP S6046149B2 JP 57038549 A JP57038549 A JP 57038549A JP 3854982 A JP3854982 A JP 3854982A JP S6046149 B2 JPS6046149 B2 JP S6046149B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は青色の発光を呈する低速電子線用螢光体に関
し、さらに詳しくは特定の粒子径分布を有する導電性金
属酸化物（Ｉｎ。
し、さらに詳しくは特定の粒子径分布を有する導電性金
属酸化物（Ｉｎ。
Ｏ。、ＳｎＯ。、ＺｎＯ）のうち少くとも１つと、特定
の青色螢光体のうち少くとも１つとを適当量混合してな
る低速電子線用螢光体に関するものである。 従来、低
速電子線励起によつて高輝度の青色発光を示す発光組成
物としては、酸化インジウム（Ｉｎ。
の青色螢光体のうち少くとも１つとを適当量混合してな
る低速電子線用螢光体に関するものである。 従来、低
速電子線励起によつて高輝度の青色発光を示す発光組成
物としては、酸化インジウム（Ｉｎ。
Ｏ０）と、銀付活硫化亜鉛螢光体（ＺｎＳ：Ａｇ）とを
１：９〜９：１の重量比で混合してなる発光組成物（特
公昭５２−２３９１１号公報参照）、および酸化亜鉛（
ＺｎＯ）とＺｎＳ：Ａｇとを１：９〜９：１の重量比て
混合してなる発光組成物（特公昭５３一２５７ｍ号公報
および特定の粒子径分布を有するＩｎ。Ｏ。あるいはＳ
ｎＯ。、ＺｎＯＩ■、ＺｎＳ１Ａｇとを１／９９〜１／
４の重量比で混してなる発光組成物（特開昭５５−２３
１０６号公報参照）が知られている。これらの発光組成
物は加速電圧ＩＫＶ以下、特に１００Ｖ以下の低速電子
線励起下て青色発光を示すが、実用的な面からさらに発
光輝度の向上が望まれている。 本発明は加速電圧がＩ
ＫＶ以下、特に１００Ｖ以下の低速電子線励起下におい
て、発光輝度を向上させる青色発光組成物を提供するこ
とを目的とするものてあり、以下、本発明の一実施例を
図面によつて説明する。
１：９〜９：１の重量比で混合してなる発光組成物（特
公昭５２−２３９１１号公報参照）、および酸化亜鉛（
ＺｎＯ）とＺｎＳ：Ａｇとを１：９〜９：１の重量比て
混合してなる発光組成物（特公昭５３一２５７ｍ号公報
および特定の粒子径分布を有するＩｎ。Ｏ。あるいはＳ
ｎＯ。、ＺｎＯＩ■、ＺｎＳ１Ａｇとを１／９９〜１／
４の重量比で混してなる発光組成物（特開昭５５−２３
１０６号公報参照）が知られている。これらの発光組成
物は加速電圧ＩＫＶ以下、特に１００Ｖ以下の低速電子
線励起下て青色発光を示すが、実用的な面からさらに発
光輝度の向上が望まれている。 本発明は加速電圧がＩ
ＫＶ以下、特に１００Ｖ以下の低速電子線励起下におい
て、発光輝度を向上させる青色発光組成物を提供するこ
とを目的とするものてあり、以下、本発明の一実施例を
図面によつて説明する。
本発明者等は螢光体と導電性金属酸化物とを混合して
なる青色発光組成物の発光輝度を何上させるためには導
電性金属酸化物の粒子径ができるだけ小さい方が好まし
いとの視点から、従来知られている特定の粒子径分布を
もつ導電性金属酸化物と青色発光螢光体とを混合した青
色発光組成物（特願昭５５−２３１０６号公報参照）に
注目し、種々の研究を行つた。
なる青色発光組成物の発光輝度を何上させるためには導
電性金属酸化物の粒子径ができるだけ小さい方が好まし
いとの視点から、従来知られている特定の粒子径分布を
もつ導電性金属酸化物と青色発光螢光体とを混合した青
色発光組成物（特願昭５５−２３１０６号公報参照）に
注目し、種々の研究を行つた。
この結果導電性金属酸化物の粒子径のみならず質の向上
を計りより低い低速電子線励起でも発光効率の高い材料
を作る必要性のあることを見い出した。 従来の導電性
金属酸化物を得る方法は一般試薬をそのまま用いる方法
や、一般試薬あるいは市販の金属イオンを含んだ炭酸塩
、硫酸塩、蓚酸塩、水酸化物等を空気中で焼成して得る
方法である。
を計りより低い低速電子線励起でも発光効率の高い材料
を作る必要性のあることを見い出した。 従来の導電性
金属酸化物を得る方法は一般試薬をそのまま用いる方法
や、一般試薬あるいは市販の金属イオンを含んだ炭酸塩
、硫酸塩、蓚酸塩、水酸化物等を空気中で焼成して得る
方法である。
これらの方法では一般試薬に含まれる不純物および市販
の金属イオンを含む炭酸塩、硫酸塩、蓚酸塩、水酸化物
等ではこれら化合物を生成する過程に混入する不純物等
によつて導電性金属酸化物の純度が低下し、純度を高め
ることは出来なかつた。本発明者等は、一般試薬を硝酸
あるいは塩酸等により溶解し、蓚酸あるいはアンモニア
水等により蓚酸化合物あるいは水酸化合物を作成し水洗
、乾燥した後この化合物を空気中で焼成し、〔これらを
全てクリーンルームで処理すると共に専用電気炉の試作
等により〕高純度な導電性金属酸化物を得た。
の金属イオンを含む炭酸塩、硫酸塩、蓚酸塩、水酸化物
等ではこれら化合物を生成する過程に混入する不純物等
によつて導電性金属酸化物の純度が低下し、純度を高め
ることは出来なかつた。本発明者等は、一般試薬を硝酸
あるいは塩酸等により溶解し、蓚酸あるいはアンモニア
水等により蓚酸化合物あるいは水酸化合物を作成し水洗
、乾燥した後この化合物を空気中で焼成し、〔これらを
全てクリーンルームで処理すると共に専用電気炉の試作
等により〕高純度な導電性金属酸化物を得た。
即ち、高純度てしかも特定の粒子径分布を有するＩｒｌ
２Ｏ３あるいはＺｎＯを適当量用いた場合には、発光輝
度の向上した発光組成物が得られることを見出し、さら
にこのような効果はＩｎ２Ｏ３、ＺｎＯに限らず、これ
らの代りに酸化錫（ＳｎＯ２）酸化チタン（ＴｉＯ２）
、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ニオブ（Ｎｂ，Ｏ
３）等の高純度な導電性金属酸化物を用いた場合につい
ても得られ、また組成物のもう一方の構成成分である青
色発光螢光体についても、硫化亜鉛螢光体（ＺｎＳ：Ａ
ｇ）に限らず、銀およびアルミニウム付活硫化亜鉛螢光
体（ＺｎＳ：Ａｇ，．Ａｌ）、銀付活硫セレン化亜鉛螢
光体〔Ｚｎ（ＳｌＳｅ）：Ａｇ〕、銀およびアルミニウ
ム付活硫セレン化亜鉛螢光体〔Ｚｎ（Ｓ．．Ｓｅ）：Ａ
ｇｌＮ〕について上記と同様の効果が得られることを見
い出したものであり、本発明はその研究結果に基いてな
されたものである。本発明の発光組成物の構成成分であ
る導電性物質に用いられる導電性金属酸化物としては、
Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ．．ｓｎＯ２、ＴｌＯ２、ＷＯ３、
ＮＹ）２０５等が挙げられる。
２Ｏ３あるいはＺｎＯを適当量用いた場合には、発光輝
度の向上した発光組成物が得られることを見出し、さら
にこのような効果はＩｎ２Ｏ３、ＺｎＯに限らず、これ
らの代りに酸化錫（ＳｎＯ２）酸化チタン（ＴｉＯ２）
、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ニオブ（Ｎｂ，Ｏ
３）等の高純度な導電性金属酸化物を用いた場合につい
ても得られ、また組成物のもう一方の構成成分である青
色発光螢光体についても、硫化亜鉛螢光体（ＺｎＳ：Ａ
ｇ）に限らず、銀およびアルミニウム付活硫化亜鉛螢光
体（ＺｎＳ：Ａｇ，．Ａｌ）、銀付活硫セレン化亜鉛螢
光体〔Ｚｎ（ＳｌＳｅ）：Ａｇ〕、銀およびアルミニウ
ム付活硫セレン化亜鉛螢光体〔Ｚｎ（Ｓ．．Ｓｅ）：Ａ
ｇｌＮ〕について上記と同様の効果が得られることを見
い出したものであり、本発明はその研究結果に基いてな
されたものである。本発明の発光組成物の構成成分であ
る導電性物質に用いられる導電性金属酸化物としては、
Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ．．ｓｎＯ２、ＴｌＯ２、ＷＯ３、
ＮＹ）２０５等が挙げられる。
特に得られる組成物の発光輝度の点からＩｒｌ２Ｏ３、
ＳｎＯ２、およびＺｎＯがより好ましい。なお、Ｉｎ２
Ｏ３とＳｎＯ２とを比較すると、青色発光螢光体が同一
である場合、一般に加速電圧が６０Ｖ以下の場合はＩｎ
２Ｏ３を用いた組成物の方がＳｎＯ２を用いた組成物よ
りも発光輝度が高く、加速電圧が６０Ｖよりも高い楊合
にはその逆となる。これら導電性金属酸化物は中央値が
０．１〜２．４μ、標準偏差値（以下標準偏差はすべて
１０ｇσをいう）が０．７以下の粒子径分布を有するも
のが用いられる。
ＳｎＯ２、およびＺｎＯがより好ましい。なお、Ｉｎ２
Ｏ３とＳｎＯ２とを比較すると、青色発光螢光体が同一
である場合、一般に加速電圧が６０Ｖ以下の場合はＩｎ
２Ｏ３を用いた組成物の方がＳｎＯ２を用いた組成物よ
りも発光輝度が高く、加速電圧が６０Ｖよりも高い楊合
にはその逆となる。これら導電性金属酸化物は中央値が
０．１〜２．４μ、標準偏差値（以下標準偏差はすべて
１０ｇσをいう）が０．７以下の粒子径分布を有するも
のが用いられる。
央央値が上記範囲外であり、標準偏差値が０．７より大
きい粒度分布を有するものは得られる組成物の発光輝度
が低く使用に適さない。より好ましい中央値範囲は導電
性物質と混合される青色発光螢光体の種類等によつて異
るが、一般には０．４〜０．９μである。また標準偏差
値は中央値が一定である場合に、できるだけ小さい方が
好ましく、一般には０．５以下であるのが好ましい。上
記のような粒子径分布を有する導電性金属酸化物は一般
試薬を硝酸あるいは塩酸等で溶解し、蓚酸あるいはアン
モニア水等で蓚酸化合物、水酸″化合物を作成し水洗乾
燥した後空気中で焼成して金属酸化物を得る。又はこれ
を分級することによつて得る。本発明のような方法によ
つて得た金属酸化物は従来からの金属酸化物に比較して
本発明の方法によつて得た金属酸化物の方が非常に高純
度でありかつ粒子径の揃つた金属酸化物が得られるから
であり、従つて本発明の方法により得られる金属酸化物
を用いた方が従来から知られている方法て作成した金属
酸化物を用いた場合より発光効率の高くしかも安定性の
よい発光組成物を得ることができる。一方本発明の発光
組成物のもう１つの構成成分である青色発光成分螢光体
に用いられるＺｎＳ：Ａｇ螢光体、ＺｎＳ：Ａｇ，．Ａ
ｌ螢光体、Ｚｎ（ＳｌＳｅ）：Ａｇ螢光体、Ｚｎ（Ｓ．
．Ｓｅ）：Ａｇ．Ａｌ螢光体は従来知られている製造方
法によつて、製造されたものである。
きい粒度分布を有するものは得られる組成物の発光輝度
が低く使用に適さない。より好ましい中央値範囲は導電
性物質と混合される青色発光螢光体の種類等によつて異
るが、一般には０．４〜０．９μである。また標準偏差
値は中央値が一定である場合に、できるだけ小さい方が
好ましく、一般には０．５以下であるのが好ましい。上
記のような粒子径分布を有する導電性金属酸化物は一般
試薬を硝酸あるいは塩酸等で溶解し、蓚酸あるいはアン
モニア水等で蓚酸化合物、水酸″化合物を作成し水洗乾
燥した後空気中で焼成して金属酸化物を得る。又はこれ
を分級することによつて得る。本発明のような方法によ
つて得た金属酸化物は従来からの金属酸化物に比較して
本発明の方法によつて得た金属酸化物の方が非常に高純
度でありかつ粒子径の揃つた金属酸化物が得られるから
であり、従つて本発明の方法により得られる金属酸化物
を用いた方が従来から知られている方法て作成した金属
酸化物を用いた場合より発光効率の高くしかも安定性の
よい発光組成物を得ることができる。一方本発明の発光
組成物のもう１つの構成成分である青色発光成分螢光体
に用いられるＺｎＳ：Ａｇ螢光体、ＺｎＳ：Ａｇ，．Ａ
ｌ螢光体、Ｚｎ（ＳｌＳｅ）：Ａｇ螢光体、Ｚｎ（Ｓ．
．Ｓｅ）：Ａｇ．Ａｌ螢光体は従来知られている製造方
法によつて、製造されたものである。
これら螢光体は一般に中央値が１μ〜２０μ、標準偏差
値が０．７以下の粒子径分布を有している。本発明にお
いて特に好ましいのは中央値が３μ〜１０μのものであ
る。これらの螢光体の中で特に得られる組成物の発光輝
度の点からＺｎＳ：Ａｇ螢光体、ＺｎＳ：Ａｇ．．Ａｌ
螢光体を用いるのが好ましい。本発明の発光組成物は上
述の導電性物質と青色発光螢光体とを乳鉢、ボールミル
、ミキサーミル等によつて得ることができる。
値が０．７以下の粒子径分布を有している。本発明にお
いて特に好ましいのは中央値が３μ〜１０μのものであ
る。これらの螢光体の中で特に得られる組成物の発光輝
度の点からＺｎＳ：Ａｇ螢光体、ＺｎＳ：Ａｇ．．Ａｌ
螢光体を用いるのが好ましい。本発明の発光組成物は上
述の導電性物質と青色発光螢光体とを乳鉢、ボールミル
、ミキサーミル等によつて得ることができる。
両者は導電性物質／青色発光螢光体の値が１／１４〜１
４／１となる重量比で混合される導電物質の値が１／１
４より小さいとき、導電物質によるチャージアップ防止
効果は得られず、従つて組成物はその特性が青色発光螢
光体に近いものとなり、低速電子線励起下で発光しなく
なる。一方導電性物質／青色発光螢光体の値が１４／１
より大きいとき、得られる組成物は発光は非常に弱いそ
のとなる。これはチャージアップ防止効果は充分である
が、導電物質によつて螢光体からの発光が遮われるため
であると考えられる。本発明で得られる発光組成物を例
えば第１図に示すような低速電子線励起装置１内にセッ
トして、カソード２からの熱電子３をグリッド４を通し
て発光面５に照射することにより低速電子線で十分明る
い発光をさせることができる。
４／１となる重量比で混合される導電物質の値が１／１
４より小さいとき、導電物質によるチャージアップ防止
効果は得られず、従つて組成物はその特性が青色発光螢
光体に近いものとなり、低速電子線励起下で発光しなく
なる。一方導電性物質／青色発光螢光体の値が１４／１
より大きいとき、得られる組成物は発光は非常に弱いそ
のとなる。これはチャージアップ防止効果は充分である
が、導電物質によつて螢光体からの発光が遮われるため
であると考えられる。本発明で得られる発光組成物を例
えば第１図に示すような低速電子線励起装置１内にセッ
トして、カソード２からの熱電子３をグリッド４を通し
て発光面５に照射することにより低速電子線で十分明る
い発光をさせることができる。
第２図はＩｎ２Ｏ３とＺｎＳ：Ａｇ螢光体とを混合して
発光組成物におけるＩｎ２Ｏ３含有量（重量％）と組成
物の発光輝度との関係を示すグラフであり、曲線Ａ，ｂ
およびｃはそれぞれ標準偏差値はいずれも０．４である
が中央値がそれぞれ０．３μ、０．６μ、１．５μであ
るＩｒｌ２Ｏ３を用いた場合である。
発光組成物におけるＩｎ２Ｏ３含有量（重量％）と組成
物の発光輝度との関係を示すグラフであり、曲線Ａ，ｂ
およびｃはそれぞれ標準偏差値はいずれも０．４である
が中央値がそれぞれ０．３μ、０．６μ、１．５μであ
るＩｒｌ２Ｏ３を用いた場合である。
なお第２図において、発光輝度（縦軸）は曲線での最大
発光輝度を１００％とした相対値で表わしてある。第２
図から明らかなように、Ｉｎ２Ｏ３の中央値が小さくな
ればなるほど、最大発光輝度を得るのに必要なＩｒｌ２
Ｏ３含有量は小さくなる。すなわち、中央値が小さいＩ
ｎ２Ｏ３を用いれば、中央値がより大きいＩｎ２Ｏ３を
用いた場合よりも少いＩｎ２Ｏ３含有量で高輝度の発光
を得ることができる。また第２図から明らかなように各
中央値における最大発光輝度を比較した場合、Ｉｎ２Ｏ
３の中央値が０．６μで最大発光輝度は最も高くなる。
第３図は、第２図と同じくＩｎ２Ｏ３とＺｎＳ：Ａｇ螢
光体とを混合した発光組成物において、標準偏差を一定
（１０ｇσ＝０．４）とした場合のＩｎ２Ｏ３の中央値
と組成物の最大発光輝度との関係を示すグラフてある。
発光輝度を１００％とした相対値で表わしてある。第２
図から明らかなように、Ｉｎ２Ｏ３の中央値が小さくな
ればなるほど、最大発光輝度を得るのに必要なＩｒｌ２
Ｏ３含有量は小さくなる。すなわち、中央値が小さいＩ
ｎ２Ｏ３を用いれば、中央値がより大きいＩｎ２Ｏ３を
用いた場合よりも少いＩｎ２Ｏ３含有量で高輝度の発光
を得ることができる。また第２図から明らかなように各
中央値における最大発光輝度を比較した場合、Ｉｎ２Ｏ
３の中央値が０．６μで最大発光輝度は最も高くなる。
第３図は、第２図と同じくＩｎ２Ｏ３とＺｎＳ：Ａｇ螢
光体とを混合した発光組成物において、標準偏差を一定
（１０ｇσ＝０．４）とした場合のＩｎ２Ｏ３の中央値
と組成物の最大発光輝度との関係を示すグラフてある。
第３図において最大発光輝度（縦軸）は、中央値が１．
５μであるＩｎ２Ｏ３を用いた組成物の，最大発光輝度
を１００％とした相対値で表わしてある。第３図から明
らかなように、央央値がおよそ０．５μまでは中央値が
小さくなればなるほど、最大発光輝度は向上し、およそ
０．５〜０．６μて極大となるが、中央値をさらに小さ
くすると、最大輝度は逆に低下しはじめる傾向にある。
５μであるＩｎ２Ｏ３を用いた組成物の，最大発光輝度
を１００％とした相対値で表わしてある。第３図から明
らかなように、央央値がおよそ０．５μまでは中央値が
小さくなればなるほど、最大発光輝度は向上し、およそ
０．５〜０．６μて極大となるが、中央値をさらに小さ
くすると、最大輝度は逆に低下しはじめる傾向にある。
従来の方法により作成されたＩｒｌ２Ｏ３は通常２０μ
〜３０μの中央値を有しかつ純度が悪いこのＩｎ２Ｏ３
を用いた発光組成物の発光輝度を基準として考えれば本
発明による方法により作成した金属酸化物の中央値が０
．１〜２．４μの１ｆ０３を選択的に用いた場合に発光
輝度の向上した発光組成物を得ることができることがわ
かる。特に中央値が０．４〜０．９μのＩｎ２Ｏ３を用
いた場合、発光輝度は著るしく向上した組成物を得るこ
とができる。なお標準偏差値もまた組成物の発光輝度に
影響を及ぼす。
〜３０μの中央値を有しかつ純度が悪いこのＩｎ２Ｏ３
を用いた発光組成物の発光輝度を基準として考えれば本
発明による方法により作成した金属酸化物の中央値が０
．１〜２．４μの１ｆ０３を選択的に用いた場合に発光
輝度の向上した発光組成物を得ることができることがわ
かる。特に中央値が０．４〜０．９μのＩｎ２Ｏ３を用
いた場合、発光輝度は著るしく向上した組成物を得るこ
とができる。なお標準偏差値もまた組成物の発光輝度に
影響を及ぼす。
すなわち、上記０．１〜２．４ｐの中央値範囲において
は標準偏差値が大きくなるに従つて、発光輝度は低下す
る傾向にある。これは標準偏差値が大きくなればなる程
発光輝度への寄与率の低い大きな粒子および小さな粒子
をより多く含むようになるためである。この点から標準
偏差値は０．７以下と定められる。より好ましくは０．
５以下である。なお第２図、第３図はＩｎ２Ｏ３とＺｎ
Ｓ：Ａｇ螢光体とを混合した発光組成物についてのグラ
フであるが、Ｉｎ２Ｏ３の代りに他の導電粉を用いた楊
合、あ門るいはＺｎＳ：Ａｇ螢光体の代りに他の青色螢
光体を用いた場合も第２図、第３図と同じ傾向が得られ
た。
は標準偏差値が大きくなるに従つて、発光輝度は低下す
る傾向にある。これは標準偏差値が大きくなればなる程
発光輝度への寄与率の低い大きな粒子および小さな粒子
をより多く含むようになるためである。この点から標準
偏差値は０．７以下と定められる。より好ましくは０．
５以下である。なお第２図、第３図はＩｎ２Ｏ３とＺｎ
Ｓ：Ａｇ螢光体とを混合した発光組成物についてのグラ
フであるが、Ｉｎ２Ｏ３の代りに他の導電粉を用いた楊
合、あ門るいはＺｎＳ：Ａｇ螢光体の代りに他の青色螢
光体を用いた場合も第２図、第３図と同じ傾向が得られ
た。
本発明の発光組成物において、導電性金属酸化物の中央
値が０．１μ〜２．４μ、標準偏差値が０．７以下の粒
子径分布を有するものと限定し、また導・電性物質と青
色螢光体との混合重量比を１４／１〜１／１４と限定し
たのは上述の知見に基いている。以上述べたように本発
明は加速電圧が１Ｋ■以下特に１００■以下の低速電子
線励起下における発光輝度の向上した青色発光組成物を
提供するものてあり、その工業的利用価値は大きい。次
に本発明の具体的実施例を説明する。
値が０．１μ〜２．４μ、標準偏差値が０．７以下の粒
子径分布を有するものと限定し、また導・電性物質と青
色螢光体との混合重量比を１４／１〜１／１４と限定し
たのは上述の知見に基いている。以上述べたように本発
明は加速電圧が１Ｋ■以下特に１００■以下の低速電子
線励起下における発光輝度の向上した青色発光組成物を
提供するものてあり、その工業的利用価値は大きい。次
に本発明の具体的実施例を説明する。
実施例１
１Ｒｌ２Ｏ３試薬を溶解し、アンモニア水を加えて、水
酸化物を沈澱させ、水洗し？過乾燥した後、１２００′
Ｃで１時間空気中で焼成した後、粉砕し、その後分級し
中央値が１．５μ、標準偏差値が０．４の粒子径分布を
有するＩｎ２Ｏ３６ｇと通常の製造方法で製造した中央
値が６μ、標準偏差値が０．３５の粒子径分布を有する
ＺｎＳ：Ａｇ螢光体４ｆとを乳鉢を用い充分混合した後
、混合物から３０ｍｇをとり第１図に示す装置内に装着
した。
酸化物を沈澱させ、水洗し？過乾燥した後、１２００′
Ｃで１時間空気中で焼成した後、粉砕し、その後分級し
中央値が１．５μ、標準偏差値が０．４の粒子径分布を
有するＩｎ２Ｏ３６ｇと通常の製造方法で製造した中央
値が６μ、標準偏差値が０．３５の粒子径分布を有する
ＺｎＳ：Ａｇ螢光体４ｆとを乳鉢を用い充分混合した後
、混合物から３０ｍｇをとり第１図に示す装置内に装着
した。
装着は真空室１内に設置されている絶縁基板７上の陽極
６の上にその組成物５を設けることにより行つた。この
装置の内部を１×１０−９Ｔ０ｒｒ以下に排気した後、
酸化物コートフィラメント２を活性化し、フィラメント
電流０．０９ｒｒ１，Ａで熱電子３を発生させ、グリッ
ド４と陽極６の間にＯ〜１５０■の電圧を印加したとこ
ろ１５Ｖ付近から青色発光がみられ、３０Ｖで７０Ｆ′
Ｔ．Ｌの輝度が得られた。実施例２ 実施例１と同様にして作成したＩｎ２Ｏ３を分級し、中
央値が０．６μ、標準偏差０．４の粒子径分布を有すＩ
ｎ２Ｏ３３Ｖと、実施例１と同じＺｎＳ：Ａｇ螢光体７
ｙとを乳鉢を用い混合した。
６の上にその組成物５を設けることにより行つた。この
装置の内部を１×１０−９Ｔ０ｒｒ以下に排気した後、
酸化物コートフィラメント２を活性化し、フィラメント
電流０．０９ｒｒ１，Ａで熱電子３を発生させ、グリッ
ド４と陽極６の間にＯ〜１５０■の電圧を印加したとこ
ろ１５Ｖ付近から青色発光がみられ、３０Ｖで７０Ｆ′
Ｔ．Ｌの輝度が得られた。実施例２ 実施例１と同様にして作成したＩｎ２Ｏ３を分級し、中
央値が０．６μ、標準偏差０．４の粒子径分布を有すＩ
ｎ２Ｏ３３Ｖと、実施例１と同じＺｎＳ：Ａｇ螢光体７
ｙとを乳鉢を用い混合した。
得られる組成物を用い実施例１と同様にして低速電子線
で励起したところ、１５Ｖ付近から青色発光がみられ、
３０Ｖで１２０Ｆ′Ｔ．Ｌの輝度が得られた。実施例３ 実施例１と同様にして作成したＳｎＯ２を分級し、中央
値が０．５μ標準偏差０．４の粒子径分布を有するＳｎ
Ｏ２３ｙと実施例１と同じＺｎＳ：Ａｇ螢光体７ｙとを
乳鉢を用い混合した。
で励起したところ、１５Ｖ付近から青色発光がみられ、
３０Ｖで１２０Ｆ′Ｔ．Ｌの輝度が得られた。実施例３ 実施例１と同様にして作成したＳｎＯ２を分級し、中央
値が０．５μ標準偏差０．４の粒子径分布を有するＳｎ
Ｏ２３ｙと実施例１と同じＺｎＳ：Ａｇ螢光体７ｙとを
乳鉢を用い混合した。
得られる組成分を用い実施例１と同様にして低速電子線
で励起したところ１８Ｖ付近から青色発光がみられ３０
Ｖで９０Ｆｔ．Ｌの輝度が得られた。したがつて、本発
明によれば、低速電子線励起下における青色発光組成物
の発光輝度を向上できる効果を有するものである。
で励起したところ１８Ｖ付近から青色発光がみられ３０
Ｖで９０Ｆｔ．Ｌの輝度が得られた。したがつて、本発
明によれば、低速電子線励起下における青色発光組成物
の発光輝度を向上できる効果を有するものである。
第１図は低速電子線励起用デマウンタブル装置を示す断
面図、第２図はＩｎ２Ｏ３と、ＺｎＳ：Ａｇとの混合重
量比に対する発光強度を示す図、第３図は・Ｉｎ２Ｏ３
とＺｎＳ：Ａｇ螢光体とを混合した発光組成物において
標準偏差を一定とした場合のＩｎ２Ｏ３の中央値と組成
物の最大発光輝度との関係を示すグラフである。
面図、第２図はＩｎ２Ｏ３と、ＺｎＳ：Ａｇとの混合重
量比に対する発光強度を示す図、第３図は・Ｉｎ２Ｏ３
とＺｎＳ：Ａｇ螢光体とを混合した発光組成物において
標準偏差を一定とした場合のＩｎ２Ｏ３の中央値と組成
物の最大発光輝度との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 中央値が０．１μ〜２．４μ、標準偏差（ｌｏｇθ
）が０．７以下である粒子径分布を有する導電性金属酸
化物（Ｉｎ＿２Ｏ＿３、ＳｎＯ＿２、ＺｎＯ）のうち少
くとも一つと、青色発光螢光体である銀付活硫化亜鉛螢
光体（ＺｎＳ：Ａｇ）、銀およびアルミニウム付活螢光
体（ＺｎＳ：Ａｇ、Ａｌ）、銀付活硫セレン化亜鉛螢光
体〔Ｚｎ（Ｓ、Ｓｅ）：Ａｇ〕、銀およびアルミニウム
付活硫セレン化亜鉛螢光体〔Ｚｎ（Ｓ、Ｓｅ）：Ａｇ）
Ａｌ〕のうち少くとも１つとを１４：１〜１：１４の重
量比で混合してなる低速電子線用螢光体。 ２ 前記青色発光螢光体の中央値が３μ〜１０μである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の低速電子
線用螢光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57038549A JPS6046149B2 (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 低速電子線用螢光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57038549A JPS6046149B2 (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 低速電子線用螢光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58157888A JPS58157888A (ja) | 1983-09-20 |
| JPS6046149B2 true JPS6046149B2 (ja) | 1985-10-14 |
Family
ID=12528366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57038549A Expired JPS6046149B2 (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 低速電子線用螢光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046149B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5523106A (en) * | 1978-03-22 | 1980-02-19 | Dainippon Toryo Co Ltd | Blue luminescent composition and low speed electron beam-exciting fluorescent display tube |
-
1982
- 1982-03-11 JP JP57038549A patent/JPS6046149B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58157888A (ja) | 1983-09-20 |
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