JPS604618B2 - サイリスタ点弧回路 - Google Patents
サイリスタ点弧回路Info
- Publication number
- JPS604618B2 JPS604618B2 JP54121761A JP12176179A JPS604618B2 JP S604618 B2 JPS604618 B2 JP S604618B2 JP 54121761 A JP54121761 A JP 54121761A JP 12176179 A JP12176179 A JP 12176179A JP S604618 B2 JPS604618 B2 JP S604618B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thyristor
- ignition
- main
- auxiliary
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/79—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar semiconductor switches with more than two PN-junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光点弧補助サィリスタを介して電気点弧主サィ
リスタを点弧するサィリスタ点弧回路に関する。
リスタを点弧するサィリスタ点弧回路に関する。
光で直接点弧されるサィリスタは高い点弧感度を維持し
ながらｄｉ／ｄｔならびにｄｖ／ｄｔ耐量を通常の電気
点弧サィリスタと同程度にすることが困難である。
ながらｄｉ／ｄｔならびにｄｖ／ｄｔ耐量を通常の電気
点弧サィリスタと同程度にすることが困難である。
そこで第１図のように電気点弧主サィリスタ１のゲート
回路に個別素子の光点弧補助サィリスタ２のカソードを
、ゲート電流のピーク値を抑制する抵抗３を介して接続
し、光４を補助サィリスタ２に照射して点弧しその電流
で主サイリスターを点弧する回路が提案されている。こ
の補助サィリスタ２は主回路電流が流れないため素子の
温度上昇が少ないので光点弧感度とｄｖ／ｄｔ耐量との
間の協調がとりやすい。さらに主サイリスタ１は一般の
電気点孤サィリスタをそのまま用いることができるので
経済的にも有利である。しかし第１図の回路で主サィリ
スタ１のアノード、カソード間に急しゆんなｄｖ／ｄｔ
の電圧が印加されるときには、補助サィリスタ２にも同
様のｄｖ／ｄｔが印加される。この場合補助サィリスタ
２の接合容量をＣｉとすると、変位電流Ｃｉｄｖ／ｄｔ
が主サィリスタのゲートに与えられ、この電流が大きけ
れば主サィリスタ１も自身の変位電流で点弧しやすい状
態にあるので誤点弧する。特に主サイリスタ１が高耐圧
を要求される時には、補助サィリスタ２も同等の耐圧を
必要とし、沿面距離を長くするため接合面積も大きくな
って変位電流が大となり、この危険はより大きくなる。
本発明はこのような補助サィＩＪスタの変位電流による
主サィリスタの謀点弧を防ぐ点弧回路を提案することに
ある。
回路に個別素子の光点弧補助サィリスタ２のカソードを
、ゲート電流のピーク値を抑制する抵抗３を介して接続
し、光４を補助サィリスタ２に照射して点弧しその電流
で主サイリスターを点弧する回路が提案されている。こ
の補助サィリスタ２は主回路電流が流れないため素子の
温度上昇が少ないので光点弧感度とｄｖ／ｄｔ耐量との
間の協調がとりやすい。さらに主サイリスタ１は一般の
電気点孤サィリスタをそのまま用いることができるので
経済的にも有利である。しかし第１図の回路で主サィリ
スタ１のアノード、カソード間に急しゆんなｄｖ／ｄｔ
の電圧が印加されるときには、補助サィリスタ２にも同
様のｄｖ／ｄｔが印加される。この場合補助サィリスタ
２の接合容量をＣｉとすると、変位電流Ｃｉｄｖ／ｄｔ
が主サィリスタのゲートに与えられ、この電流が大きけ
れば主サィリスタ１も自身の変位電流で点弧しやすい状
態にあるので誤点弧する。特に主サイリスタ１が高耐圧
を要求される時には、補助サィリスタ２も同等の耐圧を
必要とし、沿面距離を長くするため接合面積も大きくな
って変位電流が大となり、この危険はより大きくなる。
本発明はこのような補助サィＩＪスタの変位電流による
主サィリスタの謀点弧を防ぐ点弧回路を提案することに
ある。
この目的は電気点弧主サィリスタのゲート電極とゲート
電極より遠い側の主電極との間に光点弧補助サィリスタ
と抵抗との直列回路を光点弧補助サィリスタの順電流が
電気点弧主サィリスタの点弧電流になるように接続した
場合、電気点弧主サィリスタのゲート電極に近い側の主
電極とそのゲート電極に接続された光点弧補助サイリス
タの露極との間に、主サィリスタのブレークオーバ電圧
が２０００Ｖ以上であれば補助サィリスタの接合面積１
の当り０．０２〃Ｆ以上の容量をもつコンデンサを接続
することによって蓬せられる。
電極より遠い側の主電極との間に光点弧補助サィリスタ
と抵抗との直列回路を光点弧補助サィリスタの順電流が
電気点弧主サィリスタの点弧電流になるように接続した
場合、電気点弧主サィリスタのゲート電極に近い側の主
電極とそのゲート電極に接続された光点弧補助サイリス
タの露極との間に、主サィリスタのブレークオーバ電圧
が２０００Ｖ以上であれば補助サィリスタの接合面積１
の当り０．０２〃Ｆ以上の容量をもつコンデンサを接続
することによって蓬せられる。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。
第２図は第１図と比較すれば明らかなように、コンデン
サ５が電気点弧主サィリスタ１のカソードと光点弧補助
サィリスタ２のカソードとの間に挿入されている。第３
図は抵抗３の位置が第１図、第２図の場合と異って主サ
ィリスタ１のアノードと補助サィリスタ２のアノードと
の間に接続されており、コンデンサ５は第２図と同様両
サィリス夕のカソードの間に挿入されている。第４図で
は補助サィリスタ２と直列に接続された抵抗３を介して
さらに主サイリスタ１のゲートとの間に抵抗６が接続さ
れ、主サィリスターのカソードとの間にコンデンサ５が
接続されている。このコンデンサ５が補助サィリスタ２
の変位電流を吸収して主サィリスターの謀点弧を防ぐ。
コンデンサ５の容量は第５図に示す実験結果に基づいて
定められる。
サ５が電気点弧主サィリスタ１のカソードと光点弧補助
サィリスタ２のカソードとの間に挿入されている。第３
図は抵抗３の位置が第１図、第２図の場合と異って主サ
ィリスタ１のアノードと補助サィリスタ２のアノードと
の間に接続されており、コンデンサ５は第２図と同様両
サィリス夕のカソードの間に挿入されている。第４図で
は補助サィリスタ２と直列に接続された抵抗３を介して
さらに主サイリスタ１のゲートとの間に抵抗６が接続さ
れ、主サィリスターのカソードとの間にコンデンサ５が
接続されている。このコンデンサ５が補助サィリスタ２
の変位電流を吸収して主サィリスターの謀点弧を防ぐ。
コンデンサ５の容量は第５図に示す実験結果に基づいて
定められる。
これは第４図に示す回路で行った実験によるもので、補
助サィリスタ２として接合面積３地の光点弧サィリスタ
を用い、抵抗３として２００の抵抗を挿入し、抵抗６の
抵抗値をパラメータとした時の１５００Ｖ／山ｓのｄｖ
／ｄｔによる主サィリスターのブレークオーバ電圧Ｖｓ
ｏのコンデンサ５の容量Ｃに対する関係を両対数目盛の
線図で示したものである。各線に付した数値は抵抗６の
抵抗値を示す。この線図よりコンデンサ５の容量は抵抗
６の抵抗値が変化しても０．０６仏Ｆ以上あればｄｖ／
ｄｔにより低い順電圧でブレークオーバすることがない
ことが判った。すなわち補助サィリスタ２の接合面積１
の当り０．０２〃Ｆ以上の容量のコンデンサ５を接続す
ればよい。しかし容量が大きすぎると補助サィリスタ２
が光によって点弧した際、抵抗６を介して流れる電流が
過小になって主サィリスターが点弧しなくなりまたコン
デンサの価格も高くなるので、コンデンサ５は大きくて
も補助サィリスタの接合面積１の当り１〃Ｆ以下の容量
のものが用いられる。第５図に示す関係曲線は抵抗３の
値が変化してもほとんど変らない。たゞしこの抵抗値が
大きくなるとやはり補助サイリスタ２の点弧時に主サィ
リスタ１のゲ−トに流れ込む電流が過小になるので通常
１０００程度以下に抑えられる。これらのことから上記
の補助サイリスタの後合面積１の当りコンデンサの容量
０．０２〃Ｆ以上の数値は第２図ないし第４図の何れの
場合にも当てはまることが理解できる。第３図あるいは
第４図におけるように抵抗３がコンデンサ５と直列に接
続されることは別の利点がある。すなわちこの抵抗が、
急しゆんな立上りの主回路電流が補助サィリスタ２およ
びコンデンサ５を通じて流れるおを抑制するため、補助
サィリスタ２２のｄｉ／ｄ節肘量を低減することが可能
になり、補助サィリスタ２の点弧感度とｄｉ／ｄｔ耐量
の協調が一層とりやすくなる。この抵抗は第６図のよう
に主サィリスタ１をサージ電圧から保護するため並列の
コンデンサ７および抵抗８からなるスナパ回路が接続さ
れた場合にさらに有効である。この場合補助サィリスタ
２が光４によって点弧されると、コンデンサ７に蓄積さ
れた電荷は抵抗８、補助サィリスタ２およびコンデンサ
５を経て放電する。この放電電流は急しゆんな立上りを
持っており、補助サィリスタ２に大きな負担を与える。
コンデンサ５と直列に接続された抵抗３は、スナバ回路
からの放電電流を抑制し、その急しゆんな立上りで補助
サィリスタ２が損傷するのを防ぐ作用もする。上述のよ
うに本発明によれば補助サィリスタと主サィリスタの主
電極間にコンデンサを入れるだけで、通常の電気点弧主
サイリスタを光点弧補助サィリスタを用いて点弧する回
路における謀Ｖ点弧も防止でき、主サィリスタを光で直
接点弧する場合に〈らべて特性的にも経済的にも著しく
有利にできる。
助サィリスタ２として接合面積３地の光点弧サィリスタ
を用い、抵抗３として２００の抵抗を挿入し、抵抗６の
抵抗値をパラメータとした時の１５００Ｖ／山ｓのｄｖ
／ｄｔによる主サィリスターのブレークオーバ電圧Ｖｓ
ｏのコンデンサ５の容量Ｃに対する関係を両対数目盛の
線図で示したものである。各線に付した数値は抵抗６の
抵抗値を示す。この線図よりコンデンサ５の容量は抵抗
６の抵抗値が変化しても０．０６仏Ｆ以上あればｄｖ／
ｄｔにより低い順電圧でブレークオーバすることがない
ことが判った。すなわち補助サィリスタ２の接合面積１
の当り０．０２〃Ｆ以上の容量のコンデンサ５を接続す
ればよい。しかし容量が大きすぎると補助サィリスタ２
が光によって点弧した際、抵抗６を介して流れる電流が
過小になって主サィリスターが点弧しなくなりまたコン
デンサの価格も高くなるので、コンデンサ５は大きくて
も補助サィリスタの接合面積１の当り１〃Ｆ以下の容量
のものが用いられる。第５図に示す関係曲線は抵抗３の
値が変化してもほとんど変らない。たゞしこの抵抗値が
大きくなるとやはり補助サイリスタ２の点弧時に主サィ
リスタ１のゲ−トに流れ込む電流が過小になるので通常
１０００程度以下に抑えられる。これらのことから上記
の補助サイリスタの後合面積１の当りコンデンサの容量
０．０２〃Ｆ以上の数値は第２図ないし第４図の何れの
場合にも当てはまることが理解できる。第３図あるいは
第４図におけるように抵抗３がコンデンサ５と直列に接
続されることは別の利点がある。すなわちこの抵抗が、
急しゆんな立上りの主回路電流が補助サィリスタ２およ
びコンデンサ５を通じて流れるおを抑制するため、補助
サィリスタ２２のｄｉ／ｄ節肘量を低減することが可能
になり、補助サィリスタ２の点弧感度とｄｉ／ｄｔ耐量
の協調が一層とりやすくなる。この抵抗は第６図のよう
に主サィリスタ１をサージ電圧から保護するため並列の
コンデンサ７および抵抗８からなるスナパ回路が接続さ
れた場合にさらに有効である。この場合補助サィリスタ
２が光４によって点弧されると、コンデンサ７に蓄積さ
れた電荷は抵抗８、補助サィリスタ２およびコンデンサ
５を経て放電する。この放電電流は急しゆんな立上りを
持っており、補助サィリスタ２に大きな負担を与える。
コンデンサ５と直列に接続された抵抗３は、スナバ回路
からの放電電流を抑制し、その急しゆんな立上りで補助
サィリスタ２が損傷するのを防ぐ作用もする。上述のよ
うに本発明によれば補助サィリスタと主サィリスタの主
電極間にコンデンサを入れるだけで、通常の電気点弧主
サイリスタを光点弧補助サィリスタを用いて点弧する回
路における謀Ｖ点弧も防止でき、主サィリスタを光で直
接点弧する場合に〈らべて特性的にも経済的にも著しく
有利にできる。
第１図は電気点弧サィリスタを光点孤サィリスタにより
点弧する従来回路の接続図、第２図は本発明の一実施例
の接続図、第３図、第４図、第６図はそれぞれ異なる実
施例の接続図であり、第５図はブレークオーバ電圧と本
発明によるコンデンサの容量の関係線図である。 １・・・…電気点弧主サイリスタ、２・・・・・・光点
弧補助サィリスタ、３，６・・・・・・抵抗、５・・・
・・・コンデンサ。 矛′図 ‐才２解 汁３図 才４図 オＪ図 オ５図
点弧する従来回路の接続図、第２図は本発明の一実施例
の接続図、第３図、第４図、第６図はそれぞれ異なる実
施例の接続図であり、第５図はブレークオーバ電圧と本
発明によるコンデンサの容量の関係線図である。 １・・・…電気点弧主サイリスタ、２・・・・・・光点
弧補助サィリスタ、３，６・・・・・・抵抗、５・・・
・・・コンデンサ。 矛′図 ‐才２解 汁３図 才４図 オＪ図 オ５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ２０００Ｖ以上のブレークオーバ電圧を有する電気
点弧主サイリスタのゲート電極とゲー電極より遠い側の
主電極との間に光点弧補助サイリスタと抵抗との直列回
路を該光点弧補助サイリスタの順電流が前記電気点弧主
サイリスタの点弧電流になるように接続したものにおい
て、前記電気点弧主サイリスタのゲート電極に近い側の
主電極と前記光点弧補助サイリスタの該ゲート電極に接
続された電極との間に該補助サイリスタの接合面積１ｃ
ｍ＾２当り０．０２μＦ以上の容量をもつコンデンサを
接続したことを特徴とするサイリスタ点弧回路。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の回路において、抵抗が
光点弧補助サイリスタならびにコンデンサに対し直列に
接続されたことを特徴とするサイリスタ点弧回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54121761A JPS604618B2 (ja) | 1979-09-21 | 1979-09-21 | サイリスタ点弧回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54121761A JPS604618B2 (ja) | 1979-09-21 | 1979-09-21 | サイリスタ点弧回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5646338A JPS5646338A (en) | 1981-04-27 |
| JPS604618B2 true JPS604618B2 (ja) | 1985-02-05 |
Family
ID=14819223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54121761A Expired JPS604618B2 (ja) | 1979-09-21 | 1979-09-21 | サイリスタ点弧回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604618B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5959072A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-04 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | 増幅ゲ−ト形ｇｔｏのドライブ回路 |
| DE19947036C1 (de) * | 1999-09-30 | 2001-05-17 | Siemens Ag | Thyristoranordnung mit Freiwerdeschutz |
-
1979
- 1979-09-21 JP JP54121761A patent/JPS604618B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5646338A (en) | 1981-04-27 |
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