JPS6047215A - 磁気ヘツド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘツド及びその製造方法Info
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- JPS6047215A JPS6047215A JP15467583A JP15467583A JPS6047215A JP S6047215 A JPS6047215 A JP S6047215A JP 15467583 A JP15467583 A JP 15467583A JP 15467583 A JP15467583 A JP 15467583A JP S6047215 A JPS6047215 A JP S6047215A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic
- nonmagnetic
- thermal expansion
- head
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は磁気ヘッド、特に、高透磁率薄膜と非磁性薄膜
とを交互に積層してそのコア部分を積層して成る磁気ヘ
ッド及びその製造方法に関するものである。
とを交互に積層してそのコア部分を積層して成る磁気ヘ
ッド及びその製造方法に関するものである。
（背景技術）
近時、磁気記録の高記録密度化に伴って記録媒体に使・
用される磁性材料として高保磁力を有する風 金属材料が脚光を浴びて来ている。しかし乍ら、この様
な筒保磁力を有する金属材料を用いた磁気記録媒体を使
用する場合には、磁気ヘッドとしては、従来のフェライ
トの様な素材では、大きな六方信号に対しては記録媒体
の飽和レベル以前に、ヘッドの方が先に飽和してしまい
、高保磁力を有する磁気記録媒体の特徴である最大出力
レベルの改善が期待出来ない等の欠点があり、その特徴
を充分に発揮し得る新材質による磁気ヘッドの実用化が
要望され、磁気ヘッドの素材として、高飽和磁束密度を
有する、例えば、Ｆｅ−８４−Ａｌ系合金（所謂センダ
スト）等の高透磁率の合金磁性材料が有望視されて来て
いる。
用される磁性材料として高保磁力を有する風 金属材料が脚光を浴びて来ている。しかし乍ら、この様
な筒保磁力を有する金属材料を用いた磁気記録媒体を使
用する場合には、磁気ヘッドとしては、従来のフェライ
トの様な素材では、大きな六方信号に対しては記録媒体
の飽和レベル以前に、ヘッドの方が先に飽和してしまい
、高保磁力を有する磁気記録媒体の特徴である最大出力
レベルの改善が期待出来ない等の欠点があり、その特徴
を充分に発揮し得る新材質による磁気ヘッドの実用化が
要望され、磁気ヘッドの素材として、高飽和磁束密度を
有する、例えば、Ｆｅ−８４−Ａｌ系合金（所謂センダ
スト）等の高透磁率の合金磁性材料が有望視されて来て
いる。
ところが、一般に合金磁性材料は電気比抵抗が小さいた
めに渦電流損失が大きく、高周波帯域において、実効透
磁率が低下する欠点を有している。
めに渦電流損失が大きく、高周波帯域において、実効透
磁率が低下する欠点を有している。
そこで、この欠点をカバーするには渦電流損失を少な（
する必要がある。比抵抗がρで厚さｔの磁性層に対する
磁束密度が振幅Ｂ１周波数ｆで変化する時、単位面積当
りの渦電流損失Ｗｅは、次のよ５な関係式で表わすこと
が出来る。
する必要がある。比抵抗がρで厚さｔの磁性層に対する
磁束密度が振幅Ｂ１周波数ｆで変化する時、単位面積当
りの渦電流損失Ｗｅは、次のよ５な関係式で表わすこと
が出来る。
Ｗｅ＝臂４２Ｂ２
上式より、磁性層の厚さｔを小さくすることにより、単
位体積当りの渦電流損失Ｗｅを小さくすることが解る。
位体積当りの渦電流損失Ｗｅを小さくすることが解る。
つまり数μｍの厚さの磁性層と数千Ａの電気的絶縁性を
有する非磁性層とを交互に積層して高周波帯域における
渦電流損失の小さな磁気ヘッドを作ることが可能となる
。その具体的なものとして、従来、Ｆｅ−８ｉ−Ａｌ系
合金等の高磁率合金磁性拐料と５ｉＯｐ、等の非磁性拐
料とをスパッタリング等により交互に積層してヘッド・
コアを形成することが考えられるが、合金磁性材料の熱
膨張係数は、一般に１１０〜１５０ ｘ １０ ／’ｃ
と大きく、それに比し、て５ｉＯｚの熱膨張係数は約５
Ｘ１０／Ｔ；と小さいために、積層過程において磁性層
内に大きな内部応力が発生し、その内部応力の増加に伴
い抗磁力が大きくなる欠点がある。
有する非磁性層とを交互に積層して高周波帯域における
渦電流損失の小さな磁気ヘッドを作ることが可能となる
。その具体的なものとして、従来、Ｆｅ−８ｉ−Ａｌ系
合金等の高磁率合金磁性拐料と５ｉＯｐ、等の非磁性拐
料とをスパッタリング等により交互に積層してヘッド・
コアを形成することが考えられるが、合金磁性材料の熱
膨張係数は、一般に１１０〜１５０ ｘ １０ ／’ｃ
と大きく、それに比し、て５ｉＯｚの熱膨張係数は約５
Ｘ１０／Ｔ；と小さいために、積層過程において磁性層
内に大きな内部応力が発生し、その内部応力の増加に伴
い抗磁力が大きくなる欠点がある。
また、磁気ヘッドの製造工程中にＦ！１接着、アニーリ
ング、ギャップ形成等の工程がちり、その際、６００″
Ｃ〜６［］０℃の高温処理が必要であり、その熱処理工
程で前記熱膨張係数の差により積層磁性体薄膜にフラッ
グが入ったり、膜の剥離を起したりする等の欠点が１ち
る。
ング、ギャップ形成等の工程がちり、その際、６００″
Ｃ〜６［］０℃の高温処理が必要であり、その熱処理工
程で前記熱膨張係数の差により積層磁性体薄膜にフラッ
グが入ったり、膜の剥離を起したりする等の欠点が１ち
る。
また、６００℃以上に温度を上げることなく磁気ヘッド
を製造するには）接合部分に有ＦＡ接着剤を用いなくて
はならない為に、多湿環境下での信頼性が低下し、接着
後にアニーリングによる加工歪の除去が出来ないなどの
欠点がある。
を製造するには）接合部分に有ＦＡ接着剤を用いなくて
はならない為に、多湿環境下での信頼性が低下し、接着
後にアニーリングによる加工歪の除去が出来ないなどの
欠点がある。
（目 的）
成して成る磁気ヘッドとして、その製造時に於て内部応
力の発生が軽微であり、コアを形成する薄膜の剥離を生
ずることの少ない磁気ヘッドを提供することに在る。
力の発生が軽微であり、コアを形成する薄膜の剥離を生
ずることの少ない磁気ヘッドを提供することに在る。
本発明の他の目的は従前の目的と共に、多湿環境下での
信頼性を向上させて、接着後のアニーリングによる加工
歪の除去を容易にする上記磁気ヘッドの製造方法を提供
することに在る。
信頼性を向上させて、接着後のアニーリングによる加工
歪の除去を容易にする上記磁気ヘッドの製造方法を提供
することに在る。
（実施例による説明）
以下、添附図面に示す実施例により上記の目的の達成の
ために本発明に於て請じた手段について例示説明する。
ために本発明に於て請じた手段について例示説明する。
第１図〜第８図は、本発明による磁気ヘッドの製造工程
の一例を示すものである。第１図は而粗さが２００ Ａ
以下に研摩加工された非磁性材料からなる結晶化ガラス
等の基板１を示すものである。
の一例を示すものである。第１図は而粗さが２００ Ａ
以下に研摩加工された非磁性材料からなる結晶化ガラス
等の基板１を示すものである。
斯かる基板１上にＭ２図（ａ） 、 （ｂ）に示す様に
センダスト等の高透磁率合金薄膜ろ及び電気的絶縁性を
有する非磁性薄膜４をスパッタリング等により交互に積
層し多層磁性体層２を形成する。ここで、高透磁率合金
薄膜６の膜厚は例えば１０μｍ以下であシ、非磁性薄膜
４の膜厚は例えば０．１μｍ〜０．６μｍで、積層体２
の厚さとしては例えば６０μｍ以下である。また、非磁
性薄膜４に使用した非磁性材料の組成は、何れも重量％
で、ＳｉＯ２：４６゜０％、 Ａ＃ｉ０ａ：６．０ ％
、 ＴｉＯ２：０．０２ ％ 。
センダスト等の高透磁率合金薄膜ろ及び電気的絶縁性を
有する非磁性薄膜４をスパッタリング等により交互に積
層し多層磁性体層２を形成する。ここで、高透磁率合金
薄膜６の膜厚は例えば１０μｍ以下であシ、非磁性薄膜
４の膜厚は例えば０．１μｍ〜０．６μｍで、積層体２
の厚さとしては例えば６０μｍ以下である。また、非磁
性薄膜４に使用した非磁性材料の組成は、何れも重量％
で、ＳｉＯ２：４６゜０％、 Ａ＃ｉ０ａ：６．０ ％
、 ＴｉＯ２：０．０２ ％ 。
ＫｚＯ：０．０５ ％ 、 ’３０ａ ：０−４０ ％
、 ＰｂＯ：０−０５ ％ 。
、 ＰｂＯ：０−０５ ％ 。
Ｐ２Ｏ５： １５．４％ 、 ＺｕＯ＝７．０ ％ 、
残ｋ） ＣａＯ及びＺｒＯ２を夫々微量含有する様なガ
ラス材料であり、５０’Ｃ〜６００℃の温度範囲に於け
る熱膨張係数は１４５〜１５０ Ｘ １０ ／℃程度で
センダストのソレト同程度のものでちる。
残ｋ） ＣａＯ及びＺｒＯ２を夫々微量含有する様なガ
ラス材料であり、５０’Ｃ〜６００℃の温度範囲に於け
る熱膨張係数は１４５〜１５０ Ｘ １０ ／℃程度で
センダストのソレト同程度のものでちる。
次に第６図に示す様に上記多層磁性体層２の上面に上記
基板１と寸法及び材質に於て同等の結晶化ガラス１′を
、作業温度が６００℃程度の低融点ガラス５等を用いて
無機接着をし）その後、７で示す様に切断してブロック
８を得た後、夫々に研摩加工を施す。次いで、作業温度
が５００℃程度の低融点ガラス９等を使用して第４図に
示ず様にこのブロック８の複数個を積層して積層ブロッ
ク１０を形成し、更にこの積層ブロック１０を１１で示
す部位で切断して第５図に示す様に２つの積層ブロック
１０Ａ、１０Ｂを得、そのうち一方の積層ブロック１０
ＡＫは、巻線窓１１を加工すると共に、ギャップ形成面
１２を研摩等で平滑に仕上げ、その後第６図に示す様に
５ｉＯａ等の非磁性材１６をスパッタリング等でギャッ
プ形成面１２に付着させる。尚、この場合の非磁性材１
１は他方の積層ブロック１０Ｂのギャップ形成面に付着
させる様にしても良い。しかる後、第７図に示す様に、
両積層ブロック１０Ａ、１０Ｂを作業点が４００℃程度
の低融点ガラス等の無機接着材１４で多層磁性体層２が
ずれない様にギャップ１５を形成しつつ接着し、接合ブ
ロック１６を得る。その後１７で示す様に所定の厚さに
切断し研摩で仕上げて磁気へラドコア１８を得る。後は
巻線窓１１に巻線を施せば良い。
基板１と寸法及び材質に於て同等の結晶化ガラス１′を
、作業温度が６００℃程度の低融点ガラス５等を用いて
無機接着をし）その後、７で示す様に切断してブロック
８を得た後、夫々に研摩加工を施す。次いで、作業温度
が５００℃程度の低融点ガラス９等を使用して第４図に
示ず様にこのブロック８の複数個を積層して積層ブロッ
ク１０を形成し、更にこの積層ブロック１０を１１で示
す部位で切断して第５図に示す様に２つの積層ブロック
１０Ａ、１０Ｂを得、そのうち一方の積層ブロック１０
ＡＫは、巻線窓１１を加工すると共に、ギャップ形成面
１２を研摩等で平滑に仕上げ、その後第６図に示す様に
５ｉＯａ等の非磁性材１６をスパッタリング等でギャッ
プ形成面１２に付着させる。尚、この場合の非磁性材１
１は他方の積層ブロック１０Ｂのギャップ形成面に付着
させる様にしても良い。しかる後、第７図に示す様に、
両積層ブロック１０Ａ、１０Ｂを作業点が４００℃程度
の低融点ガラス等の無機接着材１４で多層磁性体層２が
ずれない様にギャップ１５を形成しつつ接着し、接合ブ
ロック１６を得る。その後１７で示す様に所定の厚さに
切断し研摩で仕上げて磁気へラドコア１８を得る。後は
巻線窓１１に巻線を施せば良い。
上記実施例に於ては、高透磁率合金薄膜３にセンダスト
を使用したが、結晶化温度が６００℃より高くキューリ
一点が６（３０℃以下のＣＯ系アモルファス合金をセン
ダストの代りに使用することにより、磁性層の飽和磁束
密度及び透磁率をより向上することが出来、磁気ヘッド
としては非常に有利である。ただしその際、非磁性薄膜
４には、ＣＯ系アモルファス合金と熱膨張係数を合せる
という観点から５０℃〜６００℃の温度範囲で熱膨張係
数が１１０〜 −７ ％ １３０ Ｘ １０ ／℃程度の非磁性材料を使用す
る必要がある。
を使用したが、結晶化温度が６００℃より高くキューリ
一点が６（３０℃以下のＣＯ系アモルファス合金をセン
ダストの代りに使用することにより、磁性層の飽和磁束
密度及び透磁率をより向上することが出来、磁気ヘッド
としては非常に有利である。ただしその際、非磁性薄膜
４には、ＣＯ系アモルファス合金と熱膨張係数を合せる
という観点から５０℃〜６００℃の温度範囲で熱膨張係
数が１１０〜 −７ ％ １３０ Ｘ １０ ／℃程度の非磁性材料を使用す
る必要がある。
又、上記実施例に於ては非磁性薄膜４に上述した様な組
成のガラス材料を用いたが、熱膨張係数が５０°Ｃ〜６
００℃の温度範囲に於いて１３０〜１５０Ｘ １０ ／
’Ｇ程度であり、良好な電気的絶縁性と６００℃以上の
耐熱性とを有している様な非磁性材料であればどのよう
な組成のものでも一向に差支えない。
成のガラス材料を用いたが、熱膨張係数が５０°Ｃ〜６
００℃の温度範囲に於いて１３０〜１５０Ｘ １０ ／
’Ｇ程度であり、良好な電気的絶縁性と６００℃以上の
耐熱性とを有している様な非磁性材料であればどのよう
な組成のものでも一向に差支えない。
尚、発明者らの実験によれば、上記非磁性薄膜４に充て
られる非磁性材料としては高透磁率合金薄膜を構成する
合金材料に対する熱膨張係数の差が５０°Ｃ〜６００℃
の温度範囲に於て５０ Ｘ １０−７／℃以下であれば
＼積層コアの製造時に於ける内部応力の発光が軽微であ
り、コアを形成する薄膜の剥離を生ずることも少ないこ
とが確かめられた。
られる非磁性材料としては高透磁率合金薄膜を構成する
合金材料に対する熱膨張係数の差が５０°Ｃ〜６００℃
の温度範囲に於て５０ Ｘ １０−７／℃以下であれば
＼積層コアの製造時に於ける内部応力の発光が軽微であ
り、コアを形成する薄膜の剥離を生ずることも少ないこ
とが確かめられた。
又、実施例では、ヘッドのギャップ部に５ｉｎ２等の非
磁性材１６を用いたが、第７図でブロック１０Ａ、ＩＯ
Ｈの接着に用いた低融点ガラス１４をギャップ部材とし
て使用することも可能であり、その際には第５図のブロ
ックｉＱＡ、ｊＯＢのギャップ形成面１２に接着時に圧
縮される割合（ＸＸ １００ ％ ）を考慮した上で、
ブロック１０Ａ。
磁性材１６を用いたが、第７図でブロック１０Ａ、ＩＯ
Ｈの接着に用いた低融点ガラス１４をギャップ部材とし
て使用することも可能であり、その際には第５図のブロ
ックｉＱＡ、ｊＯＢのギャップ形成面１２に接着時に圧
縮される割合（ＸＸ １００ ％ ）を考慮した上で、
ブロック１０Ａ。
１０Ｂの双方のギャップ形成面にスノ（玄タリング等で
ギヤツブ巾ｘｊ−ｘ、ｚの層厚に低融点ガラス層を形成
し、４００℃で加熱圧着する様にすれば良い。
ギヤツブ巾ｘｊ−ｘ、ｚの層厚に低融点ガラス層を形成
し、４００℃で加熱圧着する様にすれば良い。
これにより上記実施例中、第５図で述べたギャップ形成
面１２に５ｉｎｓ等の非磁性材をスパッタリングする工
程を省略出来、ヘッド先端ギャップ部分の接合強度が向
上する利点がある。
面１２に５ｉｎｓ等の非磁性材をスパッタリングする工
程を省略出来、ヘッド先端ギャップ部分の接合強度が向
上する利点がある。
（効 果）
以上詳述した様に本発明によれば、高透磁率薄膜と非磁
性薄膜とを交互に積層してそのコア部分を形成して成る
磁気ヘッドとして、その製造時に於て内部応力の発生が
軽微であり、コアを形成する薄膜の剥離を生ずることの
少ない磁気ヘッドが得られるもので、斯種磁気ヘッドに
於て極めて有益なものである。
性薄膜とを交互に積層してそのコア部分を形成して成る
磁気ヘッドとして、その製造時に於て内部応力の発生が
軽微であり、コアを形成する薄膜の剥離を生ずることの
少ない磁気ヘッドが得られるもので、斯種磁気ヘッドに
於て極めて有益なものである。
又１本発明の磁気ヘッドの製造方法によれば、上述の効
果に加えて、接着剤として無機接着剤を用いたことによ
シ多湿環境下での信頼性が向上し、接着後゛のアニーリ
ングによる加工歪の除去が容易になる利点がある。
果に加えて、接着剤として無機接着剤を用いたことによ
シ多湿環境下での信頼性が向上し、接着後゛のアニーリ
ングによる加工歪の除去が容易になる利点がある。
第１図〜第７図は本発明に係る磁気ヘッドの製造工程の
一例を説明するためのもので、第１図はヘッド・コア基
板の斜視図、第２図（ａ）及び（ｂ）は上記基板上に高
透磁率合金薄膜及び非磁性薄膜と交互に積層して多層磁
性体層を形成した状態での斜視図及び部分断面図、第６
図はＭ２図の多層磁性体層の上面に結晶化ガラスを接着
した後、適宜切断してブロックを得る様子を示す斜視図
、第４図は第６図で得られたブロックを積層して積層ブ
ロックな楢成し吹抜、これを２分割する様子を示す胴視
図、第５図は第４図で得られた２分積層ブロックの一方
に巻線窓及びギャップ形成面を設けた状態を示す斜視図
、第６図は第５図で得られた一方の積層ブロックのギャ
ップ形成面に非磁性材を付着させた状態を示す斜視図、
第７図は第６図で得られた積層ブロックと第５図に於け
る残りの積層ブロックとを接着して接合ブロックを得た
状態を示す斜視図、第８図は第７図の接合ブロックを所
要の厚さに切断してヘッド・コアを得た状態を示す斜視
図である。 １・・・基板、２・・・多層磁性体層、６・・・高透磁
率合金薄膜、４・・・非磁性薄膜、８・・・ブロック、
１０Ａ、１０Ｂ・・・積層ブロック、１１・・・巻線窓
、１２・・・ギャップ形成面、１６・・・非磁性材１１
４・・・無機接着剤、１５・・・ヘッド・ギャップ１１
６・・・接合フロック、１８・や・ヘッド・コア。
一例を説明するためのもので、第１図はヘッド・コア基
板の斜視図、第２図（ａ）及び（ｂ）は上記基板上に高
透磁率合金薄膜及び非磁性薄膜と交互に積層して多層磁
性体層を形成した状態での斜視図及び部分断面図、第６
図はＭ２図の多層磁性体層の上面に結晶化ガラスを接着
した後、適宜切断してブロックを得る様子を示す斜視図
、第４図は第６図で得られたブロックを積層して積層ブ
ロックな楢成し吹抜、これを２分割する様子を示す胴視
図、第５図は第４図で得られた２分積層ブロックの一方
に巻線窓及びギャップ形成面を設けた状態を示す斜視図
、第６図は第５図で得られた一方の積層ブロックのギャ
ップ形成面に非磁性材を付着させた状態を示す斜視図、
第７図は第６図で得られた積層ブロックと第５図に於け
る残りの積層ブロックとを接着して接合ブロックを得た
状態を示す斜視図、第８図は第７図の接合ブロックを所
要の厚さに切断してヘッド・コアを得た状態を示す斜視
図である。 １・・・基板、２・・・多層磁性体層、６・・・高透磁
率合金薄膜、４・・・非磁性薄膜、８・・・ブロック、
１０Ａ、１０Ｂ・・・積層ブロック、１１・・・巻線窓
、１２・・・ギャップ形成面、１６・・・非磁性材１１
４・・・無機接着剤、１５・・・ヘッド・ギャップ１１
６・・・接合フロック、１８・や・ヘッド・コア。
Claims (2)
- （１）高透磁率合金薄膜さ非磁性体薄膜とを交互に積層
してそのコア部分を形成して成る磁気ヘッドに於て、上
記非磁性体薄膜として、上記高透磁率合金薄膜を構成す
る合金材料に対する熱膨を用いたことを特徴とする磁気
ヘッド。 - （２）高磁率薄膜と該高透磁率薄膜に対する熱膨張係数
の差が５０℃〜６００℃の温度範囲に於て５０Ｘ１０／
℃以下である様な非磁性薄膜とを交互に積層して多層磁
性体を得る工程、斯かる多層磁性体の２つの一方に巻線
用の窓を形成する工程、上記２つの多層磁性体の少なく
とも一方のヘッド・ギャップに対応する部分に非磁性体
を付着する工程、及び、上記２つの多層磁性体を無機接
着剤により接合する工程を含む磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15467583A JPS6047215A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15467583A JPS6047215A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047215A true JPS6047215A (ja) | 1985-03-14 |
Family
ID=15589444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15467583A Pending JPS6047215A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047215A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62141609A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツドの製造法 |
| US5328583A (en) * | 1991-11-05 | 1994-07-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Sputtering apparatus and process for forming lamination film employing the apparatus |
-
1983
- 1983-08-24 JP JP15467583A patent/JPS6047215A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62141609A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツドの製造法 |
| US5328583A (en) * | 1991-11-05 | 1994-07-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Sputtering apparatus and process for forming lamination film employing the apparatus |
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