JPS61230607A - 磁気ヘツドコア - Google Patents
磁気ヘツドコアInfo
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- JPS61230607A JPS61230607A JP7121285A JP7121285A JPS61230607A JP S61230607 A JPS61230607 A JP S61230607A JP 7121285 A JP7121285 A JP 7121285A JP 7121285 A JP7121285 A JP 7121285A JP S61230607 A JPS61230607 A JP S61230607A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
- G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
- G11B5/3153—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers including at least one magnetic thin film coupled by interfacing to the basic magnetic thin film structure
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本化θ目は、磁気へ９ドコアに係り、特に軟磁性合金薄
膜と絶縁物質の薄膜を、交互に沈着して積層する多層膜
積層体を用いた磁気へラド」アの、高周波領域の磁気特
性を向上さけるに好適な多層膜Ｖ４Ｎ体の構造に関ター
るものである。
膜と絶縁物質の薄膜を、交互に沈着して積層する多層膜
積層体を用いた磁気へラド」アの、高周波領域の磁気特
性を向上さけるに好適な多層膜Ｖ４Ｎ体の構造に関ター
るものである。
し従来の技術］
従来の磁気へラドコアは主どしてフエライ１〜焼結体、
もしくは単結晶から切り出されたＷＪ）”＋を接合して
形成されでいＩこ。最近遷移金属とガラス化元索を、種
々組み合せた非晶質合金が軟磁性４４利としで適りるこ
とか注目され、非晶質磁性合金の薄帯を積層した磁気ヘ
ッドコアが市販されている。
もしくは単結晶から切り出されたＷＪ）”＋を接合して
形成されでいＩこ。最近遷移金属とガラス化元索を、種
々組み合せた非晶質合金が軟磁性４４利としで適りるこ
とか注目され、非晶質磁性合金の薄帯を積層した磁気ヘ
ッドコアが市販されている。
又、非晶質合金磁気ヘッドコアの製造方法としては、非
晶質合金を薄膜の形態で得、これを予め、別途用意した
非磁性１０ツクとの間に挟着し、積層体を形成し、これ
をコア形状に加工し、公知の方法で磁気ヘッド」アを製
造するか、又は、非磁性基板上に非晶質磁性合金と、５
ｉ０２やスピネル等の絶縁物質の薄膜を、スパッタリン
グ等の方法を用い、交互に沈着して＃１層することによ
り得られた多層膜積層体を用いで、公知の方法により磁
気ヘッドコアを製造し−Ｃいる（特開昭５９−１１７７
２９）。これ、らの方法は、磁性台金薄膜を絶縁物質の
薄膜を介して積層することにより、多層膜積層体の軟磁
気特性（特に高周波領域にお（〕る）の向上を狙ったも
のであり、いずれも、−・様４Ｔ膜厚の磁性合金を、一
様な膜厚の絶縁物質とを、交互に積層しで得た多層膜積
層体を用いている。この場合、磁性合金薄膜の間に積層
されでいる絶縁物質の薄膜の膜厚は、薄い方が多層膜積
層体の軟磁気特性は向上するが、部分的に絶縁が不４−
分となり、高周波領域（ＭＨｚ領域）において、渦電流
損失が増大し、実効透磁率の低下防止に関し、所期の目
的を達し難い欠点がある。しかるに積層される絶縁物質
の膜厚が厚いと、多層膜積層体の軟磁気特性が改善され
ない欠点がある。しかしこの絶縁物質の膜厚を変化させ
る点については、いずれも何ら開示されていない。
晶質合金を薄膜の形態で得、これを予め、別途用意した
非磁性１０ツクとの間に挟着し、積層体を形成し、これ
をコア形状に加工し、公知の方法で磁気ヘッド」アを製
造するか、又は、非磁性基板上に非晶質磁性合金と、５
ｉ０２やスピネル等の絶縁物質の薄膜を、スパッタリン
グ等の方法を用い、交互に沈着して＃１層することによ
り得られた多層膜積層体を用いで、公知の方法により磁
気ヘッドコアを製造し−Ｃいる（特開昭５９−１１７７
２９）。これ、らの方法は、磁性台金薄膜を絶縁物質の
薄膜を介して積層することにより、多層膜積層体の軟磁
気特性（特に高周波領域にお（〕る）の向上を狙ったも
のであり、いずれも、−・様４Ｔ膜厚の磁性合金を、一
様な膜厚の絶縁物質とを、交互に積層しで得た多層膜積
層体を用いている。この場合、磁性合金薄膜の間に積層
されでいる絶縁物質の薄膜の膜厚は、薄い方が多層膜積
層体の軟磁気特性は向上するが、部分的に絶縁が不４−
分となり、高周波領域（ＭＨｚ領域）において、渦電流
損失が増大し、実効透磁率の低下防止に関し、所期の目
的を達し難い欠点がある。しかるに積層される絶縁物質
の膜厚が厚いと、多層膜積層体の軟磁気特性が改善され
ない欠点がある。しかしこの絶縁物質の膜厚を変化させ
る点については、いずれも何ら開示されていない。
［籠明が解決しようとする問題点］
従来の方法による磁性薄膜の間に沈犠積層されている絶
縁物質の膜厚では、多層膜積層体の軟磁気特性は向上す
るが、部分的に絶縁が不十分となり、渦電流損失の増大
が生じ、高周波領域（Ｍ Ｈｚ領域）での実効透磁率の
低下防止に関し、所期の目的を達し難い。しかるに、積
層される絶縁物質の膜厚が厚ずぎると、多層膜＠病体の
軟磁気特性が改善されない欠点がある。
縁物質の膜厚では、多層膜積層体の軟磁気特性は向上す
るが、部分的に絶縁が不十分となり、渦電流損失の増大
が生じ、高周波領域（Ｍ Ｈｚ領域）での実効透磁率の
低下防止に関し、所期の目的を達し難い。しかるに、積
層される絶縁物質の膜厚が厚ずぎると、多層膜＠病体の
軟磁気特性が改善されない欠点がある。
本靴明の目的は、これらの問題を解決し、高周波領域で
の実効透磁率の低下の少ない磁気へラドコアを提供する
ことにある。
の実効透磁率の低下の少ない磁気へラドコアを提供する
ことにある。
［問題点を解決するための手段］
本化叩の磁気へラドコアにおける多層膜積層体の構造に
ついては、軟磁性薄膜ど、該軟磁性薄膜の軟磁気特性を
向上させるに十分な膜厚の絶縁物質の薄膜とを交互に沈
着して、数層から数十層の多層膜積層体を形成した部分
と、積層された上下の磁性薄膜間を完全に絶縁し、渦電
流損失の増大を防止するに十分な膜厚の絶縁物質の薄膜
を一層又は数層を沈着した部分を組み合せて積層し、所
定の膜厚の多層膜積層体を形成したものである。
ついては、軟磁性薄膜ど、該軟磁性薄膜の軟磁気特性を
向上させるに十分な膜厚の絶縁物質の薄膜とを交互に沈
着して、数層から数十層の多層膜積層体を形成した部分
と、積層された上下の磁性薄膜間を完全に絶縁し、渦電
流損失の増大を防止するに十分な膜厚の絶縁物質の薄膜
を一層又は数層を沈着した部分を組み合せて積層し、所
定の膜厚の多層膜積層体を形成したものである。
本売明において、沈着する軟磁性合金は、結晶質合金で
も非晶質合金でもよい。又、該磁性合金は高周波領域で
使用されるので、渦電流損失を少なくして、高周波領域
での実効透磁率の低下を防ぐため、数ミクロン以下の膜
厚であることが有利である。この場合、磁性合金の膜厚
は２μｍ以下、好ましくは１μｍ前後である。積層する
磁性薄膜の軟磁気特性を向上さぼるだめの絶縁物質の膜
厚は、０．０５μ肌以下、好ましくは０．０２μｍｎ前
後である。本考案においては多層膜積層体中に厚さの異
なる絶縁物薄膜を設番ノたことを最大の特徴とするもの
である。すなわち上記膜厚の軟磁性薄膜および絶縁物質
の薄膜を交互に沈着して、数層から数十層の多層膜積層
体を形成した上に、磁性薄膜間を完全に絶縁するに十分
な膜厚の絶縁物質薄膜を沈着する。こめ絶縁物質の膜厚
は０８２〜０３μｍあれば十分である。この絶縁物質簿
膜を沈着した上に、さらに前記の軟磁気特性を改善する
方法の多層膜積層体を数層〜数十層を積層して沈着する
。又、その上に膜厚が０，２〜０．３μｍの絶縁物質薄
膜の層を積層する。これらの操作を繰り返すことにより
、所定の膜厚の多層ｌＮ！積層体を得る。この０．２〜
０．３μｍの膜厚の絶縁物質の薄膜は、積層体中におい
て数層又は十数層毎に一層を積層すれば十分であるが、
軟磁性薄膜の膜厚が０３μｍ以下の場合には、積層され
た総膜厚が１〜２μｍになる毎に−・層を積層するよう
にすればよい。これらの軟磁性合金及び絶縁物質の薄膜
の総数は磁気ヘッドのトラック幅に応じて決定され、Ｖ
ＴＲヘッドでは３０〜・６０μｍになるようにする。
も非晶質合金でもよい。又、該磁性合金は高周波領域で
使用されるので、渦電流損失を少なくして、高周波領域
での実効透磁率の低下を防ぐため、数ミクロン以下の膜
厚であることが有利である。この場合、磁性合金の膜厚
は２μｍ以下、好ましくは１μｍ前後である。積層する
磁性薄膜の軟磁気特性を向上さぼるだめの絶縁物質の膜
厚は、０．０５μ肌以下、好ましくは０．０２μｍｎ前
後である。本考案においては多層膜積層体中に厚さの異
なる絶縁物薄膜を設番ノたことを最大の特徴とするもの
である。すなわち上記膜厚の軟磁性薄膜および絶縁物質
の薄膜を交互に沈着して、数層から数十層の多層膜積層
体を形成した上に、磁性薄膜間を完全に絶縁するに十分
な膜厚の絶縁物質薄膜を沈着する。こめ絶縁物質の膜厚
は０８２〜０３μｍあれば十分である。この絶縁物質簿
膜を沈着した上に、さらに前記の軟磁気特性を改善する
方法の多層膜積層体を数層〜数十層を積層して沈着する
。又、その上に膜厚が０，２〜０．３μｍの絶縁物質薄
膜の層を積層する。これらの操作を繰り返すことにより
、所定の膜厚の多層ｌＮ！積層体を得る。この０．２〜
０．３μｍの膜厚の絶縁物質の薄膜は、積層体中におい
て数層又は十数層毎に一層を積層すれば十分であるが、
軟磁性薄膜の膜厚が０３μｍ以下の場合には、積層され
た総膜厚が１〜２μｍになる毎に−・層を積層するよう
にすればよい。これらの軟磁性合金及び絶縁物質の薄膜
の総数は磁気ヘッドのトラック幅に応じて決定され、Ｖ
ＴＲヘッドでは３０〜・６０μｍになるようにする。
この場合、０．２〜０．３μｍの絶縁物質の薄膜数は１
５〜３０層になる。
５〜３０層になる。
このようにして得られた多層側積層体から第４図に示す
ような磁気へラドコア素子を切出し、一対を接合して第
５図に示すような磁気ヘッドコアとする。
ような磁気へラドコア素子を切出し、一対を接合して第
５図に示すような磁気ヘッドコアとする。
［実施例］
第２図に示すスパッタ装置を用いて第１図に示すような
多層膜積層体をスパッター法により沈着させて形成した
。十分平滑な表面を有するガラス基板４０表面にＣ０８
７Ｚ「５Ｎｂ８の組成を有する非晶質合金を薄膜７−１
として１，０μｍの厚さに沈着した。スパッタリング条
件は 入力電力 ５００Ｗ Ａ「ガス圧 ３ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒであった。次
に同一装置を用いて絶縁物質のスパッタリングを行ない
、非晶質合金薄膜７−１の上に高周波スパッタ法により
０．０１５μ７１１の膜厚を有するＳｉＯ２絶縁体８−
１を形成した。この操作を交互に繰り返し、非晶質合金
薄膜を３層（７−１，７−２，７−３）、Ｓｉ ０２絶
縁体を２層（８−１，８−２）を積層したところ（”、
膜厚０．２μｍのＳｉＯ２絶縁体９を＝一層を沈着した
。
多層膜積層体をスパッター法により沈着させて形成した
。十分平滑な表面を有するガラス基板４０表面にＣ０８
７Ｚ「５Ｎｂ８の組成を有する非晶質合金を薄膜７−１
として１，０μｍの厚さに沈着した。スパッタリング条
件は 入力電力 ５００Ｗ Ａ「ガス圧 ３ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒであった。次
に同一装置を用いて絶縁物質のスパッタリングを行ない
、非晶質合金薄膜７−１の上に高周波スパッタ法により
０．０１５μ７１１の膜厚を有するＳｉＯ２絶縁体８−
１を形成した。この操作を交互に繰り返し、非晶質合金
薄膜を３層（７−１，７−２，７−３）、Ｓｉ ０２絶
縁体を２層（８−１，８−２）を積層したところ（”、
膜厚０．２μｍのＳｉＯ２絶縁体９を＝一層を沈着した
。
このようにして非晶質合金薄膜と絶縁体との単位積層体
１０−１を作った。この上にさらに非晶質合金薄膜を３
層、膜厚０．０１５μｙｎのＳｉＯ２絶縁体を２層を交
互に積層した非晶質合金薄膜の上にｉ！膜厚、２μｍの
ＳｉＯ２絶縁膜を沈着して、単位積層体１０−２を作っ
た。この操作を繰り返し、単位＠屠体を８層積み重ね、
最終的に非晶質合金薄膜を２４層、膜厚０．０１５μＨ
のＳｉＯ２絶縁膜を１６層、膜厚０，２μｍのＳｉＯ２
絶縁膜９層の多層膜積層体１１を得た。この多層膜積層
体１１から超音波加工により所定寸法の磁気へラド」ア
を切り出し、回転磁場中で３９０℃１時間の熱処理をし
て磁気異方性を除去した。こうして得られた磁気へラド
コアの磁気特性を、同一組成で膜厚１．０／１７ｎの非
晶質合金薄膜２４層、膜厚ｏ、ｏｉ５μｍのＳｉＯ２絶
縁膜２３層を積層して得た比較例の磁気ヘッドコアと比
較Ｊると第３図のようであり、高周波領域において、明
らかに実効透磁率が高い。
１０−１を作った。この上にさらに非晶質合金薄膜を３
層、膜厚０．０１５μｙｎのＳｉＯ２絶縁体を２層を交
互に積層した非晶質合金薄膜の上にｉ！膜厚、２μｍの
ＳｉＯ２絶縁膜を沈着して、単位積層体１０−２を作っ
た。この操作を繰り返し、単位＠屠体を８層積み重ね、
最終的に非晶質合金薄膜を２４層、膜厚０．０１５μＨ
のＳｉＯ２絶縁膜を１６層、膜厚０，２μｍのＳｉＯ２
絶縁膜９層の多層膜積層体１１を得た。この多層膜積層
体１１から超音波加工により所定寸法の磁気へラド」ア
を切り出し、回転磁場中で３９０℃１時間の熱処理をし
て磁気異方性を除去した。こうして得られた磁気へラド
コアの磁気特性を、同一組成で膜厚１．０／１７ｎの非
晶質合金薄膜２４層、膜厚ｏ、ｏｉ５μｍのＳｉＯ２絶
縁膜２３層を積層して得た比較例の磁気ヘッドコアと比
較Ｊると第３図のようであり、高周波領域において、明
らかに実効透磁率が高い。
［も明の効果コ
本発明によれば、多層膜積層体中の絶縁物質薄膜の膜厚
を目的に応じて変えることにＪ：す、該多層膜積層体の
軟磁気特性を向上させると同時に、高周波領域での実効
透磁率の低下を防ぐ効果があり、高周波領域で使用され
る磁気ヘッドコアとして、きわめて有用である。
を目的に応じて変えることにＪ：す、該多層膜積層体の
軟磁気特性を向上させると同時に、高周波領域での実効
透磁率の低下を防ぐ効果があり、高周波領域で使用され
る磁気ヘッドコアとして、きわめて有用である。
第１図は多層膜積層体の断面図を示す説明図。
第２図はスパッタ装置の概念図を示す。
第３図は実効透磁率−周波数特性を示すグラフであって
、図中の（Ａ）は実施例に、（Ｂ）は比較例に対応する
ものである。 第４図、第５図は磁気へラドコアの斜視図。
、図中の（Ａ）は実施例に、（Ｂ）は比較例に対応する
ものである。 第４図、第５図は磁気へラドコアの斜視図。
Claims (1)
- １、非磁性基板上に軟磁性合金と絶縁物質の薄膜を、交
互に沈着させて多層膜積層体となし、該多層膜積層体か
ら一対のコア形状を形成し、このコア形状体をギャップ
を介して接合して製造する磁気ヘッドコアにおいて、多
層膜積層体中に少なくとも２層以上の厚さの異なる絶縁
物薄膜を有することを特徴とする磁気ヘッドコア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7121285A JPS61230607A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 磁気ヘツドコア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7121285A JPS61230607A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 磁気ヘツドコア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61230607A true JPS61230607A (ja) | 1986-10-14 |
Family
ID=13454147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7121285A Pending JPS61230607A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 磁気ヘツドコア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61230607A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5452167A (en) * | 1993-03-31 | 1995-09-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Soft magnetic multilayer films for magnetic head |
-
1985
- 1985-04-05 JP JP7121285A patent/JPS61230607A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5452167A (en) * | 1993-03-31 | 1995-09-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Soft magnetic multilayer films for magnetic head |
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