JPS6047292A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS6047292A JPS6047292A JP58154790A JP15479083A JPS6047292A JP S6047292 A JPS6047292 A JP S6047292A JP 58154790 A JP58154790 A JP 58154790A JP 15479083 A JP15479083 A JP 15479083A JP S6047292 A JPS6047292 A JP S6047292A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gap
- magnetic bubble
- bubble memory
- minor
- memory element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ素子、特にある種の磁性薄膜
に外部から垂直なバイアス磁界を印加することにより安
定に形成される円筒状磁区を用いてメモリ動作を行なう
磁気バブルメモリ素子に関するものである。
に外部から垂直なバイアス磁界を印加することにより安
定に形成される円筒状磁区を用いてメモリ動作を行なう
磁気バブルメモリ素子に関するものである。
一般に磁気バブルメモリ素子は、磁気バブルを形成する
磁性薄膜上にパーマロイ等の軟強磁性体薄膜からなる微
細バタンを僚数連続して形成し、このバタン内を回転す
る面内５１１界を加えることにより、該バタンを磁化し
、磁気バブルをバタンに沿って転送させることにより、
メモリ動作を行なう。そして、このメモリ動作を行なう
ため（τ磁気バブルメモリ素子は情報としての磁気）く
フ”ルを任を存スるだめのマイナループおよび掌、き込
み、読み出し動作を行なうだめのメジャラインならびに
これらの機能部より構成されている。こσ）ような構成
において、マイナルーブは、基本転送ノくタン力；ルー
プ状に配置されており、この基本転送ノ（タンは、従来
から主に非対称シェブロンノくタン、）・−フデイスク
パタンなどが用いられていた。
磁性薄膜上にパーマロイ等の軟強磁性体薄膜からなる微
細バタンを僚数連続して形成し、このバタン内を回転す
る面内５１１界を加えることにより、該バタンを磁化し
、磁気バブルをバタンに沿って転送させることにより、
メモリ動作を行なう。そして、このメモリ動作を行なう
ため（τ磁気バブルメモリ素子は情報としての磁気）く
フ”ルを任を存スるだめのマイナループおよび掌、き込
み、読み出し動作を行なうだめのメジャラインならびに
これらの機能部より構成されている。こσ）ような構成
において、マイナルーブは、基本転送ノくタン力；ルー
プ状に配置されており、この基本転送ノ（タンは、従来
から主に非対称シェブロンノくタン、）・−フデイスク
パタンなどが用いられていた。
ｉｔ １図は非対称シェブロンノくタンを用いたマイナ
ループの一例を示す安部拡大平面図である。同図におい
て、マイナルーノｌは、ツクタン２σ）相互間が寸法ｄ
を有するギャップ部Ｇを介して配列されており、このギ
ャップＧはｌ！Ｑ接するノ（タン２相互間の足２ａ、２
ｂを平行に配置することにより形成されている（ここで
以下平行ギャップ゛と称する入通常、磁気バブルメモリ
素子の特性はマイブールーズの転送特性によシ決定され
る。すなわち、マイナループの転送特性はギヤラフ寸法
ｄに依存し、このギャップ寸法ｄが大きくなるほど転送
・′ｌＩ性が低下する。したがって、ギャップ寸法ｄを
管。
ループの一例を示す安部拡大平面図である。同図におい
て、マイナルーノｌは、ツクタン２σ）相互間が寸法ｄ
を有するギャップ部Ｇを介して配列されており、このギ
ャップＧはｌ！Ｑ接するノ（タン２相互間の足２ａ、２
ｂを平行に配置することにより形成されている（ここで
以下平行ギャップ゛と称する入通常、磁気バブルメモリ
素子の特性はマイブールーズの転送特性によシ決定され
る。すなわち、マイナループの転送特性はギヤラフ寸法
ｄに依存し、このギャップ寸法ｄが大きくなるほど転送
・′ｌＩ性が低下する。したがって、ギャップ寸法ｄを
管。
理することが磁気バブルメモリ素子を生産する上で１、
丸めて重侠な叙因となっている。
丸めて重侠な叙因となっている。
従来では、マイナループ１のギャップ部Ｇは平行ギャッ
プであるため、キャップ寸法ｄの１ｉｉｌｌ屋はイト易
に行なうことができた。
プであるため、キャップ寸法ｄの１ｉｉｌｌ屋はイト易
に行なうことができた。
しかしながら、近年、磁気バブルメモリ素子の大答斯化
とともに基本転送パタン２の周期λの縮少化が行なわれ
、従来パタンに代り、ギャップ部Ｇがテーバ状であるチ
ーバードギャップ、クラブフットバタンが用いられるよ
うになった。
とともに基本転送パタン２の周期λの縮少化が行なわれ
、従来パタンに代り、ギャップ部Ｇがテーバ状であるチ
ーバードギャップ、クラブフットバタンが用いられるよ
うになった。
ｈ’ｓ １図はチーバードギャップパタンを用いたマイ
ナルーブの一例を示す装部拡大平面図である。
ナルーブの一例を示す装部拡大平面図である。
同図において、３・はマイナループ、今はチーバードギ
ャップバタン、Ｇ′はチーバードギャップ ｄ／はチー
バードギャップの寸法である。
ャップバタン、Ｇ′はチーバードギャップ ｄ／はチー
バードギャップの寸法である。
このような構成において、ギャップＧ′は平行ギャップ
でないため、ギャップ寸法ｄ′の測定を行なうことは極
めて因婦であった。
でないため、ギャップ寸法ｄ′の測定を行なうことは極
めて因婦であった。
したがって本発明は前述した間ｊシに鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、マイナルーグのバ
タン相互間ギャップ部が平行ギャップでない場合にも寸
法管理が容易に行なえるようにした磁気バブルメモリ素
子を提供することにある。
のであり、その目的とするところは、マイナルーグのバ
タン相互間ギャップ部が平行ギャップでない場合にも寸
法管理が容易に行なえるようにした磁気バブルメモリ素
子を提供することにある。
このような目的を達成するために本発ＩＪ４による磁気
バブルメモリ素子は、マイナループ部にバタン間ギャッ
プ寸法測定用バタンを設けたものである。
バブルメモリ素子は、マイナループ部にバタン間ギャッ
プ寸法測定用バタンを設けたものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第３図は本発明による磁気バブルメモリ素子をイーブン
・オード方式の磁気バブルメモリ素子に適用した場合の
一実施例を示す要部平面（ｑ摩成図である。同図におい
て、ｌｌｌ’ｊ：磁気バブルメモリ素子を構成するチッ
プ、１２６ 、 １２０はイーブン側。
・オード方式の磁気バブルメモリ素子に適用した場合の
一実施例を示す要部平面（ｑ摩成図である。同図におい
て、ｌｌｌ’ｊ：磁気バブルメモリ素子を構成するチッ
プ、１２６ 、 １２０はイーブン側。
オード側の磁気バブル検出器、１３ｅ、１３０はイーブ
ン１ｉｌｌ 、オード側読み出し用メイジャライン、１
４ｅ、１４０はイーブン側、オード側マイナループ形成
領域部であり、このマイナループ形成領域１４ｅ、１４
ｏには第２図に示すようなチーバードギャップパターン
４からなる多数個のマイナループ３が所定の間隔幅を有
して形成されている。１５ｅ。
ン１ｉｌｌ 、オード側読み出し用メイジャライン、１
４ｅ、１４０はイーブン側、オード側マイナループ形成
領域部であり、このマイナループ形成領域１４ｅ、１４
ｏには第２図に示すようなチーバードギャップパターン
４からなる多数個のマイナループ３が所定の間隔幅を有
して形成されている。１５ｅ。
１５０はイーブン側、オード側書き込み用メイジャライ
ン、１６はイーブン側、オード側マイナループ形成領域
ｉＢ ’４ｅ＋ １４ｏの端部に形成されたダミールー
プである。そして、このダミーループ１６は第２図に示
すようなチーバードギャップσを有するチーバードギャ
ップパタン４からなるループで形成されるとともに、こ
のループの１辺側両端部および中央部、っまシ同図に示
すＡ部には第４゛ 図に示すような平行ギャップＧを有
する非対称シェブロンパタン２が配列されて形成されて
いる。
ン、１６はイーブン側、オード側マイナループ形成領域
ｉＢ ’４ｅ＋ １４ｏの端部に形成されたダミールー
プである。そして、このダミーループ１６は第２図に示
すようなチーバードギャップσを有するチーバードギャ
ップパタン４からなるループで形成されるとともに、こ
のループの１辺側両端部および中央部、っまシ同図に示
すＡ部には第４゛ 図に示すような平行ギャップＧを有
する非対称シェブロンパタン２が配列されて形成されて
いる。
このような構成によれば、チップ１１の形成後、このダ
ミーループＩ６のへ部内に形成された平行ギャップＧを
有す非対称シェブロンパターン２相互間の平行ギャップ
Ｇの寸法を測定することによって、ライナループ形成領
域部１５ｅ、１５ｏ内に形成されたチーバードギヤツブ
バタン今相互間のチーバードギャップＧ′を管理するこ
とができる。
ミーループＩ６のへ部内に形成された平行ギャップＧを
有す非対称シェブロンパターン２相互間の平行ギャップ
Ｇの寸法を測定することによって、ライナループ形成領
域部１５ｅ、１５ｏ内に形成されたチーバードギヤツブ
バタン今相互間のチーバードギャップＧ′を管理するこ
とができる。
〔発明の効果Ｊ
以上説明したように本発り」によれば、マイナルーブの
バタン相互間ギャップ部が平行ギャップでない磁気バブ
ルメモリ素子においても寸法管理が極めて容易となる優
れた効果がイｕられる。
バタン相互間ギャップ部が平行ギャップでない磁気バブ
ルメモリ素子においても寸法管理が極めて容易となる優
れた効果がイｕられる。
第１図は平イうギャップを有する非対称シェブロンバタ
ンからなるマイナルーズの一例を示す要部拡大平面図、
第２図はチーバードギャップを有するチーバードギャッ
プパターンからなるマイナループの一例を示す要部拡大
平面図、第３図は本発明による磁気バブルメモリ素子の
一実施例を示す袂部平面構成図、第４図は第３図に示す
ダミーループＡ部のパタンの一例を示す要部拡大平面図
である。 ２・・・・非対称シェブロンパタン、３・・・・マイナ
ループ、４・・・・チーバードギャップバタン、１４・
・・・マイナループ形成領域部、１６・・・・ダミール
ーフ“。 第２図 ５１７−
ンからなるマイナルーズの一例を示す要部拡大平面図、
第２図はチーバードギャップを有するチーバードギャッ
プパターンからなるマイナループの一例を示す要部拡大
平面図、第３図は本発明による磁気バブルメモリ素子の
一実施例を示す袂部平面構成図、第４図は第３図に示す
ダミーループＡ部のパタンの一例を示す要部拡大平面図
である。 ２・・・・非対称シェブロンパタン、３・・・・マイナ
ループ、４・・・・チーバードギャップバタン、１４・
・・・マイナループ形成領域部、１６・・・・ダミール
ーフ“。 第２図 ５１７−
Claims (1)
- マイナルーブ部にバタン相互間ギャップ寸法測定用バタ
ンを設けたことを特徴とする磁気バブルメモリ素−子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154790A JPS6047292A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154790A JPS6047292A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047292A true JPS6047292A (ja) | 1985-03-14 |
Family
ID=15591952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58154790A Pending JPS6047292A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047292A (ja) |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP58154790A patent/JPS6047292A/ja active Pending
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