JPS6047474A - アモルファスシリコン太陽電池 - Google Patents
アモルファスシリコン太陽電池Info
- Publication number
- JPS6047474A JPS6047474A JP58156176A JP15617683A JPS6047474A JP S6047474 A JPS6047474 A JP S6047474A JP 58156176 A JP58156176 A JP 58156176A JP 15617683 A JP15617683 A JP 15617683A JP S6047474 A JPS6047474 A JP S6047474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- hydrogen
- compound
- radical
- solar battery
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
- H10F71/103—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material including only Group IV materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般式
％式％
１〜８のアルキル基、アリル基、アラルキル基、Ｒ’、
Ｒ’：水素、メチル基、エチル基。ｎ：１〜６の整数）
で表わされる有機珪素化合物あるいは、必要に応じてこ
の有機珪素化合物と同時に水素、一般式ＢＸｓ （Ｘ
：水素、炭素数１〜８の炭化水素基）で表わされるホウ
素化合物、一般式ＰＹａ （Ｙ ：水素、炭素数１〜８
の炭化水素基）で表わされるリン化合物との混合物を分
解して基板に堆積させ、積層することにより得られるア
モルファスシリコン太陽電池に関するものである。
Ｒ’：水素、メチル基、エチル基。ｎ：１〜６の整数）
で表わされる有機珪素化合物あるいは、必要に応じてこ
の有機珪素化合物と同時に水素、一般式ＢＸｓ （Ｘ
：水素、炭素数１〜８の炭化水素基）で表わされるホウ
素化合物、一般式ＰＹａ （Ｙ ：水素、炭素数１〜８
の炭化水素基）で表わされるリン化合物との混合物を分
解して基板に堆積させ、積層することにより得られるア
モルファスシリコン太陽電池に関するものである。
本発明の目的は、安価な、光電特性のすぐれたアモルフ
ァスシリコン太陽電池を得ることである。
ァスシリコン太陽電池を得ることである。
従来アモルファスシリコン太ｓｘ池はｆＨｎ４あるいは
Ｓｉｇｎ を水素とともに高周波電場を印加してプラズ
マ分解するグロー放電分解法より主として得られている
。この他結晶性シリコンをスパッタリングして非晶質シ
リコンを作る方法が知られているが、太陽電池の光電特
性の点からグロー放電分解法が最良の方法として知られ
ている。しかしながらこれらの方法は真空装置を用いて
減圧下、ことに通常０．１〜ｌ Ｑ Ｔｏｒｒの範囲で
分解反応を起こさせる必要がある。このため太陽電池を
工業的に入城生産するときには、連続生産が難かしくな
る。また半連続生産などにしようとすると装置全体が大
きくなり装置のコストが高くなり、従って太陽電池１枚
当りのコストも晶〈なってしまう。さらに太陽電池のコ
ストを上げる一因として生産速度がある。
Ｓｉｇｎ を水素とともに高周波電場を印加してプラズ
マ分解するグロー放電分解法より主として得られている
。この他結晶性シリコンをスパッタリングして非晶質シ
リコンを作る方法が知られているが、太陽電池の光電特
性の点からグロー放電分解法が最良の方法として知られ
ている。しかしながらこれらの方法は真空装置を用いて
減圧下、ことに通常０．１〜ｌ Ｑ Ｔｏｒｒの範囲で
分解反応を起こさせる必要がある。このため太陽電池を
工業的に入城生産するときには、連続生産が難かしくな
る。また半連続生産などにしようとすると装置全体が大
きくなり装置のコストが高くなり、従って太陽電池１枚
当りのコストも晶〈なってしまう。さらに太陽電池のコ
ストを上げる一因として生産速度がある。
８ｒＨ４のような常温でガス状の物質を分解するときに
は、分解されたシリコンラジカルが重力によって基板に
沈降し他の分子と化学結合を形成しながら薄膜を形成し
ていくための速度が小さいため、成膜速度をあまり大き
くとれないという欠点がある。このため成膜速度は２０
Ａ／妙以下に限定されている。この欠点を改良するため
にジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）をグロー放電により分解して
３０Ａ／秒以上の速度で成膜して光電特性のよい太陽電
池を作る方法が検討されている。ところがこの方法でも
真望装置が必要であり製造コストが高くなる。
は、分解されたシリコンラジカルが重力によって基板に
沈降し他の分子と化学結合を形成しながら薄膜を形成し
ていくための速度が小さいため、成膜速度をあまり大き
くとれないという欠点がある。このため成膜速度は２０
Ａ／妙以下に限定されている。この欠点を改良するため
にジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）をグロー放電により分解して
３０Ａ／秒以上の速度で成膜して光電特性のよい太陽電
池を作る方法が検討されている。ところがこの方法でも
真望装置が必要であり製造コストが高くなる。
ところが本発明方法によれば真空装置を用いても、ある
いは常圧装置を用いても太陽１ｇ池を製造できるが、常
圧装置のほうが安価な太陽電池を作れるという点で好ま
しい。また成膜速度についても条件によって、かなり高
速にすることができる。
いは常圧装置を用いても太陽１ｇ池を製造できるが、常
圧装置のほうが安価な太陽電池を作れるという点で好ま
しい。また成膜速度についても条件によって、かなり高
速にすることができる。
すなわち本発明は
は炭素数１〜８のアルキル基、アリル基、アラルキル基
。几ｔ、Ｒ“：水素又はメチル基、エチル基。ｎ：ｌ〜
６の整数）で表わされる有機珪素化合物あるいは、必要
に応じてこの有機珪素化合物と同時に水素、一般式ＢＸ
ａ （Ｘ ：水素又は炭素数１〜８の炭化水素基）で表
わされるホウ素化合物、一般式ＰＹｓ （Ｙ ：水素又
は炭素数１〜８の炭化水素基）で表わされるリン化合物
との混合物を分解して基板に堆積させ、積層することに
より得られるアモルファスシリコン太陽電池に関するも
のである。
。几ｔ、Ｒ“：水素又はメチル基、エチル基。ｎ：ｌ〜
６の整数）で表わされる有機珪素化合物あるいは、必要
に応じてこの有機珪素化合物と同時に水素、一般式ＢＸ
ａ （Ｘ ：水素又は炭素数１〜８の炭化水素基）で表
わされるホウ素化合物、一般式ＰＹｓ （Ｙ ：水素又
は炭素数１〜８の炭化水素基）で表わされるリン化合物
との混合物を分解して基板に堆積させ、積層することに
より得られるアモルファスシリコン太陽電池に関するも
のである。
本発明に用いる有機珪素化合物としては、例えばビスシ
リルメタン、ビスモノメチルシリルメタン、ビスジメチ
ルシリルメタン、ビストリメチルメタン、ビスモノエチ
ルシリルメタン、ビスジエチルシリルメタン、ビストリ
エチルメタン、ビスモノプロピルシリルメタン、ビスジ
プロピルシリルメタン、ビスモノオクチルシリルメタン
、ビスシリルエタン、ビスモノメチルシリルエタン、ビ
スジメチルシリルエタン、ビストリメチルシリルエタン
、ビスモノエチルシリルエタン、ビスジエチルシリルエ
タン、ビスモノプロピルシリルエタンなどがある。
リルメタン、ビスモノメチルシリルメタン、ビスジメチ
ルシリルメタン、ビストリメチルメタン、ビスモノエチ
ルシリルメタン、ビスジエチルシリルメタン、ビストリ
エチルメタン、ビスモノプロピルシリルメタン、ビスジ
プロピルシリルメタン、ビスモノオクチルシリルメタン
、ビスシリルエタン、ビスモノメチルシリルエタン、ビ
スジメチルシリルエタン、ビストリメチルシリルエタン
、ビスモノエチルシリルエタン、ビスジエチルシリルエ
タン、ビスモノプロピルシリルエタンなどがある。
第１図と第２図はアモルファスシリコン太陽電池の基本
構造である。１と１１はガラス基板、２と１２は透明電
極、８と１３はＰ型あるいはｎ型の非晶質シリコン層、
４と１４はノンドープ非晶質シリコン層、８と１８がｎ
型非晶質シリコン層のときは５と１５はＰ型非晶質シリ
コン層であり、３と１８がＰ型非晶質シリコン層のとき
は５と１５はｎ型非晶質シリコン層である。６と１６は
アルミニウム電極あるいはステンレス、ニッケルなどの
金属基板である。
構造である。１と１１はガラス基板、２と１２は透明電
極、８と１３はＰ型あるいはｎ型の非晶質シリコン層、
４と１４はノンドープ非晶質シリコン層、８と１８がｎ
型非晶質シリコン層のときは５と１５はＰ型非晶質シリ
コン層であり、３と１８がＰ型非晶質シリコン層のとき
は５と１５はｎ型非晶質シリコン層である。６と１６は
アルミニウム電極あるいはステンレス、ニッケルなどの
金属基板である。
以下実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれにより限定されるものではない。
本発明はこれにより限定されるものではない。
実施例
第１図において、Ｐ型非晶質シリコン層３を酸化インジ
ウム・スズ（ＩＴＵ ） 透１１）Ｊ’Ｆｅｔ１６２付
ガラス板１上に形成させる。このときアモルファスシリ
コン層形成用材料としてビスシリルメタンを用いる。Ｐ
型シリコン層形成時には、基板温度を２８０°Ｃとし、
ビスシリルメタン１００重飛部とトリエチルホウ素０．
０５重量部の混合物を水素気流下で膜厚８００Ａになる
ように均一膜を作成する。
ウム・スズ（ＩＴＵ ） 透１１）Ｊ’Ｆｅｔ１６２付
ガラス板１上に形成させる。このときアモルファスシリ
コン層形成用材料としてビスシリルメタンを用いる。Ｐ
型シリコン層形成時には、基板温度を２８０°Ｃとし、
ビスシリルメタン１００重飛部とトリエチルホウ素０．
０５重量部の混合物を水素気流下で膜厚８００Ａになる
ように均一膜を作成する。
次にこの膜の上部から石英ガラスを通して、高圧水銀灯
（５００Ｗ）２本を用い、２５３７Ａの紫外線を照射す
る。このようにしてＰ型非晶質シリコン層３を得る。次
にｉ型非晶質シリコン層４は上記のＰ型非晶質シリコン
層３上にビスシリルメタンのみを塗布し、膜厚を６００
ＯＡになるようにする。前記と同様に高圧水銀灯で照射
して分解反応を起こさせ、ｌ型非晶質シリコン層４を形
成させる。次にｎ型非晶質９９３２層５を、ｉ型非晶質
シリコン層４上に形成させる。ビスシリルメタンｉ０ｏ
！ＬＬ’１５とトリイソプロ？ルホスフィン０．１重量
部の混合物をｉ型非晶質シリコン層４上に塗布し、膜厚
が１００ＯＸとなるようにする。水素気流下で前記と同
様にして高圧水銀灯を照射して分解反応を起こさせてｎ
型非晶質９９３２層５を形成させる。このようにして形
成された半導体層上にＡｔ薄膜電極６を接触させ太陽電
池を作製した。
（５００Ｗ）２本を用い、２５３７Ａの紫外線を照射す
る。このようにしてＰ型非晶質シリコン層３を得る。次
にｉ型非晶質シリコン層４は上記のＰ型非晶質シリコン
層３上にビスシリルメタンのみを塗布し、膜厚を６００
ＯＡになるようにする。前記と同様に高圧水銀灯で照射
して分解反応を起こさせ、ｌ型非晶質シリコン層４を形
成させる。次にｎ型非晶質９９３２層５を、ｉ型非晶質
シリコン層４上に形成させる。ビスシリルメタンｉ０ｏ
！ＬＬ’１５とトリイソプロ？ルホスフィン０．１重量
部の混合物をｉ型非晶質シリコン層４上に塗布し、膜厚
が１００ＯＸとなるようにする。水素気流下で前記と同
様にして高圧水銀灯を照射して分解反応を起こさせてｎ
型非晶質９９３２層５を形成させる。このようにして形
成された半導体層上にＡｔ薄膜電極６を接触させ太陽電
池を作製した。
太陽電池特性は螢光灯２００１Ｘ照射時の電流−電圧特
性で示す。結果を第８図に示す。
性で示す。結果を第８図に示す。
第１図はアモルファスシリコン太陽電池の基本構造を示
す説明図。第２図はアモルファスシリコン太陽電池の他
の基本構造を示す説明図。 第８図は本発明によるアモルファスシリコン太１１％ｊ
ｉ！池の特性を示す説明図。 １．１１・・・・・・ガラス基板 ２．１２・・・・・・透明ＩＥ！ ３．１８・・・・・・ｎ型またはＰ型の非晶質シリコン
層４．１４・・・・・・ノンドープ非晶質シリコン層５
．１５・・・・・・非晶質シリコン層６．１６・・・・
・・金属基板
す説明図。第２図はアモルファスシリコン太陽電池の他
の基本構造を示す説明図。 第８図は本発明によるアモルファスシリコン太１１％ｊ
ｉ！池の特性を示す説明図。 １．１１・・・・・・ガラス基板 ２．１２・・・・・・透明ＩＥ！ ３．１８・・・・・・ｎ型またはＰ型の非晶質シリコン
層４．１４・・・・・・ノンドープ非晶質シリコン層５
．１５・・・・・・非晶質シリコン層６．１６・・・・
・・金属基板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 炭素数１〜８のアルキル基、アリル基、アラルキル基。 Ｒ’ 、 Ｒ” ： 水素又はメチル基、エチル基。 ｎ：１〜６の整数）で表わされる有機珪素化合物あるい
は、必要に応じてこの有機珪素化合物と同時に水素、一
般式ＢＸｓ （Ｘ ：水素又は炭素数１〜８の炭化水素
基）で表わされるホウ素化合物、一般式ＰＹｇ （Ｙ
：水素又は炭素数１〜８の炭化水素基）で表わされるリ
ン化合物との混合物を分解して基板に堆積させ、積層す
ることにより得られるアモルファスシリコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58156176A JPS6047474A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | アモルファスシリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58156176A JPS6047474A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | アモルファスシリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047474A true JPS6047474A (ja) | 1985-03-14 |
Family
ID=15622013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58156176A Pending JPS6047474A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | アモルファスシリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047474A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4755483A (en) * | 1985-07-30 | 1988-07-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device with p-type amorphous silicon carbide semiconductor film formed by photo-chemical vapor deposition |
| US4910153A (en) * | 1986-02-18 | 1990-03-20 | Solarex Corporation | Deposition feedstock and dopant materials useful in the fabrication of hydrogenated amorphous silicon alloys for photovoltaic devices and other semiconductor devices |
-
1983
- 1983-08-25 JP JP58156176A patent/JPS6047474A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4755483A (en) * | 1985-07-30 | 1988-07-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device with p-type amorphous silicon carbide semiconductor film formed by photo-chemical vapor deposition |
| US4910153A (en) * | 1986-02-18 | 1990-03-20 | Solarex Corporation | Deposition feedstock and dopant materials useful in the fabrication of hydrogenated amorphous silicon alloys for photovoltaic devices and other semiconductor devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4749588A (en) | Process for producing hydrogenated amorphous silicon thin film and a solar cell | |
| JPS6047474A (ja) | アモルファスシリコン太陽電池 | |
| JP3068276B2 (ja) | 非単結晶タンデム型太陽電池の製法及びそれに用いる製造装置 | |
| JP2688220B2 (ja) | 非晶質太陽電池 | |
| JPS6336521A (ja) | 非晶質薄膜の形成方法 | |
| JP2575397B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPS5916326A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| JPH07183550A (ja) | 非晶質光電変換素子 | |
| JPS59161880A (ja) | 非晶質太陽電池の製法 | |
| JPS6216514A (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| EP0137043B1 (en) | Method of manufacturing hydrogenated amorphous silicon thin film and solar cell | |
| JPH02177371A (ja) | アモルファス太陽電池の製造方法 | |
| JPH0815220B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPH01278782A (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
| JPH0376166A (ja) | 光電変換素子 | |
| JPH03235375A (ja) | 非晶質太陽電池 | |
| JPH0552673B2 (ja) | ||
| JPH01129970A (ja) | 機能性堆積膜形成法及びそのための装置 | |
| JPS60223114A (ja) | 半導体膜の製造装置 | |
| JPH02109376A (ja) | 非晶質太陽電池 | |
| JPH02109375A (ja) | 光電変換素子 | |
| JPS62195182A (ja) | 非晶質光起電力素子の製造方法 | |
| JPS6161474A (ja) | 非晶質太陽電池の製造方法 | |
| JPS63155610A (ja) | 半導体膜の製造方法 | |
| JPH0815219B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 |