JPS60501852A - 高密度化した窒化/オキシ窒化ケイ素複合物の製造方法 - Google Patents
高密度化した窒化/オキシ窒化ケイ素複合物の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
高密度化した窒化/オキシ窒化ケイ素複合物の製造方法
技術的分野
本発明はSi3N4粉末及び高密度化助剤の混合物を加熱溶融して、窒化ケイ素
を製造する技術に関するものである。
本発明の背景
及び先行技術の所説
窒化ケイ素を製造している業界では、一定の酸化物を原料に加え、これで十分密
度の高い物体を構成するのが普通であり、このよ−うな酸化物ば圧縮助剤又は焼
結助剤として作用する(米国特許第4,143,107号明細書参照)。これら
の酸化物が存在する場合には、ホットプレス中又は焼結中に十分な高密度化を達
成するのに、場合によっては工程をもつと経済的にするために所望されるよりも
高い温度及び圧力が必要であった。
ホットプレス中又は焼結中の化学反応の生成物として、一般に酸化物以外の化合
物を窒化ケイ素に導入していた(米国特許の第4.102.69 s号明細書、
第4,641,874号明細書、及び第4,350,771号明細書参照)。
このように先行技術では、ホットプレス、中又は焼結中じて、ケイ酸塩、複雑な
酸化物、及びオキ/窒化物を生成することを認めていた。本発明では研究を継続
して、これらのオキ/窒化物のあるものは、他のオキ/窒化物よりも好ましく、
且つ処理をするのに必要な低い温度及び圧力の促進に、ケイ酸塩及び酸化物より
も好ましいことを見い出した。これは、選択的には一部は、これらの化合物のあ
るものは窒化ケイ素に対する溶解度の程度が一段と高く、従って加熱溶融工程中
に窒化ケイ素を完全に溶解するのに必要な温度及び圧力の低減を促進する傾向が
あるという事実によるものである。
必要なのはホットプレス又は焼結をするMjlに混合物に化学的変性剤を導入す
ることができることであり、この変性剤でCa)混合物をホットプレス又は焼結
して、十分に高密度化した物体にするのに必要な時間及び温度の低減、(b)ケ
イ酸塩形成酸化物の量を一段と高い制御伍まで増して、最終物体の物理的特性を
最適にする自由、及び(c)ホットプレス又は焼結中に化学反応のとっぴな行動
を絶対的に当てにすることなく、最終生成物に所望の第二相の化学的性質の一段
と精密な制御又は選択を見込む。
本発明の要約
本発明は本質的に、(ハ))窒化ケイ素及びオキ/窒化ケイ素イツトリウムの実
質的に均一な粉末混合物を成形するが、後者は溶融加熱中に、少なくとも窒化ケ
イ素の一部とで粘性溶液を形成するのに十分な量で存在し、該成形を行って、寸
法及び密度が必要とするよりも小さい物体を作り、且つ(b)機械的な圧力を加
え、あるいは加えないで、加熱溶融によって物体の密度を上げて、最終生成物に
必要とする密度及び寸法にすることがら成る工程によって、高密度化した窒化ケ
イ素から成る物体を作る方法である。
均一な粉末f混合物1は、窒化ケイ素粉末を、必要な割合の、別個に作ったオキ
/窒化ケイ素イツトリウム粉末と直接混合して作るか、あるいは手向的な非浴融
加熱工程中に反応して、−その場でオキ/窒化ケイ素イツトリウムを形成する酸
化物と窒化ケイ累とを混合して作るか、どちらで作ってもよい。使1−11する
、あるいは両方法で作るオキ/窒化ケイ素イツトリウムは有利にはYo。5i6
024N2相を少なくとも75%にするべきである。時にばH相と呼ばれるY1
0Si6024N2相は、容易に形成される他の第二次相よりも窒化ケイ素に対
する溶解度が高いことが見い出された。H相は加熱溶融工程中にむしろ容易にに
相(式はYSi02Nである)に転化させることができ、後者の相は結晶特[生
が一段と安定であるから、特に好ましい。
別個に作ったオキシ窒化ケイ素イツトリウムの純度は好ましくは98%以上であ
るべきであり、且つ好ましくは混合物の6〜18重量%の量を導入するべきであ
る。予備的な非溶融加熱工程を使用する冷開成形方法にとっては、混合物は重量
百分率でY、034〜12%、81021〜6.5%、及びA12o30.4〜
6.0%から成るのが好ましい。Si3N4粉末の表面に、十分な酸素が5i0
2として存在しない場合には、5102を添加することができる。予備的な非溶
融加熱工程は、アルゴンのような不活性雰囲気中で、好ましくは1500〜15
50°C(2762〜2822°F)の温度範囲で、4〜8時間の間、最も有利
には約6時間行うのが好ましい。粉末混合物は、ホントプレス又は無加圧焼結す
るだめのような、加熱溶融高密度化工程を行うために別の炉に移す前に、冷却す
ることができる。
混合物の粉末を粒度について管理し、各粒子を24μ以下に制限するのが好まし
い。押し出し加工、冷間圧密化、流し込み成形、水圧圧縮、及びダイス中での加
熱凝結から成る群のうちのどの方法ででも、粉末を好ましく成形することができ
る。
十分に高密度化する工程は、単純な形状については、1600〜1700°C(
1912〜6092°F)の温度で、2500〜4000ポンド/平方インチの
圧力で、約30〜80分の時間の間、最も有利には約60分間、ホットプレスで
好ましく行うことができる。十分な高密度化工程は又、通常ホットプレスと組み
合わせる圧力を使用しないで、1704〜1760°C(6100〜6200°
F)の温度で、約2〜12時間の間、最も有利には約6時間の間、焼結すること
によって行うこともできる。
本発明を実施する最良の方法
本発明を実施する好ましい方法は下記の通シである。
1、混合物の製造
窒化ケイ素粉末、オキシ窒化ケイ素イツトリウム粉末、及び酸化アルミニウム粉
末の均一粉末混合物を混ぜ合わせて製粉する。A1203形態のガラス形成体の
添加を行って、最終溶融生成物中のオキシ窒化物粒子に薄いケイ酸塩コーティン
グを施す。ケイ酸塩には微小孔が、はとんど、あるいは全くないので、オキシ窒
化物の高温酸化を保護する。
513N4ろ200,9(混合物の88.2重量%)、Yo。5160.N2相
362g(混合物の10.6重量%)、及びAl2O353g (混合物の1.
5重量%)で、混合物を定量的に製造する。オキシ窒化ケイ素イツトリウムにつ
いての有効な範囲は混合物の6〜18重量%である。
窒化ケイ素は純度が98%以上になり、且つ最初の最大粒度が24μ以下になる
ように選定する。このような純度で経験される主要な微量の金属汚染物質は、最
大量として、鉄1.0%、アルミニウム05%、マンガン0.09%、及びCa
0.02%を包含する。非金属汚染物質は、最大量として、炭素口、05%、
及び酸素1.75%未満を包含する。
オキシ窒化ケイ素イツトリウム粉末は最大粒度が16μ以下で純度が少なくとも
9.9.0%あるように選定する。アルミニウム粉末は最大粒度が10μ以下で
、平均粒度が2〜3μで、純度が少なくとも995%あるように選定する。これ
らの最大粒度は製粉後の粒度に関して示す。
混合物を、所望の最終生成物の組成と同一組成のS L3 N 4の円筒形をし
ている粉砕媒体と一緒に、不活性の製粉ジャーの中に仕込んで、粉砕し、且つ混
和する。
無水メタノールを使用して、混合物を64回転/分で約48時間湿式製粉し、次
に≠10メノンユふるいを使用して、製粉媒体から分離する。混合物全乾燥し、
次に不活性ジャーの中で2時間乾式製粉して、凝結体の崩壊を行う。
2成形
製粉した、あるいは細かに砕いた混合物を、次に成形して、所望する一般的な寸
法及び外形の物体を作る。
例えば、単純な形状については、成形は製粉した混合物を圧縮ダイス装置の中に
詰め込んで行い、且つ14DO〜1500バンド/平方インチを使用して冷間圧
縮し、寸法は直径が約6インチ、厚さが0,6インチで、同時に密度が約1.7
9/ C:rn3になっている円盤の形をした圧密体、すなわち予備成形品を作
るのが好ましい。しかしながら、成形工程は、下記の方法、すなわち押し出し加
工、流し込み成形、ダイス中での加熱凝結、水圧圧縮のどれかで、あるいは好ま
しい冷間圧密で、うまく行うことができる。方法の選定は、製造しようとする部
品の複雑さ及び所望の作ったままの密度に左右される。
6十分な高密度化
成形した物体をホットプレスして、必要な寸法及び密度の窒化ケイ素から成る物
体を生成するのが好ましい。壁体がグラファイトの圧縮固定具を使用して、加熱
圧縮を行う。壁体及び成形物体の両方を窒化ポウ素のスラリーでコーティングし
て乾燥する。成形物体を入れである圧縮固定具を高温圧縮炉に入れる。加熱及び
圧縮は少しずつ行うのが好ましく、+111000ポンド/平方インチの機械的
負荷を室温で物体に加え、(2)温度(r上げ−(250o’F(1371°c
)KL、且ッFJ時に圧力を上げて2500ポンド/干方イ/チにし、(3)最
後に温度を上げて、最終ホットプレス温度1600〜1700°C(2912〜
3092°F)、最適Kid1625°0C2957°F)にし、且っ圧力を上
げて3000〜4000ボンド/平方インチ、最適には6500ポンド/平方イ
ンチにする。後者の条件を、完全な理論密度の少なくとも99%、又は好捷しく
け995%を得る寸で維持する。これには、通常高密度化しようとする物質の容
積及び化学的性質に基づいて、最終ホットプレス温度で、0.25〜3.0時間
、有利には約60〜80分、又は最適には60分が必要である。
次に物体を任意の速度で、急冷さえして室温まで冷却する。
別法としては、未加工密度が2.0 g/ crn3 よりも大きい成形物体に
ついては、十分な高密度化は、成形物体を実質的に十分高密度にする時間の間、
加熱を行い、且つ必要な寸法及び密度の生成物を作る、焼結操作で達成すること
ができる。焼結は焼結に有効であるが、窒化ケイ素が昇華しない温度で行い、こ
のような温度は1704〜1760°C(3100〜6200乍)の範囲である
のが好ましい。加熱は、機械的又は大気の超過圧力を使用することなく、環境雰
囲気で行うことができ、あるいは、ゆるい窒化ケイ素粉末のような、セラミック
媒質のバッキングプランケットを使用して行うことができる。焼結温度までの温
度上昇を1時間当たり約600°Cの速度で行って、焼結温度6150′F(1
732°C)にし、且つ完全な理論密度を達成させるのに十分な時間(2〜12
時間のような)の間、この温度に保持する。
加熱溶融中に、Y工。31.6024 N 2相及びその中に含有されるケイ酸
塩は液化して813N4を溶解する。再び結晶化すればオキシ窒化ケイ素イツト
リウムは、大部分が熱的及び化学的に安定なYS 102N相として再び現われ
る。
ホットプレス又は焼結で生じる物体は、本質的にβ−窒化ケイ素、YSi02N
が大部分及びYl。S i6024 N2が少量のオキシ窒化ケイ素イツトリウ
ム10.0〜11.5重量%から成υ、微結晶は厚さが2〜10オングストロー
ムで、微小孔の全くない、3%までのケイ酸塩相で覆われている。最終生成物中
にY1相ができるのは一段と低いホットプレス温度でのY、。相の転化によるも
ので、同時に更に5i3N4の完全な溶解をも行う。焼結中には、−酸化ケイ素
の生成で酸素が失なわれて、オキシ窒化物相全モル濃度の低い5102形態にま
で追いやる。この転換には、相当する、1%よりも少ない、重量損失を伴う。物
体は45−N尺度で硬さが880〜920、密度が32〜3.35 g/cx3
であり、且つ平均破壊強さが四点曲げ試験で1200°Cで85.000ポンド
/平方インチ以上であり、又1000°Cの空気中で450時間後に物体による
重量ピンクアップをさせない酸化抵抗力がある。
Yo。5i6024N2相及びY4S1207N2相のような若干のオキシ窒化
ケイ素イツトリウムは物体中に存在する第二相の25%まで許容することができ
る。
混合物製造の別法
別法としては、予備的な熱処理によってY工。Si6024 N2相というオキ
シ窒化ケイ素イツトリウムの必要量を作るのに有効な化学量論量の酸化物と窒化
ケイ素粉末を初めから混合することによって、オキシ窒化ケイ素イツトリウムを
混合物に導入することができる。このような酸化物は(混合物の重量百分率で)
Y2O34〜12%、及び5i021〜35%から成るのが優先的であり、該
5102の若干は窒化ケイ素粉末上に存在する酸化物コーティングとして構成さ
れていてもよい。更に0.4〜3.0%の量のAl2O2f再び添加して、オキ
シ窒化ケイ素イツトリウム粒子上に薄いケイ酸塩コーティングを作ってもよい。
予備加熱はアルゴンのような不活性雰囲気中で行い、且つ2732〜2822°
F(1500〜15508C)の範囲の温度で約4〜8時間の間、加熱する。あ
らかじめ反応させた粉末混合物を次に再粉砕して、一様な均一の粉末混合物にし
、且つ流し込み成形して、最終加熱溶融工程の準備の成形物体を作ってもよい。
流し込み成形は、粉末混合物を水(極性ビヒクルとして)、及び作ったスラリー
を成形用多孔質固定具及び鋳型の中に挿入することができるように、適当な割合
の凝固防止剤と混合して行うことができる。
実施例
一連の試料を製造し、且つ物理的パラメーターに関して試験して、処理及び化学
的性質?どれだけ変化させれば、本発明の利点を得やすくするか否かを示した。
S i 3N4粉末と種々の量のオキシ窒化ケイ素イツトリウムとにA、I!2
032%を加えて混合し、粉砕して、試料1〜3を製造した。混合物を冷間圧密
化しく直径6インチ、厚さ0.6インチの予備成形品にし)、且つ最終ホットプ
レス圧力3500ボンド/平方インチで、1625°C(2957°F’)で、
半時間ホットプレスした。高密度化した試料を化学成分含有量、密度、強さ、硬
さ、及び高温安定性に関して測定した。試料1では混合物中にY工。Si202
4 N2相10%を使用したが、得られた物体は、0)YIS102N相108
%、ケイ酸塩的2%、及び残部は本質的にβ−8i3N4、(b)四点曲げ試験
で1200’Cで107.000ボンド/平方インチ(平均)、(c)45−N
尺度で硬さ91、及び(d) 1000°Cの空気中で450時間後に、物体に
よる重量−ソクアップさせない酸化抵抗力、を示した。試料2では混合物中にY
工。1%だけを使用した。得られた物体は完全な理論密度の約65%の貧弱な密
度を示した。試料6ては試料1のYユ。相10%に対してy、5i207N2相
10%を置相撲0た。得られた物体は、完全な理論密度の87%という貧弱な密
度を示した。
S i3N4粉末を、重量百分率で、72038%及びM、032%と混合して
試料4〜6を製造した。S]0.含有量は窒化ケイ素粉末の酸素測定によって、
窒化ケイ素の26重量%であると決定した。混合物を冷間圧密し、且つ予備的熱
処理を施して、Y1oS16024N2相を作り、次に実施例1〜乙のときのよ
うにホットプレスした。
試料4には1525°C(2777°F)で6時間、予備内熱処理を施した。得
られた物体は、試料1で示したような優秀な結果を示した。試料5には1525
°C(2777°F’)で1時間、予備的熱処理を施した。得られた物体はY工
。516024N2ヲはとんど生成しないで、好ましくない量の未反応Y2O3
を示した。強さ及び硬さは、上記のホットプレス条件の下では高密度化が不完全
なために、許芥できる標準に達しなかった。主として、一段と低い温度、圧力及
び一段と短い時間でのホットプレスに対する適性のために、試料全部で、少量の
炭化ケイ素生成が認められた。
従って、約1625°C(2957°F)という一段と低い温度で、短時間の間
にホットプレスをできるようにし、且つ最終の溶融物体中に多量のYISi02
N第二相を得るためには、S L3 N 4混合物は、加熱溶融以前にYlo
5i6024N2相を6〜18%含有していなければならない。
焼結によって高密度化するために、試料4の熱処理粉末を再粉砕し、且つ物質を
流し込み成形して、2.0g/lx3 よυも大きい未加工密度にして、試料6
を製造した。成形物質’に1750’cで8時間焼結させた。
十分な密度を得、且つ生成物は平均強さが1200°Cで98,000ボンド/
平方インチ、硬さく 45−N )が88.5であり、且つ良好な酸化抵抗力が
あった。試料7では、試料5と同一の物質を再粉砕し、流し込み成形し、且つ焼
結させた。密度の増加は全く認められなかった、又8%の重量損失を生じた。
国際調査報告
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 高密度化した窒化ケイ素から成る物体の製造において、 (a) 窒化ケイ素及びオキシ窒化ケイ素イツトリウムの実質的に均質な粉末混 合物を成形し、オキシ窒化ケイ素イツトリウムは溶融加熱中に該窒化ケイ素の少 なくとも一部と粘性の溶液を作るのに十分な量で存在し、該成形を行って、寸法 及び密度が必要とするよりも少ない物体を作り、且つ(b) 機械的な圧力を使 用し、又は使用しないで、加熱溶融によって、該成形物体を高密度化して、必要 とする密度及び寸法の物体を作る、工程によることを特徴とする製造方法。 2 オキシ窒化ケイ素イツトリウムはYo。816024 N2相が少なくとも 75%である、上記第1項に記載の方法。 6 オキシ窒化ケイ素イツトリウムを他にかかわりなく製造し、且つ混合物の6 〜18重量%の量を混合物に導入する、上記第2項に記載の方法。 4 他にかかわシなく製造したオキシ窒化イツトリウムは純度が少なくとも98 .0%である、上記第3項に記載の方法。 5 予備的な非溶融加熱工程中に反応して、その場でオキシ窒化ケイ素を形成す る酸化物の化学量論量と5 窒化ケイ素とを混合することによって、成形しようとする混合物を作る、上記第 1項に記載の方法。 6 酸化物はY2O3及びS i O2がら成す、且つその場で形成されるオキ シ窒化物はオキシ窒化ケイ素イツトリウムである、上記第5項に記載の方法。 7 予備的な非溶融加熱を2732〜2822°F(1500〜1550°C) の温度水準で行い、該加熱を4〜8時間の間継続する、上記第5項に記載の方法 。 8 予備的な加熱を不活性雰囲気中で行う、上記第5項に記載の方法。 9 混合物は24μよりも大きくない粒子から成る、上記第1項に記載の方法。 10 成形を下記の方法、すなわち押し出し加工、冷間圧密化、流し込み成形、 固定具中での加熱凝結、及び水圧圧縮のうちの−つで行う、上記第1項に記載の 方法。 11 2500〜4000ボンド/平方インチの圧力で、1600〜1700° C(2912〜3092°F)の最終温度水準で、約60〜80分間の間、ポッ トプレスすることによって、高密度化工程を行う、上記第1項に記載の方法。 12 通常ホットプレスに随伴する圧力を使用することなく、1704〜176 0°C1100〜6200’F )の温度水準で、2〜12時間の間、物体を焼 結することによって、高密度化工程を行う、上記第1項に16 記載の方法。 16 窒化ケイ素から成る物体の製造において1、(a) 窒化ケイ素、YIO Sia 024N2相であるオキ/窒化ケイ素イツトリウム6〜18%、及びM 2O30,4〜3%の実質的に均質な混合物を成形して、密度及び寸法が必要と するよりも少ない物体を作シ、且つ (b) 圧力を使用し、又は使用しないで、加熱溶融することによって、成形物 体を高密度化して、必要とする密度及び寸法の物体を作る、 工程によることを特徴とする製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6335453A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-16 | エ−イ− ピ−エルシ− | 窒化ケイ素からのセラミック体の製造 |
| JPS63100066A (ja) * | 1986-06-02 | 1988-05-02 | トヨタ自動車株式会社 | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60204673A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-16 | 株式会社東芝 | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
| DE3423573A1 (de) * | 1984-06-27 | 1986-01-09 | Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München | Polykristalline sinterkoerper auf basis von siliciumnitrid und sinteradditiven |
| US4708943A (en) * | 1985-04-08 | 1987-11-24 | Gte Products Corporation | Silicon nitride having low dielectric constant |
| US4654315A (en) * | 1985-04-08 | 1987-03-31 | Gte Products Corporation | Low dielectric loss silicon nitride based material |
| CA1256458A (en) * | 1985-12-23 | 1989-06-27 | Elaine C. Beckwith | Method of making ultrapure silicon nitride/oxynitride powder |
| DE3685735D1 (de) * | 1985-12-23 | 1992-07-23 | Ford Werke Ag | Verfahren zur herstellung von siliziumnitridpulver. |
| US5030397A (en) * | 1986-04-04 | 1991-07-09 | Gte Laboratories Incorporated | Method of making large cross section injection molded or slip cast ceramics shapes |
| US5372978A (en) * | 1993-03-11 | 1994-12-13 | Cercom Inc. | Monolithic, fully dense silicon carbide material, method of manufacturing and end uses |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54126209A (en) * | 1978-03-10 | 1979-10-01 | Tokyo Shibaura Electric Co | Production of heat resistant high strength sintered body |
| JPS55116672A (en) * | 1979-02-27 | 1980-09-08 | Tokyo Shibaura Electric Co | Manufacture of heat resisting high strength sintered body |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4143107A (en) * | 1974-06-28 | 1979-03-06 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Silicon nitride-based sintered material and method for manufacturing the same |
| US4102698A (en) * | 1976-11-23 | 1978-07-25 | Westinghouse Electric Corp. | Silicon nitride compositions in the Si3 N4 -Y2 O3 -SiO2 system |
| IT1117334B (it) * | 1977-12-23 | 1986-02-17 | Fiat Spa | Procedimento per la sinterizazzione di nitruro di silicio reaction bonded |
| DE2812019C2 (de) * | 1978-03-18 | 1982-06-03 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Vorrichtung zum Herstellen eines Vorformlings aus Siliziumnitrid |
| US4401617A (en) * | 1978-05-31 | 1983-08-30 | Ford Motor Company | Ceramic cutting tool formed from Si3 N4 -Y2 O3 -SiO.sub. |
| US4285895A (en) * | 1979-03-23 | 1981-08-25 | Ford Motor Company | Method of densifying a reaction bonded silicon nitride article |
| US4264548A (en) * | 1979-12-20 | 1981-04-28 | Ford Motor Company | Method of making silicon nitride based cutting tools-I |
| US4264550A (en) * | 1979-12-20 | 1981-04-28 | Ford Motor Company | Method of making silicon nitride base cutting tools -II |
| US4384909A (en) * | 1981-11-16 | 1983-05-24 | United Technologies Corporation | Bonding Si3 N4 ceramics |
| US4511525A (en) * | 1981-11-26 | 1985-04-16 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Process for producing sintered silicon nitride-base body |
| US4377542A (en) * | 1981-12-21 | 1983-03-22 | Ford Motor Company | Method of forming a densified silicon nitride article |
| US4388414A (en) * | 1981-12-21 | 1983-06-14 | Ford Motor Company | Thermally stable silicon nitride material |
| US4383958A (en) * | 1981-12-21 | 1983-05-17 | Gte Laboratories Incorporated | Method of producing dense silicon nitride ceramic articles having controlled surface layer composition |
-
1983
- 1983-07-19 DE DE8383902710T patent/DE3376746D1/de not_active Expired
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- 1983-07-19 JP JP58502784A patent/JPS60501852A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54126209A (en) * | 1978-03-10 | 1979-10-01 | Tokyo Shibaura Electric Co | Production of heat resistant high strength sintered body |
| JPS55116672A (en) * | 1979-02-27 | 1980-09-08 | Tokyo Shibaura Electric Co | Manufacture of heat resisting high strength sintered body |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63100066A (ja) * | 1986-06-02 | 1988-05-02 | トヨタ自動車株式会社 | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
| JPS6335453A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-16 | エ−イ− ピ−エルシ− | 窒化ケイ素からのセラミック体の製造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0148831B1 (en) | 1988-05-25 |
| EP0148831A1 (en) | 1985-07-24 |
| AU560598B2 (en) | 1987-04-09 |
| EP0148831A4 (en) | 1986-01-28 |
| DE3376746D1 (en) | 1988-06-30 |
| BR8307735A (pt) | 1985-06-04 |
| US4496503A (en) | 1985-01-29 |
| WO1985000593A1 (en) | 1985-02-14 |
| AU1887683A (en) | 1985-03-04 |
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