JPS6052026A - 微細パタ−ンの形成方法 - Google Patents
微細パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS6052026A JPS6052026A JP58159560A JP15956083A JPS6052026A JP S6052026 A JPS6052026 A JP S6052026A JP 58159560 A JP58159560 A JP 58159560A JP 15956083 A JP15956083 A JP 15956083A JP S6052026 A JPS6052026 A JP S6052026A
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- JP
- Japan
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- layer
- substrate
- etching
- polymer layer
- pattern
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ＞ 発明の技術分野
本発明は顕著な段差を伴う基板上への微細パターンの形
成方法に関する。 − （ｂ）技術の背景 ＩＣ，ＬＳＩなど半導体素子の集積度は益々大きくなり
、そわと共に半導体素子は小型化され、従って電極パタ
ーン幅、導体パターン幅も微少化すると共に多層配＃構
成をとるため基板の凹凸が増加し半導体素子形成は高度
な技術を必要としている。
成方法に関する。 − （ｂ）技術の背景 ＩＣ，ＬＳＩなど半導体素子の集積度は益々大きくなり
、そわと共に半導体素子は小型化され、従って電極パタ
ーン幅、導体パターン幅も微少化すると共に多層配＃構
成をとるため基板の凹凸が増加し半導体素子形成は高度
な技術を必要としている。
本発明は顕著な段差を伴う基板−Ｆへ微細パターンを形
成する方法の改良に関するものである。
成する方法の改良に関するものである。
（ｃｌ 従来技術上問題点
基板上に導体或は絶縁物からなる微細パターンを形成す
る方法として薄膜形成技術と写真蝕刻技術（ホトリソグ
ラフィ）（＋−が用いられている。
る方法として薄膜形成技術と写真蝕刻技術（ホトリソグ
ラフィ）（＋−が用いられている。
すなわち真空蒸着、スパッタリングなどにより金属材料
、非金属材料、絶縁材料などからなる薄膜を形成し、こ
の上にホトレジストを被覆しこれにマスクパターンを投
影露光するか密着露光するかしてホトレジストを選択的
に感光せしめ現像液に対して爵解変の差異を生じさせる
。
、非金属材料、絶縁材料などからなる薄膜を形成し、こ
の上にホトレジストを被覆しこれにマスクパターンを投
影露光するか密着露光するかしてホトレジストを選択的
に感光せしめ現像液に対して爵解変の差異を生じさせる
。
こ＼でホトレジストには光照射部が現１ｉ１＆Ｎに対し
て可溶となるポジタイプと不溶となるネガクイプとがあ
る０ 次に現像処理により部分的に窓あけされた部分に化学エ
ツチング或はドライエツチングを施すことにより基鈑上
の薄膜がエツチングされ、その後マスクして用いたホト
レジストを溶解除去することにより薄膜よりなる微細パ
ターンが形成されるＯ第１図は凹凸のある基板ｌの上に
導体パターン２を形成する場合の実施例で、この場合の
基板１はシリコン（Ｓｌ）ウェハ上に多層構造をとって
形成された基板面を示している０ すなわち導体としては多結晶シリコン（以後ボ１１８１
）、アルミニウム（以後ＡＡ）などが、また絶縁層とし
ては２酸化硅素（以後Ｓｉｎりなどの材料が用いられ、
絶縁層を拒て＼多層配線が行われること＼導体抵抗を減
らすためにポリ８１層の厚さとして０．４〜０．５〔μ
ｍ〕がとられていることから、これらの導体パターンが
交叉する位置では顕著な段差をもつ凹凸を生じている。
て可溶となるポジタイプと不溶となるネガクイプとがあ
る０ 次に現像処理により部分的に窓あけされた部分に化学エ
ツチング或はドライエツチングを施すことにより基鈑上
の薄膜がエツチングされ、その後マスクして用いたホト
レジストを溶解除去することにより薄膜よりなる微細パ
ターンが形成されるＯ第１図は凹凸のある基板ｌの上に
導体パターン２を形成する場合の実施例で、この場合の
基板１はシリコン（Ｓｌ）ウェハ上に多層構造をとって
形成された基板面を示している０ すなわち導体としては多結晶シリコン（以後ボ１１８１
）、アルミニウム（以後ＡＡ）などが、また絶縁層とし
ては２酸化硅素（以後Ｓｉｎりなどの材料が用いられ、
絶縁層を拒て＼多層配線が行われること＼導体抵抗を減
らすためにポリ８１層の厚さとして０．４〜０．５〔μ
ｍ〕がとられていることから、これらの導体パターンが
交叉する位置では顕著な段差をもつ凹凸を生じている。
第１図はこのよろな凹凸のある基板１の上にポリＳｉ或
はＡＺよりなる導体パターン２を形成する場合で囚は断
面図また（Ｂ）はパターン形成後の導体パターン２の平
面図である。こ＼で従来のよろにｆ−ＫＷｊ３の上にホ
トレジスト層（この場合ポジタイプとする）４をスピン
コード法により形成し、同図（４）で示すような段差の
ある部分に直ダして同図（Ｂ）に示すような細線パター
ンを形成する場合、露光により感光するホトレジスト層
４の厚さは基＠１の突出部５と平坦部６では顕著に異る
ために導体パターン２にくびわ７を生じてしまう。
はＡＺよりなる導体パターン２を形成する場合で囚は断
面図また（Ｂ）はパターン形成後の導体パターン２の平
面図である。こ＼で従来のよろにｆ−ＫＷｊ３の上にホ
トレジスト層（この場合ポジタイプとする）４をスピン
コード法により形成し、同図（４）で示すような段差の
ある部分に直ダして同図（Ｂ）に示すような細線パター
ンを形成する場合、露光により感光するホトレジスト層
４の厚さは基＠１の突出部５と平坦部６では顕著に異る
ために導体パターン２にくびわ７を生じてしまう。
すなわち本実施例の櫂１合はポジレジストであるから露
光部が分解して現像液に対し易溶性となるト がこの露光処理は現像残りが起きないようレジ犬２膜厚
の厚い平坦部６を基準として露光部が充分に感光される
条件で行われる。
光部が分解して現像液に対し易溶性となるト がこの露光処理は現像残りが起きないようレジ犬２膜厚
の厚い平坦部６を基準として露光部が充分に感光される
条件で行われる。
然しこの条件は基板の突出部５のホトレジスト層４にお
いては感光過度であり、基板面からの反射などによりマ
スク部までも部分的に感光するため導体パターン２にく
びれ７を生ずるこさになる。
いては感光過度であり、基板面からの反射などによりマ
スク部までも部分的に感光するため導体パターン２にく
びれ７を生ずるこさになる。
このくびれ７の形成は従来のようにパターン幅が３〔μ
ｍ〕程度の導体パターンに対しては影響は少いがパター
ン幅が１〔μｍ〕となる今後の微細パターンに対しては
影響が大きい０ さてか＼る顕著な段差を伴う基板面への微細パターンの
形成法きしては３層構造をとるドライエツチング法が提
案されている０ 第２図（Ａ）〜（ト）はこれによるパターン形成方法を
示すもので、基板ｌの上に導体層３をスパッタ法などで
形成した後ポリマー層８を厚めに形成して基板の段差に
よる凹凸を無くする同図（Ａ）。
ｍ〕程度の導体パターンに対しては影響は少いがパター
ン幅が１〔μｍ〕となる今後の微細パターンに対しては
影響が大きい０ さてか＼る顕著な段差を伴う基板面への微細パターンの
形成法きしては３層構造をとるドライエツチング法が提
案されている０ 第２図（Ａ）〜（ト）はこれによるパターン形成方法を
示すもので、基板ｌの上に導体層３をスパッタ法などで
形成した後ポリマー層８を厚めに形成して基板の段差に
よる凹凸を無くする同図（Ａ）。
こ＼でポリマーは基ｍｔの凹凸を無くするもので感光性
をもつことは必要条件ではなく透明な高分子であれば何
れでもよい０この理由は基板１とのマスク合わせの点で
有利なためである０本実施例においてはポリマー層８の
塗布厚として２．５〜３〔μｍ）をとったが、これによ
り基板面の凹凸による段差が０．５〜１（μｍ〕存在し
ていてもポリマー層８の表面は平坦化する同図（Ａ）。
をもつことは必要条件ではなく透明な高分子であれば何
れでもよい０この理由は基板１とのマスク合わせの点で
有利なためである０本実施例においてはポリマー層８の
塗布厚として２．５〜３〔μｍ）をとったが、これによ
り基板面の凹凸による段差が０．５〜１（μｍ〕存在し
ていてもポリマー層８の表面は平坦化する同図（Ａ）。
次にこの上にスパッタ処理などにより中間層９を約ｔ
ｏ ｏ ｏ〔にの厚さに形成する同図（Ｂｌ。
ｏ ｏ ｏ〔にの厚さに形成する同図（Ｂｌ。
この中間層９はアッシング（灰化）処理を行う際のマス
クとして作用するもので、この必要条件は反射率の少い
材料からなることおよびマスク合わせを容易にするため
薄く形成することが好ましＥＴ）Ｑ すなわち基板１の表面を目視し得る状態でマスクの位置
合わせを行うには導体層３よりも反射率の少い材料で形
成する必要があり、また後で行うアッシング処理に際し
て耐蝕性のあるものでなければならない。この条件を満
す材料さして導体層３がポリＳｔからなる場合には５１
０２が、またＡｉからなる場合には８１或は５ｉｎｓが
中間層９の使用材料として適当である。
クとして作用するもので、この必要条件は反射率の少い
材料からなることおよびマスク合わせを容易にするため
薄く形成することが好ましＥＴ）Ｑ すなわち基板１の表面を目視し得る状態でマスクの位置
合わせを行うには導体層３よりも反射率の少い材料で形
成する必要があり、また後で行うアッシング処理に際し
て耐蝕性のあるものでなければならない。この条件を満
す材料さして導体層３がポリＳｔからなる場合には５１
０２が、またＡｉからなる場合には８１或は５ｉｎｓが
中間層９の使用材料として適当である。
次にこの上にホトレジスト層１０からなるマスクを形成
し同図（Ｃｌ、 リアクティブイオンエツチングなどの
異方性ドライエツチングを施すことにより、中間１１ｊ
９をエツチングし同図０１更にポリマー層８と導体層３
．！−を選択的にエツチングして微細パターンが形成さ
れる同図■）。このように３層庫造をとるドライエツチ
ング法をとる場合は垂直方向にエツチングが進行する異
方性エツチングを使用するため導体パターンのくびれな
どの発生はないが、ポリマー層８が厚いためエツチング
に時間を要し、またサイドエツチングが起り易い０（ｄ
） 発明の目的 本発明の目的は顕著な段差をもつ基板上に微細パターン
を形成する場合にパターンにサイドエツチングを生ぜず
またエツチング速度の大きなパターン形成法を提供する
ことを目的とする。
し同図（Ｃｌ、 リアクティブイオンエツチングなどの
異方性ドライエツチングを施すことにより、中間１１ｊ
９をエツチングし同図０１更にポリマー層８と導体層３
．！−を選択的にエツチングして微細パターンが形成さ
れる同図■）。このように３層庫造をとるドライエツチ
ング法をとる場合は垂直方向にエツチングが進行する異
方性エツチングを使用するため導体パターンのくびれな
どの発生はないが、ポリマー層８が厚いためエツチング
に時間を要し、またサイドエツチングが起り易い０（ｄ
） 発明の目的 本発明の目的は顕著な段差をもつ基板上に微細パターン
を形成する場合にパターンにサイドエツチングを生ぜず
またエツチング速度の大きなパターン形成法を提供する
ことを目的とする。
（ｅ） 発明の構成
本発明の目的は、表面に段差を伴う基板上に薄膜よりな
る微細パターンを形成する際薄膜を被覆した基板上に段
差を平坦化するポリマー層、該ポリマー層よりも耐アツ
シング性が優れ且つ基板面を透視可能な中間層、レジス
ト層と１１ｍ次形成し、レジスト層および中間層を選択
エツチングして微細パターン形成部を除き窓開を行った
後基板全面に短波長の紫外線を照射し次にリアクティブ
イオンエツチングを行い、該窓開は部を薄膜部までエツ
チングして薄膜パターンを形成する方法をとることによ
り達成することができる〇 本発明はポリマー層８の材料として短波長の紫外線照射
により変質してアッシング速度（灰化速度）の高くなる
ものを用い、第２図０）で示した中間層９のエツチング
後に基板全面に紫外線照射を行い、その後従来と同様に
リアクティブイオンエツチングを行うことによりエツチ
ング速度が犬で月つ精度の高いパターン形成を行うもの
である。
る微細パターンを形成する際薄膜を被覆した基板上に段
差を平坦化するポリマー層、該ポリマー層よりも耐アツ
シング性が優れ且つ基板面を透視可能な中間層、レジス
ト層と１１ｍ次形成し、レジスト層および中間層を選択
エツチングして微細パターン形成部を除き窓開を行った
後基板全面に短波長の紫外線を照射し次にリアクティブ
イオンエツチングを行い、該窓開は部を薄膜部までエツ
チングして薄膜パターンを形成する方法をとることによ
り達成することができる〇 本発明はポリマー層８の材料として短波長の紫外線照射
により変質してアッシング速度（灰化速度）の高くなる
ものを用い、第２図０）で示した中間層９のエツチング
後に基板全面に紫外線照射を行い、その後従来と同様に
リアクティブイオンエツチングを行うことによりエツチ
ング速度が犬で月つ精度の高いパターン形成を行うもの
である。
発明者は通常のポジレジストは勿論ポリイミドなどのポ
リマー層についても紫外線特に短波長の紫外線（Ｄｅｅ
ｐ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ Ｒａｙ波長２２０〜３
００（ｎｍ））を照射するとりアクティブイオンエツチ
ング法によるアッシング速度が顕著に増加することを見
出した。
リマー層についても紫外線特に短波長の紫外線（Ｄｅｅ
ｐ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ Ｒａｙ波長２２０〜３
００（ｎｍ））を照射するとりアクティブイオンエツチ
ング法によるアッシング速度が顕著に増加することを見
出した。
すなわちポジレジストの場合と同様に紫外線照射により
高分子を構成するラジカルの脱離などが進行し安定な構
造より不安定な構造へと変質する０才た本発明に関連し
て使用されるリアクティブイオンエツチングはスパッタ
エツチングさも呼ばれるもので、平行平板型の電極の一
方で１３．５６（ＭＨｚ）の高周板電源と結合したカソ
ードの上に被エツチング処理物を置き、陰極降下電圧に
よりガスプラズマ内の正イオンがカソード上の被エツチ
ング処理物に衝撃してスパッタエツチングが行われるも
ので電極面と直角方向に非等方エツチングが進行する特
徴がある０ 以後実施例について本発明を説明する。
高分子を構成するラジカルの脱離などが進行し安定な構
造より不安定な構造へと変質する０才た本発明に関連し
て使用されるリアクティブイオンエツチングはスパッタ
エツチングさも呼ばれるもので、平行平板型の電極の一
方で１３．５６（ＭＨｚ）の高周板電源と結合したカソ
ードの上に被エツチング処理物を置き、陰極降下電圧に
よりガスプラズマ内の正イオンがカソード上の被エツチ
ング処理物に衝撃してスパッタエツチングが行われるも
ので電極面と直角方向に非等方エツチングが進行する特
徴がある０ 以後実施例について本発明を説明する。
第２図（へのポリマーｒｆ＃８としては市販のポジレジ
スト（ＯＦＰＲ−８００）を厚さ２．５〜３（／１ｒｎ
）に形成し、この上に設ける中間層９として厚さ約１０
００ＩＡｌのＳｉｎ、層を形成し、この上にホトレジス
ト層１０からなるマスクパターンを形成し第２図（Ｏで
示す構造とする０ 次にＣＨＦＩガスを媒質としてリアクティブイオンエツ
チングを行い第２図０で示す構造とする０こ＼までは従
来の方法と違わない０ 次に波長２２０（ｎｍ）で照度１０ （ｍｗ／（ｍ”
）の紫外線を３０〔秒〕〜１〔分〕に互ってポリマー層
８を照射後酸素（０バガスを媒質としてリアクティブイ
オンエツチングを行い、第２図（ト）で示す状態にまで
エツチングする。
スト（ＯＦＰＲ−８００）を厚さ２．５〜３（／１ｒｎ
）に形成し、この上に設ける中間層９として厚さ約１０
００ＩＡｌのＳｉｎ、層を形成し、この上にホトレジス
ト層１０からなるマスクパターンを形成し第２図（Ｏで
示す構造とする０ 次にＣＨＦＩガスを媒質としてリアクティブイオンエツ
チングを行い第２図０で示す構造とする０こ＼までは従
来の方法と違わない０ 次に波長２２０（ｎｍ）で照度１０ （ｍｗ／（ｍ”
）の紫外線を３０〔秒〕〜１〔分〕に互ってポリマー層
８を照射後酸素（０バガスを媒質としてリアクティブイ
オンエツチングを行い、第２図（ト）で示す状態にまで
エツチングする。
こ＼でＯ，ガスを媒質としてポリマーをドライエツチン
グする場合はポリマーの主鎖が炭素からできているため
適状の条件下では安定なポリマーも０．ガスプラズマ中
では容易に主鎖が分断され炭酸ガス（ＣＯｘ）と水蒸気
（Ｈｔ Ｏ）となって気化するためアッシング（灰化）
と云われるが、本発明に係る紫外線照射を施したポリマ
ーは照射部に変質が生じているためエツチング速度が６
０００〜８０００（Ａ／分〕と従来の４０００〜５０．
００（Ａ／分）と較べてはるかに大きくまた紫外線は基
板面と直角に照射されポリマー８が明瞭な境界を作って
変質しているのでリアクティブイオンエツチングの直進
性と相まって、ポリマー層８が厚いにも拘わらず精度よ
く導体パターン３が形成される。
グする場合はポリマーの主鎖が炭素からできているため
適状の条件下では安定なポリマーも０．ガスプラズマ中
では容易に主鎖が分断され炭酸ガス（ＣＯｘ）と水蒸気
（Ｈｔ Ｏ）となって気化するためアッシング（灰化）
と云われるが、本発明に係る紫外線照射を施したポリマ
ーは照射部に変質が生じているためエツチング速度が６
０００〜８０００（Ａ／分〕と従来の４０００〜５０．
００（Ａ／分）と較べてはるかに大きくまた紫外線は基
板面と直角に照射されポリマー８が明瞭な境界を作って
変質しているのでリアクティブイオンエツチングの直進
性と相まって、ポリマー層８が厚いにも拘わらず精度よ
く導体パターン３が形成される。
（Ｘ）発明の効果
本発明は３ｊ−構造のエツチングにおいては微細パター
ンが形成できるもの一エツチングに時間を要し、またポ
リマー層の厚さが厚いため精度が低下する傾向をもつの
に対し１本発明の実施によりこれらの欠点が改良され、
微細パターンが精度よく形成できるようになった◎
ンが形成できるもの一エツチングに時間を要し、またポ
リマー層の厚さが厚いため精度が低下する傾向をもつの
に対し１本発明の実施によりこれらの欠点が改良され、
微細パターンが精度よく形成できるようになった◎
第１図は従来の微細パターン形成法の説明図で、（４）
は断面図才た０３）は微細パターンの平面図、第２図（
４）〜（ト）は本発明に係る３層構造のエツチング方法
による工程を説明する断面図である０図において、ｌは
基板、２は導体パターン、３は導体層、４．１０はホト
レジスト層、８はポリマー層、９は中間層。 １１−
は断面図才た０３）は微細パターンの平面図、第２図（
４）〜（ト）は本発明に係る３層構造のエツチング方法
による工程を説明する断面図である０図において、ｌは
基板、２は導体パターン、３は導体層、４．１０はホト
レジスト層、８はポリマー層、９は中間層。 １１−
Claims (1)
- 表面に段差を伴う基板上に薄膜よりなる微細パターンを
形成する際、ｒｆＪｉ膜を被覆した基板上に段差を平坦
化するポリマー層、該ポリマー層よりも耐アツシング性
が優れ且つ基板面を透視可能な中間層、レジスト層と順
次形成し、レジスト層および中間１−を選択エツチング
して微細パターン形成部を除き窓開を行った後基根全面
に短波長の紫外線を照射し次にリアクティブイオンエツ
チングを行（１）、該窓開は部を薄＠部才でエツチング
して薄膜パターンを形成することを特徴とする微細パタ
ーンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58159560A JPS6052026A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58159560A JPS6052026A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6052026A true JPS6052026A (ja) | 1985-03-23 |
Family
ID=15696400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58159560A Pending JPS6052026A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6052026A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57186338A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for fine pattern |
| JPS5898931A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP58159560A patent/JPS6052026A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57186338A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for fine pattern |
| JPS5898931A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
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