JPS6053054A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6053054A JPS6053054A JP58160517A JP16051783A JPS6053054A JP S6053054 A JPS6053054 A JP S6053054A JP 58160517 A JP58160517 A JP 58160517A JP 16051783 A JP16051783 A JP 16051783A JP S6053054 A JPS6053054 A JP S6053054A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing
- pattern
- glass
- package
- sealing glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、半導体装置の信頼性向上、特にガラス封止型
パッケージからなる半導体装置の信頼性向上に適用して
有効な技術に関するものである。
パッケージからなる半導体装置の信頼性向上に適用して
有効な技術に関するものである。
［背景技術］
封止材としてガラスを用いるセラミック等からなる気密
封止型パッケージは、比較的安価であり、そのパンケー
ジの優れた気密性ゆえに画性能才導体装置用パンケージ
として広（利用されている（工業６周査会１９８０年発
行のｒｌｃ化実装技術１１３８ページ）。
封止型パッケージは、比較的安価であり、そのパンケー
ジの優れた気密性ゆえに画性能才導体装置用パンケージ
として広（利用されている（工業６周査会１９８０年発
行のｒｌｃ化実装技術１１３８ページ）。
ところが、ガラス自体は極めて脆い性質であるため、上
記パ・７ケージの封止部は衝撃強度が非當に小さいとい
う欠点を有している。
記パ・７ケージの封止部は衝撃強度が非當に小さいとい
う欠点を有している。
そこで、封止部の衝撃強度を向上させるために、パッケ
ージ封止部の接着面積を大きくし、接着月であるガラス
との接触面積を拡大せしめて、該」７、ｊ止部の強度を
上げることが考えられる。
ージ封止部の接着面積を大きくし、接着月であるガラス
との接触面積を拡大せしめて、該」７、ｊ止部の強度を
上げることが考えられる。
しかし、単にガラスとの接触面積を拡げただのでは、パ
ッケージを加熱封着する際に、キャビティ内の空気等の
ガス状物質がパッケージ外に逃げにくくなるため、ガス
が封着後のガラス内に気泡として残り、その気泡が原因
でパッケージの気密性が害されたり、接着強度が低下す
るとし−う問題′、；生しることが本発明者によって明
らかにされた。
ッケージを加熱封着する際に、キャビティ内の空気等の
ガス状物質がパッケージ外に逃げにくくなるため、ガス
が封着後のガラス内に気泡として残り、その気泡が原因
でパッケージの気密性が害されたり、接着強度が低下す
るとし−う問題′、；生しることが本発明者によって明
らかにされた。
［発明の目的］
本発明の目的は、ガラス封止型パッケージからなる半導
体装置において、該パッケージの加熱封着の際に、封止
ガラス内に気泡が残る場合であっても、パッケージの気
密性を害することを防上し、゛１′−導体装置の信頼性
を向上させることにある。
体装置において、該パッケージの加熱封着の際に、封止
ガラス内に気泡が残る場合であっても、パッケージの気
密性を害することを防上し、゛１′−導体装置の信頼性
を向上させることにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要］
本願において開示される発明のうり代表的なものの概要
を而１ｊに説明すれば、次の通りである。
を而１ｊに説明すれば、次の通りである。
ずなわら、ガラス封止型パッケージの」：４止を、キャ
ビティ側に形成した第１の封止ガラスｉｌ（分と、その
外周に空隙部を隔てて形成した連続した第２の封止ガラ
ス部分で行うように構成することにより、第１の１・（
止ガラス部分には主に接着強度を、第２のＪ’４１＋１
ガラス部分には気６・）性をもノこ−Ｕ、もって半導体
装置の信頼性を向上するものである。
ビティ側に形成した第１の封止ガラスｉｌ（分と、その
外周に空隙部を隔てて形成した連続した第２の封止ガラ
ス部分で行うように構成することにより、第１の１・（
止ガラス部分には主に接着強度を、第２のＪ’４１＋１
ガラス部分には気６・）性をもノこ−Ｕ、もって半導体
装置の信頼性を向上するものである。
［実施例１コ
第１図（ａｌば、本発明の一実施例であるビングリソド
パソケージからなる半導体装置の概略断面図、第１図（
ｂｌは、本実施例１である半導体装置のパッケージに適
用するキャップであって、その裏面に封止用ガラスを印
刷した加熱封着前のガラスパターンを示す図で、第１図
（Ｃ１は、この封止ガラスを印刷したパノケージキャ、
プの概略断面図である。
パソケージからなる半導体装置の概略断面図、第１図（
ｂｌは、本実施例１である半導体装置のパッケージに適
用するキャップであって、その裏面に封止用ガラスを印
刷した加熱封着前のガラスパターンを示す図で、第１図
（Ｃ１は、この封止ガラスを印刷したパノケージキャ、
プの概略断面図である。
本実施例１である半導体装置は、セラミックからなるパ
ッケージの基板１とキャップ２とを有し、該キャンプ２
は封止ガラスである第２の封止ガラス部分としての帯状
パターン３および第１の封止ガラスとしての内側パター
ン４を介して気密封止されたキャビティ５を有している
。キャビティ５内においては、基板１の上にペレソｉ・
６が取り（＝Ｊけられ、該ペレット６の電極バンドと導
電層７とはワイヤ８でボンディングして電気的に接続さ
れ、さらに該導電層７は基板１の内部を通して該基板１
の裏面に取り付けられた外部電極であるピン９と電気的
に接続されてなるものである。
ッケージの基板１とキャップ２とを有し、該キャンプ２
は封止ガラスである第２の封止ガラス部分としての帯状
パターン３および第１の封止ガラスとしての内側パター
ン４を介して気密封止されたキャビティ５を有している
。キャビティ５内においては、基板１の上にペレソｉ・
６が取り（＝Ｊけられ、該ペレット６の電極バンドと導
電層７とはワイヤ８でボンディングして電気的に接続さ
れ、さらに該導電層７は基板１の内部を通して該基板１
の裏面に取り付けられた外部電極であるピン９と電気的
に接続されてなるものである。
第１図（ｂｌおよび（Ｃ）は本実施例１である半導体装
置に適用する簡のパンケージキャ・ノブの裏面の状態を
示すものであるが、本実施例１である半導体装置は、パ
ッケージ封止部における封止ガラスのパターン形状にそ
の特徴がある。
置に適用する簡のパンケージキャ・ノブの裏面の状態を
示すものであるが、本実施例１である半導体装置は、パ
ッケージ封止部における封止ガラスのパターン形状にそ
の特徴がある。
すなわち、第１図（ａｌに示すように、キーｔ”；／プ
２の封止ガラスのパターン形状は、バツケージ封止面の
最外周部に所定ｒｐの帯状パターン：３を設り、その内
側に所定ｌ〕の空隙部１０を１％でて広い中に封着した
状態の内側パターン４を形成してなり、ごれらの多重パ
ターン３と４により、強大な接着強度で強固に気密封止
されたバツケージを提供するものである。
２の封止ガラスのパターン形状は、バツケージ封止面の
最外周部に所定ｒｐの帯状パターン：３を設り、その内
側に所定ｌ〕の空隙部１０を１％でて広い中に封着した
状態の内側パターン４を形成してなり、ごれらの多重パ
ターン３と４により、強大な接着強度で強固に気密封止
されたバツケージを提供するものである。
ごこて、第２の封止ガラス部分である外周側の・１１！
−状パターン３の役割は、加熱封着ＩＬ’ｌに空隙部ｌ
Ｏに達した内部ガスを効率よ＜（１（状パターン３の内
部または接着部を通って抜の出るようにし、内部ガスが
抜は出た後の帯状パターン３は表面張力により自己修復
し、最終的に完全に気密な状５６で封止を完成するもの
である。すなわち、気密封止は第２の封止ガラス部分で
保証される。したがって、第２の封止ガラス部分は破断
なく連続した一つのパターンとして最外周部に形成され
る。このため、帯状パターン３の巾は、封着温度、その
温度におけるガラスの表面張力、粘度および」−１止ガ
ラスの厚さ等に応じて完全な気密封止を可能とするよう
最適寸法とされる。
−状パターン３の役割は、加熱封着ＩＬ’ｌに空隙部ｌ
Ｏに達した内部ガスを効率よ＜（１（状パターン３の内
部または接着部を通って抜の出るようにし、内部ガスが
抜は出た後の帯状パターン３は表面張力により自己修復
し、最終的に完全に気密な状５６で封止を完成するもの
である。すなわち、気密封止は第２の封止ガラス部分で
保証される。したがって、第２の封止ガラス部分は破断
なく連続した一つのパターンとして最外周部に形成され
る。このため、帯状パターン３の巾は、封着温度、その
温度におけるガラスの表面張力、粘度および」−１止ガ
ラスの厚さ等に応じて完全な気密封止を可能とするよう
最適寸法とされる。
また、第１の封止ガラス部分である内側パターン４の役
割は気密性よりも接着強度の向上にある。
割は気密性よりも接着強度の向上にある。
したがって、多少の気泡が封止ガラス内に残存すること
は許されるので、本実施例１のように広い中で一面にガ
ラスを封着することができる。その結果、基板１とキャ
ップ２とを強大な接着力で封止することができるのであ
る。なお、第１の」、１止ガラス部分は、このように連
続した一つのパターンである必要はない。
は許されるので、本実施例１のように広い中で一面にガ
ラスを封着することができる。その結果、基板１とキャ
ップ２とを強大な接着力で封止することができるのであ
る。なお、第１の」、１止ガラス部分は、このように連
続した一つのパターンである必要はない。
なお、上記半導体装置の製法は、第１図（ｂｌにその裏
面形状を、第１図ｆｃ）にその断面形状を示ずＪ−うに
、加熱封着前に予め印刷等の方法でキャップ２の裏面に
所定のパターンと厚さで封止ガラスを被着し、ごの封止
カラスを加ｆ・（）溶用：させろことにより、ベレノ（
−６およびワイート８のボンディング後の基板１をキャ
ップ２で気密封止するものである。すなわち、キャップ
２の裏面に所定の形状で１＝１止ガラスのパターンを形
成する他は全て通常の製法を用いて所期の半導体装置を
得ることができるものである。
面形状を、第１図ｆｃ）にその断面形状を示ずＪ−うに
、加熱封着前に予め印刷等の方法でキャップ２の裏面に
所定のパターンと厚さで封止ガラスを被着し、ごの封止
カラスを加ｆ・（）溶用：させろことにより、ベレノ（
−６およびワイート８のボンディング後の基板１をキャ
ップ２で気密封止するものである。すなわち、キャップ
２の裏面に所定の形状で１＝１止ガラスのパターンを形
成する他は全て通常の製法を用いて所期の半導体装置を
得ることができるものである。
［実施例２］
」二記半導体装置において、そのパッケージ封止部のガ
ラスパターンについて第１図ｆｂｌに示す第１の封止ガ
ラス部分としての内側パターンに第２図に示すようにキ
ャビティ５と空隙部１０とを連通ずる放射状空隙部１１
を形成してもよい。この場合、空隙部１１を通してキャ
ビティ４のガスが容易に空隙部ｌＯに到達できるため、
内側パターン１２に気泡か残ることがなく、気泡残存を
未然に防止できることから接着性の向上と同時に接着強
度の画一化が可能となる。
ラスパターンについて第１図ｆｂｌに示す第１の封止ガ
ラス部分としての内側パターンに第２図に示すようにキ
ャビティ５と空隙部１０とを連通ずる放射状空隙部１１
を形成してもよい。この場合、空隙部１１を通してキャ
ビティ４のガスが容易に空隙部ｌＯに到達できるため、
内側パターン１２に気泡か残ることがなく、気泡残存を
未然に防止できることから接着性の向上と同時に接着強
度の画一化が可能となる。
［実施例３コ
本実施薊３は上記実施例１である半導体装置に適用する
パッケージキャップ２の裏面に形成する封止ガラスのパ
ターンに関するもので、該キャップ裏面に第３図に示す
ような、所定ｒｌＪの第２の封止ガラス部分としての帯
状パターン３の内側に、第１の封止ガラス部分として同
様の帯状ガラスパターン４ａ、４ｂおよび４ｃを多重の
内側パターン４に形成したものである。すなわち、帯状
パターン３の内側に帯状パターン４ａを所定中の空隙部
１０を隔てて形成し、さらにその内側に帯状ガラスパタ
ーン４ｂ、４Ｃをそれぞれ空隙部１０ａおよび１０ｂを
隔てて形成した四重パターンの封止ガラス構造からなる
ものである。
パッケージキャップ２の裏面に形成する封止ガラスのパ
ターンに関するもので、該キャップ裏面に第３図に示す
ような、所定ｒｌＪの第２の封止ガラス部分としての帯
状パターン３の内側に、第１の封止ガラス部分として同
様の帯状ガラスパターン４ａ、４ｂおよび４ｃを多重の
内側パターン４に形成したものである。すなわち、帯状
パターン３の内側に帯状パターン４ａを所定中の空隙部
１０を隔てて形成し、さらにその内側に帯状ガラスパタ
ーン４ｂ、４Ｃをそれぞれ空隙部１０ａおよび１０ｂを
隔てて形成した四重パターンの封止ガラス構造からなる
ものである。
第３図に示す封止ガラスパターンを有するキャップでパ
ンケージを加熱融着にて封止した場合は、最外周部の帯
状パターン３の他にも連続した一つのパターンである封
止ガラス４ａ、４ｂまたは４Ｃのいずれか１つが気密性
を保つことば容易であり、残りの２つに気泡が残存し気
密性を欠いていたとしても、該封止ガラスパターンを有
する半導体装置の信頼性の向上を達成できるものである
。
ンケージを加熱融着にて封止した場合は、最外周部の帯
状パターン３の他にも連続した一つのパターンである封
止ガラス４ａ、４ｂまたは４Ｃのいずれか１つが気密性
を保つことば容易であり、残りの２つに気泡が残存し気
密性を欠いていたとしても、該封止ガラスパターンを有
する半導体装置の信頼性の向上を達成できるものである
。
［効果］
（１）、ガラス封止型パッケージの封止面におりる封止
ガラスの形状を内側パターンの外周部に所定ｒｌＪの空
隙部を隔てて連続した所定中の・１１Ｖ状に形成するこ
とにより、封止面積の広いパッケージであっても十分に
気密性が保持できるため、該パッケージからなる半導体
装置の信頼性をＩｉ東にさ−Ｕるごとができる。
ガラスの形状を内側パターンの外周部に所定ｒｌＪの空
隙部を隔てて連続した所定中の・１１Ｖ状に形成するこ
とにより、封止面積の広いパッケージであっても十分に
気密性が保持できるため、該パッケージからなる半導体
装置の信頼性をＩｉ東にさ−Ｕるごとができる。
（２）、上記ｆｉ＋に記載した封止ガラスのうり内側パ
ターンを全面に封着する形状にすることに、ｌ゛す、該
パッケージの封止強度を増大できるため、該パッケージ
からなる半導体装置の信頼（’Ｉを向上さＵｏることか
できる。
ターンを全面に封着する形状にすることに、ｌ゛す、該
パッケージの封止強度を増大できるため、該パッケージ
からなる半導体装置の信頼（’Ｉを向上さＵｏることか
できる。
（３１に記（２）に記載した内側パターンにおいて、そ
の一部にキャビティと外周側の連続・：１１状パターン
の内側に形成した所定中の空隙部とが連ｉｊ’［！ し
ている空隙部を形成することにより、内側パターンによ
るパッケージの封止強度を一定に制御できイ）ため、半
導体装置の信頼性の画一化が可ｆｉヒとなる。
の一部にキャビティと外周側の連続・：１１状パターン
の内側に形成した所定中の空隙部とが連ｉｊ’［！ し
ている空隙部を形成することにより、内側パターンによ
るパッケージの封止強度を一定に制御できイ）ため、半
導体装置の信頼性の画一化が可ｆｉヒとなる。
（４）、上記（１）に記載した封止ガラスのうち内側パ
ターンをさらに所定巾の空隙を隔てた周囲に連続し、か
つ、複数の所定中の帯状に形成することにより多重の気
密封止の作用で、パッケージの完全な気密封止が達成で
きる。
ターンをさらに所定巾の空隙を隔てた周囲に連続し、か
つ、複数の所定中の帯状に形成することにより多重の気
密封止の作用で、パッケージの完全な気密封止が達成で
きる。
（５）、上記（１１および（２）により、気密性が高く
、かつ接着強度の大きなパッケージとすることができる
ので、該パッケージからなる半導体装置を極めて信頼性
の高いものとすることができる。
、かつ接着強度の大きなパッケージとすることができる
ので、該パッケージからなる半導体装置を極めて信頼性
の高いものとすることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、第２図に示ず封止ガラスの内側パターンにお
ける放射状空隙部として示したものは、必ずしも放射状
である必要はなく、また複μの空隙部として示しである
が目的達成のためには一本であっても十分であるし、さ
らに実施例よりも多数本からなるものであってもよい。
ける放射状空隙部として示したものは、必ずしも放射状
である必要はなく、また複μの空隙部として示しである
が目的達成のためには一本であっても十分であるし、さ
らに実施例よりも多数本からなるものであってもよい。
また、第３図に示す帯状パターンの本数はこれにｉ限る
ものでなく、外周部帯状パターン以外に少なくとも他に
一本の帯状パターンが形成されているものであればよく
、また、第３図に示す本数を超えるものであってもよい
。
ものでなく、外周部帯状パターン以外に少なくとも他に
一本の帯状パターンが形成されているものであればよく
、また、第３図に示す本数を超えるものであってもよい
。
なお、上記実施例においては、１１止カラスをパッケー
ジのキャンプ裏面に印刷した場合について説明したが、
これに限るものでなく、基板のｔ＝Ｊ止面に印刷等で被
着してもよいごとはいうまでｔ）ない。
ジのキャンプ裏面に印刷した場合について説明したが、
これに限るものでなく、基板のｔ＝Ｊ止面に印刷等で被
着してもよいごとはいうまでｔ）ない。
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によっζなされた発明
をその背景となった利用分野であるビングリノＩ−パッ
ケージからなる半導体装置であって、パッケージの封止
面積が大きいものに適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、たとえば、他のセラミ
ック等からなるガラス封止型バ、ケージからなる半導体
装置であれば広く適用でき、特に封止面積の大きなパッ
ケージからなるものに適用して極めて有効な発明である
。
をその背景となった利用分野であるビングリノＩ−パッ
ケージからなる半導体装置であって、パッケージの封止
面積が大きいものに適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、たとえば、他のセラミ
ック等からなるガラス封止型バ、ケージからなる半導体
装置であれば広く適用でき、特に封止面積の大きなパッ
ケージからなるものに適用して極めて有効な発明である
。
第１図（ａｌは、本発明の実施例１である半導体装置の
概略断面図、 第１図（ｂｌは、第１図（ａｌの半導体装置に適用する
前の封止ガラスを印刷したパッケージキャップの裏面図
、 第１図（Ｃ）は、第１図（ｂ）のパッケージキャップの
断面図、 第２図は本発明の実施例２である半導体装置のキャップ
の裏面図、 第３図は本発明の実施例３である半導体装置のキャップ
の裏面図である。 −１・・・基板、２・・・キャップ、３・・・帯状パタ
ーン、４・・・内側パターン、４ａ、４ｂ。 ４Ｃ・・・帯状パターン、５・・−キャビティ、６・・
・ペレット、７・・・導電層、８ ・・ワイヤ、９・
・ ・ビン、１．０．１０ａ、１０ｂ、］１・・・空隙
部、■２・・・内側パターン。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 （ｃｙ−）第 第 ２ 図 １図 （層 σ 第 ３ 図 １０７０洗１０Ｌｐ ）／／ 第１頁の続き ０発 明 者 白 井 優 之 小平市上水本町１４５
幡地発スンタ内 ０発 明 者 本 多 厚 小平市上水木町１４５幡地
発スンタ内 株式会社日立製作所デバイス開 株式会社日立製作所デバイス開
概略断面図、 第１図（ｂｌは、第１図（ａｌの半導体装置に適用する
前の封止ガラスを印刷したパッケージキャップの裏面図
、 第１図（Ｃ）は、第１図（ｂ）のパッケージキャップの
断面図、 第２図は本発明の実施例２である半導体装置のキャップ
の裏面図、 第３図は本発明の実施例３である半導体装置のキャップ
の裏面図である。 −１・・・基板、２・・・キャップ、３・・・帯状パタ
ーン、４・・・内側パターン、４ａ、４ｂ。 ４Ｃ・・・帯状パターン、５・・−キャビティ、６・・
・ペレット、７・・・導電層、８ ・・ワイヤ、９・
・ ・ビン、１．０．１０ａ、１０ｂ、］１・・・空隙
部、■２・・・内側パターン。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 （ｃｙ−）第 第 ２ 図 １図 （層 σ 第 ３ 図 １０７０洗１０Ｌｐ ）／／ 第１頁の続き ０発 明 者 白 井 優 之 小平市上水本町１４５
幡地発スンタ内 ０発 明 者 本 多 厚 小平市上水木町１４５幡地
発スンタ内 株式会社日立製作所デバイス開 株式会社日立製作所デバイス開
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ガラス封止型パッケージからなる半導体装置におい
て、バ、ケージ封止面におけるガラスのパターン形状が
内側パターンの外周部に所定中の空隙部を隔てて連続し
た所定ｌ〕の帯状パターンで構成されていることを特徴
とする半導体装置。 ２、内側パターンが、帯状パターンの内側に形成された
空隙部とキャビティとを連通ずる空隙部を有しているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
。 ３、内側パターンが、所定中の帯状空隙部を隔てて、所
定中の多重帯状パターンを形成してなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58160517A JPS6053054A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58160517A JPS6053054A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6053054A true JPS6053054A (ja) | 1985-03-26 |
Family
ID=15716665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58160517A Pending JPS6053054A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6053054A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0279044U (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-18 | ||
| JPH0423326U (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-26 | ||
| JP2006247833A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Ｍｅｍｓ素子パッケージ及びその製造方法 |
| WO2007061054A1 (ja) * | 2005-11-25 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Works, Ltd. | ウェハレベルパッケージ構造体、および同パッケージ構造体から得られるセンサ装置 |
| WO2007061059A1 (ja) * | 2005-11-25 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Works, Ltd. | センサ装置およびその製造方法 |
| WO2007061047A1 (ja) * | 2005-11-25 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Works, Ltd. | ウェハレベルパッケージ構造体およびその製造方法 |
| WO2007061056A1 (ja) * | 2005-11-25 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Works, Ltd. | センサ装置及びその製造方法 |
| JP2009049203A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Nippon Carbide Ind Co Inc | セラミックパッケージ及びその製造方法 |
| JP2012009969A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及びその製造方法 |
| JP5204891B2 (ja) * | 2009-02-25 | 2013-06-05 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージ、パッケージの製造方法、および圧電振動子の製造方法 |
-
1983
- 1983-09-02 JP JP58160517A patent/JPS6053054A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0279044U (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-18 | ||
| JPH0423326U (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-26 | ||
| US7719742B2 (en) | 2005-03-07 | 2010-05-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | MEMS device package and method of manufacturing the same |
| JP2006247833A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Ｍｅｍｓ素子パッケージ及びその製造方法 |
| US8067769B2 (en) | 2005-11-25 | 2011-11-29 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Wafer level package structure, and sensor device obtained from the same package structure |
| WO2007061059A1 (ja) * | 2005-11-25 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Works, Ltd. | センサ装置およびその製造方法 |
| WO2007061047A1 (ja) * | 2005-11-25 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Works, Ltd. | ウェハレベルパッケージ構造体およびその製造方法 |
| WO2007061056A1 (ja) * | 2005-11-25 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Works, Ltd. | センサ装置及びその製造方法 |
| US7674638B2 (en) | 2005-11-25 | 2010-03-09 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Sensor device and production method therefor |
| WO2007061062A1 (ja) * | 2005-11-25 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Works, Ltd. | ウェハレベルパッケージ構造体の製造方法 |
| US8026594B2 (en) | 2005-11-25 | 2011-09-27 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Sensor device and production method therefor |
| WO2007061054A1 (ja) * | 2005-11-25 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Works, Ltd. | ウェハレベルパッケージ構造体、および同パッケージ構造体から得られるセンサ装置 |
| US8080869B2 (en) | 2005-11-25 | 2011-12-20 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Wafer level package structure and production method therefor |
| JP2009049203A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Nippon Carbide Ind Co Inc | セラミックパッケージ及びその製造方法 |
| JP5204891B2 (ja) * | 2009-02-25 | 2013-06-05 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージ、パッケージの製造方法、および圧電振動子の製造方法 |
| JP2012009969A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及びその製造方法 |
| US8729775B2 (en) | 2010-06-23 | 2014-05-20 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Piezoelectric vibrating devices and methods for manufacturing same |
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