JPS6054267B2 - 圧電磁器組成物 - Google Patents
圧電磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6054267B2 JPS6054267B2 JP53013434A JP1343478A JPS6054267B2 JP S6054267 B2 JPS6054267 B2 JP S6054267B2 JP 53013434 A JP53013434 A JP 53013434A JP 1343478 A JP1343478 A JP 1343478A JP S6054267 B2 JPS6054267 B2 JP S6054267B2
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- oxide
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- piezoelectric
- piezoelectric ceramic
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、超音波振動子、セラミックフィルタ、表面
弾性波素子等に用いる圧電磁器に関するものである。
弾性波素子等に用いる圧電磁器に関するものである。
従来、この種の圧電磁器としては、ジルコン・チタン
酸鉛(PbZr、−xTix00)を主成分とするいわ
ゆるpn゛系圧電磁器、ニオブ酸カリウム・ナトリウム
(に、−xNaxNb00)を主成分とするいわゆるS
PN系圧電磁器が良く知られている。
酸鉛(PbZr、−xTix00)を主成分とするいわ
ゆるpn゛系圧電磁器、ニオブ酸カリウム・ナトリウム
(に、−xNaxNb00)を主成分とするいわゆるS
PN系圧電磁器が良く知られている。
pn゛磁器については、Pb(Mg、hNb。I、)O
、、Pb(Mn、’3Nb、れ)00等の第3成分を固
溶させることにより圧電特性、温度特性ともにかなり優
れた磁器が得られている。しかし、本質的に高誘電率(
400〜1500)磁器であるため、高周波で用いる場
合に素子の入出インピーダンスが低下し外部回路とのイ
ンピーダンス整合に問題がでてくる。とくに最近では、
圧電素子の高周波化が進んでおり、誘電率を下げること
が重要な課題となつている。一方、SPN系磁器は誘電
率が小さい(150〜200)という特徴はあるものの
電気機械結合数が小さい、温度特性が極めて悪いという
欠点をもつている。 これに対して本発明の圧電磁器組
成物の主成分であるチタン酸鉛は、キュリー温度が高く
(470℃)の誘電率の小さい(〜170)圧電体と
して知られているが、当初は焼結が極めて困難て緻密な
圧電磁器を形成することができなかつた。
、、Pb(Mn、’3Nb、れ)00等の第3成分を固
溶させることにより圧電特性、温度特性ともにかなり優
れた磁器が得られている。しかし、本質的に高誘電率(
400〜1500)磁器であるため、高周波で用いる場
合に素子の入出インピーダンスが低下し外部回路とのイ
ンピーダンス整合に問題がでてくる。とくに最近では、
圧電素子の高周波化が進んでおり、誘電率を下げること
が重要な課題となつている。一方、SPN系磁器は誘電
率が小さい(150〜200)という特徴はあるものの
電気機械結合数が小さい、温度特性が極めて悪いという
欠点をもつている。 これに対して本発明の圧電磁器組
成物の主成分であるチタン酸鉛は、キュリー温度が高く
(470℃)の誘電率の小さい(〜170)圧電体と
して知られているが、当初は焼結が極めて困難て緻密な
圧電磁器を形成することができなかつた。
しかし、池上らは少量の酸化ランタン(Ll。O0)と
二酸化マンガン(MnO2)を同時に添加することによ
り空孔率1.5%程度の極めて緻密なチタン酸鉛磁器を
得ることに成功した(特開昭48−30097、圧電磁
器組成物)。さらに池上らはこのようにして得られたラ
ンタン(La)、マンガン(Mn)添加チタン酸鉛磁器
が優れた圧電特性を示すことを見出した(ジャーナル・
オブ・アコウステイカルソサアテイ・オブ・アメリカ5
瞳(1971年)1060〜1066ページ)、そこで
、筆者らは、池上らの発明によるランタン●マンガン添
加チタン酸鉛磁器を作成し、その表面弾性波特性を調べ
た。その結果、表面弾性波伝播速度■S=250n1/
SeCl電気機械結合係数K2〜3%、40MHzにお
ける表面弾性波伝播損失8bB/c!nという値を得た
。これらの値は表面弾性波を送受信するのにほぼ充分な
値であり、またこの磁器は誘電率が小さい(〜170)
ことから高周波での使用に耐えるものである。しかしな
がら、遅延時間温度特性悪く(〜90ppm/℃)この
ままでは実用的な表面弾性波素子用材料にはならないこ
とが判明した。そこで、本発明の目的は、高周波での使
用に耐える温度特性の優れた圧電磁器組成物を提供する
ことにある。
二酸化マンガン(MnO2)を同時に添加することによ
り空孔率1.5%程度の極めて緻密なチタン酸鉛磁器を
得ることに成功した(特開昭48−30097、圧電磁
器組成物)。さらに池上らはこのようにして得られたラ
ンタン(La)、マンガン(Mn)添加チタン酸鉛磁器
が優れた圧電特性を示すことを見出した(ジャーナル・
オブ・アコウステイカルソサアテイ・オブ・アメリカ5
瞳(1971年)1060〜1066ページ)、そこで
、筆者らは、池上らの発明によるランタン●マンガン添
加チタン酸鉛磁器を作成し、その表面弾性波特性を調べ
た。その結果、表面弾性波伝播速度■S=250n1/
SeCl電気機械結合係数K2〜3%、40MHzにお
ける表面弾性波伝播損失8bB/c!nという値を得た
。これらの値は表面弾性波を送受信するのにほぼ充分な
値であり、またこの磁器は誘電率が小さい(〜170)
ことから高周波での使用に耐えるものである。しかしな
がら、遅延時間温度特性悪く(〜90ppm/℃)この
ままでは実用的な表面弾性波素子用材料にはならないこ
とが判明した。そこで、本発明の目的は、高周波での使
用に耐える温度特性の優れた圧電磁器組成物を提供する
ことにある。
本発明の圧電磁器組成物は、酸化鉛および酸化チタンを
主成分とし、これに酸化ランタンを添加する。
主成分とし、これに酸化ランタンを添加する。
さらにクロム、鉄、コバルト、ロジウム、イットリウム
、イツテルビユウムの酸化物のうち少なくとも一成分を
添加し、また、酸化マンガンを複合添加したものてある
。配合組成を適当に選択することによつて極めて緻密で
、かつ圧電特性.に優れた磁器が得られる。この優れた
特性を有する組成範囲は酸化鉛44.3〜49.5モル
%、酸化チタン45.7〜52.6モル%、酸化ランタ
ン0.5〜3.1モル%基本組成とし、さらにCr,F
e,CO,Rh,Y,Yb酸化物のうち少なくとも1種
を計0.3〜2.6モル%、酸化マンガンを0.2〜1
.5モル%含んだ組成範囲である。
、イツテルビユウムの酸化物のうち少なくとも一成分を
添加し、また、酸化マンガンを複合添加したものてある
。配合組成を適当に選択することによつて極めて緻密で
、かつ圧電特性.に優れた磁器が得られる。この優れた
特性を有する組成範囲は酸化鉛44.3〜49.5モル
%、酸化チタン45.7〜52.6モル%、酸化ランタ
ン0.5〜3.1モル%基本組成とし、さらにCr,F
e,CO,Rh,Y,Yb酸化物のうち少なくとも1種
を計0.3〜2.6モル%、酸化マンガンを0.2〜1
.5モル%含んだ組成範囲である。
ここでムは主としてPbを置換し、Cr・・・・・・Y
bは主としてTiを置換する金属元素がある。組成範囲
が上記範囲外になると、温度特性ならびに機械的品質係
数QM等が劣化し、本発明の効果を期待できなくなる。
bは主としてTiを置換する金属元素がある。組成範囲
が上記範囲外になると、温度特性ならびに機械的品質係
数QM等が劣化し、本発明の効果を期待できなくなる。
以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
本発明による組成物の測定用試料は以下の方法で作製し
、誘電、圧電及び表面弾性波特性を測定”した。上に記
した各酸化物を目的組成比となるように秤量し、それら
を湿式にて混合した。
、誘電、圧電及び表面弾性波特性を測定”した。上に記
した各酸化物を目的組成比となるように秤量し、それら
を湿式にて混合した。
混合物を乾燥後、成形して850℃で2時間仮焼した。
これを再度粉砕混合して、その粉末を350k9/Cl
tのブレス圧のもとで円板に加圧成形し、126(代)
で5時間焼結した。焼結後のペレットサイズは直径16
?、厚さ2w!1tである。このペレットを約1mの厚
さまで研磨した後、両面に電極としてCr−Au膜を蒸
着により形成し、銀ペーストで銅のリード線をつけた。
分極処理は30−60KV/C7?!の電圧を印加し、
130−180′Cで約1紛間行なつた。その後、誘電
及び圧電特性の測定を行なつた。さらに、試料の片面を
鏡面研磨し、光蝕刻法でA1のすだれ状電極を形成した
後、表面弾性波を測定した。下記の第1表はその組成例
と、各例についての誘電率E33、電気機械結合係数K
s2、表面波伝播 1dτ
損失L,、表面波遅延時間温度係数7]『を示す。
これを再度粉砕混合して、その粉末を350k9/Cl
tのブレス圧のもとで円板に加圧成形し、126(代)
で5時間焼結した。焼結後のペレットサイズは直径16
?、厚さ2w!1tである。このペレットを約1mの厚
さまで研磨した後、両面に電極としてCr−Au膜を蒸
着により形成し、銀ペーストで銅のリード線をつけた。
分極処理は30−60KV/C7?!の電圧を印加し、
130−180′Cで約1紛間行なつた。その後、誘電
及び圧電特性の測定を行なつた。さらに、試料の片面を
鏡面研磨し、光蝕刻法でA1のすだれ状電極を形成した
後、表面弾性波を測定した。下記の第1表はその組成例
と、各例についての誘電率E33、電気機械結合係数K
s2、表面波伝播 1dτ
損失L,、表面波遅延時間温度係数7]『を示す。
以上の結果によれば、酸化ランタンおよびCr..Fe
..CO、Rh,.Y..Yb等の酸化物の添加量が増
加するに伴ない、温度特性が著るしく改善される。
..CO、Rh,.Y..Yb等の酸化物の添加量が増
加するに伴ない、温度特性が著るしく改善される。
例えば、第1表中の実施例1の46.3モル%の酸化鉛
、49.3モル%酸化チタン、酸化ランタン1.1モル
%、1.0モル%の酸化マンガン、2.3モル%の酸化
イットリウムあるいは、245.9モル%の酸化鉛、4
9.2モル%厨〒化チ歩−ン、酸化ランタン1.4モル
%、1.1モル%の酸化マンガン、2.4モル%の酸化
ロジウムを含む組成、347.2モル%の酸化鉛、48
.7モル%の酸化チタン酸鉛、1.2モル%の酸化ラン
タン、0.9モル%の酸化マンガン、2.0モル%の酸
化イッテルビウムを加えた組成、または、447.8モ
ル%の酸化鉛、48.1モル%の酸化チタン、0.7モ
ル%の酸化ランタン、1.5モル%の酸化マンガン、1
.9モル%の酸化クロムを含む組成ては、表面波の遅延
時間温度係数が25ppm/℃以下となり、圧電セラミ
ックスとしては最小の部類にはいる。
、49.3モル%酸化チタン、酸化ランタン1.1モル
%、1.0モル%の酸化マンガン、2.3モル%の酸化
イットリウムあるいは、245.9モル%の酸化鉛、4
9.2モル%厨〒化チ歩−ン、酸化ランタン1.4モル
%、1.1モル%の酸化マンガン、2.4モル%の酸化
ロジウムを含む組成、347.2モル%の酸化鉛、48
.7モル%の酸化チタン酸鉛、1.2モル%の酸化ラン
タン、0.9モル%の酸化マンガン、2.0モル%の酸
化イッテルビウムを加えた組成、または、447.8モ
ル%の酸化鉛、48.1モル%の酸化チタン、0.7モ
ル%の酸化ランタン、1.5モル%の酸化マンガン、1
.9モル%の酸化クロムを含む組成ては、表面波の遅延
時間温度係数が25ppm/℃以下となり、圧電セラミ
ックスとしては最小の部類にはいる。
また、機械的品質係数QMは1200〜2000と大き
く、かつ結晶粒径が1〜2μm程度と極めて小さいため
、表面波の伝播損失が60MHzで4〜9dB/αと圧
電磁器としては従来になく小さい。
く、かつ結晶粒径が1〜2μm程度と極めて小さいため
、表面波の伝播損失が60MHzで4〜9dB/αと圧
電磁器としては従来になく小さい。
また、表面波の電気機械結合係数Ks2は1.0〜2.
5%である。加えて、比誘電率が200〜350と小さ
いため、高周波での使用にも耐えることができる。以上
のように本発明の圧電磁器組成物は表面波の温度特性が
よく、かつ表面波の伝播損失が小さい点に特徴があり、
とくに表面弾性波素子用圧電磁器として、これまてにな
い優れた特性を有している。
5%である。加えて、比誘電率が200〜350と小さ
いため、高周波での使用にも耐えることができる。以上
のように本発明の圧電磁器組成物は表面波の温度特性が
よく、かつ表面波の伝播損失が小さい点に特徴があり、
とくに表面弾性波素子用圧電磁器として、これまてにな
い優れた特性を有している。
本発明において、上記の組成物に近い組成物にさらにC
O,Fe,Cr,As,Rh,Y,Ybの酸化物をあと
1種以上添加することにより、また、その量が増すに従
い表面波遅延時間温度係数がさらに低下する。
O,Fe,Cr,As,Rh,Y,Ybの酸化物をあと
1種以上添加することにより、また、その量が増すに従
い表面波遅延時間温度係数がさらに低下する。
組成比および添加元素を適当に選ぶことにより、10p
pm/℃以下の温度係数を持つ圧電体も合成が可能であ
る。その組成は、例えば、前掲の第1表中の実施例5の
酸化鉛44.5モル%、酸化チタン51.6モル%、酸
化マンガン1.5モル%、酸化ランタン1.0モル%、
1.0モル%の酸化コバルト、0.4モル%の酸化ロジ
ウムムを含む組成や、同じく実施例6の47.1モル%
の酸化鉛、47.9モル%の酸化チタン、4.0モル%
の酸化ランタン、1.5モル%の酸化マンガン、1.5
モル%の酸化−斗ツIb■λて−I.Oモル%おi化イ
ッテルビウム組成である。また、機械的品質係数QMは
、1500〜2600と大きく、かつ結晶粒径が1〜2
μm程度と極めて小さいため、表面波の伝播損失が60
MHzにおいて4〜頒B/Cmと圧電磁器としてはこれ
までになく小さい。なお、表面波の電気機械結合係数K
S2は1.0〜2.5%である。加えて、誘電率が17
0〜300と小さいため高周波での使用に最適である。
以上のような組成において、酸化ランタンの添加量が0
.5モル%以下ではCr−Yb酸化物を添加したときの
温度係数の改善効果が小さく、3.1モル%を越えると
QM値が500以下となり損失の大きい磁器となつた。
pm/℃以下の温度係数を持つ圧電体も合成が可能であ
る。その組成は、例えば、前掲の第1表中の実施例5の
酸化鉛44.5モル%、酸化チタン51.6モル%、酸
化マンガン1.5モル%、酸化ランタン1.0モル%、
1.0モル%の酸化コバルト、0.4モル%の酸化ロジ
ウムムを含む組成や、同じく実施例6の47.1モル%
の酸化鉛、47.9モル%の酸化チタン、4.0モル%
の酸化ランタン、1.5モル%の酸化マンガン、1.5
モル%の酸化−斗ツIb■λて−I.Oモル%おi化イ
ッテルビウム組成である。また、機械的品質係数QMは
、1500〜2600と大きく、かつ結晶粒径が1〜2
μm程度と極めて小さいため、表面波の伝播損失が60
MHzにおいて4〜頒B/Cmと圧電磁器としてはこれ
までになく小さい。なお、表面波の電気機械結合係数K
S2は1.0〜2.5%である。加えて、誘電率が17
0〜300と小さいため高周波での使用に最適である。
以上のような組成において、酸化ランタンの添加量が0
.5モル%以下ではCr−Yb酸化物を添加したときの
温度係数の改善効果が小さく、3.1モル%を越えると
QM値が500以下となり損失の大きい磁器となつた。
また、Cr−Yb酸化物の添加総量が0.3モル%未満
では温度係数の改善効果は小さく、2.6モル%を越え
ると析出物、空孔などが現れ緻密な磁器が得られなかつ
た。MnO2に関しては、添加量の増加に従がい機械的
品質係数QMが増大し、伝播損失が小さくなる1.5モ
ル%を越えると電気抵抗が著しく低下するため分極処理
が困難になり圧電特性が劣化した。また明らかな機械的
品質係数QMの増加がみられるのは0.2モル%以上添
加した場合であつた。このように、緻密でかつ圧電特性
に優れた磁器が得られる添加物の添加量の範囲は、磁化
ランタ゛ン0.5〜3.1モル%、Cr,Fe,CO,
Rh,Y,Ybの酸化物のうち少なくとも1種を計0.
3〜2.6モル%、酸化マンガンを0.2〜1.5モル
%となる。
では温度係数の改善効果は小さく、2.6モル%を越え
ると析出物、空孔などが現れ緻密な磁器が得られなかつ
た。MnO2に関しては、添加量の増加に従がい機械的
品質係数QMが増大し、伝播損失が小さくなる1.5モ
ル%を越えると電気抵抗が著しく低下するため分極処理
が困難になり圧電特性が劣化した。また明らかな機械的
品質係数QMの増加がみられるのは0.2モル%以上添
加した場合であつた。このように、緻密でかつ圧電特性
に優れた磁器が得られる添加物の添加量の範囲は、磁化
ランタ゛ン0.5〜3.1モル%、Cr,Fe,CO,
Rh,Y,Ybの酸化物のうち少なくとも1種を計0.
3〜2.6モル%、酸化マンガンを0.2〜1.5モル
%となる。
Claims (1)
- 1 酸化鉛および酸化チタンを主成分としてそれぞれ4
4.3〜49.5モル%、45.7〜52.6モル%含
有し、これに酸化ランタンを0.5〜3.1モル%、C
r,Fe,Co,Rh,Y,Ybの酸化物のうち少なく
とも1種類を0.3〜2.6モル%、さらに酸化マンガ
ンを0.2〜1.5モル%含むことを特徴とする圧電磁
器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53013434A JPS6054267B2 (ja) | 1978-02-10 | 1978-02-10 | 圧電磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53013434A JPS6054267B2 (ja) | 1978-02-10 | 1978-02-10 | 圧電磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54106518A JPS54106518A (en) | 1979-08-21 |
| JPS6054267B2 true JPS6054267B2 (ja) | 1985-11-29 |
Family
ID=11833019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53013434A Expired JPS6054267B2 (ja) | 1978-02-10 | 1978-02-10 | 圧電磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054267B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6218680A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Fujitsu Ltd | 磁気デイスク装置 |
| JPS62222483A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-09-30 | レイモンド・エンジニアリング・インコ−ポレイテツド | 磁気デイスクユニツト |
-
1978
- 1978-02-10 JP JP53013434A patent/JPS6054267B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6218680A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Fujitsu Ltd | 磁気デイスク装置 |
| JPS62222483A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-09-30 | レイモンド・エンジニアリング・インコ−ポレイテツド | 磁気デイスクユニツト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54106518A (en) | 1979-08-21 |
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