JPS6054437A - ウエ−ハとレチクルの位置合せ方法 - Google Patents
ウエ−ハとレチクルの位置合せ方法Info
- Publication number
- JPS6054437A JPS6054437A JP58162789A JP16278983A JPS6054437A JP S6054437 A JPS6054437 A JP S6054437A JP 58162789 A JP58162789 A JP 58162789A JP 16278983 A JP16278983 A JP 16278983A JP S6054437 A JPS6054437 A JP S6054437A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- pattern
- reticle
- exposure
- alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、縮小投影露光装置を用いたウェーハとレチク
ルの位置合せ方法に係り、特に2層間重葭合せ位置決め
の位置合せ方法に関する。
ルの位置合せ方法に係り、特に2層間重葭合せ位置決め
の位置合せ方法に関する。
縮小投影露光装置によって、レチクルの回路パターンを
、ウェーハ上に各工程ごとに精度良く重ね合せて投影露
光するにめに、梱々の方法が用いられる。第1図は、縮
小投影露光装置によって、ウェーハ上への重ね合せ露光
の方法を説明したものである。
、ウェーハ上に各工程ごとに精度良く重ね合せて投影露
光するにめに、梱々の方法が用いられる。第1図は、縮
小投影露光装置によって、ウェーハ上への重ね合せ露光
の方法を説明したものである。
ウェーハ1上にはレチクル2のパターン像が、縮小レン
ズ3によって縮小投影されて形成されるようになってい
る。既に前工程によって形成されているウェーハ1上の
パターン4と、前記レチクル2により新たに形成される
像とを一致させるために次の方法が採られる。前工程で
回路パターンを露光する際に同時に形成された位置合せ
基準パターン5の像を、縮小投影レンズ3によってレチ
クル2の小窓6にそれぞれ投影する。第1図においては
2ケの基準パターンをそれぞれレチクル2の2ケ所に投
影した例が示しである。レチクル2の投影像の位置には
小窓6が形成されており、この小窓6全通して、ウェー
ハ」二の基準パターンの1象は位i′検出器7に到達す
るようになっている。
ズ3によって縮小投影されて形成されるようになってい
る。既に前工程によって形成されているウェーハ1上の
パターン4と、前記レチクル2により新たに形成される
像とを一致させるために次の方法が採られる。前工程で
回路パターンを露光する際に同時に形成された位置合せ
基準パターン5の像を、縮小投影レンズ3によってレチ
クル2の小窓6にそれぞれ投影する。第1図においては
2ケの基準パターンをそれぞれレチクル2の2ケ所に投
影した例が示しである。レチクル2の投影像の位置には
小窓6が形成されており、この小窓6全通して、ウェー
ハ」二の基準パターンの1象は位i′検出器7に到達す
るようになっている。
8は投影光を反射するミラーでおるが、このミラー8は
ウェーハ1−1−の基準パターン5に照明光9を送るた
めに、反射透過率が約50チのハーフミラ−となってい
る。前日1位la検出機構7は、ウェーハLにのノ、1
.準バター=75とレチクル2の小窓6の像の67、1
Mケ同時に検出1〜、両省゛の相対位置を計測するよう
になっている。ウェーハ1を載置するXYステージ10
は、ステップ送シによって、XIY2方向に移動制御i
11のできる機構をもっている。
ウェーハ1−1−の基準パターン5に照明光9を送るた
めに、反射透過率が約50チのハーフミラ−となってい
る。前日1位la検出機構7は、ウェーハLにのノ、1
.準バター=75とレチクル2の小窓6の像の67、1
Mケ同時に検出1〜、両省゛の相対位置を計測するよう
になっている。ウェーハ1を載置するXYステージ10
は、ステップ送シによって、XIY2方向に移動制御i
11のできる機構をもっている。
firliiI′、4灸出器7によって計測された、レ
チクル2の小窓6とつ」−ハ1十の基準パターン5との
相対位1th−のズレ−t、1゛、XYスデージ10に
よるウェーハ1の移顧1、あるいは第1図の機構とは異
なシレチクル20ウェーハ1に対する移動により補正さ
れる。
チクル2の小窓6とつ」−ハ1十の基準パターン5との
相対位1th−のズレ−t、1゛、XYスデージ10に
よるウェーハ1の移顧1、あるいは第1図の機構とは異
なシレチクル20ウェーハ1に対する移動により補正さ
れる。
従来にあつC1この樵の位1d合せは、まずウェーハ1
.1−の基準パターン50H1測を行い、この計11!
I N 7彼に、改めてXYスデージを露光位置に移動
するという2段の手順を経て行なわれていた。
.1−の基準パターン50H1測を行い、この計11!
I N 7彼に、改めてXYスデージを露光位置に移動
するという2段の手順を経て行なわれていた。
このために、−回の露光に対して、XYステージを2度
移動させねばならず、いわゆるスループット(ウェーハ
処理能力)を低下させるという欠点を有していた。
移動させねばならず、いわゆるスループット(ウェーハ
処理能力)を低下させるという欠点を有していた。
したがって1回の露光位置で、位置計測を同時に行うこ
とが望ましいわけであるが、それを不可能にしていた理
由を第2図(a)乃至(C)によシ説明する。
とが望ましいわけであるが、それを不可能にしていた理
由を第2図(a)乃至(C)によシ説明する。
第2図において、11で示した領域がウェーハ1上の露
光可能な領域である。また、12は実際に露光形成され
る回路パターンである。第2図(a)に示すように、回
路パターン12を露光する場合に、その前工程で形成さ
れているパターンの上に重ねて露光しようとすると、前
工程で作成された位置合せパターン13を位置検出器で
検出することにより、この場合検出器の光学系の影14
が露光領域に入り、この領域は露光不能となる。
光可能な領域である。また、12は実際に露光形成され
る回路パターンである。第2図(a)に示すように、回
路パターン12を露光する場合に、その前工程で形成さ
れているパターンの上に重ねて露光しようとすると、前
工程で作成された位置合せパターン13を位置検出器で
検出することにより、この場合検出器の光学系の影14
が露光領域に入り、この領域は露光不能となる。
12に示したチップの大きさよ如大きいチップを露光す
ることは不可能となる。したがって第2図(a)にボし
た位1−′関係は、既に前工程で作成されているパター
ンを検出シ2、同時に露光することができるのみである
。位置合せパターンは工程を重ねてゆく間に、棟々の原
因で使用できなくなり、別の位1uに−rfcに露光し
て作成する必要が生じることは免れない。
ることは不可能となる。したがって第2図(a)にボし
た位1−′関係は、既に前工程で作成されているパター
ンを検出シ2、同時に露光することができるのみである
。位置合せパターンは工程を重ねてゆく間に、棟々の原
因で使用できなくなり、別の位1uに−rfcに露光し
て作成する必要が生じることは免れない。
第2図(b)はウェーハ上に位置合せパターンを次次と
l[設してゆく場合を説明したものである。第2図(+
))(1)においてパターン15を検出し同時に露光す
る場合に耕7’(なパターン16を露光作成する。
l[設してゆく場合を説明したものである。第2図(+
))(1)においてパターン15を検出し同時に露光す
る場合に耕7’(なパターン16を露光作成する。
次の工程(11)では(1)で作成したパターン16を
検出し露光する′S台に第3番目の童[たなパターン1
7を露光作成する。
検出し露光する′S台に第3番目の童[たなパターン1
7を露光作成する。
しかし、この場合の欠点は位置検出器を新しいパターン
の位1[i/が変るごとに移動させねばならガいことで
ある。検出器自体を高精度に再現性よく移動さぜること
it構造が被雑になり、実用的ではない。露光領域に検
出器の影を作らない方法としては、第2図(C)に示す
ように、検出器を露光領域11外に設置することが解決
するが、この場合には新たな位置合せパターンを露光と
同時に作成することが不可能となる。既ち位置検出と露
光には、それぞれXYステージを移動させて行わねばな
らない。
の位1[i/が変るごとに移動させねばならガいことで
ある。検出器自体を高精度に再現性よく移動さぜること
it構造が被雑になり、実用的ではない。露光領域に検
出器の影を作らない方法としては、第2図(C)に示す
ように、検出器を露光領域11外に設置することが解決
するが、この場合には新たな位置合せパターンを露光と
同時に作成することが不可能となる。既ち位置検出と露
光には、それぞれXYステージを移動させて行わねばな
らない。
本発明の目的は、上述した欠点を解決し、位置検出とパ
ターンの露光を、XYステージを移動させることなく同
時に行う仁とのできるウェーハとレチクルの位置合せ方
法を提供するにある。
ターンの露光を、XYステージを移動させることなく同
時に行う仁とのできるウェーハとレチクルの位置合せ方
法を提供するにある。
このような目的を達成するために、本発明は、レチクル
のパターン検出機構を2組で構成し、ウェーハ製作工程
の繰り返しパターン焼付けと、各層問合せを、前記パタ
ーン検出機構を交互に使用することによシ同時に行うよ
うにしたものである。
のパターン検出機構を2組で構成し、ウェーハ製作工程
の繰り返しパターン焼付けと、各層問合せを、前記パタ
ーン検出機構を交互に使用することによシ同時に行うよ
うにしたものである。
第3図(a)乃至(d)は本発明によるウェーハとレチ
クルの位置合せ方法の一実施例を示す構成図である。同
図において、11は露光可能領域、12は露光されるレ
チクル原画領域であり、ウェーハ1」二に形成される回
路パターンに相当する。18゜19t」それぞれこの位
置に固定された位置検出器である。1ず1443図(a
)において第11曽目のパターン露光が打われるとする
3、この」局舎にはウェーッ・1上に既存のパターンO
形成されていないので、位置合せの必要なく、以佐の鉦
ね合せ露光に使用する予定の位置合せ用パターン20を
回路パターン12と同時に露光する。。
クルの位置合せ方法の一実施例を示す構成図である。同
図において、11は露光可能領域、12は露光されるレ
チクル原画領域であり、ウェーハ1」二に形成される回
路パターンに相当する。18゜19t」それぞれこの位
置に固定された位置検出器である。1ず1443図(a
)において第11曽目のパターン露光が打われるとする
3、この」局舎にはウェーッ・1上に既存のパターンO
形成されていないので、位置合せの必要なく、以佐の鉦
ね合せ露光に使用する予定の位置合せ用パターン20を
回路パターン12と同時に露光する。。
次の第21#i目パターン形成においては@3図(a)
で露光されたパターン上に東ね露光することになるので
、第3図(a)で作成17た位置合せパターン20を位
1u検出器18の位置にもってきて位1a合せを行うと
同時に回路パターン21も露光する。
で露光されたパターン上に東ね露光することになるので
、第3図(a)で作成17た位置合せパターン20を位
1u検出器18の位置にもってきて位1a合せを行うと
同時に回路パターン21も露光する。
位置合せパターンの検出は、レチクルの小窓を通して行
われるので、検出用の窓と露光される回路パターンとの
位置関係は、各工程ごとにレチクルの上で変ることにな
る。第3図(b)で回路パターンを露光する場合に、同
時に次工程で使用する位置合せパターン21も露光され
る。第3の工程においては、第3図(C)に示すように
、工程(b)で作成したパターン21をレチクル上の小
窓19の位置にして位置合せを行うと同時に回路パター
ン12の露光と次工程用合せパターン22を露光する。
われるので、検出用の窓と露光される回路パターンとの
位置関係は、各工程ごとにレチクルの上で変ることにな
る。第3図(b)で回路パターンを露光する場合に、同
時に次工程で使用する位置合せパターン21も露光され
る。第3の工程においては、第3図(C)に示すように
、工程(b)で作成したパターン21をレチクル上の小
窓19の位置にして位置合せを行うと同時に回路パター
ン12の露光と次工程用合せパターン22を露光する。
以後同様であるが、第3図(d)においては位置合せは
22のパターンをレチクル上の小窓からなる18の検出
器で検出し、回路パターン12と、位置合せパターン2
3を露光により作成する。
22のパターンをレチクル上の小窓からなる18の検出
器で検出し、回路パターン12と、位置合せパターン2
3を露光により作成する。
なお、上述した実施例では、レチクル上に設けたパター
ン検出機構およびウェーハ上に焼き付けられる位置合せ
パターンはともに正方形状としたものであるが、この形
状に限定されるものではなく例えば十字形等地の形状で
あってもよいことはいうまでもない。
ン検出機構およびウェーハ上に焼き付けられる位置合せ
パターンはともに正方形状としたものであるが、この形
状に限定されるものではなく例えば十字形等地の形状で
あってもよいことはいうまでもない。
このようにすれば、レチクル上の2個の位置検出器18
.19を交互に使用することにより、位置合せとパター
ンの露光をXYステージを移動させることはく同時に行
うことができる。したがって従来みられたように、焼き
付ける位置合せパターンの位置が異なるため、レチクル
の小窓と前記パターンを一致させるためにウェーハを移
動しなければならないという工程を除去させることがで
きる。また、位1d検出器は露光領域外に置かれている
ので、検出器の影に防げられることはない。
.19を交互に使用することにより、位置合せとパター
ンの露光をXYステージを移動させることはく同時に行
うことができる。したがって従来みられたように、焼き
付ける位置合せパターンの位置が異なるため、レチクル
の小窓と前記パターンを一致させるためにウェーハを移
動しなければならないという工程を除去させることがで
きる。また、位1d検出器は露光領域外に置かれている
ので、検出器の影に防げられることはない。
第1図は本発明に用いられるウェーハとレチクルの位置
合せ機構の原理を示す概要図、第2図は従来のウェーハ
とレチクルの位置合せ方法の一例を示す構成図、第3図
は本発明によるウェーハとレチクルの位置合せ方法の一
実施例を示す構成図である。 1・・・ウェーハ、2・・・レチクル、5・・・位置合
せ基準パターン、18.19・・・パターン検出機構(
小窓)、11・・・露光tiJ能領域、12・・・回路
パターン、20.21.22・・・位1u合せパターン
。 代理人 弁理士 鵡沼辰之 も1図 第2図 IL13 (i ) (ii ) 粥3図 172−
合せ機構の原理を示す概要図、第2図は従来のウェーハ
とレチクルの位置合せ方法の一例を示す構成図、第3図
は本発明によるウェーハとレチクルの位置合せ方法の一
実施例を示す構成図である。 1・・・ウェーハ、2・・・レチクル、5・・・位置合
せ基準パターン、18.19・・・パターン検出機構(
小窓)、11・・・露光tiJ能領域、12・・・回路
パターン、20.21.22・・・位1u合せパターン
。 代理人 弁理士 鵡沼辰之 も1図 第2図 IL13 (i ) (ii ) 粥3図 172−
Claims (1)
- 1、レチクルの原画をウェーッ\ヒに縮小して投影する
光学系と、ウェーッ・をXY方向にステップ送シする機
構、およびウェーッ・上の規準パターンを、上記レチク
ルの小窓を通して、該小窓の像と共に投影し両者の相対
位置を計測する位置検出機構を備えた投影露光装置にお
いて、前記パターン検出機構は2組で構成されていると
ともに、前記原画の領域外に固定して配置され、ウェー
ハ製作工程の繰シ返しパターン焼付けと、各層問合せを
、前記検出機構を交互に使用することにより同時に行う
ことを特徴としたウェーハとレチクルの位置合せ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58162789A JPS6054437A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | ウエ−ハとレチクルの位置合せ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58162789A JPS6054437A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | ウエ−ハとレチクルの位置合せ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6054437A true JPS6054437A (ja) | 1985-03-28 |
Family
ID=15761235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58162789A Pending JPS6054437A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | ウエ−ハとレチクルの位置合せ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054437A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5541739A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-24 | Hitachi Ltd | Micro-projection type mask alignment device |
-
1983
- 1983-09-05 JP JP58162789A patent/JPS6054437A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5541739A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-24 | Hitachi Ltd | Micro-projection type mask alignment device |
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