JPS6054782B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6054782B2 JPS6054782B2 JP51138136A JP13813676A JPS6054782B2 JP S6054782 B2 JPS6054782 B2 JP S6054782B2 JP 51138136 A JP51138136 A JP 51138136A JP 13813676 A JP13813676 A JP 13813676A JP S6054782 B2 JPS6054782 B2 JP S6054782B2
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- JP
- Japan
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- photosensitive resin
- metal film
- electrode
- pattern
- film
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Weting (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属バンプを有する半導体装置の製造方法に
関する。
関する。
従来、このようなものとして次のような製造方法が知
られている。
られている。
すなわち、シリコン等の半導体基板１上にＳｉＯ２等の
絶縁膜２を設け、この膜上に、素子間を接続しかつ外部
へ導出するためのアルミニウム膜からなる電極パッド３
を設ける。電極パッド３の上面一部を除く電極パッド３
および半導体基板１の表面をＣＶＤＳｉ０。膜４で被着
する。次いで、前記電極パッド３の上面一部およびＣＶ
ＤＳｉ０。膜４上に例えばＣｒ、Ｃｕからなる二層の金
属膜５を真空蒸着法により被着し、電極パッド”３の部
分を残し、他の部分の二層膜を除去する。こののち、金
属膜５上に感光性樹脂等のパターン１１を形成する（第
１図ａ）。次いで、金属膜の一部または一層を除去する
（第１図ｂ）。次に前記感光性樹脂パターン１１を除去
し、メッキ用マースク１２を感光性樹脂で形成する。し
かるのち、金属膜５の一部５’をメッキ用共通電極とし
バンプ８を電着により形成する（第１図ｃ）。そののち
、感光性樹脂１２を除去し、金属膜５をマスクとして金
属膜５の一部５’を除去する（第１図ｄ）。しかし、こ
のような方法では、金属膜５の一部５″を除去する際に
、金属膜５の他部も除去されてしまう。
絶縁膜２を設け、この膜上に、素子間を接続しかつ外部
へ導出するためのアルミニウム膜からなる電極パッド３
を設ける。電極パッド３の上面一部を除く電極パッド３
および半導体基板１の表面をＣＶＤＳｉ０。膜４で被着
する。次いで、前記電極パッド３の上面一部およびＣＶ
ＤＳｉ０。膜４上に例えばＣｒ、Ｃｕからなる二層の金
属膜５を真空蒸着法により被着し、電極パッド”３の部
分を残し、他の部分の二層膜を除去する。こののち、金
属膜５上に感光性樹脂等のパターン１１を形成する（第
１図ａ）。次いで、金属膜の一部または一層を除去する
（第１図ｂ）。次に前記感光性樹脂パターン１１を除去
し、メッキ用マースク１２を感光性樹脂で形成する。し
かるのち、金属膜５の一部５’をメッキ用共通電極とし
バンプ８を電着により形成する（第１図ｃ）。そののち
、感光性樹脂１２を除去し、金属膜５をマスクとして金
属膜５の一部５’を除去する（第１図ｄ）。しかし、こ
のような方法では、金属膜５の一部５″を除去する際に
、金属膜５の他部も除去されてしまう。
そこで、必要以上に金属膜５の他部を厚く被着する必要
があるために、蒸着材料および蒸着時間が余分に必要で
ある。更に金属膜５″を除去する際、バンプ８と金属膜
５との境界より前記金属膜５″の除去液が浸みこみ、電
極バッド３を腐蝕してしまい、バンプ８の付着強度およ
びバンプ８と電極バッド３間の接触抵抗も増大せしめ、
電気的不良の原因となり、信頼性を著しく低下さすもの
であつた。又、エッチング工程が第１図ｂ１第１図ｄの
２回を必要とするために、工程が繁雑となり、かつ工程
所要時間も増加するという欠点があつた。本発明はこの
ような従来の欠点を除去するためになされたものであり
、以下その一実施例を図面とともに説明する。
があるために、蒸着材料および蒸着時間が余分に必要で
ある。更に金属膜５″を除去する際、バンプ８と金属膜
５との境界より前記金属膜５″の除去液が浸みこみ、電
極バッド３を腐蝕してしまい、バンプ８の付着強度およ
びバンプ８と電極バッド３間の接触抵抗も増大せしめ、
電気的不良の原因となり、信頼性を著しく低下さすもの
であつた。又、エッチング工程が第１図ｂ１第１図ｄの
２回を必要とするために、工程が繁雑となり、かつ工程
所要時間も増加するという欠点があつた。本発明はこの
ような従来の欠点を除去するためになされたものであり
、以下その一実施例を図面とともに説明する。
〔実施例 （１）〕
シリコン等の半導体基板２１上にＳｉＯ，膜２２を形成
し、その上に０．５〜２．０ｐｍ程度のアルミニウム膜
からなる電極バッド２３を形成する。
し、その上に０．５〜２．０ｐｍ程度のアルミニウム膜
からなる電極バッド２３を形成する。
更に機械的もしくは電気的保護のためにＣＶＤＳｉＯ２
膜２４を前記半導体基板２１上に形成すると共に、前記
電極２３の一部を光蝕剤法で開口２５する。すなわち、
前記ＣＶＤＳｉＯ２膜２４上に感光性樹脂を塗布して前
記電極部のみを開口したパターンを形成する。この状態
で、弗酸と弗化アンモニウムとの例えば１：１０液に浸
せば、前記開口部のＣＶＤＳｌＯ２膜は１５００〜２５
００Ａ／Ｍｉｎの速度で除去され第２図ａの状態ものと
なる。次に複数層からなる金属膜２６を蒸着法により全
面に形成する。
膜２４を前記半導体基板２１上に形成すると共に、前記
電極２３の一部を光蝕剤法で開口２５する。すなわち、
前記ＣＶＤＳｉＯ２膜２４上に感光性樹脂を塗布して前
記電極部のみを開口したパターンを形成する。この状態
で、弗酸と弗化アンモニウムとの例えば１：１０液に浸
せば、前記開口部のＣＶＤＳｌＯ２膜は１５００〜２５
００Ａ／Ｍｉｎの速度で除去され第２図ａの状態ものと
なる。次に複数層からなる金属膜２６を蒸着法により全
面に形成する。
前記金属膜２６はＣｒ−Ｃｕ，Ｎｉ一Ｃｕ，Ｃｒ−Ｎｉ
−ＣｕもしくはＣｒ−Ｃｕ−Ａｕ，Ｎｉ一Ｃｕ−Ａｕ，
Ｃｒ−Ｎｉ−Ｃｕ等の複数層からなり、同．一の蒸着時
に真空状態を保ちながら、順次に蒸着するものてある。
すなわち、所定の真空度に達したら、例えばＣｒ用のヒ
ータを加熱し、シャッタを開き、一定時間に達したらシ
ャッタを閉じ、更に前記Ｃｒ用のヒータも電流を下げ、
次いで、Ｃｕ用のヒータを加熱し、シャッターを一定時
間開閉すれば、Ｃｒ−Ｃｕの２層膜が、同一真空度内で
得る事が出来る。ここでＣｒ又はＮｉはアルミニウムの
電極部分２３もしくはＣＶＤＳｉＯ２膜２４との密着力
を高めるための膜であり、Ｃｕはメッキ処理によるバン
プの形成を容易にならしめるための膜であつて、Ｃｒは
５００〜１５００Ａ，．ＣＵは１０００〜５０００Ａの
膜厚を有する。又、Ｃｒ，Ｎｉの替りにＴｉ膜を用いて
も良い（第２図ｂ）。次いで、感光性樹脂２７を全面に
塗布したのち、第２図ｃの如く電極２３部分を開口し、
電極２３の近傍に輪状のパターンを形成し、感光性樹脂
２７および金属膜２６上に別の感光性樹脂２８“を設け
る。
−ＣｕもしくはＣｒ−Ｃｕ−Ａｕ，Ｎｉ一Ｃｕ−Ａｕ，
Ｃｒ−Ｎｉ−Ｃｕ等の複数層からなり、同．一の蒸着時
に真空状態を保ちながら、順次に蒸着するものてある。
すなわち、所定の真空度に達したら、例えばＣｒ用のヒ
ータを加熱し、シャッタを開き、一定時間に達したらシ
ャッタを閉じ、更に前記Ｃｒ用のヒータも電流を下げ、
次いで、Ｃｕ用のヒータを加熱し、シャッターを一定時
間開閉すれば、Ｃｒ−Ｃｕの２層膜が、同一真空度内で
得る事が出来る。ここでＣｒ又はＮｉはアルミニウムの
電極部分２３もしくはＣＶＤＳｉＯ２膜２４との密着力
を高めるための膜であり、Ｃｕはメッキ処理によるバン
プの形成を容易にならしめるための膜であつて、Ｃｒは
５００〜１５００Ａ，．ＣＵは１０００〜５０００Ａの
膜厚を有する。又、Ｃｒ，Ｎｉの替りにＴｉ膜を用いて
も良い（第２図ｂ）。次いで、感光性樹脂２７を全面に
塗布したのち、第２図ｃの如く電極２３部分を開口し、
電極２３の近傍に輪状のパターンを形成し、感光性樹脂
２７および金属膜２６上に別の感光性樹脂２８“を設け
る。
ここで、例えば感光性樹脂２７を光射により溶剤に不溶
となるネガ型感光性樹脂であるとすれば、感光性樹脂２
８は光照射により溶剤に対して可溶となるポジ型感光性
樹脂である。ここで前記感光性樹脂２８は感光性樹脂２
７のパターンよりも小さ目あるいは大き目であつても良
いが、望ましくは第２図ｄにおいて第２の感光性樹脂２
７のパターンの最大寸法と同一もしくは小さ目がよい。
又、前記第２の感光性樹脂２７は現像パターンの形成後
、前記金属膜２６との接着強度を高めるため、熱重合を
発生する温度で熱処理するものであるが、第３の感光性
樹脂２８は、現像パターンの形成後、熱かぶりを発生し
ない温度（ＡＺ−１３５０Ｊであれば９０℃前後の温度
）で処理されるものである。次いで、複数層の金属膜２
６をメッキ用の共通電極として用い例えは半田，銅，金
等を電着すれば、開口している前記金属膜２６上にバン
プ２９が形成されるものである。
となるネガ型感光性樹脂であるとすれば、感光性樹脂２
８は光照射により溶剤に対して可溶となるポジ型感光性
樹脂である。ここで前記感光性樹脂２８は感光性樹脂２
７のパターンよりも小さ目あるいは大き目であつても良
いが、望ましくは第２図ｄにおいて第２の感光性樹脂２
７のパターンの最大寸法と同一もしくは小さ目がよい。
又、前記第２の感光性樹脂２７は現像パターンの形成後
、前記金属膜２６との接着強度を高めるため、熱重合を
発生する温度で熱処理するものであるが、第３の感光性
樹脂２８は、現像パターンの形成後、熱かぶりを発生し
ない温度（ＡＺ−１３５０Ｊであれば９０℃前後の温度
）で処理されるものである。次いで、複数層の金属膜２
６をメッキ用の共通電極として用い例えは半田，銅，金
等を電着すれば、開口している前記金属膜２６上にバン
プ２９が形成されるものである。
これを第２図ｅに示す。前記バンプ表面上より紫外線を
照射すれば、感光性樹脂２８は光分解を起し、溶剤に対
し可溶となる。すなわち、感光性樹脂２８はバンプ下の
感光性樹脂２『を残し、専用の現像液に溶解する。しか
し、感光性樹脂２７はネガ型であるために、感光性樹脂
２８の現像液には溶解しない。第２図ｆの構造を得る事
が出来る。金属膜２６を溶解する液に浸せば、バンプ２
９および感光性樹脂２７で覆われていない部分は容易に
除去される。
照射すれば、感光性樹脂２８は光分解を起し、溶剤に対
し可溶となる。すなわち、感光性樹脂２８はバンプ下の
感光性樹脂２『を残し、専用の現像液に溶解する。しか
し、感光性樹脂２７はネガ型であるために、感光性樹脂
２８の現像液には溶解しない。第２図ｆの構造を得る事
が出来る。金属膜２６を溶解する液に浸せば、バンプ２
９および感光性樹脂２７で覆われていない部分は容易に
除去される。
金属膜２６がＣｕ−Ｃｒの２層からなる複数膜であれば
、１０％塩化第二鉄溶液によつてＣｕ膜を除去し、次い
で塩酸もしくはフェリシアン化カリウムとカセイソーダ
の混液に浸す事によつて、Ｃｒ膜を連続して除去出来る
。最も効果的な金属膜２６の除去方法を説明すると、カ
セイソーダニ水＝１：２とするＡ液，フェリシアン化カ
リウムニ水＝１：３とするＢ液を，１：２の割合で混合
し、６０℃に加熱する。これによりＣｒは２５Ａ／秒，
Ｃｕは３０Ａ／秒の速度で除去される。従つて、同一の
液中で２層の膜を連続して除去できる。第２図ｇはこの
状態を示すものであつて、バンプ２９と感光性樹脂２７
で覆われた部分を残し、金属膜２６は除去される。次い
で第２，第３の感光性樹脂を除去すべく剥離溶剤（例え
ばＪ−１００）に浸せば第２図ｈの状態を得ることが出
来る。
、１０％塩化第二鉄溶液によつてＣｕ膜を除去し、次い
で塩酸もしくはフェリシアン化カリウムとカセイソーダ
の混液に浸す事によつて、Ｃｒ膜を連続して除去出来る
。最も効果的な金属膜２６の除去方法を説明すると、カ
セイソーダニ水＝１：２とするＡ液，フェリシアン化カ
リウムニ水＝１：３とするＢ液を，１：２の割合で混合
し、６０℃に加熱する。これによりＣｒは２５Ａ／秒，
Ｃｕは３０Ａ／秒の速度で除去される。従つて、同一の
液中で２層の膜を連続して除去できる。第２図ｇはこの
状態を示すものであつて、バンプ２９と感光性樹脂２７
で覆われた部分を残し、金属膜２６は除去される。次い
で第２，第３の感光性樹脂を除去すべく剥離溶剤（例え
ばＪ−１００）に浸せば第２図ｈの状態を得ることが出
来る。
又、他の実施例を詳述する。
〔実施例 （２）〕
第２図ｃの工程において、上記実施例（１）はネガ型感
光性樹脂を用いた場合であつたが、他の実施例としては
ポジ型感光性樹脂を用いることが出来る。
光性樹脂を用いた場合であつたが、他の実施例としては
ポジ型感光性樹脂を用いることが出来る。
すなわち、第２図ｃの如くポジ型感光性樹脂によつてパ
ターンを形成した後、完全に熱かぶりを発生する温度、
例えば前記ポジ型感光性樹脂がＭ−１３５０であれば１
４０℃〜２７０℃の範囲で熱処理を行ない、光照射によ
り溶剤に対して不溶となる状態を得る。しかるのち、感
光性樹脂２５として、感光性樹脂と同じくポジ型を用い
、パターン形成を行ない、熱かぶりを発生しない温度、
ＡＺ一１３５０てあれば９Ｃｆ′Ｃ前後て熱処理をする
。これを第２図ｄに示す。次いで第２図ｅの如く金属バ
ンプを形成し、形成が終れば、全面に紫外光を照射すれ
ば、感光性樹脂２８は熱かぶりを起こしていないから現
像液に対し可溶となるが、感光性樹脂２７はすでに熱か
ぶりを発生しているので、現像液に対し可溶とならない
。第２図ｆの状態を得ることがてきる。後の工程は上記
実施例と同一である。実施例（１）においては感光性樹
脂２７がネガ型であるため、金属膜２６に対する密着性
が良好であり、かつ金属膜２６の除去液に対する耐薬品
性を備えているため感光性樹脂２７のパターンに対して
オーバエッチング等の影響が少ない。実施例（２）にお
いては、感光性樹脂２７，２８の両方ともポジ型を用い
ているために、工程に使用する感光性樹脂現像液等の材
料が少なくてすみ、かつ実施例（１）と同様、感光性樹
脂２８がポジ型であるため、後の工程において光照射に
よつて、溶剤に対して可溶とならしめ除去するから、メ
ッキ工程が明所であつても良い。
ターンを形成した後、完全に熱かぶりを発生する温度、
例えば前記ポジ型感光性樹脂がＭ−１３５０であれば１
４０℃〜２７０℃の範囲で熱処理を行ない、光照射によ
り溶剤に対して不溶となる状態を得る。しかるのち、感
光性樹脂２５として、感光性樹脂と同じくポジ型を用い
、パターン形成を行ない、熱かぶりを発生しない温度、
ＡＺ一１３５０てあれば９Ｃｆ′Ｃ前後て熱処理をする
。これを第２図ｄに示す。次いで第２図ｅの如く金属バ
ンプを形成し、形成が終れば、全面に紫外光を照射すれ
ば、感光性樹脂２８は熱かぶりを起こしていないから現
像液に対し可溶となるが、感光性樹脂２７はすでに熱か
ぶりを発生しているので、現像液に対し可溶とならない
。第２図ｆの状態を得ることがてきる。後の工程は上記
実施例と同一である。実施例（１）においては感光性樹
脂２７がネガ型であるため、金属膜２６に対する密着性
が良好であり、かつ金属膜２６の除去液に対する耐薬品
性を備えているため感光性樹脂２７のパターンに対して
オーバエッチング等の影響が少ない。実施例（２）にお
いては、感光性樹脂２７，２８の両方ともポジ型を用い
ているために、工程に使用する感光性樹脂現像液等の材
料が少なくてすみ、かつ実施例（１）と同様、感光性樹
脂２８がポジ型であるため、後の工程において光照射に
よつて、溶剤に対して可溶とならしめ除去するから、メ
ッキ工程が明所であつても良い。
又、実施例（３）においては感光性樹脂２７が実施例（
１）と同様、ネガ型であるから、密着性，耐薬品性に優
れるが、感光性樹脂２８がネガ型であるため、メッキ工
程を暗所でしなければならない反面、工程に使用する感
光性樹脂，現像液等材料が少なく管理が少なくてすむ等
の効果がある。
１）と同様、ネガ型であるから、密着性，耐薬品性に優
れるが、感光性樹脂２８がネガ型であるため、メッキ工
程を暗所でしなければならない反面、工程に使用する感
光性樹脂，現像液等材料が少なく管理が少なくてすむ等
の効果がある。
〔実施例 （３）〕第２図ｃの工程において、感光性樹
脂２７としてネガ型を用い、パターン形成を行ない、し
かるのち、熱重合を行なう温度において、熱重合を行な
わしめる。
脂２７としてネガ型を用い、パターン形成を行ない、し
かるのち、熱重合を行なう温度において、熱重合を行な
わしめる。
次に感光性樹脂２８として同じくネガ型を用いパターン
形成を行ない、熱かぶりを発生しない温度、例えば９０
℃程度で熱処理を行なう。これを第２図ｃに示す。次い
で第２図ｅの如く金属バンプを形成し、形成が終れば、
現像液に浸し、前記感光性樹脂２８を除去する。感光性
樹脂２７は熱重合を行なわしめているので前記現像液に
可溶とならない。そして第２図ｆの状態を得る事ができ
る。後の工程は他の実施例と同一である。以上説明した
ように、本発明は金属バンプ上に所望形状の金属膜を形
成するに当り、エッチングにより必要以外の金属膜部分
まで腐蝕されるのを防止することができるとともに、そ
のエッチング工程を１回で済ますことができる結果、従
来のように第１の感光性樹脂の塗布工程と第２の感光性
樹脂の塗布工程との間にもエッチング工程が含まれるも
のとは異なつて、その塗布，現像処理工程を連続して行
なうことができる。
形成を行ない、熱かぶりを発生しない温度、例えば９０
℃程度で熱処理を行なう。これを第２図ｃに示す。次い
で第２図ｅの如く金属バンプを形成し、形成が終れば、
現像液に浸し、前記感光性樹脂２８を除去する。感光性
樹脂２７は熱重合を行なわしめているので前記現像液に
可溶とならない。そして第２図ｆの状態を得る事ができ
る。後の工程は他の実施例と同一である。以上説明した
ように、本発明は金属バンプ上に所望形状の金属膜を形
成するに当り、エッチングにより必要以外の金属膜部分
まで腐蝕されるのを防止することができるとともに、そ
のエッチング工程を１回で済ますことができる結果、従
来のように第１の感光性樹脂の塗布工程と第２の感光性
樹脂の塗布工程との間にもエッチング工程が含まれるも
のとは異なつて、その塗布，現像処理工程を連続して行
なうことができる。
このため、本発明は第１の感光性樹脂の塗布工程の直後
に半導体基板を洗浄，乾燥するという従来の処理工程を
不要にできるので、従来に比し工程を著しく簡素化でき
る。また、一方の感光性樹脂をマスクとして金属膜を除
去するので、金属膜を必要以上に厚くしたり、金属バン
プ下へのエッチング液の浸み込みによる電気的不良を防
止し、半導体装置の信頼性を著しく高めることができる
。
に半導体基板を洗浄，乾燥するという従来の処理工程を
不要にできるので、従来に比し工程を著しく簡素化でき
る。また、一方の感光性樹脂をマスクとして金属膜を除
去するので、金属膜を必要以上に厚くしたり、金属バン
プ下へのエッチング液の浸み込みによる電気的不良を防
止し、半導体装置の信頼性を著しく高めることができる
。
又、半導体基板２１を分割する手段として、精度よく、
かつ歩留り良く分割するために、ダイヤモンド粉末を付
着せし”めた円盤を回転させ、水洗しながら切断する方
法が良く用いられている。この様な高速での切断時には
冷却水を噴射し水冷するにもかかわらず、基板の温度上
昇を伴ない、金属膜２６は酸化され、例えばＣｕ膜の如
きものは砂状化してしまい、もろくなりくずれ分散して
しまい、これがバンプ２９の下にも作用し、電極バッド
２３の腐蝕あるいは接着強度を弱めたり、接触抵抗を増
大させる事があつた。この主の問題に対して本発明の構
成で第２図ｇの如くの状態で半導体基板２１を分割して
しまえば、金属膜２６は感光性樹脂２７に覆われている
から前記した如くの金属膜２６の酸化を防止できるもの
である。
かつ歩留り良く分割するために、ダイヤモンド粉末を付
着せし”めた円盤を回転させ、水洗しながら切断する方
法が良く用いられている。この様な高速での切断時には
冷却水を噴射し水冷するにもかかわらず、基板の温度上
昇を伴ない、金属膜２６は酸化され、例えばＣｕ膜の如
きものは砂状化してしまい、もろくなりくずれ分散して
しまい、これがバンプ２９の下にも作用し、電極バッド
２３の腐蝕あるいは接着強度を弱めたり、接触抵抗を増
大させる事があつた。この主の問題に対して本発明の構
成で第２図ｇの如くの状態で半導体基板２１を分割して
しまえば、金属膜２６は感光性樹脂２７に覆われている
から前記した如くの金属膜２６の酸化を防止できるもの
である。
又、分割後、感光性樹脂２７を除去すれば第２図ｈの構
造を得る事ができるものである。
造を得る事ができるものである。
第１図ａ−ｄは従来の半導体装置の製造方法の工程図、
第２図ａ−ｈは本発明の一実施例である半導体装置の製
造方法の工程図である。 ２１・・・・・・半導体基板、２３・・・・・・電極バ
ッド、２６・・・・・・金属膜、２７，２８・・・・・
・感光性樹脂。
第２図ａ−ｈは本発明の一実施例である半導体装置の製
造方法の工程図である。 ２１・・・・・・半導体基板、２３・・・・・・電極バ
ッド、２６・・・・・・金属膜、２７，２８・・・・・
・感光性樹脂。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電極を含む半導体基板上に第１の絶縁層を形成する
工程と、前記電極上の所望の位置に第１の感光性樹脂膜
を用いて第１の絶縁層を開口し電極取出し用の窓開けを
行ない、しかる後前記第１の感光性樹脂膜を除去する工
程と、複数層からなる金属膜を少なくとも前記窓開け領
域を含み前記半導体基板の全域に被着する工程と、前記
金属膜上に第２の感光性樹脂を塗布し、上記電極の一部
又は全部を開口しかつこの電極近傍を囲むように輪状の
前記感光性樹脂パターンを形成する工程と、前記第２の
感光性樹脂パターンおよび前記金属膜上に第３の感光性
樹脂を塗布し、前記電極近傍を開口せしめ、この開口部
が前記第２の感光性樹脂パターンの開口とほぼ合致する
前記第３の感光性樹脂パターンを形成する工程と、前記
第３および第２の感光性樹脂パターンをマスクとして前
記電極の露出した領域の金属膜上に金属バンプを形成す
る工程と、溶剤により第３の感光性樹脂のみ除去する工
程と、少なくとも前記第２の感光性樹脂パターンおよび
前記バンプをマスクとして少なくとも前記バンプ領域以
外の前記金属膜を除去する工程と、前記第２の感光性樹
脂を除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装
置の製造方法。 ２ 第２、および第３の感光性樹脂が光照射により、溶
剤に対して可溶となるポジ型感光性樹脂からなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製
造方法。 ３ 第２の感光性樹脂のパターン形成後の熱処理を熱か
ぶりを発生する温度以上で行ない、かつ、第３の感光性
樹脂のパターン形成後の熱処理を熱かぶりが発生しない
温度で行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51138136A JPS6054782B2 (ja) | 1976-11-16 | 1976-11-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51138136A JPS6054782B2 (ja) | 1976-11-16 | 1976-11-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5362468A JPS5362468A (en) | 1978-06-03 |
| JPS6054782B2 true JPS6054782B2 (ja) | 1985-12-02 |
Family
ID=15214824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51138136A Expired JPS6054782B2 (ja) | 1976-11-16 | 1976-11-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054782B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56100450A (en) * | 1980-01-11 | 1981-08-12 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Manufacture of projected electrode of semiconductor device |
-
1976
- 1976-11-16 JP JP51138136A patent/JPS6054782B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5362468A (en) | 1978-06-03 |
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