JPS605537A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS605537A JPS605537A JP59094203A JP9420384A JPS605537A JP S605537 A JPS605537 A JP S605537A JP 59094203 A JP59094203 A JP 59094203A JP 9420384 A JP9420384 A JP 9420384A JP S605537 A JPS605537 A JP S605537A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- monitoring
- oxidized film
- region
- covered
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に関し、とくに特性モニター用の電
極端子を有する抵抗体素子をハ備した集積回路装置に関
する。
極端子を有する抵抗体素子をハ備した集積回路装置に関
する。
半導体集積回路装置においては装置内の半導体素子の特
性をモニターずもためＩと余分の半導体素子を通常設け
ている。Ｃのような特性モニター用素子の寸法・４Ｒ造
は被モニター素子と同一であるのが望ましいが、最近の
半導体集積回路内の各素子の大幅な小型化により測定装
置の探釘を素子表面に直接当てることは不可能になって
いる。したがって、従来の集積回路装置における素子特
性のモニターは（１）同寸法の補助素子に形成された外
部導出電極により行なうか、（２）被モニター素子と特
性的に相関関係にある大きな寸法の補助素子を用いたり
していた。後者（２）の方法は、大きな補助素子から得
られたデータをもとに被測定素子の特性を算出し、評価
する必要があるためこの方法は複雑で不正確である。前
者（１）の方法は高精度に被モニター素子の特性がすぐ
に判明するが、素子の特性を所望の値に修正できない。
性をモニターずもためＩと余分の半導体素子を通常設け
ている。Ｃのような特性モニター用素子の寸法・４Ｒ造
は被モニター素子と同一であるのが望ましいが、最近の
半導体集積回路内の各素子の大幅な小型化により測定装
置の探釘を素子表面に直接当てることは不可能になって
いる。したがって、従来の集積回路装置における素子特
性のモニターは（１）同寸法の補助素子に形成された外
部導出電極により行なうか、（２）被モニター素子と特
性的に相関関係にある大きな寸法の補助素子を用いたり
していた。後者（２）の方法は、大きな補助素子から得
られたデータをもとに被測定素子の特性を算出し、評価
する必要があるためこの方法は複雑で不正確である。前
者（１）の方法は高精度に被モニター素子の特性がすぐ
に判明するが、素子の特性を所望の値に修正できない。
これは外部導出電極に用いられているアルミニウムが素
子特性の修正に必要な処理に耐えることがてきないから
である。
子特性の修正に必要な処理に耐えることがてきないから
である。
多結晶シリコン層は、半導体集積回路装置に広く使用さ
れている。例えば絶縁ゲート電界効果トランジスタにお
いてはゲート電極として、又、バイポーラトランジスタ
においては拡散不糺物源及びその拡散層の電極として、
又、受動素子においては、抵抗体素子として利用されて
きた。しかし、多結晶シリコン膜を利用したこれら半導
体装置の特性は、外部導出用金属電極の形成後でなけれ
ば判明せず、しかもこの段階における特性の修正は前述
したように不可能なので、所望の特性の半導体装置の製
造を回外なものにしていた。
れている。例えば絶縁ゲート電界効果トランジスタにお
いてはゲート電極として、又、バイポーラトランジスタ
においては拡散不糺物源及びその拡散層の電極として、
又、受動素子においては、抵抗体素子として利用されて
きた。しかし、多結晶シリコン膜を利用したこれら半導
体装置の特性は、外部導出用金属電極の形成後でなけれ
ば判明せず、しかもこの段階における特性の修正は前述
したように不可能なので、所望の特性の半導体装置の製
造を回外なものにしていた。
したがって、本発明の目的のひとつは、素子特性を容易
にモニタし、修正できる半導体装１ａを提供すること１
こある。
にモニタし、修正できる半導体装１ａを提供すること１
こある。
本発明の他の目的は、半導体素子特性の修正処理に耐え
うるモニター用外部導出電極を有する半導体素子を具備
した半導体集積回路装置を提供することにある。
うるモニター用外部導出電極を有する半導体素子を具備
した半導体集積回路装置を提供することにある。
本発明によれば、半導体集積回路装置に含まれる半導体
抵抗体素子の特性をモニターするための外部導出電極と
してシリコン層を用いたことを特徴する半導体装置が得
られる。シリコンの外部ｊ９出電極は半導体集積回路装
置の半導体基板に形成されたモニター用半導体素子に接
続され、そして半導体基板を覆っている絶縁股上をモニ
ター用５ｊ≦子領域の外側の領域曾て延在している。モ
ニター用素子は集結回路を＜１１成している素子の他に
追加に設けられても良いし、集積回路構成素子のうちの
ひとつを使用しても良い。モニター用の寸法および桔造
は被モニター素子と同一である仁とが好ましい。本発明
によれば、測定器の探針が、モニター用素子の特性を測
定し、それによって披モニター素子の特性を知るために
外部導出シリコン電極に接触される。もしｆｆ１ｌｌ定
された牛、を性が所望の値に達していないならば、半導
体装置は特性を所望の値にするための追加処理、たとえ
は熱処理または不純物の再添加を受ける。そしてモニタ
ー用素子のシリコン電極に探針を接触さぜることにより
特性を再びチェックする。その後に、必要があれば金属
電極または金属配線層が半導体装１ｇ？に形成される。
抵抗体素子の特性をモニターするための外部導出電極と
してシリコン層を用いたことを特徴する半導体装置が得
られる。シリコンの外部ｊ９出電極は半導体集積回路装
置の半導体基板に形成されたモニター用半導体素子に接
続され、そして半導体基板を覆っている絶縁股上をモニ
ター用５ｊ≦子領域の外側の領域曾て延在している。モ
ニター用素子は集結回路を＜１１成している素子の他に
追加に設けられても良いし、集積回路構成素子のうちの
ひとつを使用しても良い。モニター用の寸法および桔造
は被モニター素子と同一である仁とが好ましい。本発明
によれば、測定器の探針が、モニター用素子の特性を測
定し、それによって披モニター素子の特性を知るために
外部導出シリコン電極に接触される。もしｆｆ１ｌｌ定
された牛、を性が所望の値に達していないならば、半導
体装置は特性を所望の値にするための追加処理、たとえ
は熱処理または不純物の再添加を受ける。そしてモニタ
ー用素子のシリコン電極に探針を接触さぜることにより
特性を再びチェックする。その後に、必要があれば金属
電極または金属配線層が半導体装１ｇ？に形成される。
本発明によれば、１１性修正処理の高温度に耐えること
のできるシリコンをモニター用端子電極に用いるので、
特性のモニタおよび修正を容易にしかも正確に行なうこ
とができる。さらに、金属電極または金属配線層を備え
名手導体装置を、モニタおよび特性修正の両工程を行な
った上で製造することができる。
のできるシリコンをモニター用端子電極に用いるので、
特性のモニタおよび修正を容易にしかも正確に行なうこ
とができる。さらに、金属電極または金属配線層を備え
名手導体装置を、モニタおよび特性修正の両工程を行な
った上で製造することができる。
以下、図面を参照して本発明を詳述する。
第１図Ａ−Ｇは本発明の抵抗体素子の実施例を示す。
第１図Ａ−Ｆは各製作工程におりる断面を示し、第１図
Ｇ１こその平面図を示す。第１図Ｆは第１図ＧのＹ −
Ｙ’に沿った断面に相当する。まず半導体基板２を熱酸
化して、酸化膜ｌで覆う（第１図Ａ）。
Ｇ１こその平面図を示す。第１図Ｆは第１図ＧのＹ −
Ｙ’に沿った断面に相当する。まず半導体基板２を熱酸
化して、酸化膜ｌで覆う（第１図Ａ）。
次に酸化ｗＡｌ上にモノシランの熱分解により多結晶シ
リコンＥ７を生成し、多結晶シリコン層７を選択的に除
去することにより端子部を備えた抵抗体素子を形成した
後、熱酸化により、この抵抗体素子を酸化膜で覆う（第
１図Ｂ）。第１図Ｇをも参照すると、端子部１２および
１３は抵抗素子の本体１４の両端につながり、さらに酸
化膜ｌ上を伸びてモニター用端子電極の役割をする広面
積のパッド部１２′および１３′でそれぞれ終っている
。
リコンＥ７を生成し、多結晶シリコン層７を選択的に除
去することにより端子部を備えた抵抗体素子を形成した
後、熱酸化により、この抵抗体素子を酸化膜で覆う（第
１図Ｂ）。第１図Ｇをも参照すると、端子部１２および
１３は抵抗素子の本体１４の両端につながり、さらに酸
化膜ｌ上を伸びてモニター用端子電極の役割をする広面
積のパッド部１２′および１３′でそれぞれ終っている
。
次にシリコン抵抗体素子の両端子部１２および１３（１
２’および１３′を含む）を覆っている酸化膜を選択的
に除去する（第１図Ｃ）。次に前記シリコン酸化膜の除
去された抵抗体素子の両端子部１２および１３に高濃度
のＷＩ素原子を拡散し高ドープの低抵抗領域とする。そ
して再び酸化膜で覆う（第１図Ｄ）。次に上記の高濃度
の硼素原子を拡散された領域以外の領域１４すなわち抵
抗体素子の本体を覆っている酸化膜を選択的に除去しく
第１図Ｅ）この領域１４に所望の抵抗値が得られるよう
に制御された只の硼素原子をイオン注入法により精度よ
く注入し再び酸化膜でｂｌう（第１１１ａＦ）。
２’および１３′を含む）を覆っている酸化膜を選択的
に除去する（第１図Ｃ）。次に前記シリコン酸化膜の除
去された抵抗体素子の両端子部１２および１３に高濃度
のＷＩ素原子を拡散し高ドープの低抵抗領域とする。そ
して再び酸化膜で覆う（第１図Ｄ）。次に上記の高濃度
の硼素原子を拡散された領域以外の領域１４すなわち抵
抗体素子の本体を覆っている酸化膜を選択的に除去しく
第１図Ｅ）この領域１４に所望の抵抗値が得られるよう
に制御された只の硼素原子をイオン注入法により精度よ
く注入し再び酸化膜でｂｌう（第１１１ａＦ）。
抵抗体素子端子のパッド部１２′および１３′を露出さ
せ、そこに測定器の探針をあててこのモニター用抵抗体
素子の抵抗イ＠を測定する。もし抵抗値が所旙値より低
いとわかれば、モニター用抵抗の本体１４におけるシリ
コン層の厚さおよびモニター用抵抗体の製作と同時に同
一工程で同−酸化膜１上に形成された他の抵抗体のシリ
コン層の厚さを減じて抵抗値を増加させる。また、所望
の値より高ければ、これら抵抗体中にさらに不純物を導
入して抵抗値を下げる。
せ、そこに測定器の探針をあててこのモニター用抵抗体
素子の抵抗イ＠を測定する。もし抵抗値が所旙値より低
いとわかれば、モニター用抵抗の本体１４におけるシリ
コン層の厚さおよびモニター用抵抗体の製作と同時に同
一工程で同−酸化膜１上に形成された他の抵抗体のシリ
コン層の厚さを減じて抵抗値を増加させる。また、所望
の値より高ければ、これら抵抗体中にさらに不純物を導
入して抵抗値を下げる。
第２図は上記実施例をさらに改良した場合の断面図を示
す。モニター用抵抗（回路抵抗例も同様）のシリコンの
本体工９および終端部２０および２０′はシリコン酸化
膜１８の中に埋設されている。この酸化膜１８はシリコ
ン層を選択除去するのでなく選択的に熱酸化することに
より形成される。この構造は半導体装置の表面を叩坦に
する。
す。モニター用抵抗（回路抵抗例も同様）のシリコンの
本体工９および終端部２０および２０′はシリコン酸化
膜１８の中に埋設されている。この酸化膜１８はシリコ
ン層を選択除去するのでなく選択的に熱酸化することに
より形成される。この構造は半導体装置の表面を叩坦に
する。
以上述べた実施例のモニター用抵抗は集積回路を構成す
る回路素子として使用してもよい。その場合、導出シリ
コン電極１２．１３．２０．２０’はアルミニウムなど
の配線層によって他の素子へ接続される。特性モニター
用のみに用いる場合はこれら導出シリコン電極は使用後
（測定終了後）そのまま残置しておいてもよいが、使用
後エツチング等の手段によって除去するか又は酸化ｌど
よって酸化物に変換することも可能である。
る回路素子として使用してもよい。その場合、導出シリ
コン電極１２．１３．２０．２０’はアルミニウムなど
の配線層によって他の素子へ接続される。特性モニター
用のみに用いる場合はこれら導出シリコン電極は使用後
（測定終了後）そのまま残置しておいてもよいが、使用
後エツチング等の手段によって除去するか又は酸化ｌど
よって酸化物に変換することも可能である。
以上、実施例につき説明したが、本発明の主要な部分は
、半導体基板の一生面に接盾し、がっ、素子を形成する
半導体領域外に延在するシリコン薄膜からなる特性モニ
ター用の電極端子を設けたことにあり本発明の効果は、
金属電極を形成する前に、半導体素子の特性が測定でき
、それ故、実際に使用する素子の特性を正Ｌｊｉ ｌこ
制御できる点にある。従って、本発明の技術的範囲は１
１１１記実施例に限定されるものではなく、この発明の
権利は１゛ｒ許請求の範囲に示す全ての装ｊ１ｊ７に及
ぶ。
、半導体基板の一生面に接盾し、がっ、素子を形成する
半導体領域外に延在するシリコン薄膜からなる特性モニ
ター用の電極端子を設けたことにあり本発明の効果は、
金属電極を形成する前に、半導体素子の特性が測定でき
、それ故、実際に使用する素子の特性を正Ｌｊｉ ｌこ
制御できる点にある。従って、本発明の技術的範囲は１
１１１記実施例に限定されるものではなく、この発明の
権利は１゛ｒ許請求の範囲に示す全ての装ｊ１ｊ７に及
ぶ。
第１図Ａ−Ｆは本発明の実施例によるモニター用抵抗の
各製作工程を示す断面図であり、第１図Ｇはその平面図
を示す。第１１藁ＩＦは第１図ＧのＹ−Ｙ’に沿った断
面に相当する。 第２図は本発明による他のモニター用抵抗の所面Ｉス１
を示す。 １．１８・・・・・・シリコン酸化膜、２・・・・・・
シリコン基板、２・・・・・・コンタクト領域、７・・
・・・・多結晶シリコン層、１２．１３．２０．２０′
・・・・・・端子、１２′１３′・・・・・・パッド部
、１４、Ｉ９・・・・・・抵抗体。 代理人 弁理士 内 原 ” 第２０
各製作工程を示す断面図であり、第１図Ｇはその平面図
を示す。第１１藁ＩＦは第１図ＧのＹ−Ｙ’に沿った断
面に相当する。 第２図は本発明による他のモニター用抵抗の所面Ｉス１
を示す。 １．１８・・・・・・シリコン酸化膜、２・・・・・・
シリコン基板、２・・・・・・コンタクト領域、７・・
・・・・多結晶シリコン層、１２．１３．２０．２０′
・・・・・・端子、１２′１３′・・・・・・パッド部
、１４、Ｉ９・・・・・・抵抗体。 代理人 弁理士 内 原 ” 第２０
Claims (1)
- 複数個の半導体素子を含む半導体装置ζこ於いて、半導
体素子には抵抗体素子を有し、該抵抗体素子は絶縁膜上
のシリコン薄膜からなる高抵抗領域と該高抵抗領域の両
端にそれぞれ接続されかつ該絶縁膜上を延在するシリコ
ン薄膜よりなる特性モニター用の電極端子を有すること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094203A JPS605537A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094203A JPS605537A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50145473A Division JPS5268376A (en) | 1975-12-05 | 1975-12-05 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605537A true JPS605537A (ja) | 1985-01-12 |
| JPS6310579B2 JPS6310579B2 (ja) | 1988-03-08 |
Family
ID=14103741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59094203A Granted JPS605537A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605537A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63220537A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Nec Corp | 半導体基板 |
| US4992767A (en) * | 1989-02-03 | 1991-02-12 | Hitachi Metals, Ltd. | Magnet roll |
| US4992850A (en) * | 1989-02-15 | 1991-02-12 | Micron Technology, Inc. | Directly bonded simm module |
| US4992849A (en) * | 1989-02-15 | 1991-02-12 | Micron Technology, Inc. | Directly bonded board multiple integrated circuit module |
| US5236857A (en) * | 1991-10-30 | 1993-08-17 | Texas Instruments Incorporated | Resistor structure and process |
| USRE36325E (en) * | 1988-09-30 | 1999-10-05 | Micron Technology, Inc. | Directly bonded SIMM module |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS492485A (ja) * | 1972-04-19 | 1974-01-10 |
-
1984
- 1984-05-11 JP JP59094203A patent/JPS605537A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS492485A (ja) * | 1972-04-19 | 1974-01-10 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63220537A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Nec Corp | 半導体基板 |
| USRE36325E (en) * | 1988-09-30 | 1999-10-05 | Micron Technology, Inc. | Directly bonded SIMM module |
| US4992767A (en) * | 1989-02-03 | 1991-02-12 | Hitachi Metals, Ltd. | Magnet roll |
| US4992850A (en) * | 1989-02-15 | 1991-02-12 | Micron Technology, Inc. | Directly bonded simm module |
| US4992849A (en) * | 1989-02-15 | 1991-02-12 | Micron Technology, Inc. | Directly bonded board multiple integrated circuit module |
| US5236857A (en) * | 1991-10-30 | 1993-08-17 | Texas Instruments Incorporated | Resistor structure and process |
| US5465005A (en) * | 1991-10-30 | 1995-11-07 | Texas Instruments Incorporated | Polysilicon resistor structure including polysilicon contacts |
| US6261915B1 (en) | 1991-10-30 | 2001-07-17 | Texas Instruments Incorporated | Process of making polysilicon resistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6310579B2 (ja) | 1988-03-08 |
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