JPS605553B2 - セレン化亜鉛多結晶体の製造方法 - Google Patents
セレン化亜鉛多結晶体の製造方法Info
- Publication number
- JPS605553B2 JPS605553B2 JP55125336A JP12533680A JPS605553B2 JP S605553 B2 JPS605553 B2 JP S605553B2 JP 55125336 A JP55125336 A JP 55125336A JP 12533680 A JP12533680 A JP 12533680A JP S605553 B2 JPS605553 B2 JP S605553B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capsule
- znse
- glass
- zinc selenide
- hip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 4
- 239000002775 capsule Substances 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 claims description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 241000255925 Diptera Species 0.000 description 1
- 108010085603 SFLLRNPND Proteins 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセレン化亜鉛（以下ＺｎＳｅと称す）多結晶体
を熱間静水圧プレスにより加熱圧縮し、繊密で純度の高
い欠陥の少し、多結晶体を製造する方法に関するもので
ある。
を熱間静水圧プレスにより加熱圧縮し、繊密で純度の高
い欠陥の少し、多結晶体を製造する方法に関するもので
ある。
ＺｎＳｅはいわゆるローの族化合物半導体材料の１種で
あり、その良好な赤外透光性、機械的特性及び熱的特性
から近年光学部品、特に炭酸ガスレーザー用窓材などの
部品として注目されている。
あり、その良好な赤外透光性、機械的特性及び熱的特性
から近年光学部品、特に炭酸ガスレーザー用窓材などの
部品として注目されている。
この場合、素材として空孔（ボィド）及び不純物等の内
部欠陥の少ない材料の開発が望まれている。これらの欠
陥は、レーザー光吸収の原因となり、ひいてはそれが窓
材の過熱又は破壊などの劣化につながるからである。レ
ーザー窓材用ＺｎＳｅは、良好な機械的特性（強度）が
必要であり、努開性のない多結晶材が用いられる。
部欠陥の少ない材料の開発が望まれている。これらの欠
陥は、レーザー光吸収の原因となり、ひいてはそれが窓
材の過熱又は破壊などの劣化につながるからである。レ
ーザー窓材用ＺｎＳｅは、良好な機械的特性（強度）が
必要であり、努開性のない多結晶材が用いられる。
ＺｎＳｅ多結晶体の製造方法としては、特にレーザー窓
材用の如く大型（直径数地以上、厚み数側以上）のもの
を得る方法として化学蒸着法（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐ
ｏｒ戊ｏｓｉｔｉｏｎＰｒｏｃｅｓｓ：以下ＣＶＤ法と
称す）及び粉末ホットプレス法の２種類の方法が実用化
されている。しかし、前者のＣＶＤ法によるものは純度
は良いが、大型部品を製造するのに長時間を要すること
、又時間を短くするために成長速度を早くした場合柱状
晶的結晶生長が顕著となり、空孔の存在が認められる場
合が多く、一方後者の粉末ホットプレス法によるものは
、不純物の混入が多い上に一方向のみの加圧のため圧力
の不均一を生じ、空孔が残留する問題があった。
材用の如く大型（直径数地以上、厚み数側以上）のもの
を得る方法として化学蒸着法（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐ
ｏｒ戊ｏｓｉｔｉｏｎＰｒｏｃｅｓｓ：以下ＣＶＤ法と
称す）及び粉末ホットプレス法の２種類の方法が実用化
されている。しかし、前者のＣＶＤ法によるものは純度
は良いが、大型部品を製造するのに長時間を要すること
、又時間を短くするために成長速度を早くした場合柱状
晶的結晶生長が顕著となり、空孔の存在が認められる場
合が多く、一方後者の粉末ホットプレス法によるものは
、不純物の混入が多い上に一方向のみの加圧のため圧力
の不均一を生じ、空孔が残留する問題があった。
本発明はこれらの問題を解決するために熱間静水圧プレ
ス（ＨｏｔｌｓｏｓｔａｔｉｃＰｒｅｓｓ以下ＨＩＰ法
と称す）を用いて、超高圧により上記多結晶体の空孔を
つぶし高密度化する方法に関し、特にその被加工体の密
閉方法に改善を加え高純度のＺｎＳｅ多結晶体を提供せ
んとするものである。
ス（ＨｏｔｌｓｏｓｔａｔｉｃＰｒｅｓｓ以下ＨＩＰ法
と称す）を用いて、超高圧により上記多結晶体の空孔を
つぶし高密度化する方法に関し、特にその被加工体の密
閉方法に改善を加え高純度のＺｎＳｅ多結晶体を提供せ
んとするものである。
ＨＩＰ法は、高温高圧ガスの雰囲気下で、種々の材料の
高密度圧縮加工処理する方法として公知である。
高密度圧縮加工処理する方法として公知である。
この方法は高温と等方的な加圧力を同時に加えることが
できるため、従来主として金属系材料で粉末材料の加圧
榛結、鋳造品、暁結品の内部欠陥の除去に利用されてい
る。このＨＩＰ法をＺｎＳｅ多結晶体に応用する場合問
題になるのは、密閉容器（カプセル）への封入方法であ
る。ＺｎＳｅ多結晶体をＨＩＰ処理する場合圧力媒体（
Ａｒガス等）からの不純物汚染を防止し、又有毒成分の
昇華による飛散を防ぐ為にカプセルに真空封入して、Ｈ
把するのが適当である。しかし一般式に用いられるＮｉ
、Ｍｏ、ステンレス、Ｐｔ等の金属製カプセルでは、い
ずれもＺｎＳｅと反応するため使用できないので、反応
性の少ないガラス質のカプセルが適当である。第１図に
ガラスカプセルへの封入からＨＩＰ迄の工程を順に示す
。イはガラスカプセル１に被加工体（ＺｎＳｅ）２を装
入後の状態で、口は真空封入後の状態ハはＨＩＰ加工後
の状態でガラスカプセルとＺｎＳｅが密着している様子
を示す。このガラスカプセルは、ＺｎＳｅのＨＩＰ温度
（９００〜１２００００）において適度に軟化し変形能
を有する必要があり、パィレックスガラスが軟化点、入
手のし易さ、加工性の点で最も望ましい材料である。し
かし、このパィレックスガラスは通常Ｂ０３Ｎａ２０等
の成分を多く含有するため「 これらの不純物がＺｎＳ
ｅを汚染する問題があった。
できるため、従来主として金属系材料で粉末材料の加圧
榛結、鋳造品、暁結品の内部欠陥の除去に利用されてい
る。このＨＩＰ法をＺｎＳｅ多結晶体に応用する場合問
題になるのは、密閉容器（カプセル）への封入方法であ
る。ＺｎＳｅ多結晶体をＨＩＰ処理する場合圧力媒体（
Ａｒガス等）からの不純物汚染を防止し、又有毒成分の
昇華による飛散を防ぐ為にカプセルに真空封入して、Ｈ
把するのが適当である。しかし一般式に用いられるＮｉ
、Ｍｏ、ステンレス、Ｐｔ等の金属製カプセルでは、い
ずれもＺｎＳｅと反応するため使用できないので、反応
性の少ないガラス質のカプセルが適当である。第１図に
ガラスカプセルへの封入からＨＩＰ迄の工程を順に示す
。イはガラスカプセル１に被加工体（ＺｎＳｅ）２を装
入後の状態で、口は真空封入後の状態ハはＨＩＰ加工後
の状態でガラスカプセルとＺｎＳｅが密着している様子
を示す。このガラスカプセルは、ＺｎＳｅのＨＩＰ温度
（９００〜１２００００）において適度に軟化し変形能
を有する必要があり、パィレックスガラスが軟化点、入
手のし易さ、加工性の点で最も望ましい材料である。し
かし、このパィレックスガラスは通常Ｂ０３Ｎａ２０等
の成分を多く含有するため「 これらの不純物がＺｎＳ
ｅを汚染する問題があった。
第１表にパィレックスガラスの組成を示す。第１表
これらの不純物がＨｍ後第１図ハの如くカプセルとＺｎ
Ｓｅとの直接接触により、ＺｎＳｅ中に拡散し、不純物
汚染を起こし、透光性の低下の原因となるものである。
Ｓｅとの直接接触により、ＺｎＳｅ中に拡散し、不純物
汚染を起こし、透光性の低下の原因となるものである。
本発明は、上述の問題点を解決するもので、ガラスカプ
セル利用によるＺｎＳｅ多結晶体のＨＩＰにおいて、カ
プセル内面にカーボン被膜を形成することにより、カプ
セルからの不純物汚染を低減する方法を提供するもので
ある。以下本発明の内容を図面を用いて実施例により説
明する。
セル利用によるＺｎＳｅ多結晶体のＨＩＰにおいて、カ
プセル内面にカーボン被膜を形成することにより、カプ
セルからの不純物汚染を低減する方法を提供するもので
ある。以下本発明の内容を図面を用いて実施例により説
明する。
第２図は本発明の実施例における真空密封後のカプセル
の断面図である。
の断面図である。
図において２はＺｎＳｅ多結晶体で、カプセルーの内面
には点線で示すカーボン被膜層３を形成してある。第３
図は本発明の実施例における、ガラスカプセルへのカー
ボン被膜層の形成方法を示す一例である。図において６
はＡ州２等の不活性ガスで、キャリャーガスとして用い
る。７はバブラ−で有機溶剤（アセトン、アルコール、
ベンゼン等）８を蒸発させ、キャリアーガスと共に５の
カプセル中に供給する。
には点線で示すカーボン被膜層３を形成してある。第３
図は本発明の実施例における、ガラスカプセルへのカー
ボン被膜層の形成方法を示す一例である。図において６
はＡ州２等の不活性ガスで、キャリャーガスとして用い
る。７はバブラ−で有機溶剤（アセトン、アルコール、
ベンゼン等）８を蒸発させ、キャリアーガスと共に５の
カプセル中に供給する。
カプセル４は電気炉にて７００〜９００午Ｃ程度に加熱
され、カプセル内で熱分解反応が起る。未反応のガス及
びキャリアガスは９のトラツプを通じ、１０へ排気する
。この様にして得られたカーボン被膜層は高純度で繊密
であり、ＨＩＰ加工時のガラスカプセルから侵入する不
純物を防止する効果のあることを見出した。カーボン自
体はＺｎＳｅ及びガラスカプセルと非反応性であり、不
純物汚染の原因とはならない。又、厚さが１仏〜数１岬
であり薄いために、ＨＩＰ加工時のカプセルの変形に伴
い、十分に対応して変形するためＨＩＰ圧力が被加工体
であるＺｎＳｅに有効に伝達される。また、コーティン
グしたカプセル内に、ＺｎＳｅ多結晶体を封入するに際
し、カプセルとＺｎＳｅ多結晶体の間隙に、ＺｎＳｅ及
びカプセルと反応性の小さい物質（例えはＳｉ０２粉末
ＡＩ２０３粉末カーボン粉末等）を介在させて不純物防
止効果を一層高めても良いｏ又、ガラスカプセルの材質
としては、パィレツクスガラスの他にＢ２０３成分の少
ないアルミナシリケートガラスを用いてもよい。
され、カプセル内で熱分解反応が起る。未反応のガス及
びキャリアガスは９のトラツプを通じ、１０へ排気する
。この様にして得られたカーボン被膜層は高純度で繊密
であり、ＨＩＰ加工時のガラスカプセルから侵入する不
純物を防止する効果のあることを見出した。カーボン自
体はＺｎＳｅ及びガラスカプセルと非反応性であり、不
純物汚染の原因とはならない。又、厚さが１仏〜数１岬
であり薄いために、ＨＩＰ加工時のカプセルの変形に伴
い、十分に対応して変形するためＨＩＰ圧力が被加工体
であるＺｎＳｅに有効に伝達される。また、コーティン
グしたカプセル内に、ＺｎＳｅ多結晶体を封入するに際
し、カプセルとＺｎＳｅ多結晶体の間隙に、ＺｎＳｅ及
びカプセルと反応性の小さい物質（例えはＳｉ０２粉末
ＡＩ２０３粉末カーボン粉末等）を介在させて不純物防
止効果を一層高めても良いｏ又、ガラスカプセルの材質
としては、パィレツクスガラスの他にＢ２０３成分の少
ないアルミナシリケートガラスを用いてもよい。
実施例 １
内径２５帆、高さ５仇咳の試料装入部を有するパィレッ
クスガラスカプセルの内面に、アセトン蒸気を、Ａｒガ
スをキャリアガスとして、２５ｃｃ／ｍｉｎ供給しつつ
、７００ｏｏにて１時間加熱し、カーボンコート層を形
成した。
クスガラスカプセルの内面に、アセトン蒸気を、Ａｒガ
スをキャリアガスとして、２５ｃｃ／ｍｉｎ供給しつつ
、７００ｏｏにて１時間加熱し、カーボンコート層を形
成した。
このカプセルに、空孔を有する、密度比９９．６％のＣ
ＶＤ法によるＺ鷹ｅ多結晶体を装入し、９００ｑｏにて
１時間加熱真空引きした後、真空封入した。
ＶＤ法によるＺ鷹ｅ多結晶体を装入し、９００ｑｏにて
１時間加熱真空引きした後、真空封入した。
同様にカーボンコード層なしのカプセルにも、真空封入
し、比較用試料とした。これらのカプセルを１０００℃
、１００び気圧にて１時間のＨＩＰ力ロ工を行なった。
し、比較用試料とした。これらのカプセルを１０００℃
、１００び気圧にて１時間のＨＩＰ力ロ工を行なった。
加工前及び加工後の試料の比重（密度比）及び質量分析
計による代表的な不純物元素の分析結果を第２表に示す
。第２表 （単位 ｐｐｍ） 実施例 ２ 内径１５肋、高さ４０側の試料装入部を有するアルミナ
シリケートガラスカプセルの内面にエチルアルコール蒸
気を、Ｎ２ガスをキャリアガスとして５０ｃｃ／ｍｉｎ
供給しつつ、８００℃にて２時間加熱し、カーボンコー
ト層を成形した。
計による代表的な不純物元素の分析結果を第２表に示す
。第２表 （単位 ｐｐｍ） 実施例 ２ 内径１５肋、高さ４０側の試料装入部を有するアルミナ
シリケートガラスカプセルの内面にエチルアルコール蒸
気を、Ｎ２ガスをキャリアガスとして５０ｃｃ／ｍｉｎ
供給しつつ、８００℃にて２時間加熱し、カーボンコー
ト層を成形した。
このカプセルに、空孔を有する、密度比９９．２％のホ
ットプレス法によるＺｎＳｅ多結晶体を袋入し、９２０
ｑ０にて１．虫時間、加熱真空引きした後、真空封入し
た。
ットプレス法によるＺｎＳｅ多結晶体を袋入し、９２０
ｑ０にて１．虫時間、加熱真空引きした後、真空封入し
た。
同様に、カーボンコート層なしのカプセルにも真空封入
し、比較用試料とした。これらのカプセルを１１００ｑ
ｏ、１５０ぴ気圧にて２時間のＨＩＰ加工を行なった。
加工前及び加工後の試料の比重（密度比）及び質量分析
計による代表的な不純物元素の分析結果を第３表示す。
第３表 （単位 ｍ） 実施例 ３ 内径２５肋、高さ５仇蚊の試料菱入部を有するパィレッ
クスガラスカプセルの内面に、アセトン蒸気を、Ｎ２ガ
スをキャリアガスとして、３０ｃｃ′ｍｉｎ供給しつつ
、７５０ｏｏにて１時間加熱し、カーボンコート層を形
成した。
し、比較用試料とした。これらのカプセルを１１００ｑ
ｏ、１５０ぴ気圧にて２時間のＨＩＰ加工を行なった。
加工前及び加工後の試料の比重（密度比）及び質量分析
計による代表的な不純物元素の分析結果を第３表示す。
第３表 （単位 ｍ） 実施例 ３ 内径２５肋、高さ５仇蚊の試料菱入部を有するパィレッ
クスガラスカプセルの内面に、アセトン蒸気を、Ｎ２ガ
スをキャリアガスとして、３０ｃｃ′ｍｉｎ供給しつつ
、７５０ｏｏにて１時間加熱し、カーボンコート層を形
成した。
このカプセルに、空孔を有する、密度比８０％のＺｎＳ
ｅ粉末成型体を装入し、９００ｑｏにて１時間、加熱真
空引きした後、真空封入した。
ｅ粉末成型体を装入し、９００ｑｏにて１時間、加熱真
空引きした後、真空封入した。
同様に、カーボンコート層なしのカプセルにも、真空封
入し、比較用試料とした。このカプセルを１２００午０
、２００館気圧にて３時間の町Ｐ加工を行った。
入し、比較用試料とした。このカプセルを１２００午０
、２００館気圧にて３時間の町Ｐ加工を行った。
加工前及び加工後の試料の比重（密度比）及び、質量分
析計による代表的な不純物元素の分析結果を第４表に示
す。第４表 （単位ｐｐｍ） 以上述べたように、本発明は、ＺｎＳｅ多結晶体をＨＩ
Ｐ刀０工することにより、内部欠陥を除去する方法にお
いて、カプセル内面に、有機溶剤の熱分解方法により、
カーボン被膜を形成させるため、ガラスカプセルからの
不純物汚染を低減できる利点がある。
析計による代表的な不純物元素の分析結果を第４表に示
す。第４表 （単位ｐｐｍ） 以上述べたように、本発明は、ＺｎＳｅ多結晶体をＨＩ
Ｐ刀０工することにより、内部欠陥を除去する方法にお
いて、カプセル内面に、有機溶剤の熱分解方法により、
カーボン被膜を形成させるため、ガラスカプセルからの
不純物汚染を低減できる利点がある。
第１図イ，口，ハは、ガラスカプセルへの封入から印Ｐ
工程迄のカプセル形状を順に示す。 第２図は、本発明の実施例における、密封後のカプセル
構造の例を示す縦断面図である。１：カプセル、２：被
加工体（ＺｎＳｅ多結晶体）、３：カーボンコート層。 第３図は、本発明の実施例における、カプセル内面への
カーボンコート方法を示す図である。 ４：電気炉、５：カプセル、６：キャリアガス（Ａｒ）
、７：バブラー、８：有機溶剤、９：トラツプ、１０：
排気。 オー図 才２図 力３図
工程迄のカプセル形状を順に示す。 第２図は、本発明の実施例における、密封後のカプセル
構造の例を示す縦断面図である。１：カプセル、２：被
加工体（ＺｎＳｅ多結晶体）、３：カーボンコート層。 第３図は、本発明の実施例における、カプセル内面への
カーボンコート方法を示す図である。 ４：電気炉、５：カプセル、６：キャリアガス（Ａｒ）
、７：バブラー、８：有機溶剤、９：トラツプ、１０：
排気。 オー図 才２図 力３図
Claims (1)
- １ セレン化亜鉛多結晶を熱間静水圧プレスにより加熱
圧縮し、内部欠陥を除去する方法において、上記多結晶
体を封入する密閉容器としてガラスカプセルを用い、こ
の内面にアセトン、エチルアルコール、等の有機溶剤の
熱分解法により、カーボン被膜を予め形成したのち上記
多結晶体を封入して加熱圧縮することを特徴とするセレ
ン化亜鉛多結晶体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55125336A JPS605553B2 (ja) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | セレン化亜鉛多結晶体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55125336A JPS605553B2 (ja) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | セレン化亜鉛多結晶体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5751103A JPS5751103A (en) | 1982-03-25 |
| JPS605553B2 true JPS605553B2 (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=14907583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55125336A Expired JPS605553B2 (ja) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | セレン化亜鉛多結晶体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605553B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6011293A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＺｎＳｅ単結晶の製造方法 |
| JPH01226747A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Tosoh Corp | 高純度半透明石英ガラスの製造方法 |
-
1980
- 1980-09-11 JP JP55125336A patent/JPS605553B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5751103A (en) | 1982-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2284122B1 (en) | Low nitrogen concentration carbonaceous material | |
| SE430981B (sv) | Förfarande för inkapsling i glas och/eller keramik av en porös formkropp av reaktionssintrad kiselkeramik | |
| JPH0515669B2 (ja) | ||
| JPS605553B2 (ja) | セレン化亜鉛多結晶体の製造方法 | |
| US4199339A (en) | Method for the manufacture of a molded member from a ceramic material | |
| JP2015510043A (ja) | 気密バリア層を形成するためのスパッタリングターゲット及び関連するスパッタリング方法 | |
| CN101501807B (zh) | 汞的释放方法 | |
| US4812272A (en) | Process by compacting a porous structural member for hot isostatic pressing | |
| JPH04193756A (ja) | 硫化物セラミックスの製造方法 | |
| US3476690A (en) | Optically useful elements of hot pressed lithium fluoride doped magnesium oxide and method of forming same | |
| JPS6011293A (ja) | ＺｎＳｅ単結晶の製造方法 | |
| JPS606307B2 (ja) | セレン化亜鉛多結晶体の製造方法 | |
| JPS63222075A (ja) | 高密度焼結体の製造方法 | |
| US3180702A (en) | Process for preparing uranium nitride | |
| JPS6016391B2 (ja) | 熱間鍛造法による高純度、高強度ＺｎＳｅ焼結体の製造法 | |
| US3223552A (en) | Method for producing thin titano-ceramic film | |
| CN1564722A (zh) | 在化学活性材料表面上制备保持涂层的方法 | |
| JPS6350285B2 (ja) | ||
| JPH01249619A (ja) | 高融点金属シリサイドターゲットの製造方法 | |
| SU744744A1 (ru) | Способ изготовлени ферритовых изделий | |
| US2635956A (en) | Preparation of powdered thorium | |
| JPH03218999A (ja) | 化合物半導体単結晶の特性を均質化させる方法 | |
| GB769825A (en) | Improvements in and relating to the coating of surfaces of materials with layers of gallium, germanium or indium or alloys consisting of two or all of these metals | |
| US3976750A (en) | Process for the production of uranium trifluoride | |
| JPH07330494A (ja) | ＺｎＳｅ単結晶の製造方法 |