JPS6057681A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光４電部拐に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（１，ｐ
）／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗（ｉ１ｔｋ有する
こと、使用時において人体に対して無公害であること、
更には固体ｉｊ′月数装置においては、残像を所定時間
内に容易に処理することができること等の特性が要求さ
れる。殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写
真装置１を内に組込まれる′電子写真用像形）戊部制の
場合には、上記の使用時における無公害ａは、！ｉ鳳安
な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光４，１電材
料にアモルファスシリコン（以後ａ−８ｔ、！：［記す
）があり、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、
同第２８５５７１８号公報には′電子写真用像形部材と
して、独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読
取装置への応用が記載されている。

百年ら、従来のａ−８Ｌで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更にｒよ経時的安定性の点において、総合的な特
性向上を計る必要があるという更に改良される可き点が
存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用に上る疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる或いは、高速
で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都合
な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｔは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よシも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化され−〔いる半導体レーザとのマ
ツチングに於いて、通常使用されているハロケ゛ンラン
ゾや螢光灯を光臨とする場合、長波長側の光を有効に使
用し得ていないという点に於いて、夫々改良される余地
が残っている。

又、別には、照射される光が光４′ＩＬ層中に於いて、
充分吸収されずに、支持体に到達する光のｊｉｌが多く
なると、支持体自体が光導電層全透過して来る光に対す
る反射率が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射
による干渉が起って、両縁の「？ケ」が生ずる一要因と
なる。

この影響は、解像度全土ける為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなシ、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

更に、ａ−８ｔ材料で光導電／Ｎ　ｋ構成する場合には
、その電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素
原子或いは弗累原子や塩素原子等の）・ログン原子、及
び電気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或い
はその他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子
として光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の
含有の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは
光導電的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よシの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室よ）取シ出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥肉１１、或いは層に亀
裂が生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は
、殊に支持体が通常、電子写真分封に於いて使用されて
い・るドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定
性の点に於いて簿決される可き点がある。

従ってａ−８１材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する隙に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鉦み成されたもので、ａ−８ｉに
就で電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光４電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭、Ｇ研究倹約を続けた結果、シ
リコン原子を母体とし、水素原子（ロ）又はノ・ログン
原子（３）のいずれか一方を少なくとも含有するアモル
ファス材料、所鼎水系化アモルファスシリコン、ノ・ロ
グン化アモルファスシリコン、或いはノ・ロケ゛ン宮有
水素化アモルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記
として［ａ−３１（Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構成さ
れる光導電性を示す元受容層を有するつ′０晦電部材の
べ１”・３成を、以後に説明される。様に特定化して設
−ｇｔされ作成された光導・社部材は実用上者しく優れ
た特性を示すばかシでなく、従来の光導電部材と較べて
みてもあらゆる点において凌灼していること、殊に電子
写真用の光導電部材として著しく世れたＩｔ？性を有し
ていること及び長波長１１１１に於ける吸収スペクトル
特性に優れていることを見出した点に基いている。

本発明は電気的、光学的、　−ｙｔ導電的特性が常時安
定していて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型
であシ、長波長側の光感度特性に佼れると共に耐光疲労
に著しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず
、残留電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を
提供すること金玉たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や桜層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的でアシ、層品質の高い光導電
部材を提供することでおる。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分あｐ１且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下
が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導
電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ノーーフトーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が
容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

間ＳＮ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することである。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支拐体と、ゲル
マニウム原子を含む非晶質材料で構成された第１の層領
域とシリコン原子を含む非晶’１’Ｌ　ｔｒＡ料で構成
され光導電性を示す第２の層領域とが前記支持体側よシ
順に設けられた層（ｂ成の光受容層とを有し、前記光受
容層中には炭素原子が含有きれている事を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の耗てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、′Ｘカ・屯的特性、電気的耐
圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部制として通用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、西度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される光受容
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れておシ、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光４中部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の元努電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光４≠電部材１００は、光導電部材用とし
ての支持体１０１の上に、光受容層１０２を有し、該光
受容層１０２は自由衆面１０５を一方の端面に治してい
る。

光受容Ｊｉ！ｔ　１０２は、支持体１０１　’ｔｉｌｊ
よシグルマニウム原子と、必要に応じて、シリコン原子
、水素原子、ハロダン原子（４）の中の少なくとも１つ
とを含有する非晶質材料（以後「ａ−Ｇｅ（Ｓｌ　、Ｈ
，Ｘ）Ｊと略記する）で構成された第１の層領域（Ｇ）
　１０３とａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成され光々す電性を
イ〕する第２の層領域（Ｓ）　１０４とが順に積層さｎ
ｒ７ｃ、層栴遺を有する。

第１の層領域（Ｇ）　１０３中に他の原子と共にケ゛ル
マニウム原子が含有され−る場合、ケ゛ルマニウム原子
は、該第１の層・劇域（Ｇ）’１０３０層厚方向及び支
持体１０１の表面と平行な面内方向に述ｈ′ｃ的であ゛
って且つ均一に分布した状態となる様に前記第１の層領
域（Ｇ）　１０３中に含有される。

本発明に於いては、第一の層穎域（ツノ上に設けられる
第２の層俳域（Ｓ）中には、グルー７ニウム原子は含有
されておらず、この様なＪｉ＃イｒ・；造に光受容）ｉ
４を形成することによって町税光頭域を含む、比４シ的
短波長から比較的長波長迄の全領域の波長の光に対して
光感度が優れている光導電部材とｌ−得るものである。

又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるダルマニウム原子の
分布状態は、全層領域にダルマニウム原子が連続的に分
布しているので第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ
）との間に於ける親和性に優れ、半導体レーザ等を使用
した場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど吸収し切れ
ない長波長側の光を第１の層領域（Ｇ）に於いて、実質
的に完全に吸収することが出来、支持体面からの反射に
よる干渉を防止することが出来る。

又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域（Ｇ
）に、シリコン原子が含有される場合、第１の層領域（
Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫
々がシリコン原子という共通の構成要素を有しているの
で、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成さ
れている。

本発明において、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるダ
ルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果
的に達成゛される様に所望に従って適宜法められるが、
シリコン原子との和に対して好ましくは１〜１０　Ｘ　
１０”　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、よシ好ましくは１０
０〜９．５　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　Ｘ最適
には５ｏｏ〜８　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　と
されるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ
）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の
重要な因子の１つであるので形成される光導電部材に所
望の特性が充分与えられる様に、光導電部材の設計の際
に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１−の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢは、
好ましくは３０Ｘ〜５０μ、よシ好ましくは４０Ｘ〜４
０μ、最適には５０１〜３０μとされるのが望ましい。

又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５
〜９０μ、よシ好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５
０μとされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢと果２の層領域（Ｓ）の
層厚Ｔの和（ＴＢ十Ｔ’　）は、両層領域に要求される
特性と光受容層全体に要求される特性との相互間の有機
的関連性に基いて、光導電部材の層設計の際に所望に従
って、適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＢ十Ｔ）の
数値範囲は好捷しくは１〜１００μ、より好適には１〜
８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望ましい。

本発明のよシ好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１　
なる関係を満足するように、夫々に対して適宜適切な数
値が選択されるのが鼠ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、よシ好ましくはＴＢ／Ｔ≦０．９．最適にはＴ
Ｂ／Ｔ≦０８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ及び層
厚Ｔの値が決定されるのが望ましい。

不発［！Ｊ］に於いて、第１の層領域（Ｇ）中に含有さ
れるダルマニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０”　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上の場合には、第１の層領域（Ｇ）
の層厚ＴＢは、成可く薄くされるのが望ましく、好まし
くは３０μ以下、よシ好ましくは２５μ以下、最適には
２゜μ以下とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と薄暗抵抗
化、更には支持体とつ”０受容層との間の密着性の改良
を計る目的め為に光受容層中には、炭素原子が含有され
る。光受容層中に含有される炭素原子は、光受容層の全
層領域に万個なく含有されても良いし、或いは、光受容
層の一部の層領域のみに含有させて偏在させても艮い。

又、炭素原子の分布状態は分イｆｉ濃度Ｃ（Ｃ）が光受
容層の層厚方向に於いて均一であっても不均一でめって
も良い。

本発明に於いて、先受Ｗ）＋’ｉｉに設けられる炭素原
子の含有されている層領域（Ｃ）は、光感度と暗抵抗の
向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領域
を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密層
゛性の強化を割るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体ｆｉｌｌ　＆＋ｉａ部層領域を占める＋３
Ｑに設けられる。

前者の場合、Ｊｍ　ｖＡ域（Ｃ）中に含有される炭糸原
子の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくさ
れ、後者の場合には、支持体との密層性の強化を確ソコ
に計る為に比較的多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高ｍ１度に分布させ、光受容層
の自由表面側に於いて比較的低濃度に分布させるか或い
は、光受容層の自由表面側の表層領域には、炭素原子を
積極的には含有させない様な炭ズ原子の分布状態を層領
域（Ｃ）中に形成すれば良い。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（Ｃ）に
含有される炭素原子の含有二牡は、層・饋域（Ｃ）自体
に要求される特性、或いは該層領域（Ｃ）が支Ｊ−〒体
に直に接触して設けられる１易合には、該支持体との接
触界面に於ける特性との関係等、有・磯的関連性に於い
て、適宜選択することが出来る。

又、前１己層領域（Ｃ）に直に接ブ独し一〇他のＪｖＪ
領域が設けられる場合に（／′；ｌ：、該他の層領域の
特性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との関
係も考慮されて、炭素原子の含有量が適宜選択される。

層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の址は、形成され
る光尋電部材に要求される特性に応じて所望に従って適
宜法められるが、好はしく　ｉ・ｉ　ｏ、ｏ　Ｏ］〜５
０ａｔｏｍｉｃ％は９好ましくは０．００２〜４０　ａ
ｔｏｍｉｃ　％、最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍ
ｉｃ％　とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（Ｃ）が光受容層の全域を占め
るか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層領域
（Ｃ）の層厚Ｔ。の光受容層の層厚Ｔに占める割合が充
分多い場合には、層領域（Ｃ）に含イ４される炭素原子
の含有量の上限は、前記の値より光分少なくされるのが
望まし、い。

本発明の場合には、層領域（Ｃ）の層厚Ｔ。が光受容層
の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる様な
場合には、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の量の
上限は、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　％以下、よシ
好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃ　％以下、最適には１０
ａｔｏｍｉｃ　％以下とされるのが望ましい。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の層厚方向の分布
状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸は炭素原子の分布濃
度Ｃ（Ｃ）を、縦軸は、層領域（Ｃ）の層厚を示し、ｔ
Ｂは支持体側の層領域Ｃ）の端面の位置を、ｔＴは支持
体側とは反対側の層領域（Ｃ）の端面の位置を示す。即
ち、炭素原子の含有される層領域（Ｃ）は輸側よシｔＴ
側に向って層形成がなされる。

第２図には、ノー領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の
層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２図に示される例では、炭素原子の含有される層領域
（Ｃ）が形成される支持体の表面と該層領域（Ｃ）の表
面とが接する界面位置ｔＢよシｔ１の位置までは、炭素
原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）がＣ１なる一定の値を取シなが
ら炭素原子が形成される層領域０に含有され、位置ｔ１
よりは濃度Ｃ２よシ界面位置ｔ、に至るまで徐々に連続
的に減少されている。界面位ｋｔＴにおいては炭素原子
の分布一度Ｃ（Ｃ）はＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有される炭素原子の
分布濃度Ｃ（Ｃ）は位置ｔＢより位置ｔＴに到るまで譲
度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位す。

ｔＴにおいて濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成してい
る。

第４図の場合には、位１７ｉ：（ｔＢよ）位置ｔ２壕で
は炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は濃度Ｃ６と一定値とさ
れ、位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的
に減少され、位置ｔＴにおいて、分；１１ｊ　濃度Ｃ（
Ｃ）は実質的に零とされている（ζこで実践的に零とは
検出限界蚕未溝の場合である〕。

第５図の場合には、炭素原子の分布濃度Ｃ←）は位置Ｌ
Ｂよ多位置ｔＴに到るまで、濃度Ｃ８よシ連続的に徐々
に減少され、位置、’　ｔ７において実質的に零とされ
ている。

第６図に示す例においては、炭素原子の分イｌｉｅ度Ｃ
（Ｃ）は、位置ｔＢと位置ｔ３間においては、一度Ｃ９
と一定値であり、位＊　ｔＴにおいては濃度ＣＩＯとさ
れる。位１＊　ｔ　３　と位ｋｔＴとの間では、分布一
度Ｃ（Ｃ）は−次間数的に位置ｔ３より位ｉ＋ｆｊ　ｔ
、に至るまで減少されている。

第７図に示される例においては、分布鋲＆　Ｃ（Ｃ）は
位置ｔＢよ多位置ｔ４　までは濃度Ｃ１ｌの一定値を取
シ、位置ｔ４よ多位置１．までは、協度自２よシ媛度Ｃ
１３まで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢ、ｌ：り位置ｔＴ
に至るまで、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は濃度ＣＩ４
よフ実質的に零に至る様に一次１幻数的に減少している
。

第９図においては、位置ｔＢよ９位ＩＷ　ｔ　ｓに至る
までは炭素原子の分布濃度Ｃ（ｃ）は、濃度自５より儂
度自６ｔ−で一次関数的に減少され、位ｔｉｌ　ｔ　ｓ
と位置ｔＴとの間においては、濃度自６の一定値とされ
た例が示されている。

第１０図に示される例においては、炭素原子の分布濃度
Ｃ（Ｃ）（ｌＳＩ：位置ｔＢにおいて濃度ｃ１７であり
、位置ｔ６に至るまでは、この濃度Ｃ１７よシ初めはゆ
りくりと減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に
減少されて位１＋ｔ　ｔ　６では濃度−８とされる。

位ｔｔｏ　と位１ｎ−ｔ、　ｔ　７　との同においては
、初め急激に減少されて、その後は、緩かに徐々に減少
されて位置ｔ７で濃度Ｃ１９となカ、位置ｔ７と位置ｔ
８との間では、極めてゆっくシと徐々に減少されて位置
ｔ８において、濃度Ｃ２ｏに至る。位置ｔ８と位置ｔＴ
Ｏ間においては、ａ　ａ　Ｃ２０よｐ実質的に零になる
様に図に示す如き形状の曲勝に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１Ｏ図によシ、層領域（Ｃ）中に含
有される炭素原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾つ
かを説明した様に、本発明においては、支持体側におい
て、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）の高い部分が設けられ
、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃ（Ｃ）は支持
体側に較べて可成り低くされた部分を有する炭素原子の
分布状態が層領域（Ｃ）に設けられている。

本発明において、光受容層を構成する炭素原子の含有さ
れる層領域（Ｃ）は、上記した様に支持体側の方に炭素
原子が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を
有するものとして設けられるのが望ましく、この場合に
は、支持体と光受容層との間の密着性をよシ一層向上さ
せることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置、ｔ□よシ５μ以内に設
けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂよシ５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全部とす
るかは、形成される光受容層に要求される特性に従って
適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される炭素原子の層厚方
向の分布状態として炭素原子の分布濃度の最大値Ｃｒｒ
＋ａｘが好ましくは５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上
、よシ好適には８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最
適には１０００ａｔ１０００ａｔｏ以上とされる様な分
布状態となシ得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、炭素原子の含有される層領域
（Ｃ）は、支持体側からの層Ｊ９で５μ以内（ｔＢから
５μ厚の層領域“）に分布濃度Ｃ（Ｃ）の最大値Ｃｒｒ
＋ａｘが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の層領域（Ｇ
）及び第２の層領域（Ｓ）中に必要に応じて含有される
ハロダン原子（３）としては、具体的にはフン素、塩素
、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素。

塩素を好適なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ−Ｇｅ　（ＳｉＨｐＸ）で構成され
る第１の層領域（Ｇ）を形成子るには例えばグロー放電
法、スノやツタリング法、或いはイオンブレーティング
法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される
。例えば、グロー放電法によって、ａ−Ｇｅ（ＳｉＪ（
、Ｘ）で構成される第１の層領域（Ｇ）を形成するには
、例えばダルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供
給用の原料ガスと、必要に応じて、シリコン原子（Ｓｉ
）を供給し得るＳｉ供給用の原料がスと水素原子（ロ）
導入用の原石ガス又は／及びハロダン原子（３）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上
に層形成すれば良い。

第１の層領域（Ｇ）に、ゲルマニウム原子を均一な濃度
分布で含有させる場合、ゲルマニウム原子の分布濃度を
所望の変化率曲線に従って制御し乍らａ−Ｇｅ（Ｓｔ、
Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタ
リング法で形成する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等
の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガス
の雰囲気中でＳｔで構成されたターゲット、或いは該タ
ーゲットとＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用し
て又は、ＳｉとＧｅの混合されたターゲットを使用して
必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ
供給用の原石ガスを必要に応じて、水素原子αη又は／
及びノ・ロケ゛ン原子■導入用のガスをス・ぐツタリン
グ用の堆積室に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を
形成することによって成される。この際前記Ｇｅ供給用
の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲編１に従って制
御しながら前記ターゲットをスパッタリングしてやれば
第１の層領域（Ｇ）中のゲルマニウム原子の分布濃度を
任意に制御することが出来る。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ケ゛ルマニウム又は単
結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着ボートに
収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロ
ンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸
発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は
、スパッタリング法の場合と同様にする事で行うことが
出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガ゛スと成
り得る物質としては、５ＩＨ４＃　Ｓｉ２Ｈ６、ｓｉ、
ａ８゜５１４Ｈ４゜笠のガス状態の又はガス化し得る水
素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、ｓｉ供給効
率の良さ等の点で５ｆＨ４ｐ　Ｓｉ２Ｈ６が好ましいも
のとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成シ得る物質としてはＧｅＨ４
１Ｇｅ２Ｈ６ｔ　Ｇｅ３ＫＢ　ｒ　Ｇｅ４Ｈ１ｏ、　Ｇ
ｅ５Ｈ１２ｐＧｅ６”１４７　Ｇｅ７Ｈ５６＋　Ｇｅ６
Ｈ１Ｂ　Ｉ　Ｇｅ９Ｈ２０等のガス状態の又はガス化し
得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給
効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇ、ｅ３
ＨＢが好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲン原子、ハロダン化物、ハロダン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロダン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化しＴＯる、ハロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロダ
ン化物、ＢｒＦ　ｙ　ＣＩＦ　、Ｃ４Ｆ３　ｐＢｒＦ５
・ｐ　ＢｒＦ３．　ｐ　ＩＦ’３ｐ　ＩＦ、　ｒ　ＩＣ
ｔ　、　ＩＢｒ等のハ１」ダン間化合物を挙げることが
出来る。

ハロダン原子を含む硅素化合物、ｔｆｒ　ｉ＋ｌ１％ハ
ロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的
に例えばＳｉＦ４　ｙ　５ｉ２Ｆ６Ｆ　５ｉＣ７４，Ｓ
ｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げ
ることが出来る。

この様なハロダン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共に８１を共給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上に７１０グン原子を含むａ−Ｇｅから
成る第１の層領域（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ノ・ロダン原子を含む第１の層
領域（Ｇ）を作成する場合、例えばＳｔ供給用の原料ガ
ー履なる・・・ケ・・化硅素とＧ・供給用の原料ガスと
なる水素化ダルマニウムとＡｒ　ｐ　Ｆ２　、Ｈｅ等の
ガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の
層領域（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を
生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成すること
によって、所望の支持体上に第１の層領域（Ｇ）を形成
し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層
容易になる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又
は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層
形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えなしへものである。

スパッタリング法、イオングレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にノーロダン原子を導入するには
、前記の７１０グン化合物又は前記のハロダン原子を含
む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に洒大して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ノ・ロケ８ン原子導入用の原料ガス
として上記されたノ・ログン化合物或いはノーロダンを
含む硅素化合物が有効なものとしてキリ４用されるもの
であるが、その−他に、ＨＦ　、　Ｈ，Ｃ１、ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２．５ＩＨ２Ｉ２
　Ｐ　Ｓロル。

Ｃｔ２，５ｓＨＣ１５ｐ　５ｔＨ２Ｂｒ２　ｐ　５ｉＨ
Ｂｒ３等の／Ｓ　Ｏダン置換水素化硅素、及びＧｅＨＦ
５　＋　ＧｅＦ２Ｆ２　ｒ　ＧｅＨ３ＦｒＧｅＨＣ６３
ｐ　ＧｅＨ２Ｃｔ２ｐ　ＧｅＴ（３Ｃ／−Ｉ　ＧｅＨＢ
ｒ３　ｐ　ＧｅＦ２Ｂｒ２＋ＧｅＨ３Ｂｒ　、　ＧｅＨ
Ｉ３　、　ＧｅＦ２Ｉ２．　ＧｅＩ（３Ｉ等の水素化〕
１０グン化ダルマニウム、等の水素原子を構成要素の１
つとするハロゲン化物、ＧｅＦ４　＋　ＧｅＣ４４ｙＧ
ｅＢｒ４＋ＧｅＩ４　Ｆ　ＧｅＦ２．　ＧｅＣ１２，Ｇ
ｅＢｒ２　＋　ＧｅＩ２等のノーロダン化ダルマニウム
、等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も有効な第
１の層領域（Ｇ）形成用の出発物質として挙げる事が出
来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むノ・ロダン化物は、
第１の層領域（Ｇ）形成の際に層中にノ・ロダン原子の
導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有
効な水素原子も導入されるので、本発明においては好適
なノ・ロダン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導入するに
は、上記の他にＦ２、或いは５ＩＨ４ｔ　５ｔ２Ｈ６゜
５ｔ５Ｈ８，５ｔ４Ｈ４゜等の水素化硅素をＧｅを供給
する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或い
は、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｉ’Ｉ６　、　Ｇｅ３Ｈ８，Ｇｅ
４Ｉ−Ｔｌｏ、　Ｇｅ５Ｈ１２゜Ｇｅ６Ｈ１４１Ｇｅ７
Ｈ１６ｙ　ＧｅＢＨＩＢ　ｒ　ＧｅｐＨ２ｏ等の水素化
ダルマニウムとＳｔを供給する為のシリコン又はシリコ
ン化合物とを堆根室中く共存させて放電を生起させる事
でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される先受客層を構
成する第１の層領域Ｃ）中に陰有される水素原子（均の
量又は）・ロケ゛ン原子へ）のＩＩ″ｌ又は水素原子と
ハロダン原子の量の和（，１（十Ｘ　）は好ましくは０
．０１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、よシ好適には０．０５
〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％　、最適には０．　］　〜２
５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子０）又は／
及びハロダン原子（３）の量を制御するには、例えば支
持体温度又は／及び水素原子（Ｅｌ）、或いはノ・ロダ
ン原子（４）を含有させる為に使用さ扛る出発物ｌ′［
の堆積装置系内へ導入する指１、放′市市、力等全制御
してやれば良い。

本発明に於いて、ａ　Ｓ　ｒ　（Ｉ■＋　Ｘ　）で構成
される第２の層領域（Ｓ）を形成するに（弓、＋＞ｉＪ
記した第１の層領域（Ｇ）形成用の出発物質（１）の中
より、ＧＣ（Ｊｌ、船用の原料ガスとなる出発物質を除
いた出発物ケ）〔第２の層領域（Ｓ）形成用の出発物ｄ
（ＩＩ）　：）を使用して、第１の層領域（Ｇ）を形成
する揚台と回４ｊ、＋４の方法と条件に従って行うこと
が出来る。

即ち、本発明において、ａ−８ｉ　（Ｈ、Ｘ　）で（１
１Ｊ成きれる第２の層領域（Ｓ）を形成するには例えば
グロー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレー
ティング法笠の放電現象を利用する真空堆積法によって
成される。例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｔ（
Ｈ，Ｘ）で構成される第２層領域（Ｓ）を形成するには
、基本的には前記したシリコン原子（Ｓｌ）を供給し得
るＳｔ供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子
σ（）導入用の又は／及びハロヶ゛ン原子（３）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して
、該堆積釜内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に
設置されであるＰＪ［定の支持体表面上にａ−３ｉ（Ｈ
，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、ス・ぞツタ
リング法で形成する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等
の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合力ス
の雰囲気中でＳｔで構成されたターグツトをスパッタリ
ングする際、水素原子＠）父は／及びハロケ゛ン原子凶
）　７Ｆｈ入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導
入しておけば１い。

本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム原子の含
有される第１の層領域（Ｇ）の上に設けられ、ゲルマニ
ウム原子の含有されない第２の層領域（Ｓ）には、伝導
特性を制御する物乍」を含有させることにより、該Ｉｉ
Ａ領域（Ｓ）の伝導特性を所望に従って任意に制御する
ことが出来る。

この様な物質としては、９「開、半、４体分野で云われ
る不純物を挙けることが出来、本発明に於いては、形成
される第２の層領域（Ｓ）を（イツ成するａ−３ｉ（Ｈ
，Ｘ）に対して、ｐ型伝群特性全力えるｐ型不純物、及
びｎ型伝導特＋＋：を与えるｎ型不純物を誉げることが
出来る。

具体的には、ｐ型不糾（物として＋ｄ　Ｘ周期律表第１
ＩＩ族に属する原子（第１ＩＩ゛族原子）、例えば、Ｂ
（硼素）　、　Ａｔ　（アルミニウム）　、　Ｇａ　（
ガリウム）。

Ｉｎ　（インジウム）　、　’ｒＬ（タリウム）的があ
り、殊に好適に用いられるのは、ｌ（、Ｇａである。ｎ
型不純物としては、周期律狭第Ｖ族に属する原子（第■
族原子）、例えは、Ｐ（＃）、Ａｓ（砒素）。

ｓｂ　（ア／テモン）　、　Ｂｊ　（ビスマス）等であ
り、殊に好適に用いられるのは、Ｐ　、　Ａｓである。

本発明に於いて、第２の層領域０）に含有される伝導特
性を制御する物質の含有量は、該層領域（Ｓ）に要求さ
れる伝導特性、或いは該層領域（Ｓ）に直に接触して設
けられる他の層領域の特性や、該他の層領域との接触界
面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適
宜選択することが出来る。

本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）中に含有される伝
導特性を制御する物質の含有量は、好ましくは０．００
１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、よシ好適には
０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　ｒ最適には
Ｑ、　１〜２００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｒｎとされるのが
留ましい。

第２の層領域（Ｓ）中に伝導特性を制御する物質例えば
第■族原子、或いは、第■族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に第１ｎ族原子導入用の出発物質、或い
は、第■族原子専入用の出発物質をガス状態で堆積室中
に、第２の層領域を形成する為の他の出発物質と共に導
入してやれば良い。

この様な第■（族原子導入用の出発物質と成ｐ得るもの
としては、常温常圧でガス状の又は、少なく用されるの
が望ましい。その様方第■族原子導入用の出発物質とし
て具体的には硼素原子嗜、入用としては、Ｂ２Ｈ６，Ｂ
４Ｈ１ｏ、　Ｂ５Ｈ，、１３５Ｈ１１，Ｂ６Ｈ１ｏ。

Ｂ６Ｈ１２，Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３．　Ｂ
Ｃｌ、、　ＢＢｒ３゜等のハロゲン化硼素等が挙げられ
る。この他、Ａ−ｔＣ４う。

ａａｃｔ５＋　Ｇａ（ＣＨ３）３．ｘ、ｎｃｔ５．Ｔｔ
ｃｔ５等も挙げることが出来る。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、灯「原子ηｒ−人用として（は、
ＰＨ６，Ｐ２Ｈ４等の水素化煩、　Ｐｉ（４Ｉ、　ＰＦ
、ＰＦ。

ＰＣｌ３１　ＰＣｌ５．ＰＢｒ３．　ＰＢｒ３＋　ＰＩ
３等のへｃＩゲン化燐が誉げられる。この他、ＡｓＨ２
，Ａ３Ｆ３＋　ＡｓＣｌ２　。

ｈｓＢｒ５＋　Ａ８ＦＳＩ　５ｂＨ５，５ｂｌｉ’５．
　ＳｂＦ５．５ｂＣ６５，５ｌ）Ｃ／−５゜Ｂｉ）Ｉ、
、　ｎ１ｃｅ３．　ＢｔＢｒ５等もｉｖ族原子壱入用の
出発物質の有効なものとして挙げることが出来る。

本発明に於いて、光受容層に炭素原子の含有きれた層領
域（Ｃ）を設けるには、光受容層の形成の際に炭素原子
導入用の出発物質を前記した光受容層形成用の出発物質
と共に使用して、形成される層中にその偶−を制御しな
がら＠治してやれば良い。

層領域（Ｃ）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から所望
に従って選択されたものに炭素原子導入用の出発物質が
加えられる。その様な炭素原子導入用の出発物質として
は、少なくとも炭素原子を構成原子とするガス状の物質
又はガス化し得る物！　ｆ：ガス化したものの中の大概
のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）　ｋ構成原子とする原料ガ
スと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ｊｆスと、
必要に応じて水素原子（ｆ（）又は及びハロゲン原子■
）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｔ）を構成原子
とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｆ（
）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合
比で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｌ）を構成
原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｔ）、炭素原
子（Ｃ）及び水素原子（ハ）の３つを構成原子とする原
料ガスとを混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｔ）と水素原子（１１）
とを構成原子とする原料ガスに炭素原子（Ｃ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

ＣとＨとを構成原子とするものとしては、例えば炭素数
１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化
水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が埜げら
れる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタｙ　（Ｃ２Ｈ６）　、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、　
ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ１ｏ）＋−′９！ンタン（Ｃ５
Ｈ１２）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ
２Ｈ４）　、グロビレン（Ｃ３Ｈ６）　。

ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、イ
ンブナレン（Ｃ４Ｈ８）、ペンテン（Ｃ５１１１ｏ）ｌ
アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２
）、メナルアセナレン（Ｃ５Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６
）等が挙げられる。

これ等の他にＳｔとＣとＨとを構成原子とする原料ガス
として、５ｌ（Ｃ■（５）４．Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）４等の
クイ化アルキルを挙げることが出来る。

本発明に於いては、層領域（Ｃ）中には炭素原子で得ら
れる効果を更に助長させる為に、炭素原子に加えて更に
酸素原子又は／及び窒素原子を含有することが出来る。

酸素原子を層領域（Ｃ）に導入する為の酸素原子導入用
の原料ガスとしては、例えば酸素（０２）　、　、ｔシ
フ　（０３）　Ｉ−酸化窒素（Ｎｏ）。

二酸化窒素（Ｎｏ２）　、−二酸化窒素（Ｎ２０）　、
三二酸化窒素（Ｎ２０３）　＋四三酸化窒素（Ｎ２０４
）　、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸化窒素（Ｎｏ３
）　、シリコン原子（ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原
子（）■）とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン
（Ｈ３Ｓ１０ＳＩＨ３）　。

トリシロキザン（Ｈ３ＳｉＯ３ｉＨ２０ＳｉＨ３）　等
の低級シロキサン等を挙げることが出来る。

層領域（Ｃ）を形成する際に使用される窒素原子（Ｎ）
導入用の原料ガスに成シ得るものとして有効に使用され
る出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨとを構
成原子とする例えば窒素（Ｎ２）。

アンモニア（ＮＨ３）　、ヒドラジン（Ｉ（２ＮＮＨ２
）　、アジ化水素（ＨＮ３）　、アジ化アンモニウム（
ＮＨ４Ｎ３）等のガス状の又はガス化Ｌ４１．．Ｌ！！
、９化４勿及γメアジ什物等の窒素化合物を挙げること
が出来る。この他に、窒素原子（Ｎ）の導入に加えて、
ハロゲン原子（Ｘ）の導入も行えるという点から、三弗
化窒素（Ｆ３Ｎ）　、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）宿のハロ
ゲン化窒素化合物を挙げることが出来る。

スパッターリング法によって、炭素原子を含有する層領
域（Ｃ）を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｔウェ
ーハー又はＣウェーハー、又はＳｔとＣが混合されて含
有されているウェーハーをターゲットとして、これ等を
涌々のガス雰囲気中でスパッターリングすることによっ
て行えば良い。

例えば、Ｓｔウェーハーをターゲットとして使用すれば
、炭素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スノやツタ−用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｔウェーハー
をスパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｔとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、ス／Ｃ’ツター用のガスとしての稀釈ガスの
雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は／及びハ
ロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガス雰囲気
中でスパッタリングすることによって成される。炭素原
子導入用の原料ガスとしては、先述した、グロー放電の
′例で示した原料ガスの中の炭素原子導入用の原料ガス
が、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用さ
れ得る。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、炭素原子の含
有される層領域（Ｃ）を設ける場合、該層領域（Ｃ）に
含有される炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）を層厚方向に変
化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒ
ｏｆｉｌｅ）を有する層領域（Ｃ）を形成するには、グ
ロー放電の場合には分布濃度Ｃ（Ｃ）’（５変化させる
べき炭素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量
を所望の変化率曲線に従って適宜変化させながら、堆積
室内に導入することによって成される。例えば手動ある
いは外部駆動モータ等の通常用いられている何らかの方
法によシ、ガス流路系の途中に設けられた所定のニード
ルパルプの開口を漸次変化させる操作を行なえば良い。

このとき、流量の変化率は線形である必要はなく例えば
マイコン等を用いて、あらかじめ設訂」された変化率曲
線に従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得ること
もできる。

層領域（Ｃ）をスパッターリング法によって形成する場
合、炭素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｃ）を層厚方向
で変化させて、炭素原子の層厚方向の所望の分布状態（
ｄｅｐｔｌｌｐｒｏｆ　１ｌｅ）　ｆ形成するにｒＪ：
　。

第一には、グロー放電法による場合と同様に、炭素原子
導入用の出発物質をガ゛ス状態で使用し、該ガスを堆積
室中へ導入する際のガス流量を９１望に従って適宜変化
させることによって成される。

第二には、スパッターリング用のターケゞソトを、例え
ば、ＳｉとＣとの混合されたターケ゛ットを使用するの
であれば、ＳｉとＣとの混合比を、ターケ゛７トの層厚
方向に於いて、予め変化させておくことによって成され
る。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層領域（Ｓ）甲に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハ
ロゲン原子（Ｘ）のけ又は水素原子とハロゲン原子の量
の和（Ｈ十Ｘ　）は、好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉ
ｃ　％　、よシ好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ係、最
適には５〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい
。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性でちっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ　、ステンレス、　ＡＡ　。

Ｃｒ　＋　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｎｂ　、　Ｔａ　、　
Ｖ　、　Ｔｊ　、　Ｐｔ＋　Ｐｄ等の金属又はこれ等の
合金が皐げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ　。

Ａｔ　＊　Ｃｒ　＋　Ｍｏ　ｒ　Ａｕ　、　Ｉｒ　、　
Ｎｂ　＋　Ｔａ　、　Ｖ　＋　Ｔｉ　。

Ｐｔ　、　Ｐｄ　、　Ｉｎ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＩＴＯ（
Ｉｎ２０３＋５ｎ０２）等から成る薄膜を設けることに
よって導電性が付与され、或いはポリエステルフィルム
等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ　、　ＡＡ　
、　Ａｇ　、　Ｐｂ　、　Ｚｎ。

Ｎｉ　＋　Ａｕ　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ｉｒ　、　
Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　。

ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパ
ッタリング等でその表面に設け、又は前記金属でその表
面をラミネート処理して、その表面に導電性が付与され
る。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等
任意の形状とし得、所望によって、その形状は決定され
るが、例えば、第１図の光導電部材１００を電子写真用
像形成部劇として使用する０であれば連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通シの光２Ｆｆｉ　ｆｆ１ｌｆ；
部材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部桐と
してｏＪ撓性が要求される場合には、支持体としての機
能が充分発揮される範囲内であれば可能な限シ薄くされ
る。丙午ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上
、機械的強度等の点から、好ましくは１０μ以上とされ
る。

次姉本発明の光導電部側の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
光導電部材を形成するための原料ガスが密封されておシ
、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈され
た５ＩＨ４；ガス（純度９９．９９９１以下ＳｉＨ４／
Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０３はｌ（ｅで稀釈された
Ｇ　ｅ　Ｈ４ガス（純度９９．９９９％、以下ＧｅＨ４
／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０４はＨｅで稀釈された
Ｓ　ｉ　Ｆ　４ガス（純度９９．９９％、ＪＪ下ＳｉＦ
４／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０５はＣ２■（４ガス
（純度９９．９９９％）ボンベ、１１０６はＨ２ガス（
純度９９．９９９％）ボンＲである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のノぐルブ１１２２〜１１２６
゜リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し
、又、流入バルブ１１１２〜１１　］　６、流出・ぐル
ブ１１１７〜１１２１、補助ノぐルブ１１３２．１１３
３ｄｌ；ｉ１かれていること全確認して、先づメイン・
ぐルブ１１３４を開いて反応室１１０１、及び各ガス配
管ν１を排気する。次に真空計１１３６の読みが約５　
Ｘ　１０＝　ｔｏｒｒ　になった時点で補助・ぐルブ］
、　］　３２　。

１１３３、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に光受容層を層形成す
る場合の１例をあげると、ガスｙｌ’ンベ１１０２よｐ
　ＳｉＨ４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０３よりＧｅＨ
〆Ｈｅガス、ガスボンベ１１０５よすＣ２Ｈ４ガ゛スｆ
、（／Ｓ　／Ｌ／ブ１１２２．１１２３．１１２’、全
開いて出ロ圧ケ８−ジ１１２７　、ｔ１２８．１１３０
の圧を１　ｋｌｌＪ　／　ｃｍ　Ｋ　Ｍｌ！３整し、流
入バルブ１１１２．１’ｌ１３．１１１ダを徐々ニ開ケ
て、マスフロコントローラ１１０７゜１１．０８　、　
ｌｉｔ・Ｏに内夫々流入させる。引き絖いて流出バルブ
１１１７．１１１８．１１２．０．　七ｌｉＪ功）ぐル
ブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０１
に流入させる。このときの５ｉＩ（４／ＨｅガスｉＡｆ
。

量とＧｅ　Ｈ４／１−Ｉｅガス流量と０２Ｈ４ガス流量
との圧力１所望の値になるように流出バルブ１１１７　
、１１１８　。

１１２０を調整し、又、反応室］１０１内の圧力が所望
の値になるように真空計ｊ１３６の読みを見ながらメイ
ンバルブ１１３４の開口を調整する。そして基体１１３
７の温度が加熱ヒーター１１３８によシ約５０〜４００
℃の範囲の温度に設定されていることを確認された後、
電源１１４０を所望の電力に設定して反応室１１０１内
にグロー放電を生起させ所望時間グロー放電を維持して
、所望層厚に、基体１１３７上に第１の層領域（Ｇ）　
ｋ形成する。′Ｊ′ｙｒ望層厚に第１の層領域（Ｇ）が
形成された段階に於いて、流出・ぐルブ１１１Ｂを完全
に閉じること、及び必要に応じて放電条件を変える以外
は、同様な条件と手順に従って所望時間グロー放電を維
持することで、第１の層領域（Ｇ）上にゲルマニウム原
子の実質的に含有されない第２の層領域（Ｓ）　’ｅ層
形成ることが出来る。

第２の層領域（Ｓ）中に伝導性を支配する物質を含有さ
せるには、第２の層領域（Ｓ）の形成の際に例えば、Ｂ
２Ｈ６，ＰＨ３等のガスを堆積室１１０１の中に導入す
るガスに加えてやれば良い。

層形成を行っている間は層形成の均一化を貧１°るため
基体１１３７はモーフ１１３９によシ一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例　１ 第１１図に示した製造装置により、シ１ノンダー状のＡ
ｔ基体上に第１表に示す条件で層形成を行って電子写真
用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しθ５．Ｏｋｖで０．３ｓｅｃ間コロナイ１テ電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンランプ光
源を用い、２　Ａｕｘ、ｓｅｃの光量を透過型のテスト
チャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材上面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー仙１像を、θ５．ＱｋＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写したＤＩ、解像力に優れ、階調再現性
のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例　２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部制に就いて帯電極性と現像剤
の荷電極性の夫々を実施例１と反対にした以外は実施例
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例　３ 第１１図に示した製造装置によシ、第３表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画像が得られた。

実施例　４ 実施例１に於いて、ＧｅＨ４／Ｈｅガスと５１ｉ（４／
Ｈｅガスのガス流量比を変えて第１層中に含有されるダ
ルマニラ広原子の含有邪を第４表に示す様に変えた以外
は、実施例１と同様にして′１）→子写真用像形成部材
を夫々作成した。

こうして得られた像形成部拐に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第４
表に示す結果が得られた。

実施例　５ 実施例１に於いて、第１層の層厚を第５表に示すように
変える以／Ａは、実Ｍｌｉ例１と同様にして各電子写真
用像形成部イ２を作成した。

こうして得られた各像形成部月に就いて、実施例１と同
様の条件及び手、順で転写紙上に画像を形成したところ
第５表に示す結果がイ旨られた。

実施例　６ 第１１図に示した製造装荷により、シリンダー状のＡｔ
基体上に第６表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材をイリた。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し、０５．ＯｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した光像はタングステンランプ光源
を用い、２　ｔｕｘ、　ｓｅｅの光ｇ３′を透過型のテ
ストチャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）金像形成部徊表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、ｅ　５．　ＯｋＶのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性
のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例　７ 実施例１に於いて光源をタングステンランプの代シに８
１０　ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ　）を
用いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同様
のトナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件で
作成した電子写真用像形成部材に就いてトナー転写画像
の画質評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現性
の良い鮮明な高品位の画像が得られた。

第　４　表 第　°５　表 ◎：優良　○：良好 以上本発明の笑施例に於ける共通の層作成条件を以下に
示す。

基体温度：ゲルマニウム原子（Ｇｅ）含有量・・・・・
・約２００℃放電周波数：　１３．５６　ｈ４１１ｚ反
応時反応室（ハ）圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光４電部材の層構成を説明する為の
模式的層イ１８成図、第２図乃至第１０図は夫々元受容
層中のゲルマニウム原子の分布状態を説明する為の説明
図、第１１因は、本発明で使用された装軌の模式的底印
ｊ図窓／入％、Ｘ（転）Ｓ　菜誠麩１００・・・光寺電
部材　１０１・・・支拐体１０２・・・元受各ノー −Ｃ（（：、） ０（Ｃ） □−−→−Ｃ（（、’１ −　Ｃ（Ｃ）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、ゲルマニウム原子を含
   む非晶質材料で構成された第１の層領域とシリコン原子
   を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層領
   域とが前記支持体側よシ順に設けられた層構成の光受容
   層とを有し、前記光受容層中には炭素原子が含有されて
   いる事を特徴とする光導電部材。
2. （２）第１の層領域及び第２の層領域の少なくともいず
   れか一方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第
   １項に記載の光導電部制。
3. （３）第１の層領域及び第２の層領域の少なくともいず
   れか一方にハロダン原子が含有されている特許請求の範
   囲第１項又は同第２項に記載の光導電部材。