JPS6088954A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外元締、Ｘ線、γ綜等を指す）の様な電磁波に感
受性のある光４電部材に関する。

固体撮像装置、或いは作形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置におりる光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（ＩＰ）
／暗電流（Ｉｄ　）　）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無害であること、更には
固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が安水される・殊に、
事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組
込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用
時における無害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｔと表記す）があシ
、例えば独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８５
５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独国
公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置への
応用として記載されている。

丙午ら、従来のａ−８１で構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点において、総合的な特性
向上を計るには更に改良される可き点が存するのが実情
である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観劇され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残伶が
生ずる所謂コ。

−スト現象を発する様になる、或いは、高速で繰返し使
用すると応答性が次第に低下する、等の不都合な点が生
ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｉは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、又は通常使用されているハロゲンラン
プや蛍光灯を光源とする場合に長波長側の光を有効に使
用し得ないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて充分吸
収されず支持体に到達する光の量が多くなると、支持体
自体が光導電Ｍを透過して来る光に対する反射率が高い
場合には１光導電層内に於いて多重反射による干渉が起
って、画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に照射ス号？ットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーデを光源とする場
合には大きな問題となっている。

更に、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために水素原子或
いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気伝
導型の制御のために硼素原子や燐原子等、或いはその他
の特性改良のために仙の原子が、各々構成原子として光
導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕
方如伺によっては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において支持体側よりの電荷の注入の阻
止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

更には１層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共罠
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決される可き点でちる。

従ってａ−８ｔ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に上記した様なる。

本、発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉ
に就で電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置
等に使用される光導電部材としての適用性とその応用性
という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シ
リコン原子を母体とム水素原子（ロ）又はハロゲン原子
（１）のいずれか一方を少なくとも含有するアモルファ
ス材料、所謂水素化アモルファスシリコン、ハロゲン化
アモルファスシリコン、或いはハロゲン含有水素化アモ
ルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記として「ａ
−８１（Ｉ（、Ｘ）　Ｊを使用する〕から構成される光
樽電性を示す第一の層を有する光導電部材であって以後
に説明される様な特定化して設置１され作成された光導
電部材は、実用上著しく優れた特性を示すばかりでなく
、従来の光尋電部桐をあらゆる点において凌駕している
こと、殊に電子写真用の光導電部材として著しく擾れた
特性を有していること及び長波長側に於ける吸収スイク
トル特性に優れていることを見出したことに基いている
・本発明は電気的、光学的、光尋電的特性が常時安定し
ていて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であ
り、長波長側の光感度特性に匿れると共に耐光疲労に著
しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残
留電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供
することを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーデとの！、チングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる眉と支持体
との間および積層される層の各層間の密着性に優れ、構
造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い光導電部
材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として使
用した場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用され
得る程度に１静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保持
能が充分あり、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下が
殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導電
部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、０度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に比来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、ダル
マニウム原子を含む非晶質材料で構成された第１の層領
域（Ｇ）とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され光
導電性を示す第２の７ｉＶ領域（Ｓ）とが前記支持体側
より順に設けられた層Ｉｆ’ｆｆ成の第一の層とシリコ
ン原子と酸素原子とを含む非晶質羽村で構成された第二
の層とで構成された光受容層とを有し、前記第一の層中
には炭素原子が含有されている事を特徴とする＠ 上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、プＣ学的、光尋電的特性、電気的耐圧
性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用した場合には、
画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的特
性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するものであ
って、耐光疲労、経返し使用特性に長け、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の、高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光６ｔ部材は、支持体上に形成される光受
容層自体が強靭であって且つ支持体との密着性に著しく
医れており、高速で長時間連続的に繰返し使用すること
ができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーデとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光４電る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、第一の層（１）１０２と第二の
層（ｎ）　ｉ　０３を有し、該第二の層（Ｉｔ）　ｔ　
ｏ　ａは自由表面１０６を一方の端面に有している。

第一の層（１）　１０２は、支持体ｉ　ｏ　ｉ　ｎ＋よ
りゲルマニウム原子と必要に応じて、シリコン原子１水
素原子、ハロダン原子（社）の中の少なくとも１つとを
含有する非晶質材料（以後ｊ　ａ　−Ｇｅ（ｓｌ、ｕ、
Ｘ）　ｊと略記する）で構成された第１の層領域（Ｇ）
１０．４と、ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成され光導電性を
有する第２の層領域（Ｓ）　１０５とが順に積層された
層宿造を有する。

第１の層領域側１０４中に含有されるダルマニウム原子
は、該第１の層領域（Ｇ）　１０４の層厚方向及び支持
体１０１０表面と平行な面内方向に連続的であって且つ
均一に分布した状態となる様に前記第１の層領域（Ｇ）
　１０４中に含有される。

本発明に於いては、第１の層領域（Ｇ）上ｙｃ設けらム
１−　Ａ？ｒ　ｎｈロニ樒ｌＱ１山ｔｆＩ汁　がルマニ
ウムｌｔｍ　−７−ｕ含有されておらず、この様な層構
造に第一の層（１）を形成することによって可視光領域
を含む比較的短波長から比較的短波長迄の全領域の波長
の光に対して光感度が優れている光導電部材とし得るも
のである。

叉、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の
分布状態は、全層領域にダルマニウム原子が連続的に分
布しているので、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域■
）との間の親和性に優れ、半導体レーザ等を使用した場
合の、第２の層領域＠）では殆んど吸収し切れない長波
長側の光を第１の層領域（Ｇ）に於いて実質的に完全に
吸収することが出来、支持体面からの反射による干渉を
防止することが出来る。

又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域（Ｇ
）にシリコン原子が含有される場合、第１の層領域（Ｇ
）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々
がシリコン原子という共通の構成要素を有しているので
、積層界面に於いて化学的ガ安定性の確保が充分成され
ている。

本発明において、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるで
ルマニウム原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達
成される様に所望に従りて適宜状められるが、シリコン
原子との和に対して好ましくは１〜１０　Ｘ　１０　ａ
ｔｏｍｌｃ　ｐｐｒｆｈ　より好ましくは１００〜９．
５　Ｘ　１０５ａｔｏｍ１ｃ　ｐｐｍ５最適には、５０
０〜８Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされる・本発
明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）と
の層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要
な因子の１つであるので、形成される光２５電部材に所
望の特性が充分与えられる様に、光導電部材の設計の際
に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚Ｔ、は・好
ましくＩ′１３０Ｘ〜５０μ、よシ好ましくは４０久〜
４０μ、最適には５０Ｘ〜３０μとされる。

又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５
〜９０μ、よシ好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５
０μとされる。

第１の層領域ＩＧ）の層厚ＴＢと第２の層領域０）の層
厚Ｔの和（Ｔ、＋Ｔ）は、両層領域に要求される特性と
第一の層（１）全体に安来される特性との相互間の有機
的関連性に基いて、光導電部材の層設計の際に所望に従
って、適宜決定される。

本発明の光６電部材に於いては、上記の（Ｔ、＋Ｔ）の
数値範囲は好ましくは１〜１００μ、より好適には１〜
８０μ、最適には２〜５０μと去れる。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴ、／Ｔ≦１な
る関係を満足する様に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔめ数値の選択に
於いて、よシ好ましくはＴｍ　／　Ｔ≦０．９、最適に
はＴＢ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ
及び層厚Ｔの値が決定される。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以上の場合には、第１の層領域６）の層厚Ｔｌ
は、成可く薄くされるのが望ましく、好ましくは３０μ
以下とされる。

本、発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵
抗化、更には支持体と第一の層（１）との間の密着性の
改良を計る目的の為に第一の層（１）中には、炭素原子
が含有される。第一の層（１）中に含有される炭素原子
は、第一の層（１）の全層領域に刃側なく含有されても
良いし、或いは、第一の層（１）の一部の層領域のみに
含有させて偏在させても良い。

又、炭素原子の分布状態は、その分布濃度Ｃ（Ｃ）が第
一の層（１）の層厚方向に於いては、均一であってもよ
いし、不均一であってもよい。

本発明に於いて、第一の層（１）に設けられる炭素原子
の含有されている層領域（Ｃ）は、光感度と暗抵抗の向
上を主たる目的とする場合には、第一の層（１）の全層
領域を占める様に設けられ、支持体と第一の層（１）と
の間の密着性の強化を計るのを主たる目的とする場合に
は、第一の層（１）の支持体側瑞部層領域を占める様に
設けられる。

前者の場合、層領域Ｃ）中に含有される炭素原子くされ
、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確実に計
る為に比較的多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、第一の層（
１）の第二の層（ｎ）側に於いて比較的低濃度に分布さ
せるか或いは、第一の層（１）の第二の層（ＩＩ）側の
界面層領域には、炭素原子を積極的には含有させない様
な炭素原子の分布状態を層領域（Ｃ）中に形成すれば良
い。

本発明に於いて、第一の層（１）に設けられる層領域（
Ｃ）に含有される炭素原子の含有量は、層領域（Ｃ）自
体に要求される特性、或いは該層領域（Ｃ）が支持体に
直に接触して設けられる場合には、該支持体との接触界
面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適
宜選択することが出来る。

又、前記層領域（Ｑに直に接触して他の層領域が設けら
れる場合には、腰仙の層領域の特性や、腰仙の層領域と
の接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、炭素原
子の含有量が適宜選択される・層領域（Ｃ）中に含有さ
れる炭素原子の量は、形成される光導電部材に要求され
る特性に応じて所望に従って適宜法められるが、好まし
くはｏ、ｏｏｉ〜５゜ａｔｏｍｉｃ％、よシ好ましくは
０．００３〜３０ａｔｏｍｉｃ％とされる。

本発明に於いて、層領域（Ｃ）が第一の層（１）の全域
を占めるか、或いは、第一の層（１）の全域を占めなく
とも、層領域（Ｑの層厚Ｔ０の第一の層（Ｉ）の層厚Ｔ
に占める割合が光分多い場合には、層領域（Ｃ）に含有
される炭素原子の含有量の上限は、前記の値より充分少
なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（Ｃ）の層厚Ｔ。が第一の層
（１）の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上とな
る様な場合には、層領域（Ｃ）中に含有され木炭素原子
の量の上限としては、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃチ
以下、より好ましくは２９　ａｔｏｍｉｃ％以下、最適
には１０　ａｔｏｍｉｃ　％以下とさ些る。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の層厚方向の分布
状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸は炭素原子の分布濃
度Ｃを、縦軸は、層領域（Ｃ）の層厚を示し、ｔＢは支
持体側の層領域（Ｃ）の端面の位置を、ｔＴは支持体側
とは反対側の層領域（Ｑの端面の位置を示す。

即ち、炭素原子の含有される層領域（Ｃ）はｔ８側より
ｔＴ側に向って層形成がなされる。

第２図には、層領域（Ｑ中に含有される炭素原子の層厚
方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２図に示される例では、炭素原子の含有される層領域
（Ｃ）が形成される支持体表面と該層領域（Ｃ）の表面
とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置までは、炭素原
子の分布濃度Ｃ（Ｃ）がＣ１なる一定の値を取り乍ら炭
素原子が形成される層領域（Ｃ）に含有され、位置ｔ１
より界面位置ｔＴＫ至るまでは濃度Ｃ２より徐々に連続
的に減少されている。界面位置ｔ、ｒにおいては炭素原
子の分布濃度Ｃ（Ｃ）はＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有される酸素原子の
分布濃度Ｃは位置ｔ、より位置ｔ７に到るまで濃度Ｃ４
から徐々に連続的に減少して位置ｔｆおいて潟庁Ｃμｈ
ス梯方分布状卯を形成１．でい私第４図の場合には、位
置ｔＢより位置ｔ２ｔで腺素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は
濃度Ｃ６の一定値とされ、位置ｔ２と位置ｔＴとの間に
おいて徐々に連続的に減少され、位置ｔＴにおいて分布
濃度Ｃ（Ｃ’ｌは実質的に零とされている（ここで実質
的に零とは検出限界量未満の場合である）。

第５図の場合には、炭素原子の分布濃度Ｃは位置ｔ　よ
シ位置ｔＴに到るまで、濃度ＣＢより連続的に徐々に減
少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされている。

第６図に示す例においては、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ
）は、位置ｔＢと位置１３間においては濃度Ｃ９の一定
値であり、位置ｔＴにおいては濃度ａｔｅとされる。位
置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的
に位置ｔ３よシ位置り、Ｔに至るまで減少されている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
よシ位置ｔ４までは濃度Ｃ１ｌの一定値を取り、位置ｔ
４より位置ｔＴまでは濃度−２より演度ＣＩＳ　まで−
次間数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに至
るまで、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は濃度Ｃ１４より
実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置ｔＢより位置ｔｓに至るまでは
炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は、濃度Ｃ１５よシ濃度Ｃ
１１ｌまで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔＴ
との間においては、濃度ＣｔＳの一定値とされた例が示
されている。

第１０図に示される例においては、炭素原子の分布濃度
ｃ　（Ｃ）は位置ｔＢにおいて濃度ＣＩ？であり、位置
ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ１７より初めはゆっくりと
減少され、ｔ６の位置付近においては急激に減少されて
位置ｔ６では濃度ｃｉｓとされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は緩かに徐々に減少されて位置を丁で濃
度０１Ｇとなり、位置ｔ７と位置ｔｓとの間では極めて
ゆっくりと徐々に減少されて、位置１゜において濃度Ｃ
２０に至る。位置ｔａと位置ｔＴの間においては、濃度
Ｃ２０より実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲
線に従って減少さ゛れている。

以上、第２図乃至第１０図により、層領域（Ｃ）中に含
有される炭素原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾つ
かを説明した様に、本発明においては、支持体側におい
て、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）の高い部分を有し、界
面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べ
て可成り低くされた部分を有する炭素原子の分布状態が
層領域（Ｃ）に設けられている。゛ 本発明において、第一の層（１）を構成する炭素原子の
含有される層領域（Ｃ）は、上記した様に支持体側の方
に炭素原子が比較的高濃度で含有されている局在領域（
Ｂ）を有するものとして設けられるのが望ましく、この
場合には、支持体と第一の層（Ｉ）との間の密着性をよ
り一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５μ以内に設け
られるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
ｎより５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もち
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全部とす
るかは、形成される第一の層（１）に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ｊ３）はその中に含有される炭素原子の層厚
方向の分布状態として炭素原子の分布濃度の最大値ｃｍ
ｈｘが好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｌｘ以上１よ
り好適には８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適に
は１０００ａｔ１０００ａｔｏ以上とされる様な分布状
態となり得る様に層形成される。

即ち、本発明においては、炭素原子の含有される層領域
（Ｃ）は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔＢから５
μ厚の層領域）に分布濃度Ｃ（Ｃ）の最大値Ｃｍ＆Ｘが
存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、第一の層（１）を構成する第１の層領
域（Ｇ）及び第２の層領域の）中に必要に応じて含有さ
れるハロゲン原子（３）としては、具体的にはフッ素、
塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッーＩ−ＬＰｔ
比４−樅嘴也シ＾Ｌ１イ受げ入とシ≠；出妥ム。

本発明において、ａ−Ｇｅ（Ｓｌ、Ｈ，Ｘ）で構成され
る第１の層領域に）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオングレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によりて、ａ　−Ｇｅ（Ｓｔ　、ａ
＃ｘ）で構成される第１の層領域（Ｇ）を形成するには
、例えばゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｏ供
給用の原料がスと、必要に応じて、シリコン原子（８１
）を供給し得るＳｔ供給用の原料がスと、水素原子東導
入用の原料がス又は／及びノーロダン原子（３）導入用
の原料ガスとを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望の
ガス圧状態で尋人して、該堆積室内にグロー放電を生起
させ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面
上に層形成すれば良い。第１の層領域（Ｇ）に、ゲルマ
ニウム原子を不均一な濃度分布で含有させる場合、ダル
マニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲線に従って制
御し乍ら＠−Ｇａ（Ｓｔ＠Ｈ１Ｘ）からなる層を形成さ
せれば良い。又、スパッタリング法で形成する場合には
、例えばＡｒ＊Ｈｅ等の不活性がス又はこれ等のがスを
ペースとした混合がスの雰囲気中でｓｌで構成されたタ
ーグット、或いは該ターグツトドＧｅで構成されたター
グットの二枚を使用して、又は、ｓｉとＧｏの混合され
たター１’　５　）を使用して必要に応じてＨｅ５Ａｒ
等の稀釈がスで稀釈されたＧｅ供給用の原料がスを、更
に、必要に応じて水素原子（６）又は／及びハロダン原
子（Ｘ）導入用のがスを、スパッタリング用の堆積室に
導入し、所望のがスのプラズマ雰囲気を形成することに
よって成される。

この際前記Ｇｅ供給用の原料がスのガス流量を所望の変
化率曲線に従って制御し乍ら前記ターグットをスノやツ
タリングしてやれば第１の層領域（Ｇ）中のダルマニウ
ム原子の分布濃度を任意に制御することが出来る。

イオングレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ダルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着カートに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロン
ビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発
物を所望のがスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、
スパッタリング法の場合と同様にする事で行うことが出
来る。

本発明において使用されるＳ１供給用の原料がスとなり
得る物質としては、５ｉＨ４１８１２Ｈ６１８１３Ｈ８
＃５ｉ４Ｈ１ｏ等のが入状態の又はがス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ・殊に１層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の
良さ等の点で５ｉＨ４ｔ　５ｔ２Ｈ６が好ましいものと
して挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料がスと成シ得る物質としてはＧｅＨ４
５Ｇｅ２Ｈ６＊　Ｇｅ５Ｈ１２Ｇｅ４Ｈ＋（１＃　Ｇｅ
５Ｈ１２ａ　Ｇｅ６Ｈ１４ｙＧｅ　７Ｈ１６ｔ　Ｇｅ　
ａＨ１６ｓ　Ｑｅ　９Ｈ２０等のが入状態の又はがス化
し得る水素化ダルマニウムが有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に１層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供
給効率の良さ等の点でｓ　ＧｅＨ４ｅＧｅ　２Ｈ６ｔ　
Ｇｅ　、Ｈ８が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロダン原子導入用の原料が
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンがス、ハログ／化物、ハロダン間化合
物１ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のが入状態の
又はガス化し得るへロダン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成安素
とするガス状態の又はガス化し得る、へロダン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、）、素、塩素、臭素、ヨウ素のハロダ
ンがス、ＢｒＦ、　Ｃ１Ｆｅ　ＣｌＦ３．　ＢｒＦ５゜
ＢｒＦ３．　ＩＦ５５　ＩＦ７５　ＩＣ１，ＩＢｒ等の
ハロダン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロダン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば８
ｉＦ４ｔ　５ｔ２Ｆ６＊　５ＩＣｔ４ｓ　５ｉ１３ｒ４
等＋７）ハロダン化硅素が好ましいものとして挙げるこ
とが出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によりて本発明の特徴的な光導−電部材を形成
する場合には、Ｇｅ供給用の原料がスと共にｓｔ　ｆ：
供給し得る原料がスとしての水素化硅素がスを使用しな
くとも、所望の支持体上にハロダン原子を含むａ　−５
ｉＧｅから成る第１の層領域（Ｇ）を形成する事が出来
る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層領
域（２）を作成する場合、例えばＳ１供給用の原料がス
となるハロダン化硅素とＧｅ供給用の原料ガスとなる水
素化ダルマニウムとＡｒ　ａ　Ｈ２ｅ　Ｈｅ等のガス等
を所定の混合比およびがス流片になる様にして第１の層
領域（Ｇ）　ｔ−形成する堆積室に導入し、グロー放電
を生起してこれ等のがスのプラズマｆｌＪｌ気を形成す
ることによって、所望の支持体上に第１の層領域Ｇ）を
形成し得るものでちるが、水素原子の導入割合の制御を
一層容易にする為にこれ等のがスに更に水素がス又は水
素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成
しても良い。

又、名がスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えない。

スパッタリング法、イオングレーティング法の何れの場
合にも、形成される層中にハロゲン原子を導入するには
、前記のハロダン化合物又は前記のハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該がスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を尋人する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ダルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該がス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロダン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたへロダン化合物或いはハロダンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の池に、ＨＦ　、　ＨＣ７！、　、ＩＢｒ。

ＨＩ等のハ’ｏ　ｆ　ン化水素、ＳｉＦ２Ｆ２＃　ＳＬ
Ｈ２１２ｍｓｋＨ２ＣＬ２＊５ｉＨＣｔ、、　５ｉＨ２
Ｂｒ２．５ＩＨＢｒ、等のハロダン置換水素化硅素、及
びＧｅＨＦ３ｓ　ＧｅＦ２Ｆ２．　ＧｅＨＦ３ｓＧｅＨ
Ｃｔ３ｓＧｅＨ２Ｃ１２，ＧｅＨ，Ｃ１ａ　ＧｅＨＢｒ
、　ｓ　ＧｅＦ２Ｂｒ２ｔ　ＧｅＨ，Ｂｒ５ＧｅＨＩｓ
ｓ　ＧｅＦ２１２．　ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロダン化
ダルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つとするハ
ロダン化物、ＧａＦ　Ｇ５Ｃ２４＊　ＧｅＢｒ４＋　Ｇ
ｅ１４ａＧｅＦ２ｍ１ ＧｅＣＬ　ＧｅＢｒ２＊　ＧｅＩ２等のハロゲン化グＡ
／　７　ニウム、２＃ 等々のガス状態の或いはがス化し得る物質も有効な第１
の層領域（Ｇ）形成用の出発物質として挙げる事が出来
る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロダン化物は、第
１の層領域（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入
と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入するので、本発明においては好適なハロ
ゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導入するに
は、上記の他にＦ２、或いは５ｉＨ４ｔ　５ｔ２Ｈ６ｔ
Ｓ１３Ｈ８，５ｉ４Ｈ１ｏ等の水素化硅素をＧｅを供給
する為のダルマニウム又はダルマニウム化合物と、或い
はＧｅＨ４ｔ　Ｇｅ　２Ｈ６＊　Ｇｅ　ｓＨＢ　＊　Ｇ
ｅ　４Ｈ１０＃　Ｑｅ　５Ｈ１２ｔ　Ｇｅ６Ｈ１４ｅＱ
ｅ　７Ｈ１６＃　Ｇｅ　５Ｈ１８ｅ　Ｑｅ　９Ｈ２０等
の水素化ゲルマニウムとＳｔを供給する為のシリコン又
はシリコン化合物とを堆積室中に共存させて放電を生起
させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される第一の層（１
）を構成する第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原
子（ロ）の量又はハロダン原子（３）の量又は水素原子
とハロダン原子の量の和（Ｈ十Ｘ）は好ましくは０．０
１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％　、より好適には０．０５〜
３０ａｔｏｍｉｃチ、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍ
ｉｃ％とされる。

第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（ロ）又は
／及びハロダン原子（３）の量を制御するには１例えば
支持体温度又は／及び水素原子（ロ）、或いはノ・ロダ
ン原子（２）を含有させる為に使用される出発物質の堆
積装置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば
良い。

本発明に於いて、ａ　−ｓ　ｔ　（Ｈｅ　Ｘ）で構成さ
れる第２の層領域（Ｓ）を形成するには前記した第１の
層領域（Ｇ）形成用の出発物質（１）の中より、　Ｇｏ
供給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第
２の層領域（Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して
、第１の層領域（Ｇ）を形成する場合と同様の方法と条
件に従って行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−８ｉ（Ｈ＝Ｘ）で構成され
る第２の層領域０）を形成するには例えばグロー放電法
、スノやツタリング法、或いはイオングレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によりて、ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で
構成される第２層領域（Ｓ）を形成するには、基本的に
は前記したシリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るｓｉ供給
用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（ロ）導入
用の又は／及びハロゲン原子ｏＯ導入用の原料ガスを、
内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである
所定の支持体表面上にａ−８ｔ（Ｈ−Ｘ）からなる層を
形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成する場
合には、例えばＡｒｔＨｅ等の不活性がス又はこれ等の
ガスをペースとした混合がスの雰囲気中でＳｔで構成さ
れたターダットをスパッタリングする際、水素原子（６
）又は／及びハロダン原子（３）導入用のガスをスパッ
タリング用の堆積室に４人しておけばよい。

本発明の光導電部材に於いては、ｒルマニウム原子の含
有される第１の層領域（Ｇ）の上に設けられ、ダルマニ
ウム原子の含有されない第２の層領域（Ｓ）には、伝導
特性を制御する特質を含有させることにより、該層領域
（Ｓ）の伝導特性を所望に従って任意に制御することが
出来る。

この様な物質としては、所謂、半導体分野で云われる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成され
る第２の層領域（Ｓ）　を構成するａ−８１（Ｈ，Ｘ）
Ｋ対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物、及びｎ型
伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては、周期律表第■族に属
する原子（第■族原子）、例えばＢ（硼素）、Ａｔ（ア
ルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）
、Ｔｔ（タリウム）等がラリ、殊に好適に用いられるの
はＢ％Ｇ＆である。ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ
族に属する原子（第Ｖ族原子）、例えばＰ（燐）、Ａ＠
（砒素）、ｓｂ（アンチモン）、Ｂｌ（ビスマス）等で
チシ、殊に好適に用いられるのはＰ＊　Ａｓである。

本発明に於いて、第２の層領域０）に含有される伝導特
性を制御する特質の含有量は、該層領域（Ｓ）に要求さ
れる伝導特性、或いは該層領域（Ｓ）に直に接触して設
けられる他の層領域の質性や、腰仙の層領域との接融界
面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適
宜選択することが出来る。

本発明に於いて、第２０届領域（Ｓ）中に含有される伝
導特性を制御する物質の含有量は、好ましくは、０．０
０１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、　より好適に
は０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には０
．１〜２００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされる。

第２の層領域（Ｓ）中に伝導特性を制御する物質例えば
第■族原子、或いは、第Ｖ族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に第■族原子辱入用の出発物質、或いは
、第Ｖ族原千尋入用の出発物質をがス状態で堆積室中に
、第２の層領域を形成する為の他の出発物質と共に導入
してやれば良い。

この様な第■族原子専入用の出発物質となシ得るものと
しては、常温常圧でがス状の又は少なくとも層形成条件
下で容易にがス化し得るものが採用されるのが望ましい
。その様な第■族ル、千尋入用のＷ発物質として具体的
には硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈｂｓ　Ｂ４Ｈ１ｏ
　ｓ　Ｂ５Ｈ９ｊＢ５Ｈｔ１　ｅ　Ｂ６■１０　ｙ　Ｂ
６■１２　ｅＢ６Ｉ■、４等の水素化硼素、ＢＦ３ａ　
ＢＣ１５ｗ　ＢＢｒ５ｙ等のハロダン化硼素停が掌げら
れる。この池、ｋｔｃｔ３゜ＧａＣ１３ｅ　ｃｍ（ｃｕ
、）、　、　Ｉｎｃｈ５＃ＴｔＣｔ３等、も挙げること
が出来る・ 第■族原子４人用の出発物質として本発明において有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ，ａ　
Ｐ２Ｈ４醇の水素化身、ＰＨ４Ｉ＃　ＰＦ３５　ＰＦ５
ｔＰｃｔ、　ＰＣ１５ｅ　ＰＢｒ５ａ　ＰＢｒ３＊　Ｐ
Ｉｓ等のハ０ダン比隣が挙げられる。この他、ＡｓＨ３
＊　ＡｓＦ３．　ＡａＣ６３＊ＡｓＢｒ５ｔＡｓＦ５．
　ＳｂＨ３＊　ＳｂＦ、＊　ＳｂＦ５＊　５ｂＣｔ５ｕ
　８ｂＣ１５ｚ　ＢｉＨ３ｙＢｉＣ４，ｔ　Ｂｌｕｒ３
等も第Ｖ族原千尋入用の出発物質の有効なものとして挙
げることが出来る。

本発明に於いて、第一の層（１）に炭素原子の含有され
た層領域（Ｃ）を設けるには、第一の層（１）の形成の
除に炭素原子導入用の出発物質を前記した第一の層（Ｉ
）形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中に
その量を制御し乍ら含有してやれば良い。層領域（Ｃ）
　ｋ形成するのにグロー放電法を用いる場合には、前記
した第一０層（１）形成用の出発物質の中から所望に従
って選択されたものに炭素原子導入用の出発物質が加え
られる。その様な炭素原子導入用の出発物質としては、
少なくとも炭素原子を構成原子とするガス状の物質又は
がス化し得る物質をがス化したものの中の大概のものが
使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｔ）を構成原子とする原料ガス
と、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料がスと、心安
に応じて水素原子（ロ）又は及びハロダン原子（３）を
構成原子とする原料がスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）Ｔｈ構成原子と
する原料がスと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（６）を
構成原子とする原料がスとを、これも又所望の混合比で
混合するか、或いは、シリコン原子（ＳｉＸ構成原子と
する原料がスと、シリコン原子（Ｓｌ）、炭素原子（Ｃ
）及び水素原子（６）の３つを構成原子とする原料がス
とを混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｔ）と水素原子に）とを
構成原子とする原料がスに炭素原子（Ｃ）　ｔ−構成原
子とする原料がスを混合して使用しても良い。

ＣとＨとを構成原子とするものとしては、例えば炭素数
１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化
水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げら
れる。

具体的には、飽和炭化水素としてｉ１メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、ゾｏ　ノｆ　ｙ　（Ｃｓ）Ｉａ
　）　ｓ　ｎ−２タン（”４Ｈ１０）　＃ペンタン（Ｃ
５Ｈ１２）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（
０２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ，Ｈ６）、　ｆテン−１（
Ｃ４Ｈ６）ｓ　７”　７７−２　（Ｃ４Ｈ６）イソブチ
レン（Ｃ４Ｈ８）ｔペンテン（Ｃ５Ｈ，。）、アセチレ
ン系炭化水素としては、アセチレン（０２Ｈ２）ｓメチ
ルアセチレン（Ｃ６■４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙
げられる。

これ等の池にＳｌとＣとＨとを構成原子とする原料がス
として、５ｔ（ＣＨ３）４．　Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）４等の
ケイ化アルキルを挙げることが出来る。

本発明に於いては、層領域Ｃ）中には炭素原子で得られ
る効果を更に助長させる為に炭素原子に加えて、更に酸
素原子又は／及び窒素原子を含有することが出来る。酸
素原子を層領域（Ｃ）Ｋ導入する為の酸素原子導入用の
原料がスとしては、例えば酸素（０２）、　、ｔゾｙ（
ｏ５）ｓ−酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（Ｎｏ　２　
）　ｅ−二酸化窒素（Ｎ２ｏ　）、三二酸化窒素（Ｎ２
０３）ｅ四三酸化窒素（Ｎ２０４　）　＃三二酸化窒素
（Ｎ２０５）、三酸化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（
Ｓｌ）と酸素原子（０）と水素原子（６）とを構成原子
とする、例えば、ゾシロキサ／（ｕ３ｓｉｏｓｔｕ、）
、　トリシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ３１Ｈ２０ＳｉＨ３）
等の低級シロキサン等を誉げることが出来る。

層領域（Ｃ）を形成する際に使用される窒素原子軸導入
用の原料がスになり得るものとして有効に使用される出
発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨとを構成原
子とする例えば窒素（Ｎ２）ｌアンモニア（ＮＨ３）、
ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３）、
アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等のガス状の又はガ
ス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物を
挙げることが出来る。この他に、蟹素原子峙の導入に加
えて、ハロゲン原子（イ）の導入も行えるという点から
、三弗化窒素（Ｆ、Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２寿のハ
ロダン化窒素化合物を挙げることかめ来る。

スパッターリング法によって、炭素原子を含有する層領
域（Ｃ）を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハー又はＣウェーハー、又はｓｌとＣが混合されて含
有されているウェーハーをターゲットとして、これ等を
種々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによって
行えば良い。

例えばｔＳｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、炭素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料がスを、必要に応じて稀釈がス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のがスのがスゾラズマを形成して前記Ｓｉウェーハーを
ス／４’　ｙターリングすれば良い。

又、別には、８１とＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｌとＣの混合した一枚のターダットヲ使用すること
によりて、スフ４．ター用のガスとしての稀釈がスのｙ
囲気中で又は少なくとも水素原子（６）又は／及びハロ
ダン原子Ｑを構成原子として含有するがス雰囲気中でス
ノやツタリングすることによって成される。炭素原子導
入用の原料がスとしては、先述した、グロー放電の例で
示した原料ガスの中の炭素原子導入用の原料がスが、ス
パッタリングの場合にも有効ながスとして使用され得る
。

本発明に於いて、第一の層（１）の形成の際に、炭素原
子の含有される層領域（Ｃ）を設ける場合、該層領域（
Ｃ）に含有される炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）を層厚方
向に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ
　ｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（０を形成するには
、グロー放電の場合には分布濃度Ｃ（Ｃ）を変化させる
べき炭素原子導入用の出発物質のがスを、そのがス流量
を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら、堆積室
内に導入することによって成される。例えば手動あるい
は外部駆動モータ等の通常用いられている何らかの方法
により、ガス流路系の途中に設けられた所定のニードル
パルプの開口を漸次変化させる操作を行なえば良い。こ
のとき、流量の変化率は線型である必要はなく例えばマ
イコン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲線に
従って流量を制御し、所望の含有率１綜を得ることもで
きる。

層領域（０をス・ぐツタ−リング法によって形成する場
合、炭素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｃ）　ｔ一層厚
方向で変化させて、炭素原子の層厚方向の所望の分布状
態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌ・）を形成するには、第
一には、グロー放電法による場合と同様に、炭素原子導
入用の出発物質をがス状態で使用し、該ガスを堆積室中
へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させる
ことによって成される。

第二には、スパッターリング法のターゲットを１例えば
、ＳｌとＣとの混合されたターゲットを使用するのであ
れば、８１とＣとの混合比を、ターゲットの層厚方向に
於いて、予め変化させておくことによって成される。

本発明に於いて、形成される第一０層（１）’に構成す
る第２の層領域＠）中に含有される水素原子（６）の量
又はハロゲン原子（至）の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は、好ましくは１〜４０ａｔｏ
ｍｉｃ　％ｅより好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ　％、
最適には５〜２５ａｔｏｍｉｃ　％とされる。

第１図に示される光導電部材１００に於いては第一の層
（１）　１０２上に形成される第二の層（ＩＩ）１０３
は自由表面１０６を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用
特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性に於いて本
発明の目的を達成する為に設けられる。

又、本発明に於いては、第一の層（１）　１０２と第２
の層領域１０５とを構成する非晶質材料の各々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので、積層界
面に於いて化学的な安定性の確保が充分成されている。

本発明に於ける第二の層（ＩＩ）は、シリコン原子（Ｓ
ｉ）と酸素原子り）と、心安に応じて水素原子（ロ）又
は／及びハロゲン原子（３）とを含む非晶質材料（以後
、［＊　−（Ｓｉ、０ｌ−Ｘ）ｙ（ＨＪ）１−ｙＪと記
す。但し、ｏ　（ｘ　ｅ　ｙ　＜　１　）で構成される
。

ａ　−（８ｉ　ｘｏ　、＋＋Ｘ　）ｙ　（Ｈ＃Ｘ）　、
−ｙで構成される第二の層（ＩＩ）の形成はグロー放電
法、スパッタリング法、エレクトロンビーム法、イオン
インプランテーション法、イオンブレーティング法等に
よって成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資
本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材に
所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用さ
れるが、所望する特性を有する光導電部材を製造するた
めの作製条件の制御が比較的容易である、シリコン原子
と共に酸素原子及びハロダン原子を、作製する第二の層
（１）中に導入するのが容易に行える等の利点から、グ
ロー放電法或はスノ’？ツターリング法が好適に採用さ
れる。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して第二０層（ＩＩ）を
形成してもよい。

グロー放電法によって第二の層ω）を形成するにはａ　
−（Ｓ　１　ｘｏｌ−ｘ）ｙ　（Ｈ＠　Ｘ）　１−ｙ形
成用の原料がスを１必安に応じて稀釈がスと所定量の混
合比で混合して、支持体の設置しておる真空堆積室に導
入し、導入されたがスを、グロー放電を生起させるとと
でがスノラズマ化して、前記支持体上に既に形成されで
ある第一の層（１）上にａ　−（Ｓｔｘｏｌ−Ｘ）、（
Ｈ，Ｘ）、−。

を堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ　−（ｓｔＸｏ、−ｙ）　（ＨｐＸ
）１−ｙ形成用の原料がスとしては、シリコン原子（Ｓ
ｔ）、酸素原子（０）、水素原子（ロ）、ノ・ロダン原
子（ト）の中の少なくとも一つを構成原子とするガス状
の物質又はがス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。

Ｓｉ　、　Ｏ、Ｈ、Ｘの中の一つとしてＳｔを構成原子
とする原料ガスを使用する場合は、例えばＳｔを構。

成原子とする原料ガスと、Ｏｆ、構成原子とする原料が
スと、盛装に応じてＨを構成原子とする原料がス又は／
及びＸ　ｔ：　；ｉｎ構成原子する原料ガスとを所望の
混合比で混合して使用するか、又はＳｔを構成原子とす
る原料がスと、Ｏ及びＨｆｃ　！：ｌ成原子とする原料
ガス又は／及びＯ及びＸを構成原子とする原料がスとを
、これも又、所望の混合比で混きするか、或いは、Ｓｔ
を構成原子とする原料がスと、Ｓｔ、０及びＩ（の３つ
を構成原子とする原料ガス又は、８１．０及びＸの３つ
を構成原−子とする原料がスとを混合して使用すること
ができる。

又、別には、ｓｉどＨとを構成原子とする原料がスＫＯ
ｔ−構成原子とする原料がスを混合して使用しても良い
し、８１とＸとを構成原子とする原料がスにＯを構成原
子とする原料がスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第二の層値）中に含有されるハロゲン
原子■として好適なのはＦ　、’　ＣＬ　ｔ　Ｂｒ　、
　Ｉであり、殊にＦ　ｅ　Ｃ１が望ましいものである。

本発明に於いて、第二の層ω）を形成するのに有効に使
用される原料がスとなシ得るものとしては、常温常圧に
於いてがス状態のもの又は容易にがス化し得る物質を挙
げることができる。

又、ス・ぐツタリング法で第二の層（ＩＩ）を形成する
場合には、例えば次の様にされる。

第一には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等
のガスをペースとした混合ガスの雰囲気中でＳｔで構成
されたターゲットをスパッタリングする際、酸素原子（
０）導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子σ（）
導入用の又は／及びハロゲン原子（３）導入用の原料ガ
スと共にスパッタリングを行う真空堆績室内に導入して
やれば良い。

第二には、ス・やツタリング用のターゲットとして５Ｉ
Ｏ２で構成されたターゲット中、或いはＳｉで構成され
たターゲットとＳ　ｉＯ２で構成されたターゲットの二
枚か、又はＳｉと５１０２とで構成されたターゲットを
使用することで形成される第二の層（１［）中へ酸素原
子（０）を導入することが出来る。この際、前記の酸素
原子（０）導入用の原料ガスを併せて使用すればその流
量を制御することで第二の層（ロ）中に導入原子（０）
の量を任意に制御することが容易であるＯ 第二の層（ｎ）中へ導入される酸素原子（０）の含有量
は、酸素原子（０）導入用の原料ガスが堆積室中へ導入
される際の流量を制御するか、又は酸素原子（０）導入
用のターゲット中に含有される酸素原子（０）の割合を
、該ターゲットを作成する際に調整するが、或いは、こ
の両者を行うことによって、所望に従って任意に制御す
ることが出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスとなる
出発物質としては、５ｉＨ４ｔ　５ｉ２Ｈ６ｒ　５ｉｘ
Ｈａ　＊５ｉ４Ｈ，。等のガス状態の又はガス化し得る
水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ、ｓｌ供鵜率の
良さ等の点でＳｉＨ４，５ｔ２）［６が好ましいものと
して挙げられる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成秦件を適切に選
択することによって形成される第二の層（Ｕ）中にＳｉ
と共にＨも導入し得る。

Ｓｉ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子（３）を含む硅
素化合物、所謂、ハロゲン原子で置換されたシラン誘導
体、具体的には例えばＳｉＦ４゜Ｓ　ｉ　Ｆ　Ｓ　１Ｃ
ｔＳ　ＩＢ　ｒ　４等の／％　Ｏｊ’ン化硅素が好ま２
　６１　４ま しいものとして誉げることが出来る。

更には、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＩ（２ｔ２．５ＩＨ２Ｃ２
２，５ｉＨＣｔ３゜５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等の
ハ（ｆｆダン置換水素化硅素、等々のガス状態の或いは
ガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとする・・ロ
ダン化物も有効な第二の層（ｎ）の形成の為の８１供給
用の出発物質として挙げる事が出来る。

こら等の・−ロダン原子（３）を含む硅素化合物を使用
する場合にも前述した様に層形成条件の適切な選択によ
って、形成される第二の層（ＩＩ）中にＳｔと共にＸを
導入することが出来る。

上記した出発物質の中で水素原子を含むノ・ロダン化硅
素化合物は、第二の層（ＩＩ）の形成の際に層中にハロ
ゲン原子（３）の導入と同時に電気的或いは光電的特性
の制御に極めて有効な水素原子（６）も導入するので、
本発明においては好適なノ〜ロケ゛ン原子（３）導入用
の出発物質として使用される。

本発明において第二の層（Ｉｆ）を形成する際に使用　
。

されるハロゲン原子（３）導入用の原料ガスとなる有効
な出発物賃上しては、上記したものの他に、例エバ、フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ　、
　Ｃ４Ｆ　、　ＣＬＦ、　、　ＢｒＦ５　、　ＢｒＦ３
．　ＩＦ５１　ＩＦ、　ＩＩＣＡ　、　ｌＢｒ等の／％
０ダン間化合物、ＨＦ　、　ＨＣｔ。

ＨＢｒ　、　Ｉ（Ｉ等のハロゲン化水素を挙げることが
出来る。

第二の層（ＩＩ）を形成する際に使用される酸素原子（
０）導入用の原料ガスになシ得るものとして有効に使用
される出発物質は、０を構成原子とする或いはＮと０と
を構成原子とする例えば酸素（ｏ２）ｔオシ”（０３）
ｓ−酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（Ｎｏ２）、−二酸
化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２ｏ５　）　ｒ四
二酸化窒素（Ｎ２Ｏ４）　＋三二酸化窒素（Ｎ２ｏ５）
　＊　三酸化窒素（Ｎｏ３）　、シリコン原子（Ｓｔ）
と酸素原子（０）と水素原子（６）とを構成原子とする
、例えば、ジシロキｔ　７　（Ｈ，５ｉＯ８ｉＨ，）　
＃　）す’／　ｏ　キサｙ（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ２０Ｓｉ
Ｈ３）等の低級シｏキサｙ等を挙げることが出来る。

本発明に於いて、第二の層（ＩＩ）をグロー放電法又は
スパッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガス
としては、所謂、希ガス、例えばＴＩｅ　ｒＮｅ　、　
Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於ける第二の層（［）は、その要求される特性
が所望通シに与えられる杵に注意深く形成される。

即ち、Ｓｌ、０、必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取シ、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質を、各々示すので、本発明
に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ　−（
Ｓ　ｉ　ｘｏ　、−ρア（Ｈ，Ｘ）、□ｙが形成される
様に、所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成され
る。例えば、第二の層（ＩＩ）を電気的耐圧性の向上を
主な目的として設けるにはａ　−（Ｓ　Ｚ　ｘｏ　、−
ｘ　）ｙ　（Ｈ’　Ｘ）１−　ｙは使用環境に於いて電
気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続縁返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の層（ＩＩ）が設けられる場合には上記
の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光
に対しである程度の感度を有する非晶質材料として”　
”−（ｓ’ｘｏ、−ｘ）ｙ　（Ｈ＊　Ｘ　）１−、　ｌ
ｒＥ作ｆＲされる。

第一の層（１）の表面にａ　−（５ｔｘｏ、−ｘ）、（
ｎ、ｘ）、−。

から成る第二の層ω）輸麦ｗＪ＼＼＼＼鷲％％Ｓ鼠拘、
１窒＼称へ嶌成箋第＼燭肩１ψ形成する際、層形成中の
支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左右する
重要な因子であって、本発明に於いては、目的とする特
性を有するａ−（ｓｌｘＯ４−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）１□が
所望通シに作成され得る様に層作成時の支持体温度が厳
密に制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の第二の層（ＩＩ）の形成法に併せて適宜最適温度範囲
が選択されて第二の層（Ｉｔ）の形成が実行されるが、
好ましくは２０〜４ｏｏ℃、よシ好適には５０〜３５０
℃、最適にはｉｏｏ〜３ｏｏ℃とされる。第二の層（Ｉ
Ｉ）の形成には、層を構成する原子の組成比の微妙な制
御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である事
等のために、グロー放電法やスパッターリング法の採用
が有利であるが、これ等の層形成法で第二の層（ＩＩ）
を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層形成
の際の放電パワーが作成されるａ−（Ｓ　ｔ　ｘｏ　１
−　ｘ　）ｙ　（Ｈ＊　Ｘ）　１−ｙの特性を左右する
重要な因子の一つである。

本発明に於ける目的が達成されるだめの特性を有するａ
　”’　（Ｓ　１　ｘｏ　１−　ｘ　）ｙ　（Ｈ＊　Ｘ
）　１−　ｙが生産性良く効果的に作成されるだめの放
電ノクワー条件は、好ましくは１．０〜３００Ｗ、よシ
好適には２．０〜２５０Ｗ１最適には５．０〜２００Ｗ
とされる。

堆積室内のガス圧は、好ましくは０．０１〜ＩＴｏｒｒ
１より好適には０．１−０．５　Ｔｏｒｒ程度とされる
。

本発明に於いては第二の層（Ｉｔ）を作成するだめの支
持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記し
た範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクター
は独立的に別々に決められるものではなく、所望特性の
ａ−（Ｓ　ｉ　、ｃｏ　１−ｘ　）ｙ　（Ｈｐ　Ｘ）　
１−ｙから成る第二の層（Ｉ［）が形成される様に相互
的有機的関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値
が決められるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第二の層（Ｉｔ）に含有さ
れる酸素原子の量は、第二の層Ｑｌ）の作成条件と同様
、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第二の
層（ｎ）が形成される重要な因子でおる。

本発明に於ける第二の層（Ｉｆ）に含有される酸素原子
の量は、第二の層（［１）を構成する非晶質材料の種類
及びその特性に応じて適宜所望に応じて決められるもの
である。

即ち、前記一般式ａ−（Ｓ　ｉ　ｘＯ’１−ｘ　）ｙ　
（Ｈ＊　Ｘ）　１−ｙで示される非晶質材料は、大別す
ると、シリコン原子と酸素原子とで構成される非晶質材
料（以後、ｒ　ａ−８ｉ、０ｌ−ａＪと記す。但し、０
　（ａ　（１）、シリコン原子と酸素原子と水素原子と
で構成される非晶質材料（以後、ｒ　ａ　−（Ｓｌ、Ｏ
，−、）ｃＨｌ−８」と記す。

但し、０〈ｂ、ｃ〈１）、シリコン原子と酸素原子とハ
ロダン原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶
質材料（以後、「ａ　−（ｓ　ｔ　、０１−．１　）。

（Ｈ，Ｘ）、−、Ｊと記す。但し０〈ｄＳｅ（１）、に
分類される。

本発明に於いて、第二の層（Ｉ［）がａ　−Ｓｔ、Ｏｌ
−、で構成される場合、第二の層（Ｉｆ）に含有される
酸素原子の量は、ａ　−Ｓ　ｉ　ａＯ、−ａのａの表示
で行えば、ａ力（好ましくは０．３３〜０．９９９９９
、よシ好適には０．５〜０．９９、最適には０．６〜０
．９である。

本発明に於いて、第二の層（ｎ）がａ　−（ｓ　ｔ　、
０１−ｂ　）ｃＨｌ−０で構成される場合、第二の層（
ｎ）に含有される酸素原子の量は、’　−（”’ｂ０１
−ｂ）ｃＨｌ−ｃの表示で行えばｂが好ましくは０．３
３〜０．９９９９９、よシ好適には０．５〜０．９、最
適には０．６〜０９、Ｃが好ましくは０６〜０．９９、
より好適には０．６５〜０．９８、最適には０．７〜０
．９５である。

第二の層（ＩＤが、ａ　−（ｓｔ、ｏ、−、）ｅｌ（ｕ
　、ｘ）、−６で構成される場合には、第二の層（ＩＩ
）中に含有される酸素原子の含有量は、ａ　−（Ｓ　ｉ
　ａＯ、−ａ　）。（ＨＩＸ）、−ｅのｄ、ｅの表示で
行えば、ｄが好ましくは０．３３〜０．９９９９９、よ
り好適には０．５〜０，９９、最適には０、６〜０．９
、ｅが好ましくは０．８〜０．９９、よシ好適には０．
８２〜０．９９、最適には０，８５〜０．９８である。

本発明に於ける第二の層（ｎ）の層厚の数範囲は、本発
明の目的を効果的に達成するたやの重要な因子の一つで
あシ、本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的
に応じて適宜所望に従って決められる。

又、第二の層（Ｉｔ）の層厚は、該層ω）中に含有され
る酸素原子の量や第一の層（１）の層厚との関係に於い
ても、各々の層領域に要求される特性に応じた有機的な
関連性の下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第二の層（ＩＩ）の層厚としては、好ま
しくは０．００３〜３０μ、よシ好適には０．００４〜
２０μ、最適には０．００５〜１０μとされる。

本発明において使用される支持体は、導電性であっても
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えばＸ　Ｎ　ｉ　Ｌ　ｒ　＋ステンレス、Ａｔ。

Ｃｒ　＋　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｎｂ　、　Ｔａ　ｒ　
Ｖ　、　Ｔｉ　ｒ　Ｐｔ　、　Ｐｄ等の金属又はこれ等
の合金が挙けられるＯ 電気絶縁性支持体としては、ポ１ジエステル、ポリエチ
レン、ポリカーゴネート、セルロースアセテート、ポリ
プロピレン、ＪＩＪ塩化ビニルー？１ノ塩化ビニリデン
、？リスチレン、？１ノアミド等の合成樹脂のフィルム
又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用され
る。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくとも
その一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面
０′Ｉ！ｌに他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

ｋＡ　、　Ｃｒ　＊　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　ｌｒ　＊　
Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　＋　Ｐｔ　ｒＰｄ
　、　Ｉｎ２Ｏ３，ＳｎＯ、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ，＋５ｎ
Ｏ２）等−ｉ−ら成る薄膜を設けることによって導電性
力量付与され、或イハホリエステルフイルム等の合成Ｉ
ｆｆ（ｌ］’ＥＴフィルムであれば、ＮｔＣｒ　、　ｋ
Ａ　＊　Ａｇ　＊　Ｐｂ　、　Ｚｎ　、　Ｎｉ　、　Ａ
ｕ　。

Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ｉｒ　ｒ　Ｎｂ　、　Ｔａ　ｒ　
Ｖ　＋　Ｔｉ　、　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電
子ビーム蒸着、ス／ｅツタＩＪング等でその表面に設け
、又は前記金属でその表面をラミネート処理して、その
表面に導電性力；付与される。支持体の形状は、円筒状
、ベルト状、板状勢任意の形状とし得、所望によって、
その形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材
１００を電子写真用像形成部材として使用するのであれ
ば、連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状
とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望通シの光導
電部材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材
として可撓性が要求される場合には、支持体としての機
能が充分発揮される範囲内であれば可能な限）薄くされ
る。百年ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上
、機械的強度等の点から、好ましくは１０μ以上とされ
る。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガステンペには、本発明の
光導電部材を形成するための厚相ガスが密封されておシ
、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈａで稀釈され
た５ｉＨ４ｆス（純度９９゜９９９９４　、以下Ｓ　ｉ
　Ｈ４７’ｉ（ｅと略す。）がンペ、１１０３はＨｅで
稀釈されたＧｅｔ（ａガス（純度９９．９９９％、以下
Ｇｅ　Ｔ（４／ｌ（ｅと略す。）ボンベ、１１０４はＨ
ｅで稀釈されたＳ　ｉＦ　４ガス（純度９９．９９１以
下Ｓ　ｔ　Ｆ　４Ａｅと略す。）テンペ、１１０５はＣ
２Ｈ４ｆス（純度９９．９９９チ）テンペ、１１０６は
Ｈ２ガス（純度９９．９９９チ）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガステ
ンペ１１０２〜１１０６のノぐルブ１１２２〜１１２６
　、リーク／Ｊルブ１１３５が閉じられていることを確
認し、又、流入ノ（ルブ１１１２〜１１１６、流出バル
ブ１１１７〜１１２１、補助）々シブ１１３２゜１１３
３が開かれていることを確認して、先づメインバルブ１
１３４を開いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排
気する。次に真空計１１３６の読み一／）；約５　Ｘ　
１０−’　ｔｏｒｒになった時点で補助ノぐルブ１１３
２゜１１３３、流出ノ９ルブ１１１７〜１１２１を閉じ
る。

次にシリンダー状基体１１３７上に第一の層（１）を形
成する場合の１例をあげると、ガステンペ１１０２より
ｓ　ｔ　Ｈ４Ａｅガス、ノｆスぎ／ぺ１１０３よ、り　
ＧｅＨ４／Ｈｅがス、ガステンペ１１０５よｐ　Ｃ２Ｈ
４カスヲノクルプ１．１２２，１１２３．１１２５を開
いて出口圧グーゾ１１２７．１１２８．１１３０の圧を
ｌ　ｋｇ　７　ｃｍ２に調整し、流入バルブ１１１２．
１１１３．１１１５を徐々に開けて、マスフロコントロ
ーラ１１０７，１１０８．１１１０内に夫々流入させる
。引き続いて流出ノ々ルブ１１１７゜１１１８．１１２
０、補助バルブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反
応室１１０１に流入返せる。このときのＳｉＨ４／１（
ｅガス流量とＧｅＨ４，／）（ｅガス流量とＣＨガス流
量との比が所望の値になるように流出４ バルブ１１１７．１１１８．１１２０を調整し、又、反
応室１１０１内の圧力が所望の値になるように真空計１
１３６の読みを見ながらメイン／？ルブ１１３４−（７
）開口を調整する。そして基体１１３７の温度が加熱ヒ
ーター１１３８によシ約５０〜４００℃の範囲の温度に
設定されていることを確認された後、電源１１４０を所
望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー放電を生
起させ所望時間グロー放電を維持して、所望層厚に、基
体１１３７上に第１の層領域（Ｇ）を形成する。所望層
厚に第１の層領域（Ｇ）が形成された段階に於いて、流
出バルブ１１１８を完全に閉じること、及び必要に応じ
て放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って
所望時間グロー放電を維持することで、第１の層領域（
Ｇ）上にゲルマニウム原子の実質的に含有されない第２
の層領域（Ｓ＞を形成することが出来る。

第２の層領域（Ｓ）中に伝導性を支配する４勿質を含有
させるには、第２の層領域（Ｓ）の形成の際に（ｆｌｌ
えば、８２Ｈ６ｒ　ＰＨ５等のガスを堆積室１１０１の
中に導入するガスに加えてやれば良い。

上記の様にして所定層厚に形成された第一の層（１）上
に第二の層（ＩＩ）を形成するには、第一の層（１）の
形成の際と同様なノ４ルプ操作によって、ｆｌｌえはＳ
ｉＨガス、ＮＯの夫々を必要に応じてＨｅ等の稀釈ガス
で稀釈して、所望の条件に従って、グロ一方に電を生起
させることによって成される。第二の層（ＩＩ）中に−
・ロダン原子を含有させるには、ｆ！ｌえばＳ　Ｉ　Ｆ
　４ガスとＣ２Ｈ４ガス、或いは、これにＳｉＨ４ガ゛
スをカロえて上記と同様にして第二の層（ＩＩ）を形成
することによって成される。

夫々の層を形成する際に必要ながヌの流出、Ｊ　／レブ
以外の流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、
又夫々の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが
反応室１１０１内、流出バルブ１１１７〜１１２１から
反応室１１０１内に至るガス配管内に残留することを避
けるために、流出・ぐルブ１１１７〜１１２１を閉じ、
補助バルブ１１３２．１１３３を開いてメインバルブ１
１３４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必
要に応じて行なう。

第二の層（ＩＩ）中に含有される酸素原子の量は例えば
、グロー放電による場合は５ｉＨ４ｊｆスと、Ｎｏガス
の反応室１１０１内に尋人される流量比を所望に従って
変えるか、或いは、スフ４ツターリングで層形成する場
合には、ターグットを形成する際シリコンウェハとＳｉ
Ｏ２板のス／ｅ、タ面積比率を変えるが、又はシリコン
粉末とＳｉＯ２粉末の混合比率を変えてターダウトを成
型することによって所望に応じて制御することが出来る
。第二の層（ＩＩ）中に含有されるハロゲン原子（３）
の量は、ハロダン原子導入用の原料ガス、例えば５ＩＦ
４がスが反応室１１０１内に導入される際の流量を調整
することによって成される。

又、層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るた
め基体１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転
させてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例　１ 第１１図に示した製造装置によシ、シリンダー状のＡＡ
基体上に第１表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しθ５．ＯｋＶで０．３ａｅｃ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光源はタングステンランプ光源
を用いＮ　２１ｕｘ、ａｅＣの光量を透過型のテストチ
ャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとΦヤリアー
を含む）を像形成部材表面にカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー面像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、０５、　ＯｋＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃度の画−像が得られた。

実施例　２ 第１１図に示した製造装置によシ、第２表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た〇こうして得られた像形成部材
に就いて帯電極性と現像剤の荷電極性の夫々を実施例１
と反対にした以外は実施例１と同様の条件及び手順で転
写紙上に画像を形成したところ極めて鮮明な画質が得ら
れた。

実施例　３ 第１１図に示した製造装置によシ、第３表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例　４ 実施例１に於いて、ＧｅＨ４／１（ｅガスとＳ　ｉ　Ｈ
４／）Ｉｅガガスガス流量比を変えて第１層中に含有さ
れるゲルマニウム原子の含有量を第４表に示す様に変え
た以外は、実施例１と同様にして電子写真用像形成部材
を夫々作成した。

こ°うして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
４表に示す結果が得られた。

実施例　５ 実施例１に於いて、第１層の層厚を第５表に示すように
変える以外は、実施例１と同様にして各電子写真用像形
成部材を作成した。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
５表に示す結果が得られた。

実施例　６ 第１１図に示した製造装置によシ、シリンダー状のｋＡ
基体上に第６表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しθ５．　ＯｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した。光源はタングステンランプ光
源を用い、２　ｔｕｘ、ｓｅｃの光量を透過型のテスト
チャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面にカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、０５、ＯｋＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮°明な高濃度の画像が得られた。

実施例　７ 実施例１に於いて光源をタングステンランプの代りに８
１０　ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーデ（１０ｍＷ）を用
いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同様の
トナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件で作
成した電子写真用像形成部材に就いてトナー転写画像の
画質評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現性の
良い鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例　８ 層（■）の作成条件を第７表に示す各条件にした以、　
外は、実施例２，３．６の各々と同様の条件と手順に従
って電子写真用像形成部材の夫々（試料塵８−２０１〜
８−２’０８．８−３０１〜８−３０８゜８−６０１〜
８−６０８の２４個の試料）を作成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫夫を個別
に複写装置に設置し、０５．　ｋｖで０．２ｓｅｃ間コ
ロナ帯電を行い、光像を照射した。光源はタングステン
ランプを用い、光量は１．　Ｏｌｕｘ、ｓｅｃとした。

潜像は■荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含む）に
よって現像され、通常の紙に転写された。転写画像は、
極めて良好なものであった。

転写されないで電子写真用像形成部材−ヒに残ったトナ
ーは、ゴムブレードによってクリーニングされた。この
ような工程を繰シ返し１０万回以上行っても、いずれの
場合も画像の劣化は見られなかった０ 各、試料の転写画像の総合画質評価と操返し連続使用に
よる耐久性の評価の結果を第７Ａ表に示す。

実施例　９ 層（ＩＩ）の形成時、ＡｒとＮＯの混合ガス−とシリボ
ンウェハと８１０２のターゲツト面積比を変えて、層（
ＩＩ）に於けるシリコン原子と酸素原子の含有量比を変
化させる以外は、実施例１と全く同様な方法によって像
形成部材の夫々を作成した。こうして得られた像形成部
材の夫々につき、実施例１に述べた如き、作像、現像、
クリーニングの工程を約５万回繰シ返した後画像評価を
行ったところ第８表の如き結果を得た。

実施例　１０ 層（ＩＩ）の層の形成時、ＳｉＨ４ガスとＮｏガスの流
量比を変えて、層（■）に於けるシリコン原子と酸素原
子の含有量比を変化させる以外は実施例１と全く同様な
方法によって像形成部拐の夫々を作成した。

こうして得られた各像形成部拐につき、実施例１に述べ
た如き方法で転写までの工程を約５万回繰り返した後、
画像評価を行ったところ、第９表の如き結果を得た。

実施例　１１ 層（ＩＩ）の層の形成時、ＳｉＨ４ガス、５ＩＦ４ガス
、Ｎ。

ガスの流量比を変えて、層（ｎ）に於けるシリコ、ン原
子と酸素原子の含有量比を変化させる以外は、実施例１
と全く同様な方法によって像形成部材の夫夫を作成した
。こうして得られた各像形成部材につき実施例１に述べ
た如き作像、現像、り１ノ一二ングの工程を約５万回繰
シ返した後、画像評価を行ったところ第１０表の如き結
果を得た。

実施例　１２ 層（ＩＩ）の層厚を変える以外は、実施例１と全く同様
な方法によって像形成部材の夫々を作成した。

実施例１に述べた如き、作像、現像、り１ノーニングの
工程を繰り返し第１１表の結、果を得た。

第　１１　表 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：ｒルマニウム原子（Ｇｅ　）含有層・・・約
２００℃ダルマニウム原子（Ｇｅ　）非含有層・・・約
２５０℃放電周波数：　１３．５６　Ｍ［（ｚ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部羽の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々層領域（Ｃ
）中の炭素原子の分布状態を説明する為の説明図、第１
１図に於いて本発明の光導電部材を作製する為に使用さ
れた装置を例示する模式的説明図である。 １００・・・光導電部材　１０１・・・支持体１０２・
・・第一の層（１）１０３・・・第二の層（■）１０４
・・・第１の層領域（Ｇ） １０５・・・第２の層領域（Ｓ） −一一一→−Ｃ 手続補正書 昭和（７年１１　月）−９日 特許庁長官志賀　学　殿 事件との関係　出　願　人 （Ｉ’　１ｉｌｒ　（１＆ｉ’ｌｉ）東京都大田区下丸
子３丁！−１δ（Ｊ　ｉ（！’２υ・１”ｉ：　、ｇ　
（ｆ［；）　（１００）キャノン株式会？１・４、代理
人 住　所　東京都千代田区丸の内２丁目６番２号丸の内へ
重洲ビル３３０明細書の発明の詳細な説明の欄 ８、補正の内容　別紙のとおり 補　正　書 ・本願明細書中下記事項を補正いたします。 記 １、第５２頁１０行目に 「０．５〜０．８」　とあるを ［０，５〜０　、．９９　ｊと訂正する。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部制用の支持体と、該支持体上に、ダルマ
   ニウム原子を含む非晶質材料で構成された第１の層領域
   （Ｇ）と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光
   導電性を示す第２の層領域（Ｓ）とが前記支持体側より
   順に設けられた層構成の第一の層と、シリコン原子と酸
   素原子とを含む非晶質材料で構成された第二の層とを有
   し、前記第一の層中には炭素原子が含有されている事ｆ
   ｔ％徴とする光導電部材。
2. （２）第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）の少
   なくともいずれか一方に水素原子が含有されている特許
   請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
3. （３）第１の層領域←）及び第２の層領域（Ｓ）の少な
   くともいずれか一方にハロダン原子が含有されている特
   許請求の範囲第１項又は同第２項に記載のＡ１　、鯰　
   劉晋　立■±十