JPS6057983A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、８Ｎ比〔光電流（Ｉ、）
　／暗電流（Ｉｄ）　）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無害であること、更には
固体層像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。殊に、
事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組
込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用
時における無害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目きれている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材への応用、
独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置
への応用が記載されている。

しかしながら、従来のａ−８ｌで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度。

光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の点にお
いて、結合的な特性向上を計る必要があるという更に改
良される可き点が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光４電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる、或いは、高
速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８１は可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、また通常使用されているハロダンラン
プや螢光灯を光源とする場合、長波長側の元金有効に使
用し得ていないという点に於いて、夫々改良される余地
が残っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて充分吸
収されずに支持体に到達する光の倉が多くなると、支持
体自体が光導電層を透コ謁して来る光に対する反射率が
高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干渉
が起って、画像の「Ｍヶ」が生ずる一要因となる。

この影醤は、解像度を上ける為に照射スポットを小さく
する程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場合
には大きな問題となっている。

更に、ａ−８ｉ材料で光導電層全構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために水素原子或
いは弗素原子等のハロゲン原子が、及び電気伝導型の制
御のために硼素原子や燐原子等が、或いはその他の特性
改良のために他の原子が、各々構成原子として光導電層
中に含有はれるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によっては、形成した層の電気的或いは光導電的特性に
問題が生ずる場合がるる。

即ち、例えば、形成した光導Ｎ層中に光照射に（５） よって発生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分
でないこと、或いは暗部において、支持体側よりの電荷
の注入の阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なく
ない。

更には、層厚が十数μ以上になると、層形成用の真空堆
積室よシ取シ出した後、空気中での放置時間の経過と共
に、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂
が生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この功、象は
、殊に支持体が、通常電子写真分野に於いて使用されて
いるドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性
の点に於いて解決される可き点がある。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で、光導電部材を設計する際に上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は、上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉ
に就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置
等に使用される光導電部材としての適用４・十とその応
用性という観点から総括的に鋭意（６） 研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体とし、水素
原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少
なくとも含有するアモルファス羽村、所謂水素化アモル
ファスシリコン、ハロゲン化アモルファスシリコン、或
いはハロゲン含有水素化アモルファスシリコン〔以後こ
れ等の総称的表記として［ａ−８１（）Ｉ、Ｘ）　Ｊを
使用する〕から構成され、光導電性を示す光受容層を有
する光導電部材の層構成を、以後に説明される様に特定
化して設計されて作成された光導電部材は、実用上著し
く優れた特性を示すばかりでな〈従来の光導電部材と較
べてみてもあらゆる点において凌駕していること、殊に
電子写真用の光導電部材として著しく優れた特性を有し
ていること、及び長波長側に於ける吸収スペクトル特性
に優れていることを見出した点に基いている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であシ
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であシ、層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保持
能が充分あシ、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下が
殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導電
部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が宕
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子とダルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成
された第１の層領域およびシリコン原子を含む非晶質材
料で構成され光導電性を示す第２の層領域とが前記支持
体側よシｊ＠に設けられた層構成の光受容層とを有し、
前記第１の層領域中に於けるゲルマニウム原子の分布状
態が層厚方向に不均一であって、前記第１の層領域に伝
導性を支配する物質が含有され、前記光受容ｊ−には炭
素原子が含有されている事を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様鈍して設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸間匙の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性
及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた（９） 場合には、画像形成への残留電位の影響が全くなく、そ
の電気的特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有す
るものであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃
度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高
い、高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される光受容
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

（１０） 以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、光受容層１０２全有し、該光受
容Ｍ１０２は自由表面１０５を一方の端面に有している
。

光受容層１０２は支持体１０１側よりｙルマニウムＪＪ
ｉ、子を含有するａ−ｓｔ（Ｈ，ｘ）　（以後ｒａ−８
＋Ｇｅ（Ｈ，Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の
層領域（Ｇ）　１０３と、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れ光導電性を有する第２の層領域（Ｓ）　１０４とが順
に積層された層構造を有する。

第１の層領域（Ｇ）　１０３中に含有されるゲルマニウ
ム原子は、核第１の層領域（Ｇ）１０３の層厚方向には
連続的であって、且つ前記支持体１０１の設けられであ
る側とは反対の側（光受容層１０２の表面１０５側）に
対し前記支持体１０１側の方に多く分布した状態となる
様に前記第１の層領域（Ｇ）１０３中に含有される。

本発明の光導電部材１００に於いては、少なくとも第１
の層領域（Ｇ）１０３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）
が含有されており、笛１の層領域（２）１０３に所望の
伝導特性が与えられている。

本発明に於いては、第１の層領域ｐ）１０３に含有され
る伝導特性を支配する物質（Ｃ）は、第１の層領域１）
１０３の全層領域に１偏なく均一に含有されても良く、
また第１の層領域Ｃ）１０３の一部の層領域に偏在する
様に含有されても良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質Ｃ）を第１の層
領域り）の一部の層領域に便存する様に第１の層領域Ｇ
）中に含有させる場合には、前記物質Ｉｌｌ’）の含有
される層領域（ＰＮ）は、第１の層領域Ｇ）の端部層領
域として設けられるのが望ましいものである。殊に、第
１の層領域Ｇ）の支持体側の端部層領域として前記層領
域（ＰＮ）が設けられる場合には、該層領域（ＰＮ）中
に含有される前記物質Ｃ）の種類及びその含有絹ヲ所望
に応じ適宜選択することによって、支持体から光受容層
中への特定の極性の電荷の注入を効果的に阻止すること
が出来る。

本発明の光導電部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一部を構成する第
１の層領域り）中に、前記した様に該層領域←）の全域
に１偏なく、或いは層厚方向に偏在する様に含有させる
ものであるが、更には、第１の層領域←）上に設けられ
る第２０層領Ｍ　（Ｓ）中にも前記物質（Ｃ）を含有さ
せても良いものである。

第２の層領域（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場
合には、第１の層領域■中に含有される前記物質（Ｃ）
の種類やその含有量及びその含有の仕方に応じて、第２
の層領域（Ｓ）中に含有させる物質（Ｃ）の種類やその
含有量、及びその含有の仕方が適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層領域（Ｓ）中に前記物質（
Ｃ）　Ｗ含有させる場合、好ましくは、少々くとも第１
の層領域＠）との接触界面を含む層領域中に前記物質を
含有させるのが望ましいものである。

本発明に於いては、前記物質（Ｃ）は第２の層領域（１
３） （Ｓ）の全層領域に１偏なく含有させても良いし、或い
は、その一部の層領域に均一に含有させても良いもので
ある。

第１の層領域Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）の両方に伝導特
性を支配する物質り）を含有させる場合、第１の層領域
り）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と
、第２の層領域（Ｓ）に於ける前記物質Ｃ）が含有され
ている層領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ま
しい。又、第１の層領域Ｃ）と第２の層領域（Ｓ）とに
含有される前記物質（Ｃ）は、第１の層領域（Ｇ）と第
２の層領域（Ｓ）とに於いて同種類でも異種類であって
も良く、又、その含有量は各層領域に於いて、同じでも
異っていても良い。

しかしながら、本発明に於いては、各層領域に含有され
る前記物質（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には
、第１の層領域ＩＧ）中に含有量を充分多くするか、又
は、電気的特性の異なる種類の物質Ｃ）を、所望の各層
領域に夫々含有させるのが好ましいものである。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成（１４） する第１の層領域り）中に伝導特性を支配する物質Ｃ）
金含有させることによシ、該物質（Ｃ）の含有される層
領域〔第１の層領域り）の一部又は全部の層領域のいず
れでも良い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御する
ことが出来るものであるが、この様な物質としては、所
謂、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、
本発明に於いては、形成される光受容層を構成するａ−
８ｉＧａ　（Ｈ，Ｘ）に対して、ｐ型伝導特性を与える
ｐ型不純物及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げ
ることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）　＋　ｈｔ
　（アルミニウム）　、　Ｇａ　（ガリウム）。

Ｉｎ　（インジウム）　、　Ｔｔ　（タリウム）等があ
シ、殊に好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａである。ｎ型
不純物としては、周期律表第■族に属する原子（第■族
原子）、例えば、Ｐ（燐）、　Ａｓ　＜砒素）。

ｓｂ　（アンチモン）　、　Ｂｌ　（ビスマス）等であ
シ、殊に、好適に用いらｎるのは、Ｐ　、　Ａｓである
。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導特性、或いは該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質Ｃ）の含有
量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５　Ｘ　１０　ａｔｏ＋ｎｌｃ　ｐｐｍ　、
より好適には０．５〜ｌ　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ　＋最適には１〜５×１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｍ
とされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃりが含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍり上、よシ好適
には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１００
　ａｔｏｍｌｅ　ｐｐｍ以上とすることによって、例え
ば該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合に
は、光受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受けた際
に、支持体側からの光受容層中への電子の注入を効果的
に阻止することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）
が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面が
ｅ極性に帯電処理を受けた際に、支持体側から光受容層
中への正孔の注入を効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）　１ｆｔ除いた部分の層領域（２）には、層領域（Ｐ
Ｎ）に含有される伝導特性を支配する物質（Ｃ）の伝導
型の極性とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物
質（Ｃ）を含有させても良いし、或いは同棲性の伝導型
を有する伝導特性を支配する物質（ｃ）　ｔ　、層領域
（ＰＮ）に含有させる実際の量よシも一段と少ない量に
して含有させても良いものである。

この様な場合、前記層領域＠）中に含有される前記伝導
特性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領域（
ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有（１７
） 量に応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、
好壕しくは０．００１〜１０００ａｔ１０００ａｔｏ＋
よシ好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
　ａ最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍと
されるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域＋２）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）　’に含有させる場合
には、層領域儲）に於ける含有量としては、好ましくは
３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層中に一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層仲域とを、直に接触する様に設けて該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。つまシ、例えば光
受容層中に前記のｐ型不純物を含有する層領域と前記の
ｎ型不純物を含有する層領域とを直に接触する様に設け
て、所謂ｐ−ｎ接合を形成して空乏層を設けることが出
来る。

本発明の光導電部材においては、第１の層領域（１８） Ｏ）中に含有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層
厚方向においては、前記の様な分布状態を取シ、支持体
の表面と平行な面内方向には均一な分布状態とされるの
が望ましいものである。

本発明に於いては、第１の層領域り）上に設けられる第
２の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有され
ておらず、この様な層構造に光受容層を形成することに
よって、可視光領域を含む比較的短波長から比較的短波
長迄の全頭載の波長の光に対して光感度が優れている光
導電部材とし得るものである。

又、第１の層領域＠）中に於けるゲルマニウム原子の分
布状態は、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布
し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体
側よル第２の層領域（Ｓ）に向って減少する変化が与え
られているので、第１の層領域Ｏ）と第２の層領域（Ｓ
）との間に於ける親和性に優れ、且つ後述する様に、支
持体側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極
端に大きくすることによシ、半導体レーザ等を使用した
場合の第２の層領域（Ｓ）では殆んど吸収し切れない長
波長側の光を、第１の層領域（Ｇ）に於いて実質的に光
合に吸収することが出来、支持体面からの反射による干
渉を防止することが出来る。

又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域Ｏ）
と第２の層領域（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々が
シリコン原子という共通の構成要素を有しているので、
積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成されて
いる。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の
層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度ｃ　′ｆ％縦軸は、第１の層領域＠）の層厚
ヲ示し、ｔＢは支持体側の第１の層領域Ｇ）の端面の位
置金、ｔＴは支持体側とは反対側の第１の層佃＃←）の
端面の位置を示す。即ち、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層領域Ｏ）はｔＢ側よシｔＴ側に向って層形成
がなさ扛る。

第２図には、第１の層領域←）中に含有されるケ・ルマ
ニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示さ
れる。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層領域り）が形成される支持体の表面と、該菓
１の層領域り）の表面とが接する界面位置１Ｂよシｔ１
の位置までは、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣ１な
る一定の値を取シ乍らゲルマニウム原子が形成される第
１の層領域り）に含有され、位置ｔ１よりは濃度Ｃ２よ
シ界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減少されてい
る。界面位置ｔＴにおいてはゲルマニウム原子の分布濃
度ＣはＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＩｌよシ位置１Ｔに至る
まで濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにお
いて濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢよシ位置ｔ２まではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６の一定値（２１） とされ、位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連
続的に減少され、位置１Ｔにおいて、分布濃度Ｃは実質
的に零とされている（ここで実質的に零とは検出限界忙
未滴の場合である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、
位置ｔＢよシ位置ｔＴに至るまで濃度Ｃ８よ多連続的に
徐々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされて
いる。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置１Ｂと位置ｔ３間においては濃度Ｃ２と一
定値であり、位置ｔ、においては濃度Ｃ１゜される。位
置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的
に位置ｔ３よシ位置ｔＴに至るまで減少さ扛ている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
よｐ位置ｔ４までは濃度Ｃ１，の一定値を取シ、位置ｔ
４よ多位置ｔＴまでは濃度Ｃ１２より濃度Ｃ１３まで一
次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴ（２
２） に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ４
４よシ実質的に零に至る様に一次関数的に減少している
。

第９図においては、位置ｔＢより位＃ｔ５に至る１では
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ｃ、５よル濃度Ｃ
１６″！で一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔＴ
との間においては、濃度ｃ、６の一定値とされた例が示
さｎている。

第１０図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置ｔＢにおいて濃度ｃ、７であシ、位置
ｔ６に至るまではこの濃度ｃ、７より初めはゆっ〈シと
減少され、ｔ６の位置付近においては急激に減少されて
位置ｔ６でＦｉ濃度ｃ、８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
さ扛て、その稜は緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で濃
度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では極めて
ゆっくりと徐々に減少されて、位＆−１８において濃度
Ｃ２ｏに至る。位置ｔ８と位置ＬＴＯ間においては濃度
Ｃ２ｏよシ実質的に零に々る様に図に示す如き形状の曲
線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図により、第１の層領域Ｏ）中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支
持体側においてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い部
分を有し、界面ｔ、側においては、前記分布濃度Ｃは支
持体側に較べて可成勺低くされた部分を有するゲルマニ
ウム原子の分布状態が第１の層領域り）に設けられてい
る。

本発明に於ける光導電部材を構成する光受容層を構成す
る第１の層領域（Ｇ）は、好ましくは上記した様に支持
体側の方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有され
ている局在領域（Ａ）’を有するのが望ましい。

本発明に於いては、局在＠域（４）は、第２図乃至第１
０図に示す記号を用いて説明すれば、界面位１−ｒｔＢ
より５μ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明においては、上記局在領域α）は、界面位置ｔＢ
よ＃）５μＲ１での全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（ト）を層領域（ＬＴ）の一部とするが又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ａ）は、その中に含有されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分布状態として、ゲルマニウム原子の分
布濃度の最大値Ｃｍａ　ｘがシリコン原子に対して、好
ましくは１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、よシ好
適には５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　ＪＪ上、最適
にはＩ　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる
様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望ましい
。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る光受容層は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔＢか
ら５μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａ　ｘが存
在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明において、第１の層領域中に含有されるゲルマニ
ウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達
成される様に所望に従って適宜法（２５） められるが、好１しくは１〜９．５　Ｘ　１０　ａｔｏ
ｍｉｃＰＰｍ％　よシ好ましくは１００〜８　Ｘ　１０
　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ％最適には５００〜７　Ｘ　１０
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層領域し）と第２の層領域（Ｓ）
との層厚け、本発明の目的を効果的に達成させる為の重
要な因子の１つであるので、形成される光導電部材に所
望の特性が充分与えられる様に、光導電部材の設剖の際
に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域り）の層厚ＴＢは、好ま
しくは３０Ｘ〜５０μ、より好ましくは４０Ｘ〜４０μ
、最適には５０１〜３０μとされるのが望ましい。

又、第２の層領切（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５
〜９０μ、より好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５
０μとされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層領域（Ｓ）の
層厚Ｔの和（ＴＢ十Ｔ）としては、両層領域に要求され
る特性と光受容層全体に要求される特性との相互（２６
） 間の有機的関連性に基いて、光導電部材の層設計の際に
所望に従って適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（Ｔ、十Ｔ）の
数値範囲としては好ましくは１〜１００μ、よシ好適に
は１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望まし
い。

本発明のよシ好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴ、／Ｔ≦１　
なる関係を満足するように、夫々に対して適宜適切な数
値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくはＴＢ／Ｔ≦０，９、最適にはＴ
、／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ及び
層厚Ｔの値が決定されるのが望ましい。

本発明に於いて、第１の層領域り）中に含有されるゲル
マニウム原子の含有量がｌＸｌ０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ以上の場合には、第１の層領域Ｏ）の層厚ＴＢとして
は成可〈薄くされるのが望ましく、好ましくは３０μυ
下、よシ好ましくは２５μ以下、最適には２０μ以丁と
されるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて光受容層全構成する第１
の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）中に含有される
ハロゲン原子（至）としては、具体的にはフッ素、塩素
、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適な
ものとして誉げることか出来る。

本発明において、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ＋Ｘ）で構成される
第１の層領域す）全形成するには、例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンシレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ−８ＩＧｅ（Ｔ（、Ｘ
）で構成される第１の層領域（Ｇ）　’に形成するには
、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）　を供給し得るＳｔ
供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇｅ　）を供
給し得るＧｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原
子＠）導入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子閃導入
用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆９＜　ｇ内に所
望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電全
生起させ、予め所定位置に設置されである所定の支持構
表面上に、含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所
望の変化率曲線に従って制御し乍らａ−８ｉＧｅ　（Ｈ
，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリ
ング法で形成する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈａ等の
不活性ガス又はこれ等のガスをペースとした混合ガスの
雰囲気中で、Ｓｌで構成されたターｒ２ト、或いは該タ
ー？、）とＧｓで構成されたターｆ、）の二枚、又はＳ
ｔとＧｅの混合されたターダッ）ｋ使用して、必要に応
じてＨｅ　、　Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給
用の原料ガスを、必要に応じて水素原子卸又は／及びハ
ロゲン原子（イ）導入用のガスをスノやツタリング用の
堆積室に導入し、所望のがスのプラズマ雰囲気を形成す
ると共に、前記Ｇｅ供給用の原料ガスのがス流量を所望
の変化率曲線に従って制御し乍ら前記のターゲットをス
・セツタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着デートに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビ
ーム法（ＥＢ法）等（２９） によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガラスプラ
ズマ芽囲気中を通過させる以外は、スパッタリング法の
場合と同様にする事で行うことが出来る。

本発明において使用される別供給用の原料ガスと成り得
る物質としては、５ＩＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，８１３Ｈ８゜
５ｉ４Ｈ，ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、ＳＩ供給効率の良
さ等の点で５ＩＨ４，Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして
挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料がスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
ａ　ｒ　Ｇ１１２Ｈ６＋　Ｇ（１３Ｈ８＊　Ｇｅ４Ｊ（
１＊　Ｇｅ５Ｈ１２＊Ｇｅ６Ｈ，４１Ｇｏ、Ｈ２６Ｔ　
Ｇｅ６Ｈ，８１Ｇ６９Ｈ２０等のガス状態の又はガス化
し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供
給効率の良さ等の点でＧａＨ＋　Ｇｅ　Ｈ、Ｇｅ、ＨＢ
が好ましいものとして挙げ４　２６ られる。

（３０） 本発明において使用される・・ロダン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げら
れ、例えばハロダンガス、ハロダン化物、ハロゲン間化
合物、ハロダンで置換されたシラン誘導体等のガス状態
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は桔げることか出来る。

本発明において好適に使用し得るハロダン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハＯｊ
’ンガス、ＢｒＦ　、　Ｃ１Ｆ　、　ＣｌＦ５．ＢｒＦ
５゜ＢｒＦ、　、　ＨＦ３．ＩＰ、　、　ＩＣ１、ＨＢ
ｒ寺の／Ｎ　Ｃ１）ｆ　ン間化合物を挙げることが出来
る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂ハロゲン原子で置
換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳｉ
Ｆ４．８１２Ｆ６．５ｉＣ１４，Ｂ１Ｂｒ４等のハロゲ
ン化硅累が好ましいものとして挙げることが出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にｓｔ　’１供
給し得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなく
とも、所望の支持体上に−・ロダン原子を含むａ−８Ｉ
Ｇｅから成る第１の層領域←）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ノ・ロダン原子を含む第１の層
領域（Ｇ）　全作成する場合、基本的には、例えばＳ１
供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅累とＧｅ供給用の
原料ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ　＊　Ｈ２Ｃ
Ｈｅ等のガス等金、所定の混合比とガス流量になる様に
して第１の層領域（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グ
ロー放電を生起してこれ等のガスの！ラズマガ囲気を形
成することによって、所望の支持体上に第１の層領域（
Ｑを形成し得るものであるが、水素原子の黒人割合の制
御を一層が易になる様に計る為に、これ等のガスに更に
水素ガス又は水素原子葡含む硅素化合物のガスも所望量
混合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スペックリング法、イオンシレーティング法の何れの場
合にも形成される層中に７・ロダン原子を導入するには
、前記の）・ロダン化合物又は前記のハロゲン原子を含
む硅素化合物のガスを、堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

父、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えばＢ２、或いは前記したシラン類又は／及
び水素化ゲルマニウム等のガス類をスノ４　ｙタリング
用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形
成してやれば良い。

（３３） 本発明においては、ノ・ロダン原子導入用の原料ガスと
して上記されたノーロダン化合物或いはノーロダンを含
む硅素化合物が有効なものとして使用さｎるもノテある
が、その他に、ＨＦ、ＨＣｔ、ＨＢｒ　、ＨＩ等のハロ
ゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２，５ｉＨ２Ｉ２，５ｉＨ２Ｃ
ｔ２゜５ＩＨＣ１３，５ＩＨ２Ｂｒ２，５ｉＨＢｒ３等
のノーロダン置換水素化硅素、及びＧｅＨＦ３．ＧｅＢ
２Ｆ２　、Ｇｅａ、Ｆ’　＊ＧｅＨＣｌ５　、ＧａＨ２
Ｃ２２゜ＧｅＨＣｔ、ＧｅＨＢｒ５．Ｇｅ）Ｉ２Ｂｒ２
．ＧｅＨ，Ｂｒ、ＧｅＨＩ、、ＧｅＢ２Ｉ２゜ＧｅＨ３
Ｉ　％の水素化ハロダン化ダルマつウム等の水素原子を
構成要素の１つとするノ・ロダン化物、ＧｅＦ４＊Ｇｅ
Ｃｌ４＋Ｇ１１Ｂｒ４　、Ｇｏ　Ｉ　４＋ＧｅＦ２　＋
ＧｅＣ１２ｔＧｅ　Ｂｒ　２　、Ｇｅ　Ｉ　２等ノハロ
ゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し
得る物質も有効な第１の層領域（０形成用の出発物質と
して挙げる事が出来る。

これ等の物質の中水素原子を含む）＼ロダン化物は、第
１の層領域（Ｇ）形成の際に層中にノ・ロダン原子の導
入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効
な水素原子も導入されるので、本発明においては好適な
ノ・ログン導入用の原料として使用される。

（３４） 水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導入するＫ
Ｕ、上記の他ニＨ２、或いはＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６゜８
１、Ｈ８，５ｉ４Ｈ，。等の水素化硅素を、Ｇｅを供給
する為のダルマニウム又はｒルマニウム化合物と、或い
はｓ　ＧｅＨ４、Ｇｅ　２Ｈ６１Ｇｌｌ　５ＨＢ　＊Ｇ
＠　４Ｈ１０＋　Ｇｅ　５”１２　、Ｇ６６Ｈ，４゜Ｇ
ｅ　７Ｈｔ　６．Ｇｅ　６ＨＩ　Ｂ　＋Ｇｅ　、Ｈ２ｏ
等の水素化ゲルマニウムと、Ｓｉを供給する為のシリコ
ン又はシリコン化合物と、を堆積室中に共存させて放電
を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第１の層領域（Ｇ）中に含有さｎる水素原子（ロ）の量
、又はハロゲン原子（３）の址、又は水素原子とハロダ
ン原子の址の和（Ｈ十Ｘ　）は好ましくは０、０１〜４
０　ａｔｏｍｉｃ％　、より好適には０．０５〜３０　
ａｔｏｍｉｃｌ！、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍｌ
　ｃ％とされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（ロ）又Ｕ
及びハロダン原子閃の量を制御するには、例えば支持体
温度又は／及び水素原子（ロ）、或いはハロゲン原子（
３）を含廟させる為に使用される出発物質の堆積装置系
内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層領域
（Ｇ）形成用の出発物質（１）の中よシ、Ｇ供給用の原
料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層領域
（Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して、第１の要
領Ｍ　（Ｇ）を形成する場合と同様の方法と条件に従っ
て行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには、例えばグロー放
電法、スフ４ツタリング法、或いはイオンル−ティング
法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される
。例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）
で構成される第２の層領域（Ｓ）を形成するには、基本
的には前記したシリコン原子（Ｓｔ）を供給し得る８４
供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｉ（
）導入用の又は／及びハロダン原子（３）導入用の原料
ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して該堆積
室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置され
である所定の支持表面上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる
層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成す
る場合には、例えはＡｒ、Ｈｓ等の不活性又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中で、Ｓｉで構成
されたター１’ツトをスパッタリングする際、水素原子
（刊又は／及びハロダン原子（３）導入用のガスをスパ
ッタリング用の堆積室に導入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（６）の量、又は
ハロゲン原子（３）の量、又は水素原子とハロゲン原子
の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍ
ｉｃチ、よシ好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃチとされ
るのが望ましい。

光受容層を構成する層領域中に、送導特性全制御する物
質（Ｃ）、例えば第■族原子或いは第■族原子を構造的
に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）
を形成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の出
発物質或いは第■族原子導入用の出発物質ケガス状態で
、堆積室中に光受容層を形（３７） 成する為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。こ
の様な第■族原子導入用の出発物質と成シ得るものとし
ては、常温常圧でガス状の、又は少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望せしい
。その様な第■族原子導入用の出発物質として具体的に
は、硼素原子導入用としては、８２Ｈ６，８４Ｈ，。、
Ｂ５Ｈ２ｒ　Ｂ５Ｈ１，ｒ　Ｂ６Ｈ１゜。

Ｂ６Ｈ１２，Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ、　＊　
ＢＣｌ３．　ＢＢｒ　３等のハロゲン化硼素等が挙げら
れる。この他、ＡｔＣｔ３゜ＧａＣｌ２．Ｇａ（ＣＨ３
）、、ＩｎＣｌ２．ＴｔＣｔ３等も挙げることが出来る
。

第■族原子導入用の出発物質として本発明において有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３＋Ｐ
２Ｈ４等の水素比隣ｔ　ＰＨ４Ｉ　、ＰＦ、　、ｐＦ５
．ＰＣｌ、。

ＰＣｌ５．ＰＢｒ３．Ｐｌｒ５．　ＰＩ３等のハｔｆｆ
　）１”　ン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨＡｓＦ
　ＡｓＣｔ＋Ａｌ１Ｂｒ３＋ＡｌＦ３＋３１　４５１　
５ ８ｂＨ３，ＳｂＦ５．ＳｂＦ５，５ｂＣｔ、、５ｂＣｔ
５．ＢｉＧ、、ＢｉＣｔ、＃旧Ｂｒ。

等も第■族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙
げることが出来る。

本発明の光導電部材に於いては１高光感度化と（３８） 高暗抵抗化、更には、支持体と光受容層との間の密着性
の改良を計る目的の為に、光受容層中には、炭素原子が
含有される。光受容層中に含有される炭素原子は、光受
容層の全層領域に万偏なく含有されても良いし、或いは
、光受容層の一部の層領域のみに含有させて偏在させて
も良い。

又、炭素原子の分布状態は、分布濃度Ｃ（Ｃ）が光受容
層の層厚方向に於いては、均一であっても、また第２図
乃至第１Ｏ図を用いて説明したゲルマニウム原子の分布
状態と同様に不均一であっても良い。

つまり、炭素原子の分布濃度ｃ　（ｑが層厚方向に不均
一である場合の炭素原子の分布状態は、第２図乃至第１
Ｏ図を用いてゲルマニウム原子の場合と同様に説明され
得る。

本発明に於いて、光受容層に設けられる炭素原子の含有
されている層領域（Ｃ）は、光感度と暗抵抗の向上を主
たる目的とする場合には、光受容層の全層領域を占める
様に設けられ、支持体と光受容層との間の密着性の強化
を計るのを主たる目的とする場合には、光受容層の支持
体側端部領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の含
有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、後
者の場合には、支持体との密着性の強化を確実に計る為
に比較的多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、光受容層の
自由表面側に於いて比較的低濃度に分布させるか、或い
は、光受容層の自由表面側の表層領域には、炭素原子を
積極的には含有させない様な炭素原子の分布状態を層領
域（Ｑ中に形成すれば良い。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（Ｃ）に
含有される炭素原子の含有量は、層領域（Ｃ）自体に要
求される特性、或いは該層領域（Ｃ）が支持体に直に接
触して設けられる場合には、該支持体との接触界面に於
ける特性との関係等、有機的関連性に於いて適宜選択す
ることが出来る。

又、前記層領域（Ｃ）に直に接触して他の層領域が設け
られる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層領域
との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、炭素
原子の含有量が適宜選択される。

層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の量は、形成され
る光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適
宜法められるが、好ましくは、０．００１〜５０ａｔｏ
ｍｉ＠％、よシ好ましくは０．００２〜４０ａｔｏｍ１
ｃチ、最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍｌｃ％とさ
れるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（Ｑが光受容層の全域を占める
か、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層領域（
Ｃ）の層厚’ｒｃの光受容層の層厚Ｔに占める割合が充
分多い場合には、層領域（Ｃ）に含有される炭素原子の
含有量の上限は前記の値よシ充分少なくさく４１） れるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（Ｃ）の層厚ＴＣが光受容層
の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる様な
場合には、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の量の
上限としては、好ましくは３０ａｔａｎｉｅ％以下、よ
υ好ましくは２０　ａｔｏｍｌｅ％以下、最適には１０
ａｔｏｍｌｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する炭素原子の含有さ
れる層領域（Ｃ）は、上記した様に支持体側の方に炭素
原子が比較的高濃度で含有されている局在領域ＣＢ）を
有するものとして設けられるのが望ましく、この場合に
は、支持体と光受容層との間の密着性をより一層向上さ
せることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置ｔＢよシ５μ以内に設け
られるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂｊす５μ厚までの全層領域（ＬＴ　）とされる場合も
あるし、又、層領域（Ｌ、）の一部とされる場合もある
。

（＝１２　） 局在領域（Ｂ）　ｅ層領域（ＬＴ　）の一部とするか又
は全部とするかは、形成される光受容層に要求される特
性に従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される炭素原子の層厚方
向の分布状態として炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）の最大
値Ｃｍａｘが好ましくは５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
以上、よシ好適には８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上
、最適には１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ以上とされる
様な分布状態となシ得る様に層形成されるのが望ましい
。

即ち、本発明においては、炭素原子の含有される層領域
（＠は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔｎから５μ
厚の層領域）に分布濃度Ｃ（Ｃ）の最大値Ｃｍａｘが存
在する様に形成されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に炭素原子の含有された層領
域（Ｃ）　ｆｆｉ設けるには、光受容層の形成の際に炭
素原子導入用の出発物質を前記した光受容層形成用の出
発物質と共に使用して、形成される層中にその量を制御
し乍ら含有してやれば良い。

層領域（Ｃ）　ｆｆｉ形成するのにグロー放電法を用い
る場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中か
ら所望に従って選択されたものに炭素原子導入用の出発
物質が加えられる。その様な炭素原子導入用の出発物質
としては、少なくとも炭素原子を構成原子とするガス状
の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｔ）ｅ構成原子とする原料ガス
と、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子α◇又は及びハロゲン原子（３）全構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする
原料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（ロ）を構成
原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合
するか、或いは、シリコン原子（Ｓｔ）を構成原子とす
る原料ガスと、シリコン原子（８１）　＊炭素原子（Ｃ
）及び水素原子αηの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｔ）と水素原子卸とを構
成原子とする原料ガスに炭素原子（Ｑを構成原子とする
原料ガスを混合して使用しても良い。

ＣとＨとを構成原子とするものとしては、例えば炭素数
１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化
水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げら
れる。

具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）　
ｓエタン（Ｃ２Ｈ６）、プロＡｌン（Ｃ５Ｈａ）、ｎ−
ブタ７　（ｎ−Ｃ４Ｈ１（１）　ｅペンタン（Ｃ５Ｈ１
２）　＃エチレン系炭化水素としてはエチレン（Ｃ２Ｈ
４）　ｅプロピレン（ＣｘＨ６）ｔブテン−１（０４Ｈ
Ｂ）　ｙブテン−２（Ｃ４Ｈ８）　ｔイソブチレン（０
４Ｈ８）　ｔペンテン（ＣｓＨｌｏ）　ｎアセチレン系
炭化水素としてはアセチレン（０２Ｈ２）　ｐメチルア
セチレン（ＣｓＨ４）　−ブチン（０４Ｈ４）等が挙げ
られる。

これ等の他にＳｔとＣとＨとを構成原子とする原料ガス
として、５ｉ（ＣＨ３）４ｙＳＩ（Ｃ２Ｈ５）４等のケ
イ化アルキルを挙げることが出来る。

本発明に於いては、層領域（Ｃ）中には炭素原子で得ら
れる効果を更に助長させる為に、炭素原子に加えて、更
に酸素原子又は／及び窒素原子を含有することが出来る
。

（４５） 酸素原子を層領域（Ｃ）に導入する為の酸素原子導入用
の原料ガスとしては、例えば酸素（０２）　ｔオゾン（
０３）＊−酸化窒素（ＮＯ）　＃二酸化窒素（ＮＯ２）
−ｍ＝酸化窒素（Ｎ２０）　−三二酸化窒素（Ｎ２０ｓ
）　を四三酸化窒素（Ｎ２０４）　ｐ三二酸化窒素（Ｎ
２０５）　、三酸化窒素（ＮＯ３）−シリコン原子（Ｓ
ｔ）と酸素原子（０）と水素原子（ロ）とを構成原子と
する、例えばジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ３）　＃
　ト！Ｊ　’／　ｏキ？　７Ｑ１５８１０ＳｉＨ２０Ｓ
ＩＨ３）　等の低級シロキサン、等々を挙げることが出
来る。

窒素原子を層領域（Ｃ）に導入する為の窒素原子（財）
導入用の原料ガスに成シ得るものとして有効に使用され
る出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮ、！：Ｈと
を構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）　ｅアンモニア（
ＮＨ３）　、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　＃アジ化水
素（ＨＮ５）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ　ｓ　
）等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ
化物等の窒素化合物を挙げることが出来る。この他に、
窒素原子（ロ）の導入に加えて、ノ・ロダン原子（３）
の導入も行えるという点から、三弗化窒素、（ＦｓＮ）
　ｅ四弗化鼠累（Ｆ　４Ｎ　２　）等の・・ロダン化窒
素化合物を挙げ（４６） ることか出来る。

スパッタリング法によって、炭素原子を含有する層領域
（Ｑを形成するには、単結晶又は多結晶の８１ウエーハ
ー、又はＣウェーハー、又はＳｔとＣが混合されて含有
されているウェーハーをターゲットとして、これ等′ｆ
ｔ種々のガス坏囲気中でスミ４ツタリングすることによ
って行えば良い。

例えば、Ｓ１ウエーハーをターｆｆ、）として使用すれ
ば、炭素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロダ
ン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガ
スで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｔウェーハー
をスパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳＩとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｌとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、スパッター用のガスとしての稀釈ガスの雰囲
気中で又は少なくとも水素原子（ロ）又は／及びハロダ
ン原子（ト）を構成原子として含有するガス雰囲気中で
スパッタリングすることによって成される。炭素原子導
入用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例で示
した原料ガスの中の炭素原子導入用の原料がスが、スパ
ッタリングの場合にも有効なガスとして使用され得る。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、炭素原子の含
有される層領域（Ｃ’ｌ　’ｚ設ける場合、該層領域（
Ｑに含有される炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）を層厚方向
に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄｓｐｔｈ　
ｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（Ｃ）を形成するには
、グロー放電の場合には、分布濃度ＣＣ）を変化させる
べき炭素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量
を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら、堆積室
内に導入することによって成される。例えば手動あるい
は外部駆動モータ等の通常用いられている何らかの方法
によシ、ガス流路系の途中に設けられた所定のニードル
パルプの開口を漸次変化させる操作を行えば良い。この
とき、流量の変化率は線型である必要はなく、例えばマ
イコン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲線に
従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得ることもで
きる。

層領域（Ｃ）をスパッターリング法によって形成する場
合、炭素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｃ）を層厚方向
で変化させて炭素原子の層厚方向の所望の分布状態（ｄ
＠ｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、第一には
、グロー放電法による場合と同様に、炭素原子導入用の
出発物質をガス状態で使用し、核ガスを堆積室中へ導入
する際のガス流量を所望に従って適宜変化させることに
よって成される。

第二には、スパッターリング用のターゲットを、例えば
ＳｌとＣとの混合されたターゲットを使用するのであれ
ば、ＳｌとＣとの混合比を、ターｆｆ、）の層厚方向に
於いて予め変化させておくことによって成される。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（６）の量、又は
ハロゲン原子（３）の量、又は水素原子と／％ロダ／原
子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍ
ｉｅ％　ｍよυ好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％ｐ最
適には５〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい
。

（４９） 本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ｆｉ、ｔ。

Ｃｒ　、Ｍｏ　ｔＡｕ　、Ｎｂ　＋Ｔａ　、Ｖ、ＴＩ　
、Ｐｔ　、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる
。

電気絶縁性支持体としては、Ｉリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、７ｙ！す塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、
ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又は
シート、ガラス、セラｉック、紙等が通常使用される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであればその表面にＮ　Ｉ　Ｃｒ　ｒＡ
ＬｖＣｒ　１Ｍｏ　＋Ａｕ　ｌ　Ｉ　ｒ　＋Ｎｂ　、Ｔ
ａ　、ｖｌＴ’ｉ　、ｐ　ｔ　ｇＰｄ　ＨＩｎ　２ｏＡ
　Ｉ　５ｎ０２　、ｔ’ｒ。

（Ｉｎ２Ｏ３＋５ｎ０２　）等から成る薄膜を設けるこ
とによって導電性が伺与され、或いはポリエステルフィ
ルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、Ａ／、
。

Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｖ、ＴＩ　、Ｐｔ等の金（５０） 属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング
等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネ
ート処理して、その表面に導電性が伺与される。支持体
の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状
とし得、所望によってその形状は決定されるが、例えば
第１図の光導電部材１００を電子写真用像形部材として
使用するのであれば、連続高速複写の場合には無端ベル
ト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、
所望通りの光導電部材が形成される様に適宜決定される
が、光導電部材として可撓性が要求される場合には、支
持体としての機能が充分発揮される範囲内であれば可能
な限シ薄くされる。しかしながらこの様な場合、支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、好まし
くは１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスがンぺには、本発明の
光導電部材を形成するための原料ガスが密封されておシ
、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈され
た５ＩＨ４ガス（純度９９．９９９チ、以下８１Ｈ４／
Ｈｅと略す。）がンベ、１１０３はＨｅで稀釈されたＧ
　ａ　Ｈ４ガス（純度９９．９９９％、以下Ｇ　ｅＨ４
／）ｉ　ｅと略す。）ボンベ、１１０４はＨｅで稀釈さ
れたＢ２Ｈ６ガス（純度９９．９９％、以下Ｂ　２Ｈ４
７４（＠と略す。）ボンベ、１１０５はＣ２Ｉ（４ｉｆ
ス（純度９９．９９９チ）ボンベ、１１０６はＨ２ガス
（純度９９．９９９チ）ぎンペであるこれらのガスを反
応室１１０１に流入させるＫはガスボン４１１０２〜１
１０６のパルプ１１２２〜１１２６、リークパルプ１１
３５が閉じられていることを確認し、又、流入パルプ１
１１２〜１１１６．流出パルプ１１１７〜１１２１．補
助パルプ１１３２゜１１３３が開かれていることを確認
して、先づメインパルプ１１３４’ｉ開いて反応室１１
０１、及び各ガス配管内を排気する。次に真空計１１３
６の読みが約５　Ｘ　１０−’ｔｏｒｒ　ＩＩＣ々った
時点で補助バルブ１１３２．１１３３、流出パルプ】１
１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボン−’！１１０２よりＳ
ｉＨ４／Ｈｅガス、ガｘ＊ンペ１１０３　！Ｊ）ＧｅＨ
４／Ｈｅガス、ガス７１＝”　ン−２１ｉ　０４よ’）
　Ｂ　２Ｈｂ／ｌ（ｅガス、ガスボンベ１１０５よシＣ
２Ｈ４ガスをパルプ１１２２〜１１２５を開いて出口圧
ゲージ１１２７〜１１３０の圧を１ｋｇ／ｃＩｒＬ２に
調整し、流入パルプ１１１２〜１１１５を徐々に開けて
マス７０コン）０−ラ１１０７〜１１１０内に夫々流入
させる。引き続（５３） いて流出パルプ１１１７〜１１２０．補助バルブ１１３
２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１】ｏｌに流入さ
せる。このときのＳ＋Ｈ４／Ｈｅガス流量とＧｅ■４／
ＦＴｅガス流１′とＢ２Ｈ６／Ｈｅがス流ツとｃ２Ｈ４
ガス流ｌとの比が所望の値になるように流出バルブ１１
１７〜１１２０を調整し、又、反応室１１ｏ１内の圧力
が所望の値になるように真空計１１３６の読みを見なが
らメインパルプ１１３４の開口を調整する。

そして基体】１３７の温度が加熱ヒーター１１３８によ
シ５０〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを
確認された後、電源１１４０′ｆｒ所望の電力に設定し
て反応室１１０１内にグロー放電を生起させ、同時にあ
らかじめ設計された変化率曲線に従ってＧ　ｅ　Ｈ４／
Ｈｅガスの流量を手動、あるいは外部駆動モータ等の方
法によってパルプ１１１８の開口を漸次変化させる操作
を行ない、形成される層中に含有されるゲルマニウム原
子の分布濃度を制御するＯ この様にして、基体１１３７上に硼素原子（Ｂ）と炭素
原子（Ｃ）とが含有され、前記の変化率曲線に従（５４
） ったゲルマニウム原子の分布状態が形成されているａ−
８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成された層領域（Ｂ　、　Ｃ）
が所望の層厚に形成される。層領域（Ｂ、Ｃ）が所望層
厚に形成された段階に於いて、流出・ぐルブ１１１８．
１１１９．１１２０の夫々を完全に閉じること、及び必
要に応じて放電条件を変えることり夕■は、同様な条件
と手順に従って所望時間グロー放電を維持することで前
記層領域ＣＢ、Ｃ）上に硼素原子（Ｂ）、炭素原子（Ｃ
）、Ｎへ′）Ｋが＾＼及びゲルマニウム原子（Ｇｅ）が
含有されていない、ａ−８ｌ（Ｈ。

Ｘ）で構成された層領域（Ｓ）が形成されて光受容層の
形成が終了される。

上記の光受容層の形成の際に、該層形成開始後所望の時
間が経過した段階で、堆積室へのＢ２Ｈ６，／Ｈｅガス
ガス上Ｃ２Ｈ４がスの流入を止めることによって、硼素
原子の含有された層領域（Ｂ）及び炭素原子の含有され
た層領域（Ｃ）の各層厚を任意に制御することが出来る
。

又、所望の変化率曲線に従って堆積室１１０１へのＣ２
Ｈ４ガスのガス流量を制御することＫよって、層領域（
Ｃ）中に含有される炭素原子の分布状態を所望通シに形
成することが出来る。

層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため基体
１１３７はモータ１１３９によシ一定速度で回転させて
やるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＭ基
体上に、第１表に示す条件で第１２図に示すガス流量比
の変化率曲線に従ってＧｅＨ４／ＨｅガスとＳｉＨ４／
Ｈｓガスのガス流量比を層作成経過時間と共に変化させ
て層形成を行って電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しｅ　５．　ＯｋＶで０．３ｍｅｃ間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ
光源を用い、２Ｌｕｘ−ｓｅＣの光量を透過型のテスト
チャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部材表面をカスケードすることによって
、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材上のトナー画像ヲｅ５、　ＯｋＶのコロナ帯電で転
写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよい
鮮明な高銭度の画像が得られた。

実施例２ （５７） 第１１図に示した製造装置により、第２表に示す条件で
第１３図に示すガスｂ１１．量比の変化率曲線に従って
Ｇ　ｅＩ（４／’ｆｌ　ｅガスとＳ　ｉ　Ｈ４，／’ｆ
（ｅガスのガス流量比を１−作成経過時間と共に変化さ
せ、その他の条件は実施例１と同様にして層形成を行っ
て電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例３ 第１１図に示した製造装置によシ、：窮３表に示す条件
で第１４図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＧｅ
Ｈ４／１（ｅガスとＳ　ｉ　Ｈ４／／ＩＩｅガスのガス
流量比金層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件
は実施例１と同様にして層形成金行って電子写真用像形
成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例４ （５８） 第１１図に示した製造装置により、第４衣に示す条件で
第１５図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってａｅｕ
４１Ｈ・ガスとＳ　ｉ　Ｈ４７’に’ｌ　ｅガスのガス
流量比金層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件
は実施例１と同様にして層形成を行って電子写真用像形
成部材を傅た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例５ 第１１図に示した製造装置により、第５表に示す条件で
紀１６図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＧｅＨ
４／Ｈｅがスと８１Ｈ４，布ｅガスのガス流量比を層作
成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１と
同様にして層形成を行って篭子写真用像形成部材金得た
。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同１
求の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ甑
めて鮮明な画質が得られた。

実施例６ 第１１図に示した製造装置によシ、第６表に示す条件で
第１７図に示すガス流量比の変化率曲線に便ってＧｅＨ
４／ｒ（ｅガスとＳｉＨ４／Ｈａガスのガス流哨比金層
作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１
と同様にして層形成を行って電子写真用像形成部材を得
た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示す条件で
第１８図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＧｅＨ
４／ＨｅガスとＳ　１Ｈ４Ａ（ｅガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１
と同様にして層形成を行って電子写真用像形成部材を得
た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例８ 実施例１に於いて、５ｉｌ（４／′Ｈｓガスの代シにＳ
１□Ｈ６苅ｅがスを使用し第８衣に示す条件にした以外
は、実施例１と同様の条件にして層形成全行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例９ 実施例１に於いて、５ｉＨ４７４（ｅガスの代りにＳｉ
Ｆ４／）（・ガスを使用し第９表に示す条件にした以外
は、実施例１と同様の条件にして層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画像が得られた。

実施例１０ 実施例１に於いて、ＳｉＨ４／’Ｔ（ｅガスの代りに（
５ｓｕ４／）Ｉｓ　＋　８１Ｆ４苅ｅ）ガスを使用し第
１０表に示す条件にした以外は、実施例１と同様の条件
にして層形成を行って電子写真用像形成部材を得た。

（６１） こうしてＫｎられた像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例１１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ
基体上に、第１１表に示す条件で第１２図に示すガス流
量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ　Ｈ４苅ｅガスと８１
　Ｈ４，／ｆ（ｅガスのガス流量比を層作成経過時間と
共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成部材を
得た。

こうして得られた像形成部材を、帯！露光実験装置に設
置しｅ　５．　Ｏｋｖで０．３１１１（１間コロナ帯電
を行い、直ちに光像を照射した。光像はタングステンラ
ンゾ光源を用い、２Ｌｕｘ・ＩＣの光量を透過型のテス
トチャートを通して照射させた。

その後直ちに■荷電性の現像剤（トナーとキャリアを含
む）全像形成部材表面をカスケードすることによって、
像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形成部
材上のトナー画像を、Ｑ５．Ｏｋｖのコロナｆｉ電で転
写紙上に転写した所、解像力（６２） に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られ
た。

実施例１２ 実施例１１に於いて、第１層の作成の際にはＢ２Ｈ６の
（５ｓＨ４＋ＧｅＨ４）に対する流量を、第２層の作成
の際にはＢ２Ｈ６のＳｉＨ４に対する流量を第１２表に
示す様に変えた以外は、実施例１１と同様の条件で電子
写真用像形成部材の夫々（試料ｊ’Ｆｘ　１２０１〜１
２０８）′！ｉｌ−作奴した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
１２表に示す結果が得られた。

実施例１３ 実施例１〜１０に於いて、紀２層の作成条件を第１３表
及び第１４表に示す条件にした以外は、各実施例に示す
条件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々（試料Ａ
　１３０１〜１３１０．１４０１〜１４１０）を作成し
た。

こうして得られた像形成部材の夫々に就いて、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ第１３Ａ表、第１４Ａ表に示す結果が得られた。

実施例１４ 実施例１に於いて、光源をタングステンランプの代りに
８１０　ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーデ（１０ｍＷ）を
用いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同様
のトナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件で
作成した電子写真用像形成部材に就いてトナー転写画像
の画質評価全行ったところ、解像力に優れ、階調再現性
の良い鮮明な高品位の画像が得られた。

以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：ゲルマニウム原子（Ｇｏ）含有層・・・・・
・　約２００℃ゲルマニウム原子（Ｇｏ）非含有層・・
・約２５０℃放電周波数：　１３．５６　ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々光受容層中
のゲルマニウム原子の分布状態を説明する為の説明図、
第１１図は、本発明で使用された装置の模式的説明図で
、第１２図乃至第１８図は夫々本発明の実施例に於ける
ガス流量比の変化率曲線を示す説明図である。 １００・・・光導電部材’　１．０１・・・支持体１０
２・・・光受容層　１０３・・・第１の層領域（Ｇ）１
０４・・・第２の層領域（Ｓ） （７３） 第１２図 ガスｆＬ童よし 力゛ズ流量、此。 竿１７厘

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、該支持体上に配置され
   、シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料
   で構成された第１の層領域、およびシリコン原子を含む
   非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層領域とが
   前記支持体側よシ順に設けられた層構成の光受容層とを
   有し、前記第１の層領域中に於けるダルマニウム原子の
   分布状態が層厚方向に不均一であって、前記第１の層領
   域に伝導性を支配する物質が含有され、前記光受容層に
   は炭素原子が含有されている事′ｆ：％徴とする光導電
   部材。
2. （２）第１の層領域及び第２の層領域の少なくともいず
   れか一方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第
   １項に記載の光導電部拐。
3. （３）第１の層領域及び第２の層領域の少なくともいず
   れか一方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範
   囲第１項又は同第２項に記載の光導電部材。
4. （４）第１の層領域中に於けるゲルマニウム原子の分布
   状態が前記支持体側の方に多く分布する分布状態である
   特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
5. （５）　伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属す
   る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材
   。
6. （６）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属する
   原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。