JPS6015643A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。

〔従来技術〕

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光受容層を構成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ））が高く、煕射する電磁波のスペクト
ル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有するこ
と、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使
用時にお℃・て人体に対して無公害であること、更には
固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。殊に、
事務機としてオフィスで使用される電子写真装置ｄ内に
組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使
用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−３ｉと表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開第２９３！１４１１号公報には光電変換読取装置
への応用が記載されている。

百年ら、従来のａ−８ｉで構成された光受容層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点において、総合的な特性
向上を計る必要があるという更に改良される可き点が存
するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が観測
され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続ける
と、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生ず
る所副ゴースト現Ｓ（を発する様になる或いは、高速で
繰返し使用すると応答性が次第に低下する、等の不都合
な点が生ずる場合が少なくなかった。

史には、ａ−８ｉは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長（１６の波長領域よりも長い波長領域の吸収係舷が
比較的小さく、現在実用化されている半？！ｆ体レーザ
とのマツチングに於いて、通常使用されている・・ロゲ
ンランプや螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有
効に使用し得ていないという点に於いて、夫々改良され
る余地が残っている。

又、別には、照射される光が光受容層中に於いて、充分
吸収されずに支持体に到達する光の証が多くなると、支
持体自体が光受容層を透過して来る光に対する反射率が
高い場合には、光受容ノー内圧計いて多重反射による干
渉が起って、画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

〔目　的〕

本発明は上記の諸点に！み成されたもので、ａ−ｓｉＫ
就で電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子（Ｓｌ）とゲルマニウム原子（Ｇｏ）とを母体
とし、ハロゲン原子（Ｘ）と必要に応じて水素原子（Ｈ
）を含有するアモルファス性の光導電材料〔貞後とれ等
の総称的表記として［ａ−８ｉＧθ（Ｈ，Ｘ）Ｊを使用
する〕から構成される光導電性を示す光受容層を有する
光導電部材の構成を以後に説明される様な特定化の下に
設計されて作成された光導電部材は実用上著しく優れた
特性を示すばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみ
てもあらゆる点において凌おしていること、殊に電子写
真用の光導電部材として著しく優れた特性を有している
こと、及び長波長側に於ける吸収スペクトル特性に優れ
ていることを見出した点に基いている０ 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度Ｋ、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分ある光導電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、・・−７トーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が
容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性を有する光導電部材を提供することでもあ
る。

本発明の光４電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子とゲルマニウム原子とを母体としハロゲン原子
を含む光導電材料で構成された光受容層とを有、し、該
光受容層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚
方向に均一である事を９徴どする。

」−記した機なＲ５構成を取る様にして設計された本発
明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、
極めて優れた′６気的、光学的、光導電的特性、電気的
耐圧性及び使用環境特性を示す０殊に、電子写真用像形
成部材として適用させた場合には、画像形成への残留電
位の影響が全くなく、その電気的特性が安定しており高
感度で、高Ｓ　Ｎ比を有す不・ものであって、耐光疲労
、繰返し使用特性に長け、濃度が高く、−・−フトーン
が鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安定
して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに侵れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光専箪部材用として
の支持体１０１の上に、ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ　）　
カら成る光導電性を有する光受容層１０２とを有する。

光受容層１０２中に含有されるゲルマニウム原子は、該
光受容層１０２の層厚方向及び光受容層１０２の支持体
１０１の表面と平行な面内方向に於いて、その分布が均
一になる状態に含有されるλ 木兄ＩＪＩＩにおいて、光受容層中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
く　Ｂ　１〜５．ＯＸ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
、より好ましくは２〜４．ＯＸ　１０’　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ　、最適には、３〜３．５　Ｘ　１０５ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望ましいものである。

本発明において、光受容層中に含有されるハロゲン原子
（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩素。

臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なも
のとして挙げることが出来る。又は、水素原子（Ｈ）は
所望に従って必要に応じて光受容層中に含有されるが、
形成される層の品質を高めるには水素原子（Ｈ）を積極
的に所望量含有させるのが望まし℃・０ 本発明において、ａ”５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成され
る光受容層を形成するには例えばグロー放電法、スパッ
タリング法、或いはイオンブレーティング法等の放電現
象を利用する真空堆積法又は、化学気相法（ＣＶＤ法）
、光ＣＶＤ法等によって成される。例えば、グロー放電
法によって、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される光受
容層を形成するＫは、基本的にはシリコン原子（Ｓｌ）
を供給し得るＳ１供給用の原料ガスとゲルマニウム原子
（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供給用の原料ガスと・・ロゲ
ン原子（Ｘ）導入用の原料ガスと、必要に応じて水素原
子（Ｈ）２き入用の原料ガスとを、内部が減圧にし得る
堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、予め所定位置に設置ｄされであ
る所定の支持体表面上に含有されるゲルマニウム原子の
分布濃度が均一になるように制御し乍らａ−３ｉＧｅ　
（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパッ
タリング法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の
不活性ガス又はこれ等のガスをペースとした混合ガスの
界囲気中で８１で構成されたターゲットとＧｅで構成さ
れたターゲットの二枚を使用して、又はＳｌとＧｅの混
合されたターゲットを使用してスパッタリングする際ハ
ロゲン原子（Ｘ）導入用のガスと、必要に応じて水素原
子（Ｈ）導入用のガスとをスパッタリング用の堆積室に
導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳ１供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ｓｔＨ，、Ｓｔ□Ｈ６＋　Ｓｌ、Ｈ
，。

Ｓｉ、Ｈｌ、等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（７ランＭ）が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ１供給効率の良
さ等の点でＳｔＨ，、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして
挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈｇ　、　Ｇｅ４Ｈ１６、Ｇｅ
５Ｈ１２、Ｇｅ６Ｈ１４。

Ｇｅ７Ｈ１６ｒ　Ｇｅ８　Ｈｌ８　ｒ　Ｇｅ９Ｈ２０等
のガス状態１７）又はｉス化し得る水素化ゲルマニウム
が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成
作業時の取扱い易さ、Ｇｏ供給効率の良さ等の点で、Ｇ
ｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ６゜Ｃａ２Ｏｇが好ましいものとして
挙げられるＯ本発明において使用されるノ・ロゲン原子
導入用の原料ガスとして有効なのは、多くのノ・ロゲン
化合物が挙げられ、例えばノ・ロゲンガス、／％Ｗゲン
化物、ノ・ロゲン間化合物、ノ・ロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得る・・ロゲン
化合物が好ましく挙げられる０ 又、更には、シリコン原子とノ・ロゲン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得る、／・ロゲン原子
を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明にお
いては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るノ・ロゲン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、　ＣＩＦ、　ＣＩＦ３
．　ＢｒＦ５゜ＢｒＦ３．　ＩＦａ、　ＩＦｙ、　Ｉｃ
ｌ、　ＩＢｒ等の／ＳＯゲン間化合物を挙げることが出
来る０ ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ノ・ロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６．５ｉＣ１４，ＳｉＢｒ４等の
ノ・ｐゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出
来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光尋電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共に８１を供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８ｉｄｅか
ら成る光受容層を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む光受容層を
製造する場合、基本的には、例えばＳ１供給用の原料ガ
スとなるハロゲン化硅素とＧｏｌＪ（給用の原料ガスと
なる水素化ゲルマニウムトＡｒ、Ｈ２゜Ｈｅ等のガス等
を所定の混合比とガス流Ｕになる様にして光受容層を形
成する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ等の
ガスのプラズマ雰囲気を形成することＫよって、所望の
支持体上に光受容層を形成し得るものであるが、水素原
子の導入割合の制御を一層容易になる様に計る為にこれ
等のガスに更に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物
のガスも所望量混合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で種数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法て
依ってａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から成る光受容層を形成
するには、例えばスパッタリング法の場合にはＳｌから
成るターゲットとＧｏから成るターゲットの二枚を、或
いはＳｌとＣｅから成るターゲットを使用して、これを
所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリングし、イオ
ンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリコン
又は単結晶シｌ）コンと多結晶ゲルマニウム又は単結晶
ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートに収容し
、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム
法（ＦＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所望
のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出来
る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気ヲ形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記シ、ナシラン類又は
／及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング
用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形
成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いは／・ロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、ＨＦ、　ＨＣＩＩ、　ＨＢｒ、Ｈｌ：等ノハ
ロゲン化水素、５１Ｈ２Ｆ２．５ｔＨ２工２．５ＩＨ２
ＣＪ２゜５ｉＨＣＪ３　、　Ｓｊ、Ｈ２Ｂｒ２　、５ｉ
ＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素、及びＧｅＨＦ３
．　ＧｅＨＢｒ３．　ＧｅＨ３Ｆ、　ＣｙｅＩＩＧ６３
゜ＧｅＨ２Ｃ＃２　、　ＧｅＨ３ｑ／！、　ＧｅＨＢｒ
３　、　ＧｅＨＢｒ３　、　ＧｅＨＢｒ３６マニウム、
等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲンガス、Ｇ
ｅＦ４　、　ＧｅＣ＃４　、　ＧｅＢｒ４　、　ＣｅＩ
４　、　ＣｅＦ２゜ＧＱＣＡ’２．　ＧｅＢｒ２．　Ｇ
ｅＩ２等のハＯグン化グ＃　Ｗ　ニラＡ、等々のガス状
態の或いはガス化し得る物質も有効な光受容層形成用の
出発物質として僻げる事が出来る。

これ等の物質の中水素原子を含むノ・ロゲン化物は、光
受容層形成の際に層中に・・ログン原子の尋人と同時に
電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子
も導入されるので、本発明においては好適な・・ロゲン
導入用の原料として使用される０ 水素原子を光受容層中に構造的に導入するには、上記の
他にＨ２、或いは５ｔＨ４，Ｓｔ□Ｈ６，５１３Ｈ，、
５１４Ｈ□０等の水素化硅素をＧｅを供給する為のゲル
マニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは、ＧｅＨ４
、Ｇｅ２Ｈ６゜Ｃｒ（３３ＨＢ、　Ｇｅ４ＨＨ）、　Ｃ
ｅ５Ｈ１２，Ｇｅ６Ｈ１４，Ｃｅ７Ｈ１６，Ｇｅ６ＨＢ
＋。

ＧｅｇＨＨ等の水素化ゲルマニウムと８１を供給する為
のシリコン又はシリコン化合物と、を堆積室中に共存さ
せて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
光受容層中圧含有される・〜ロゲン原子（Ｘ）の量又は
水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は好ましく
は０．０１〜４　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０
．０５〜３　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２
５　ａｔｏｍｉｃチとされるのが望ましい。

光受容層中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体温度
又は／及び水素原子（Ｈ）、或いは・・ロゲン原子（Ｘ
）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内
へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明の光導電部材に於ける光受容層の層厚は、光受容
層中で発生されるフォトキャリアが効率良く輸送される
様に所望に従って適宜法められ、好ましくは、１〜１０
０μ、好適には１〜８０μ、最適にＬ２〜５０μとされ
るのが望ましい。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、Ｎｉ０ｒ、ステンレス、ＡＪ。

Ｏｒ、　Ｍｏ、　Ａ＋ｉ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔ
ｉ、　Ｐｔ、　Ｐａ等の金属又はこれ等の合金が挙げら
れる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい〇 例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

Ａ／、　Ｏｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　’
ｒａ、　ｖ、　Ｔ１．　Ｐｔ、　Ｐａ。

Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２．　ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋５ｎ０
２）　＠がら成る＃膜を設けることによって導電性が付
与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムであれば、ＮｉＣｒ、　Ａｌｌ、　Ａｇ、　Ｐｂ、
　Ｚｎ、　Ｎｉ、　Ａｕ、　Ｇｒ、　Ｍｏ。

Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ等の金属
の薄膜を頁空蒸賠、電子ビーム蒸着、スパッタリング等
でその表面に設け、又はｎＩＪ記金属でその表面をシミ
ネー　１・処理して、その表面に導電性が付与される。

支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが
、例えば、第１図の光導電部材１００を電子写真用像形
成部材として使用するのであれば連続高速複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される様に適
宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要求される
場合には・支持体としての機能が充分発揮される範囲内
であれば可能な限り薄くされる。百年ら、この様な場合
支持体の製造上及び取扱い上、模様的強度等の点から、
通常は、１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の２０２〜２０６のガスボンベには、本発明の光導
電部材を形成するための原料ガスが密封されており、そ
の１例としてたとえば２０２は、Ｈｅで稀釈されたＳｉ
Ｈ４ガス（純度９９．９９９チ、以下ＳｉＨ４／Ｈθと
略す。）ボンベ、２０３はＨｅで稀釈されたＧｅＨ４ガ
ス（純度９９．９９９’％、以下ＧｅＨ４／Ｈｅ　ト略
スｏ　）　’ｄ’ンペ、２０４はＨｅで稀釈された５ｔ
Ｆ４ガス（純度９９．９９％、以下５ＩＦ４／Ｈｅト略
す。）ボンベ、２（１５１ｔＨｅガス（純度９９．９９
９％）ボンベ、２０６　ハＩＩ２　ｊＪ　ｙ。

（純度９９．９９９係）ボンベである。

これらのガスを反応室２０１に流入させるにはガスボン
ベ２０２〜２０６のパルプ２２２〜２２６．リークパル
プ２３５が閉じられていることを確認し、又、流入パル
プ２１２〜２１６、流出パルプ２１７〜２２１、補助パ
ルプ２３２．２３３が開かれていることを確認して、先
ずメインパルプ２６４を開いて反応６２０１、及び各ガ
ス配管内を排気する。次に真空計２６６の読みが約５　
Ｘ　１０−６ｔｏｒｒになった時点で補助パルプ２３２
．２３３　、流出パルプ２１７〜２２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２６７上に元受ｄ層を形成する場
合の１例をあげると、ガスボンベ２０２よりＳｉＨ４／
Ｈｅ　カス、ガｘ　ｉｔ　ンヘ２０３よりＧｅＨ４／Ｈ
ｅガスをパルプ２２２．２２３を開いて出口圧ゲージ２
２７，２２８の圧を１ｋｇ／ｃｎｉ　Ｋ調整し、流入パ
ルプ２１２，２１５を徐々Ｋ　ＦＪＩＪ　＋−ｙ　−ｃ
−、マスフロコントロー５２０７．２０８　内に夫々流
入させる。引き続いて流出パルプ２１７，２１８、補助
パルプ２３２ヲ徐々に開いて夫々のガスを反応室２０１
に流入させる。このときの５ｉＨ１，、／Ｈｅガス流量
とＧｅＨ４／Ｈｅガス流量との比が所望の値になるよう
に流出パルプ２１７，２１８を調整し、又、反応室２０
１内の圧力が所望の値になるようＫＸ空計２３６の読−
みを見ながらメインパルプ２３４の開口を調整する。そ
して基体２３７の温度が加熱ヒーター２３８により５０
〜４００℃程度の範囲の温度に設定さねていることを確
認された後、電源２４０を所望の電力に設定して反応室
２０１内にグルー放電を生起させ、シリンダー状基体２
６７上に光受容層を形成する０ 又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体２６７はモータ２６９により一定速度で回転させて
やるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第２図に示した製造装置によりシリンダー状のＡＩ　基
体上に、第１表に示す条件で光受容層を形成することＫ
よって、１２ケの試料を得た。ノー厚はいずれの試料も
２０μｍであった。これ等１２ケの試料を電子写真用像
形成部材としての適応性を以下の様にして試験した。

各得られた試料を帯電露光実験装置に設置し、θ５．Ｏ
ＫＶでＱ、５ｓｅｃ間コロナ帯電を行い直ちに光像を照
射した。この光像照射の際にはタングスデンランプ光源
と７００綿以上の長波長光をカットするシャープカット
フィルターを用いｓ　２１ｕｘａｓｅｃの光址を透過型
テストチャートを通して照射させる場合と林、波長７Ｂ
Ｏｎｍの半導体レーザで透過型テストチャートを走査し
て照射する場合の２通りを行って、夫々タングステン■
ランプ元及びレーザ行った後直ちにｅｆＩ電性の現像剤
（トナーとキャリアーを含む）を試料の光受容層表面を
カスケードすることによって光受容層上にトナー画像を
得、次いで光受容層上の該トナー画像を、ｅ５．ＯＫｖ
のコロナ帯電で転写紙上に転写し、その転写画像を肉眼
で観察することで行った。

上記の様にして行って得られた結果が第１表にる感度は
、帯電処理を行った際の受容電位と光照射した後の残留
電位の差によって評価した。

実施例２ 第２図に示した製造装置によりＧｅＦ４とＳ　ｉＦ４の
流址比を０゜００１　ｖｏｌ　ｐｐｍ　とした以外は、
実施例１０層作成条件と同様にして、光受容層の層厚を
第２表に示す如く変えて電子写真用像形成部材としての
試料２−１〜２−１２を得た。

こうして得られた試料の夫々に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上にトナー画像を形成したとこ
ろ、第２表のような結果を得た。

評価基準は実施例１の場合と同様である。

〔効　果〕

本発明の光′４電部材は電気的、光学的９元導電的特性
が常時安定していて、長波長側の光感度特性に優れると
共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際しても劣化
現象を起さず、残留電位が全く又は殆んど観測されない
。

更に本発明の元等也部材は、全可視光域において光感度
が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速い。

又更には、高感度で、高８’Ｎ比を有するものであって
、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く、ハー
フトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画
像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図は、本発明で使用された装置の
模式的説明図である。 ｉｏｏ　−−・・・光導電部材 １０１０・・・・支持体 ０２ 出願人　キャノン株式会社

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、シリコン原子とゲルマ
   ニウム原子とを母体としハロゲン原子を含む光導電材料
   で構成された光受容層とを有し、該光受容層中に於ける
   ゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に均一である事
   を特徴とする光導電部材。
2. （２）光受容層中に水素原子が含有されている特許請求
   の範囲第１項に記載の光導電部材。