JPH04310962A - 有機組成物及び光導電性画像形成部材 - Google Patents
有機組成物及び光導電性画像形成部材Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般に有機ガラス及びそ
の層状光感応性画像形成部材に関する。特に、本発明は
その１つの実施態様に於て、重合体と電荷輸送分子、特
にアリールジアミンのような正孔輸送分子のような小分
子との混合物、及び該混合物が、実施態様中、これらの
混合物、特にＮ，Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）−
Ｎ，Ｎ′−ビス（４−エチルフェニル）−〔１，１′−
（３，３′−ジメチル）ビフェニル〕−４，４′−ジア
ミン（ＥＴＰＤ）のようなビフェニルジアミン化合物と
ポリシリレンとの混合物で、室温、約２５℃に於て、例
えば約１×１０−１〜約０×１０−１ｃｍ２ ／ｖｏｌ
ｔ／秒のような超高正孔移動度が得られる点で例外的な
正孔輸送媒質として機能するその光導電性部材に関する
。本発明の１つの実施態様に於て、有機ガラス、より特
別にはポリシリレンと本明細書中に示され、より特別に
はその記載がすべて参照文として本明細書に含まれるも
のとする米国特許第４，８３３，０５４号中に示される
ある種のアリールアミンドーパントとで構成される混合
物で構成される電荷、特に正孔輸送層と光生成層とを含
む有機光導電性層状画像形成部材が提供される。本発明
の１つの実施態様に於て、支持基体、随意に樹脂バイン
ダー中に分散された光生成性顔料で構成される光生成層
、及びポリシリレン（その記載がすべて参照文として本
明細書に含まれるものとする米国特許第４，６１８，５
５１号参照）とＮ，Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）
−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−エチルフェニル）−〔１，１′
−（３，３′−ジメチル）ビフェニル〕−４，４′−ジ
アミン（ＥＴＰＤ）のようなビフェニルジアミン化合物
との混合物で構成される正孔輸送層を含む光感応性画像
形成部材が提供される。本発明の光感応性画像形成部材
は、種々の電子写真画像形成及びプリンティングプロセ
ス、特に例えばその上に潜像を形成し、次いで現像及び
適当な基体への転写を行うゼログラフィープロセスのた
めに用いることができる。さらに、本発明の電荷輸送混
合物は、電界発光表示パネル、例えば約１０−２〜約１
０−１ｃｍ２ ／Ｖ．ｓの正孔ドリフト移動度が通常所
要な電界効果トランジスター、有機電子デバイス、高い
正孔移動度が通常所望される光電池のような光電デバイ
スなどのために使用することができると信ずる。本発明
は、１つの実施態様に於て、ある種のアリールアミンの
添加による種々の成分の正孔移動度の改良方法にも関す
る。
の層状光感応性画像形成部材に関する。特に、本発明は
その１つの実施態様に於て、重合体と電荷輸送分子、特
にアリールジアミンのような正孔輸送分子のような小分
子との混合物、及び該混合物が、実施態様中、これらの
混合物、特にＮ，Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）−
Ｎ，Ｎ′−ビス（４−エチルフェニル）−〔１，１′−
（３，３′−ジメチル）ビフェニル〕−４，４′−ジア
ミン（ＥＴＰＤ）のようなビフェニルジアミン化合物と
ポリシリレンとの混合物で、室温、約２５℃に於て、例
えば約１×１０−１〜約０×１０−１ｃｍ２ ／ｖｏｌ
ｔ／秒のような超高正孔移動度が得られる点で例外的な
正孔輸送媒質として機能するその光導電性部材に関する
。本発明の１つの実施態様に於て、有機ガラス、より特
別にはポリシリレンと本明細書中に示され、より特別に
はその記載がすべて参照文として本明細書に含まれるも
のとする米国特許第４，８３３，０５４号中に示される
ある種のアリールアミンドーパントとで構成される混合
物で構成される電荷、特に正孔輸送層と光生成層とを含
む有機光導電性層状画像形成部材が提供される。本発明
の１つの実施態様に於て、支持基体、随意に樹脂バイン
ダー中に分散された光生成性顔料で構成される光生成層
、及びポリシリレン（その記載がすべて参照文として本
明細書に含まれるものとする米国特許第４，６１８，５
５１号参照）とＮ，Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）
−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−エチルフェニル）−〔１，１′
−（３，３′−ジメチル）ビフェニル〕−４，４′−ジ
アミン（ＥＴＰＤ）のようなビフェニルジアミン化合物
との混合物で構成される正孔輸送層を含む光感応性画像
形成部材が提供される。本発明の光感応性画像形成部材
は、種々の電子写真画像形成及びプリンティングプロセ
ス、特に例えばその上に潜像を形成し、次いで現像及び
適当な基体への転写を行うゼログラフィープロセスのた
めに用いることができる。さらに、本発明の電荷輸送混
合物は、電界発光表示パネル、例えば約１０−２〜約１
０−１ｃｍ２ ／Ｖ．ｓの正孔ドリフト移動度が通常所
要な電界効果トランジスター、有機電子デバイス、高い
正孔移動度が通常所望される光電池のような光電デバイ
スなどのために使用することができると信ずる。本発明
は、１つの実施態様に於て、ある種のアリールアミンの
添加による種々の成分の正孔移動度の改良方法にも関す
る。
【０００２】
【技術的背景】層状光導電性画像形成部材に用いるため
の正孔輸送分子としてのポリシリレンの選択は知られて
いる（その記載がすべて参照文として本明細書に含まれ
るものとする米国特許第４，６１８，５５１号参照）。 該特許の第６欄には、多数のポリシリレン、約４０重量
％の分散アリールアミン及び約６０重量％のポリ（フェ
ニルメチルシリレン）が正孔輸送化合物として選ばれ得
ることが示されている。
の正孔輸送分子としてのポリシリレンの選択は知られて
いる（その記載がすべて参照文として本明細書に含まれ
るものとする米国特許第４，６１８，５５１号参照）。 該特許の第６欄には、多数のポリシリレン、約４０重量
％の分散アリールアミン及び約６０重量％のポリ（フェ
ニルメチルシリレン）が正孔輸送化合物として選ばれ得
ることが示されている。
【０００３】特許可能性調査報告書中には、上記米国特
許第４，６１８，５５１号、約９０％のポリ（フェニル
メチルシリレン）と約１０重量％の分散アリールアミン
とが第６及び７欄に記載されている第４，７７２，５２
５号、ポリシリレン電荷輸送層を記載している第４，７
５８，４８８号、第４，７４４，１５９号及び第４，８
５５，２０１号、及び調査者による副次的重要特許とし
て第４，３５６，２４６号及び第４，５４４，７２９号
が挙げられている。上記特許のおのおのの記載はすべて
参照文として本明細書に含まれるものとする。
許第４，６１８，５５１号、約９０％のポリ（フェニル
メチルシリレン）と約１０重量％の分散アリールアミン
とが第６及び７欄に記載されている第４，７７２，５２
５号、ポリシリレン電荷輸送層を記載している第４，７
５８，４８８号、第４，７４４，１５９号及び第４，８
５５，２０１号、及び調査者による副次的重要特許とし
て第４，３５６，２４６号及び第４，５４４，７２９号
が挙げられている。上記特許のおのおのの記載はすべて
参照文として本明細書に含まれるものとする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の特徴
は、例えば高い正孔輸送移動度を有する有機ガラスを提
供することである。本発明のもう１つの特徴はポリシリ
レンとＥＴＰＤのようなある種のアリールジアミン、正
孔輸送分子、との混合物で構成される有機ガラスを提供
することである。
は、例えば高い正孔輸送移動度を有する有機ガラスを提
供することである。本発明のもう１つの特徴はポリシリ
レンとＥＴＰＤのようなある種のアリールジアミン、正
孔輸送分子、との混合物で構成される有機ガラスを提供
することである。
【０００５】さらに、本発明のもう１つの特徴に於て、
その記載がすべて参照文として本明細書に含まれるもの
とするＪｏｓｅｐｈ Ｍｏｒｔ及びＤ．Ｐａｉ編、Ｐ
ｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ａｎｄ Ｒｅ
ｌａｔｅｄ Ｐｌｅｎｏｍｅｎａ（Ｎｅｗ Ｙｏｒ
ｋ、１９７６）２７〜６３頁にＦ．Ｋ．Ｄｏｌｅｚａｌ
ｅｋが記載しているスタンダード フライト オブ
タイム（Ｓｔａｎｄａｒｄ ｆｌｉｇｈｔ ｏ
ｆ ｔｉｍｅ）法のような既知の方法で測定して、室
温（約２５℃）に於て超高正孔移動度、例えば、約１０
−４〜約１０−１ｃｍ２ ／Ｖ．ｓ、を有する電荷輸送
混合物が提供される。
その記載がすべて参照文として本明細書に含まれるもの
とするＪｏｓｅｐｈ Ｍｏｒｔ及びＤ．Ｐａｉ編、Ｐ
ｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ａｎｄ Ｒｅ
ｌａｔｅｄ Ｐｌｅｎｏｍｅｎａ（Ｎｅｗ Ｙｏｒ
ｋ、１９７６）２７〜６３頁にＦ．Ｋ．Ｄｏｌｅｚａｌ
ｅｋが記載しているスタンダード フライト オブ
タイム（Ｓｔａｎｄａｒｄ ｆｌｉｇｈｔ ｏ
ｆ ｔｉｍｅ）法のような既知の方法で測定して、室
温（約２５℃）に於て超高正孔移動度、例えば、約１０
−４〜約１０−１ｃｍ２ ／Ｖ．ｓ、を有する電荷輸送
混合物が提供される。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のこれらの特徴及
び他の特徴は、その実施態様に於て、有機ガラス及びそ
の層状光導電性画像形成部材の提供によって達成される
。１つの実施態様に於て、本発明の層状光導電性画像形
成部材は、光生成層及びこれと接触したポリシリレンと
正孔輸送分子、特にＥＴＰＤのようなビフェニルジアミ
ンのようなある種のアリールアミン、との混合物で構成
される電荷すなわち正孔輸送層を含む。
び他の特徴は、その実施態様に於て、有機ガラス及びそ
の層状光導電性画像形成部材の提供によって達成される
。１つの実施態様に於て、本発明の層状光導電性画像形
成部材は、光生成層及びこれと接触したポリシリレンと
正孔輸送分子、特にＥＴＰＤのようなビフェニルジアミ
ンのようなある種のアリールアミン、との混合物で構成
される電荷すなわち正孔輸送層を含む。
【０００７】１つの特別な実施態様に於て、本発明の光
導電性層状画像形成部材は、例えば、支持基体、セレン
、セレン合金、金属フタロシアニン、無金属フタロシア
ニン、バナジルフタロシアニン、チタニルフタロシアニ
ン、ペリレン、スクワレイン及びその記載がすべて参照
文として本明細書に含まれるものとする米国特許第４，
７１３，３０７号、第４，７９７，３３７号、第４，５
０７，４７１号及び第４，８３３，０５２号のような数
多くの米国特許中に示されているような光生成性顔料を
含むアゾ、ビスアゾ、光生成性顔料のような他の同様な
無機又は有機光生成性顔料を含む光生成性顔料で構成さ
れる光生成層、及びポリシリレンとＥＴＰＤのようなビ
フェニルジアミンとの混合物で構成される輸送層、特に
正孔輸送層を含む。
導電性層状画像形成部材は、例えば、支持基体、セレン
、セレン合金、金属フタロシアニン、無金属フタロシア
ニン、バナジルフタロシアニン、チタニルフタロシアニ
ン、ペリレン、スクワレイン及びその記載がすべて参照
文として本明細書に含まれるものとする米国特許第４，
７１３，３０７号、第４，７９７，３３７号、第４，５
０７，４７１号及び第４，８３３，０５２号のような数
多くの米国特許中に示されているような光生成性顔料を
含むアゾ、ビスアゾ、光生成性顔料のような他の同様な
無機又は有機光生成性顔料を含む光生成性顔料で構成さ
れる光生成層、及びポリシリレンとＥＴＰＤのようなビ
フェニルジアミンとの混合物で構成される輸送層、特に
正孔輸送層を含む。
【０００８】さらに、本発明の光導電性画像形成部材に
関して、光生成層を支持基体と正孔輸送層との間に置く
ことができ、あるいは別法では、正孔輸送層を支持基体
と既知の光生成性顔料で構成される層との間に置くこと
ができる。本発明の画像形成部材はその上に、約０．２
〜約１０μｍの厚さあるいは他の有効厚さを有するポリ
ウレタン、ポリカーボネートなどのような重合体を含む
保護オーバーコーティングを含むこともできる。
関して、光生成層を支持基体と正孔輸送層との間に置く
ことができ、あるいは別法では、正孔輸送層を支持基体
と既知の光生成性顔料で構成される層との間に置くこと
ができる。本発明の画像形成部材はその上に、約０．２
〜約１０μｍの厚さあるいは他の有効厚さを有するポリ
ウレタン、ポリカーボネートなどのような重合体を含む
保護オーバーコーティングを含むこともできる。
【０００９】もう１つの特別な説明のための実施態様に
於て、本発明の光導電性画像形成部材は（１）支持基体
、（２）正孔ブロッキング層、（３）随意の粘着剤界面
層、（４）有機又は無機の光生成性顔料で構成される光
生成層、及び（５）ポリシリレンと例えば約１０〜約８
０重量％の有効量で存在するＥＴＰＤのようなベンジジ
ンとの混合物で構成される電荷輸送層（その記載がすべ
て参照文として本明細書に含まれるものとする米国特許
第４，８３３，０５４号参照）を含む。従って、本発明
の光導電性画像形成部材は、１つの実施態様に於て、導
電性支持基体、それと接触している正孔ブロッキング性
有機シラン又はシロキサン又は金属酸化物層、Ｇｏｏｄ
ｙｅａｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌから発売されている４９
，０００ポリエステルのような粘着剤層、粘着剤層上に
被覆された光生成層及び例えば約４０〜約７５重量％の
有効量で存在し、随意に樹脂バインダー中に分散された
ポリシリレンとベンジデンとの相乗作用的混合物で構成
される最上層としての正孔輸送層を含む。
於て、本発明の光導電性画像形成部材は（１）支持基体
、（２）正孔ブロッキング層、（３）随意の粘着剤界面
層、（４）有機又は無機の光生成性顔料で構成される光
生成層、及び（５）ポリシリレンと例えば約１０〜約８
０重量％の有効量で存在するＥＴＰＤのようなベンジジ
ンとの混合物で構成される電荷輸送層（その記載がすべ
て参照文として本明細書に含まれるものとする米国特許
第４，８３３，０５４号参照）を含む。従って、本発明
の光導電性画像形成部材は、１つの実施態様に於て、導
電性支持基体、それと接触している正孔ブロッキング性
有機シラン又はシロキサン又は金属酸化物層、Ｇｏｏｄ
ｙｅａｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌから発売されている４９
，０００ポリエステルのような粘着剤層、粘着剤層上に
被覆された光生成層及び例えば約４０〜約７５重量％の
有効量で存在し、随意に樹脂バインダー中に分散された
ポリシリレンとベンジデンとの相乗作用的混合物で構成
される最上層としての正孔輸送層を含む。
【００１０】本発明の光導電性画像形成部材の製造には
種々の既知の方法を選ぶことができ、層の被覆の順序に
於けるプロセスパラメーターは所望の部材に依存する。 特に、例えば１つの方法に於て、光生成層を真空昇華に
よって支持基体上に付着させ、次にその上に正孔輸送層
混合物を溶液コーティングによって付着させる。もう１
つの変法では、正孔ブロッキング層及び随意の粘着剤層
を含む導電性基体を用意し、これに溶剤コーティング方
法、積層方法又は他の方法によって光生成層及び電荷輸
送層混合物を適用することによるような既知の方法によ
って層状光導電性デバイスを製造することができる。１
つの実施態様に於ては、上にシラン層を有するチタン化
ポリエステル〔ＭＹＬＡＲ（登録商標）〕の支持基体上
にペリレンのような光生成性顔料を蒸着させ、その上に
トルエンのような溶剤コーティングによって約４０重量
％のポリ（メチルフェニルシリレン）と約６０重量％の
ＥＴＰＤの２０μｍ層をトルエンのような溶剤コーティ
ングによって付着させることができる（例えばその記載
がすべて参照文として本明細書に含まれるものとする米
国特許第４，８０８，５０６号及び同時係属米国特許出
願第５３１，２２４号（Ｄ／９０１４８）参照）。１つ
の実施態様では、上記の画像形成部材の製造のためにド
ローバーコーティング法によるトルエン約５０部と共に
ＥＴＰＤのようなジフェニルジアミン約６重量部及び重
量平均分子量約３００，０００のポリ（メチルフェニル
シリレン）４重量部を選ぶことができる。
種々の既知の方法を選ぶことができ、層の被覆の順序に
於けるプロセスパラメーターは所望の部材に依存する。 特に、例えば１つの方法に於て、光生成層を真空昇華に
よって支持基体上に付着させ、次にその上に正孔輸送層
混合物を溶液コーティングによって付着させる。もう１
つの変法では、正孔ブロッキング層及び随意の粘着剤層
を含む導電性基体を用意し、これに溶剤コーティング方
法、積層方法又は他の方法によって光生成層及び電荷輸
送層混合物を適用することによるような既知の方法によ
って層状光導電性デバイスを製造することができる。１
つの実施態様に於ては、上にシラン層を有するチタン化
ポリエステル〔ＭＹＬＡＲ（登録商標）〕の支持基体上
にペリレンのような光生成性顔料を蒸着させ、その上に
トルエンのような溶剤コーティングによって約４０重量
％のポリ（メチルフェニルシリレン）と約６０重量％の
ＥＴＰＤの２０μｍ層をトルエンのような溶剤コーティ
ングによって付着させることができる（例えばその記載
がすべて参照文として本明細書に含まれるものとする米
国特許第４，８０８，５０６号及び同時係属米国特許出
願第５３１，２２４号（Ｄ／９０１４８）参照）。１つ
の実施態様では、上記の画像形成部材の製造のためにド
ローバーコーティング法によるトルエン約５０部と共に
ＥＴＰＤのようなジフェニルジアミン約６重量部及び重
量平均分子量約３００，０００のポリ（メチルフェニル
シリレン）４重量部を選ぶことができる。
【００１１】又、本発明の１つの実施態様では、選ばれ
る光生成性顔料を、画像形成部材中に組み入れる前に、
顔料を約５００〜約６５０℃の温度にさらし、それによ
って２００℃以下の温度ゾーンに於て所望の成分よりも
揮発性の不純物及び分解生成物を分離することを含む分
別昇華によって精製することができる。かくして、約２
９０〜約４６０℃の温度ゾーンに於て、高温（５００〜
６５０℃）ゾーンでも残留している不揮発性不純物から
分離された少なくとも約９５％の純度で所望の精製光生
成性成分が得られる。用いられる昇華装置は、その記載
がすべて参照文として本明細書に含まれるものとするＪ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃ
ｉｅｎｃｅ、Ｖｏｌ．１７、２７８１〜２７９１頁（１
９８２）中にＨ．Ｊ．Ｗａｇｎｅｒらによって記載され
ている。
る光生成性顔料を、画像形成部材中に組み入れる前に、
顔料を約５００〜約６５０℃の温度にさらし、それによ
って２００℃以下の温度ゾーンに於て所望の成分よりも
揮発性の不純物及び分解生成物を分離することを含む分
別昇華によって精製することができる。かくして、約２
９０〜約４６０℃の温度ゾーンに於て、高温（５００〜
６５０℃）ゾーンでも残留している不揮発性不純物から
分離された少なくとも約９５％の純度で所望の精製光生
成性成分が得られる。用いられる昇華装置は、その記載
がすべて参照文として本明細書に含まれるものとするＪ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃ
ｉｅｎｃｅ、Ｖｏｌ．１７、２７８１〜２７９１頁（１
９８２）中にＨ．Ｊ．Ｗａｇｎｅｒらによって記載され
ている。
【００１２】本発明の改良された光導電性画像形成部材
は、ゼログラフィー画像形成及びプリンティング方法の
ような技術上よく知られたものを含む数多くの画像形成
方法及び装置中へ組みこむことができる。特に、本発明
の画像形成部材は、用いられる光生成性顔料が約４００
〜約７００ｎｍの波長の光を吸収するゼログラフィー画
像形成方法に有用である。これらの方法では、最初に画
像形成部材上に静電潜像を形成し、次に現像し、かつそ
の後で画像を適当な基体へ転写する。高い正孔移動度を
有する本発明の電荷輸送性混合物の他の用途は以下に示
されるようである。
は、ゼログラフィー画像形成及びプリンティング方法の
ような技術上よく知られたものを含む数多くの画像形成
方法及び装置中へ組みこむことができる。特に、本発明
の画像形成部材は、用いられる光生成性顔料が約４００
〜約７００ｎｍの波長の光を吸収するゼログラフィー画
像形成方法に有用である。これらの方法では、最初に画
像形成部材上に静電潜像を形成し、次に現像し、かつそ
の後で画像を適当な基体へ転写する。高い正孔移動度を
有する本発明の電荷輸送性混合物の他の用途は以下に示
されるようである。
【００１３】図１には、基体１、粘着剤層２、樹脂バイ
ンダー組成物５中に随意に分散された無機又は有機の光
生成性顔料で構成される光生成層３、及びＮ，Ｎ′−ビ
ス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−エチ
ルフェニル）−〔１，１′−（３，３′−ジメチル）ビ
フェニル〕−４，４′−ジアミン（ＥＴＰＤ）のような
アリールアミンとポリシリレン７との混合物で構成され
る電荷担体正孔輸送層６で構成される本発明の光感応性
画像形成部材が示されている。
ンダー組成物５中に随意に分散された無機又は有機の光
生成性顔料で構成される光生成層３、及びＮ，Ｎ′−ビ
ス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−エチ
ルフェニル）−〔１，１′−（３，３′−ジメチル）ビ
フェニル〕−４，４′−ジアミン（ＥＴＰＤ）のような
アリールアミンとポリシリレン７との混合物で構成され
る電荷担体正孔輸送層６で構成される本発明の光感応性
画像形成部材が示されている。
【００１４】図２には支持基体と光生成層との間に正孔
輸送層が置かれている光感応性画像形成部材が示されて
いる。特に、この図については、支持基体９、Ｎ，Ｎ′
−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−
エチルフェニル）−〔１，１′−（３，３′−ジメチル
）ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＥＴＰＤ）のよ
うなビフェニルジアミン約４０〜約７５重量％とポリシ
リレン１４との混合物で構成される正孔輸送層１１、及
び樹脂バインダー組成物１６中に随意に分散された無機
又は有機の光生成性顔料で構成される光生成層１５で構
成される光導電性画像形成部材が示されている。
輸送層が置かれている光感応性画像形成部材が示されて
いる。特に、この図については、支持基体９、Ｎ，Ｎ′
−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−
エチルフェニル）−〔１，１′−（３，３′−ジメチル
）ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＥＴＰＤ）のよ
うなビフェニルジアミン約４０〜約７５重量％とポリシ
リレン１４との混合物で構成される正孔輸送層１１、及
び樹脂バインダー組成物１６中に随意に分散された無機
又は有機の光生成性顔料で構成される光生成層１５で構
成される光導電性画像形成部材が示されている。
【００１５】図３には、約５０〜約２５０μｍの厚さの
ＭＹＬＡＲ（登録商標）のような支持基体２１、例えば
ポリエステルの粘着剤層２３、樹脂バインダー組成物２
７中に随意に分散された非晶質セレン、セレン合金、無
金属フタロシアニン、金属フタロシアニン、バナジルフ
タロシアニン又はチタニルフタロシアニンのような無機
又は有機の光生成性顔料で構成される光生成層２５、及
びＮ，Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−
ビス（４−エチルフェニル）−〔１，１′−（３，３′
−ジメチル）ビフェニル〕−４，４′−ジアミン、７５
重量％とポリシリレン３１、２５重量％との混合物で構
成される電荷担体正孔輸送層２９を含む光感応性画像形
成部材が示されている。
ＭＹＬＡＲ（登録商標）のような支持基体２１、例えば
ポリエステルの粘着剤層２３、樹脂バインダー組成物２
７中に随意に分散された非晶質セレン、セレン合金、無
金属フタロシアニン、金属フタロシアニン、バナジルフ
タロシアニン又はチタニルフタロシアニンのような無機
又は有機の光生成性顔料で構成される光生成層２５、及
びＮ，Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−
ビス（４−エチルフェニル）−〔１，１′−（３，３′
−ジメチル）ビフェニル〕−４，４′−ジアミン、７５
重量％とポリシリレン３１、２５重量％との混合物で構
成される電荷担体正孔輸送層２９を含む光感応性画像形
成部材が示されている。
【００１６】さらに本発明の画像形成部材に関しては、
基体はＭＹＬＡＲ（登録商標）市販重合体を含む無機又
は有機の重合体物質のような絶縁性物質の層、上に配置
された酸化インジウム錫又はアルミニウムのような半導
電性表面層を有する有機又は無機物質の層、あるいは例
えばアルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、真鍮な
どのような導電性物質を含むことができる。基体は可撓
性又は剛性であることができ、例えば、プレート、円筒
形ドラム、スクロール、エンドレス可撓性ベルト、継目
なし支持体などのような多くの異なる形状をもつことが
できる。好ましくは、基体はエンドレス可撓性ベルトの
形である。ある場合、特に基体が有機重合体物質である
ときには、基体の裏面に例えばＭＡＫＲＯＬＯＮ（登録
商標）のような市販のポリカーボネート物質のようなカ
ーリング防止層を被覆することが望ましいことがあり得
る。基体層の厚さは経済的な考慮を含む多くの因子に依
存し、かくしてこの層は、系に対して悪影響が無いなら
ば、実質的な厚さ、例えば２．５４ｍｍ（１００ミル）
以上、あるいは最小の厚さであることができる。１つの
好ましい実施態様に於て、この層の厚さは約０．０７６
２〜約０．２５２ｍｍ（約３〜約１０ミル）である。
基体はＭＹＬＡＲ（登録商標）市販重合体を含む無機又
は有機の重合体物質のような絶縁性物質の層、上に配置
された酸化インジウム錫又はアルミニウムのような半導
電性表面層を有する有機又は無機物質の層、あるいは例
えばアルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、真鍮な
どのような導電性物質を含むことができる。基体は可撓
性又は剛性であることができ、例えば、プレート、円筒
形ドラム、スクロール、エンドレス可撓性ベルト、継目
なし支持体などのような多くの異なる形状をもつことが
できる。好ましくは、基体はエンドレス可撓性ベルトの
形である。ある場合、特に基体が有機重合体物質である
ときには、基体の裏面に例えばＭＡＫＲＯＬＯＮ（登録
商標）のような市販のポリカーボネート物質のようなカ
ーリング防止層を被覆することが望ましいことがあり得
る。基体層の厚さは経済的な考慮を含む多くの因子に依
存し、かくしてこの層は、系に対して悪影響が無いなら
ば、実質的な厚さ、例えば２．５４ｍｍ（１００ミル）
以上、あるいは最小の厚さであることができる。１つの
好ましい実施態様に於て、この層の厚さは約０．０７６
２〜約０．２５２ｍｍ（約３〜約１０ミル）である。
【００１７】随意の粘着剤層は、典型的にはポリエステ
ル、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルピロリド
ン）などを含む重合体物質を含む。典型的には、この層
は約５μｍ未満の厚さであり、１つの実施態様に於て、
この層の厚さは約０．０５〜約５μｍ、あるいは約０．
１〜約１μｍである。本発明の画像形成部材は、前に示
したように、その中に酸化アルミニウム及びシロキサン
のような金属酸化物層を含む他の層を含むことができる
（その記載がすべて参照文として本明細書に含まれるも
のとする米国特許第４，４６４，４５０号参照）。一般
に、これらの層の厚さは約０．５〜約１μｍであるが、
本発明の目的が達成されるならば他の厚さを選ぶことが
できる。
ル、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルピロリド
ン）などを含む重合体物質を含む。典型的には、この層
は約５μｍ未満の厚さであり、１つの実施態様に於て、
この層の厚さは約０．０５〜約５μｍ、あるいは約０．
１〜約１μｍである。本発明の画像形成部材は、前に示
したように、その中に酸化アルミニウム及びシロキサン
のような金属酸化物層を含む他の層を含むことができる
（その記載がすべて参照文として本明細書に含まれるも
のとする米国特許第４，４６４，４５０号参照）。一般
に、これらの層の厚さは約０．５〜約１μｍであるが、
本発明の目的が達成されるならば他の厚さを選ぶことが
できる。
【００１８】光生成層は、一般に約０．０５〜約１０μ
ｍ又はそれ以上の厚さであり、好ましくは約０．１〜約
３μｍの厚さであるが、この層の厚さは約５〜１００％
変化することができる光生成性物質量に主として依存す
る。 一般に、像様又はプリンティング露光工程に於てこの層
へ差し向けられる入射放射線の約９０％以上を吸収する
のに充分な厚さでこの層を与えることが望ましい。この
最大厚さは、主として機構的考慮、例えば可撓性光導電
性画像形成部材が所望かどうか、他の層の厚さ及び選ば
れる特別なピラントロン化合物のような因子に依存する
。光生成性顔料の例はセレン；セレンヒ素、セレンテル
ル、セレンヒ素テルルのようなセレン合金；例えば約２
００〜約５００重量ｐｐｍの量の塩素のようなハロゲン
でドープされたセレン合金；金属フタロシアニン、無金
属フタロシアニン、スクワレイン、ペリレンなどを含み
、特に例えば２，３−ジクロロビスアゾスクワレイン、
ベンズイミダゾールペリレンを含む（その記載がすべて
参照文として本明細書に含まれるものとする米国特許第
４，５８７，１８９号参照）。
ｍ又はそれ以上の厚さであり、好ましくは約０．１〜約
３μｍの厚さであるが、この層の厚さは約５〜１００％
変化することができる光生成性物質量に主として依存す
る。 一般に、像様又はプリンティング露光工程に於てこの層
へ差し向けられる入射放射線の約９０％以上を吸収する
のに充分な厚さでこの層を与えることが望ましい。この
最大厚さは、主として機構的考慮、例えば可撓性光導電
性画像形成部材が所望かどうか、他の層の厚さ及び選ば
れる特別なピラントロン化合物のような因子に依存する
。光生成性顔料の例はセレン；セレンヒ素、セレンテル
ル、セレンヒ素テルルのようなセレン合金；例えば約２
００〜約５００重量ｐｐｍの量の塩素のようなハロゲン
でドープされたセレン合金；金属フタロシアニン、無金
属フタロシアニン、スクワレイン、ペリレンなどを含み
、特に例えば２，３−ジクロロビスアゾスクワレイン、
ベンズイミダゾールペリレンを含む（その記載がすべて
参照文として本明細書に含まれるものとする米国特許第
４，５８７，１８９号参照）。
【００１９】典型的なビフェニルジアミン正孔輸送分子
を本発明の正孔輸送層混合物のために選ぶことができる
。この層は、例えば約５〜約７５μｍの厚さ、好ましく
は約１０〜約４０μｍの厚さである。１つの実施態様に
於て、この輸送層は、下記式（Ｉ）
を本発明の正孔輸送層混合物のために選ぶことができる
。この層は、例えば約５〜約７５μｍの厚さ、好ましく
は約１０〜約４０μｍの厚さである。１つの実施態様に
於て、この輸送層は、下記式（Ｉ）
【００２０】
【化３】
【００２１】〔上記式（Ｉ）中、Ｒ１ は例えば１〜約
５個の炭素原子、好ましくは１〜約２個の炭素原子を有
するアルキル基を示し、Ｒ２ 及びＲ３ は例えば１〜
約２５個の炭素原子、好ましくは１〜約４個の炭素原子
を有するアルキル基又はアルコキシ基を示し、この化合
物及びその製法は、例えば、その記載がすべて参照文と
して本明細書に含まれるものとする米国特許第４，８３
３，０５４号に記載されている〕のビフェニルジアミン
を例えば約４０〜約７５重量％の有効量で含む。上記の
既知の入手可能なビフェニルジアミンは式（ＩＩ）
５個の炭素原子、好ましくは１〜約２個の炭素原子を有
するアルキル基を示し、Ｒ２ 及びＲ３ は例えば１〜
約２５個の炭素原子、好ましくは１〜約４個の炭素原子
を有するアルキル基又はアルコキシ基を示し、この化合
物及びその製法は、例えば、その記載がすべて参照文と
して本明細書に含まれるものとする米国特許第４，８３
３，０５４号に記載されている〕のビフェニルジアミン
を例えば約４０〜約７５重量％の有効量で含む。上記の
既知の入手可能なビフェニルジアミンは式（ＩＩ）
【０
０２２】
０２２】
【化４】
【００２３】〔上記式（ＩＩ） 中、Ｒ４ は例えば１
〜約２５個、好ましくは１〜約４個の炭素原子を有する
アルキル基又はアルコキシ基を示し、Ｚはハロゲン、好
ましくは沃素原子又は臭素原子を示す〕で示されるハロ
ゲン化ベンゼン誘導体を式（ＩＩＩ）
〜約２５個、好ましくは１〜約４個の炭素原子を有する
アルキル基又はアルコキシ基を示し、Ｚはハロゲン、好
ましくは沃素原子又は臭素原子を示す〕で示されるハロ
ゲン化ベンゼン誘導体を式（ＩＩＩ）
【００２４】
【化５】
【００２５】〔上記（ＩＩＩ）中、Ｒ１ は前に示した
通りである〕で示されるベンジジン誘導体と、銅触媒及
び水酸化ナトリウムのようなアルカリ及び約６０〜約２
５重量％のポリシリレンの存在下で反応させることによ
って製造される。この製造のため、式（ＩＩ） の出発
ハロゲン化ベンゼン誘導体は容易に入手することができ
、好ましくはＺが２−、３−又は４−ヨードトルエンの
ような沃素原子である化合物である。異なるＲ４ 基を
有するハロゲン化ベンゼン誘導体を用いることによって
、異なるＲ２ 及びＲ３ 基を有する式（Ｉ）の化合物
を得ることができる。式（ＩＩＩ）の出発ベンジジン誘
導体も市販されており、３，３′−ジメチルベンジジン
又はｏ−トルイジンを含む。式（ＩＩ） の化合物と式
（ＩＩＩ）の化合物との間の縮合反応は、銅触媒及びア
ルカリの存在下に於て、反応溶媒を用いるか又は用いな
いで、加熱して達成される。 反応溶媒を用いるならば、反応溶媒は、好ましくは、ド
デカン、トリデカンなどのような１００〜２５０℃の高
沸点溶媒を含む。この反応は脱水反応と考えることがで
き、水の影響を受けやすいので、水溶解性が悪いドデカ
ンのような炭化水素溶媒が好ましい。
通りである〕で示されるベンジジン誘導体と、銅触媒及
び水酸化ナトリウムのようなアルカリ及び約６０〜約２
５重量％のポリシリレンの存在下で反応させることによ
って製造される。この製造のため、式（ＩＩ） の出発
ハロゲン化ベンゼン誘導体は容易に入手することができ
、好ましくはＺが２−、３−又は４−ヨードトルエンの
ような沃素原子である化合物である。異なるＲ４ 基を
有するハロゲン化ベンゼン誘導体を用いることによって
、異なるＲ２ 及びＲ３ 基を有する式（Ｉ）の化合物
を得ることができる。式（ＩＩＩ）の出発ベンジジン誘
導体も市販されており、３，３′−ジメチルベンジジン
又はｏ−トルイジンを含む。式（ＩＩ） の化合物と式
（ＩＩＩ）の化合物との間の縮合反応は、銅触媒及びア
ルカリの存在下に於て、反応溶媒を用いるか又は用いな
いで、加熱して達成される。 反応溶媒を用いるならば、反応溶媒は、好ましくは、ド
デカン、トリデカンなどのような１００〜２５０℃の高
沸点溶媒を含む。この反応は脱水反応と考えることがで
き、水の影響を受けやすいので、水溶解性が悪いドデカ
ンのような炭化水素溶媒が好ましい。
【００２６】選ばれる銅触媒は銅粉末、Ｃｕ２ Ｏ、Ｃ
ｕＩ、ＣｕＯ、銅青銅、燐青銅などを含み、好ましくは
式（ＩＩＩ）のベンジジン誘導体１モルにつき０．１〜
２モルの量で添加される。用いられるアルカリには、Ｋ
ＯＨ、Ｋ２ ＣＯ３ 、ＮａＨ、ＮａＯＨ、Ｎａ２ Ｃ
Ｏ３ 、ＫＨ、ＣａＨ２ などが含まれる。アルカリは
、一般に、ベンジジン誘導体１モルにつき４モル以上、
好ましくは約４〜約５０モル、より好ましくは約６〜約
２０モルの量で添加される。縮合反応は、通常約１００
〜約２５０℃、好ましくは約１５０〜約２３０℃の温度
で行われる。式（ＩＩ） のハロゲン化ベンゼン誘導体
は、通常式（ＩＩＩ）のビフェニルジアミン誘導体１モ
ルにつき少なくとも４モル、好ましくは約４〜約２０モ
ルの量で選ばれる。
ｕＩ、ＣｕＯ、銅青銅、燐青銅などを含み、好ましくは
式（ＩＩＩ）のベンジジン誘導体１モルにつき０．１〜
２モルの量で添加される。用いられるアルカリには、Ｋ
ＯＨ、Ｋ２ ＣＯ３ 、ＮａＨ、ＮａＯＨ、Ｎａ２ Ｃ
Ｏ３ 、ＫＨ、ＣａＨ２ などが含まれる。アルカリは
、一般に、ベンジジン誘導体１モルにつき４モル以上、
好ましくは約４〜約５０モル、より好ましくは約６〜約
２０モルの量で添加される。縮合反応は、通常約１００
〜約２５０℃、好ましくは約１５０〜約２３０℃の温度
で行われる。式（ＩＩ） のハロゲン化ベンゼン誘導体
は、通常式（ＩＩＩ）のビフェニルジアミン誘導体１モ
ルにつき少なくとも４モル、好ましくは約４〜約２０モ
ルの量で選ばれる。
【００２７】反応終了後、反応混合物へ水を添加し、生
成物を溶解することができかつ水に不溶な塩化メチレン
、クロロホルム、エーテル、トルエンなどのような溶媒
で生成物を抽出する。得られた抽出液を生成物の重量の
約１０倍の活性白土で処理した後、アセトン、酢酸エチ
ル、メタノール、エタノールのようなアルコール、ヘキ
サン、トルエン、塩化メチレン、上記溶媒の混合物、ク
ロロホルムなどのような適当な溶媒から再結晶させる。 反応の過程中で所望の中間生成物を単離することも可能
である。例えば、反応が一旦中止されるならば、かつ所
望の生成物を溶媒で抽出することによって回収した後、
系に新しい触媒、アルカリ及び出発化合物を補充するこ
とによって反応を続行することができる。この場合には
、失活した触媒及びアルカリを反応の過程中に除去し、
全反応時間を短縮することができる。
成物を溶解することができかつ水に不溶な塩化メチレン
、クロロホルム、エーテル、トルエンなどのような溶媒
で生成物を抽出する。得られた抽出液を生成物の重量の
約１０倍の活性白土で処理した後、アセトン、酢酸エチ
ル、メタノール、エタノールのようなアルコール、ヘキ
サン、トルエン、塩化メチレン、上記溶媒の混合物、ク
ロロホルムなどのような適当な溶媒から再結晶させる。 反応の過程中で所望の中間生成物を単離することも可能
である。例えば、反応が一旦中止されるならば、かつ所
望の生成物を溶媒で抽出することによって回収した後、
系に新しい触媒、アルカリ及び出発化合物を補充するこ
とによって反応を続行することができる。この場合には
、失活した触媒及びアルカリを反応の過程中に除去し、
全反応時間を短縮することができる。
【００２８】別法では、ジヨード置換ベンジジン誘導体
（ＩＶ）
（ＩＶ）
【００２９】
【化６】
【００３０】〔上記式（ＩＶ） 中、Ｒ１ はアルキル
であり、Ｉは沃化物である〕をジアリールアミン（Ｖ）
であり、Ｉは沃化物である〕をジアリールアミン（Ｖ）
【００３１】
【化７】
【００３２】〔上記式（Ｖ）中、置換基Ｒ２ 及びＲ３
は前に示した通りである〕と、銅触媒及びアルカリの
存在下で上記縮合反応によって反応させることによって
同じ化合物を得ることができる。例えば約６０〜約４０
重量％のような種々の有効量で存在するポリシリレンの
例には、その記載がすべて参照文として本明細書に含ま
れるものとする米国特許第４，６１８，５５１号のポリ
シリレンが含まれる。特別のポリシリレンは式
は前に示した通りである〕と、銅触媒及びアルカリの
存在下で上記縮合反応によって反応させることによって
同じ化合物を得ることができる。例えば約６０〜約４０
重量％のような種々の有効量で存在するポリシリレンの
例には、その記載がすべて参照文として本明細書に含ま
れるものとする米国特許第４，６１８，５５１号のポリ
シリレンが含まれる。特別のポリシリレンは式
【００３３】
【化８】
【００３４】（上記式中、Ｒ１ 、Ｒ２ 、Ｒ３ 、Ｒ
４ 、Ｒ５ 及びＲ６ はアルキル、アリール、置換ア
ルキル、置換アリール及びアルコキシからなる群から独
立に選ばれ、ｍ、ｎ及びｐは全重合体化合物中の特別な
単量体単位の百分率を示す数である）のポリシリレンで
ある。好ましいポリシリレンにはポリ（メチルフェニル
シリレン）が含まれ、ポリシリレンは好ましくは約５，
０００〜約２，０００，０００のような１，０００を越
える重量平均分子量を有する。約７５，０００〜約１，
０００，０００の重量平均分子量を有するポリシリレン
又はポリゲルミレンが幾つかの実施態様に於て通常選ば
れる。上記ポリシリレンは既知の方法〔その記載がすべ
て参照文として本明細書に含まれるものとするＪｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、１９８頁、Ｃ２７（１９８０）、
Ｒ．Ｅ．Ｔｒｕｊｉｌｌｏ参照〕で製造することができ
る。他のポリシリレンも、その記載がすべて参照文とし
て本明細書に含まれるものとするＪｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆＰｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ、Ｐｏｌｙｍｅｒ
Ｃｈｍｉｓｔｒｙ Ｅｄｉｔｉｏｎ、Ｖｏｌ．２
２、２２５〜２３８頁（１９８４）、Ｊｏｈｎ Ｗｉ
ｌｙａｎｄ Ｓｏｎｓ、Ｉｎｓ．中に記載されている
ようにして製造することができる。特に、上記ポリシリ
レンは、上記論文中に記載されているように、ナトリウ
ムのようなアルカリ金属によるジクロロメチルフェニル
シランの縮合によって製造することができる。１つの製
造順序では、２００ｍｌの溶媒の存在下で約０．１モル
からの量のジクロロメチルフェニルシランをナトリウム
金属と反応させ、約１００〜約１４０℃の温度で反応を
行う。その結果、元素分析、赤外分光分析、ＵＶ分光分
析及び核磁気共鳴によって同定されるように、反応混合
物からの分離後、ポリシリレン生成物が得られる。
４ 、Ｒ５ 及びＲ６ はアルキル、アリール、置換ア
ルキル、置換アリール及びアルコキシからなる群から独
立に選ばれ、ｍ、ｎ及びｐは全重合体化合物中の特別な
単量体単位の百分率を示す数である）のポリシリレンで
ある。好ましいポリシリレンにはポリ（メチルフェニル
シリレン）が含まれ、ポリシリレンは好ましくは約５，
０００〜約２，０００，０００のような１，０００を越
える重量平均分子量を有する。約７５，０００〜約１，
０００，０００の重量平均分子量を有するポリシリレン
又はポリゲルミレンが幾つかの実施態様に於て通常選ば
れる。上記ポリシリレンは既知の方法〔その記載がすべ
て参照文として本明細書に含まれるものとするＪｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、１９８頁、Ｃ２７（１９８０）、
Ｒ．Ｅ．Ｔｒｕｊｉｌｌｏ参照〕で製造することができ
る。他のポリシリレンも、その記載がすべて参照文とし
て本明細書に含まれるものとするＪｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆＰｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ、Ｐｏｌｙｍｅｒ
Ｃｈｍｉｓｔｒｙ Ｅｄｉｔｉｏｎ、Ｖｏｌ．２
２、２２５〜２３８頁（１９８４）、Ｊｏｈｎ Ｗｉ
ｌｙａｎｄ Ｓｏｎｓ、Ｉｎｓ．中に記載されている
ようにして製造することができる。特に、上記ポリシリ
レンは、上記論文中に記載されているように、ナトリウ
ムのようなアルカリ金属によるジクロロメチルフェニル
シランの縮合によって製造することができる。１つの製
造順序では、２００ｍｌの溶媒の存在下で約０．１モル
からの量のジクロロメチルフェニルシランをナトリウム
金属と反応させ、約１００〜約１４０℃の温度で反応を
行う。その結果、元素分析、赤外分光分析、ＵＶ分光分
析及び核磁気共鳴によって同定されるように、反応混合
物からの分離後、ポリシリレン生成物が得られる。
【００３５】本発明の電荷輸送性混合物のために選ぶこ
とができるポリシリレン化合物の説明のための特別な例
には、ポリ（メチルフェニルシリレン）、ポリ（メチル
フェニルシリレン−共−ジメチルシリレン）、ポリ（シ
クロヘキシルメチルシリレン）、ポリ（ジ−ｎ−ブチル
メチルシリレン）、ポリ（フェニルエチルシリレン）、
ポリ（ｎ−プロピルメチルシリレン）、ポリ（ｐ−トリ
ルメチルシリレン）、ポリ（シクロトリメチレンシリレ
ン）、ポリ（シクロテトラメチレンシリレン）、ポリ（
シクロペンタメチレンシリレン）、ポリ（ジ−ｔ−ブチ
ルシリレン−共−ジ−メチルシリレン）、ポリ（ジフェ
ニルシリレン−共−フェニルメチルシリレン）、ポリ（
シアノエチルメチルシリレン）、ポリ（フェニルメチル
シリレン）などが含まれる。本発明のトナー組成物のた
めに選ばれる好ましいポリシリレンには、ポリ（メチル
フェニル）シリレン、ポリ（シクロヘキシルメチル）シ
リレン及びポリ（フェネチルメチル）シリレンが含まれ
る。
とができるポリシリレン化合物の説明のための特別な例
には、ポリ（メチルフェニルシリレン）、ポリ（メチル
フェニルシリレン−共−ジメチルシリレン）、ポリ（シ
クロヘキシルメチルシリレン）、ポリ（ジ−ｎ−ブチル
メチルシリレン）、ポリ（フェニルエチルシリレン）、
ポリ（ｎ−プロピルメチルシリレン）、ポリ（ｐ−トリ
ルメチルシリレン）、ポリ（シクロトリメチレンシリレ
ン）、ポリ（シクロテトラメチレンシリレン）、ポリ（
シクロペンタメチレンシリレン）、ポリ（ジ−ｔ−ブチ
ルシリレン−共−ジ−メチルシリレン）、ポリ（ジフェ
ニルシリレン−共−フェニルメチルシリレン）、ポリ（
シアノエチルメチルシリレン）、ポリ（フェニルメチル
シリレン）などが含まれる。本発明のトナー組成物のた
めに選ばれる好ましいポリシリレンには、ポリ（メチル
フェニル）シリレン、ポリ（シクロヘキシルメチル）シ
リレン及びポリ（フェネチルメチル）シリレンが含まれ
る。
【００３６】本明細書中に示される光感応性デバイスに
よる画像形成方法も本発明の範囲内に含まれる。これら
の方法は、一般に、画像形成部材上での静電潜像の形成
、それに続く既知の現像剤組成物による現像（その記載
がすべて参照文として本明細書に含まれるものとする例
えば米国特許第３，５９０，０００号、第４，４６９，
７７０号、第４，５６０，６３５号及び第４，２９８，
６７２号参照）、次いで適当な基体への画像の転写及
び基体への画像の永久的定着を含む。
よる画像形成方法も本発明の範囲内に含まれる。これら
の方法は、一般に、画像形成部材上での静電潜像の形成
、それに続く既知の現像剤組成物による現像（その記載
がすべて参照文として本明細書に含まれるものとする例
えば米国特許第３，５９０，０００号、第４，４６９，
７７０号、第４，５６０，６３５号及び第４，２９８，
６７２号参照）、次いで適当な基体への画像の転写及
び基体への画像の永久的定着を含む。
【００３７】像現像のために選ぶことができかつ例えば
約０．０５〜約１０重量％、より好ましくは約０．５〜
約２重量％のような種々の有効量でトナー中に存在又は
トナーと混合することができ、かつ、通常、例えば約１
５〜約４０μクーロン／ｇの摩擦電荷を有する正帯電ト
ナー組成物を可能にする電荷増強用添加剤を有するトナ
ーの説明のための例には、セチルピリジニウムクロリド
のようなアルキルピリジニウムクロリド（その記載がす
べて参照文として本明細書に含まれるものとする米国特
許第４，２９８，６７２号参照）、セチルピリジニウム
テトラフルオロボレート、第四アンモニウム硫酸塩、及
びその記載がすべて参照文として本明細書に含まれるも
のとする米国特許第４，３３８，３９０号中に記載され
ているようなスルホネート電荷制御剤、ステアリルフェ
ネチルジメチルアンモニウムトシレート（その記載がす
べて参照文として本明細書に含まれるものとする米国特
許第４，３３８，３９０号参照）、ジステアリルジメチ
ルアンモニウムメチルサルフェート（その記載がすべて
参照文として本明細書に含まれるものとする米国特許第
４，５６０，６３５号参照）、Ｏｒｉｅｎｔ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙから発売されているステ
アリルジメチル水素アンモニウムトシレート、ＢＯＮＴ
ＲＯＮ（商標）Ｐ５１、Ｎａｃｈｅｍから発売されてい
るＴＰ−３０２（商標）、第四アンモニウム塩、ＡＥＲ
ＯＳＩＬＳ（登録商標）、コロイド状シリカと電荷添加
剤との混合物、電荷制御添加剤で表面処理されたコロイ
ド状シリカ、及び本発明の目的が達成されることを条件
とする他の既知の同様な電荷増強用添加剤などが含まれ
る。例えば約０．０５〜約１０重量％、好ましくは約１
〜約５重量％、より好ましくは約０．５〜約２重量％の
ような種々の有効量で存在し、例えば約−１５〜約−４
０μクーロン／ｇの摩擦電荷を有する負帯電トナーを可
能にする電荷増強用添加剤の例には、Ｈｏｄｏｇａｙａ
Ｃｈｅｍｉｃａｌから発売されているＳＰＩＬＯＮ
（商標）ＴＲＨ、オルトハロフェニルカルボン酸（その
記載がすべて参照文として本明細書に含まれるものとす
る米国特許第４，４１１，９７４号参照）、カリウムテ
トラフェニルボレートなどが含まれる。選ばれる担体及
び用いられる電荷増強用添加剤の量を含む多数の因子に
依存する上記正帯電トナーに関して、一般に、摩擦電荷
は約＋１５〜約＋４０μクーロン／ｇ、好ましくは＋２
０〜約＋３５μクーロン／ｇである。負極性を有する同
様な電荷は′９７４号特許のトナーのような負電荷増強
用添加剤を有するトナー上に存在することができる。
約０．０５〜約１０重量％、より好ましくは約０．５〜
約２重量％のような種々の有効量でトナー中に存在又は
トナーと混合することができ、かつ、通常、例えば約１
５〜約４０μクーロン／ｇの摩擦電荷を有する正帯電ト
ナー組成物を可能にする電荷増強用添加剤を有するトナ
ーの説明のための例には、セチルピリジニウムクロリド
のようなアルキルピリジニウムクロリド（その記載がす
べて参照文として本明細書に含まれるものとする米国特
許第４，２９８，６７２号参照）、セチルピリジニウム
テトラフルオロボレート、第四アンモニウム硫酸塩、及
びその記載がすべて参照文として本明細書に含まれるも
のとする米国特許第４，３３８，３９０号中に記載され
ているようなスルホネート電荷制御剤、ステアリルフェ
ネチルジメチルアンモニウムトシレート（その記載がす
べて参照文として本明細書に含まれるものとする米国特
許第４，３３８，３９０号参照）、ジステアリルジメチ
ルアンモニウムメチルサルフェート（その記載がすべて
参照文として本明細書に含まれるものとする米国特許第
４，５６０，６３５号参照）、Ｏｒｉｅｎｔ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙから発売されているステ
アリルジメチル水素アンモニウムトシレート、ＢＯＮＴ
ＲＯＮ（商標）Ｐ５１、Ｎａｃｈｅｍから発売されてい
るＴＰ−３０２（商標）、第四アンモニウム塩、ＡＥＲ
ＯＳＩＬＳ（登録商標）、コロイド状シリカと電荷添加
剤との混合物、電荷制御添加剤で表面処理されたコロイ
ド状シリカ、及び本発明の目的が達成されることを条件
とする他の既知の同様な電荷増強用添加剤などが含まれ
る。例えば約０．０５〜約１０重量％、好ましくは約１
〜約５重量％、より好ましくは約０．５〜約２重量％の
ような種々の有効量で存在し、例えば約−１５〜約−４
０μクーロン／ｇの摩擦電荷を有する負帯電トナーを可
能にする電荷増強用添加剤の例には、Ｈｏｄｏｇａｙａ
Ｃｈｅｍｉｃａｌから発売されているＳＰＩＬＯＮ
（商標）ＴＲＨ、オルトハロフェニルカルボン酸（その
記載がすべて参照文として本明細書に含まれるものとす
る米国特許第４，４１１，９７４号参照）、カリウムテ
トラフェニルボレートなどが含まれる。選ばれる担体及
び用いられる電荷増強用添加剤の量を含む多数の因子に
依存する上記正帯電トナーに関して、一般に、摩擦電荷
は約＋１５〜約＋４０μクーロン／ｇ、好ましくは＋２
０〜約＋３５μクーロン／ｇである。負極性を有する同
様な電荷は′９７４号特許のトナーのような負電荷増強
用添加剤を有するトナー上に存在することができる。
【００３８】トナー組成物と混合するために選ばれ、か
くして２成分現像剤を可能にするキャリヤ粒子の説明の
ための例には、トナー粒子の電荷と反対の極性の電荷を
摩擦帯電的に得ることができるキャリヤ粒子が含まれる
。従って、負極性のキャリヤ粒子を選ぶことができ、そ
れによって正に帯電しているトナー粒子をキャリヤ粒子
及びその周囲に付着させることができる。別法では、負
極性を有するトナー組成物を可能にする正極性を有する
キャリヤ粒子を選ぶことができる。選ぶことができるキ
ャリヤ粒子の説明のための例には、鋼、ニッケル、鉄、
フェライトなどが含まれる。さらに、キャリヤが反復す
る凹凸表面を特徴とし、それによって比較的大きい外表
面積を有する粒子を与えるニッケルのノジュラーキャリ
ヤビーズで構成される米国特許第３，８４７，６０４号
に記載されているニッケルベリーキャリヤをキャリヤ粒
子として選ぶことができる。本発明のために選ばれる好
ましいキャリヤ粒子は上に重合体コーティングを有する
鋼のような磁性コアを含み、その幾つかは例えばその記
載がすべて参照文として本明細書に含まれるものとする
幾つかのキャリヤ粒子を有する現像剤組成物に関する米
国特許出願第７５１，９２２号（放棄）中に記載されて
いる。特に、上記出願中には、その上にビニル重合体又
はビニル単独重合体のコーティングを有するコアで構成
されるキャリヤ粒子が記載されている。該出願中に記載
されかつ本発明のために特に有用な特別のキャリヤの例
はその上に塩化ビニル／トリブルオロクロロエチレン共
重合体のコーティングを有する鋼又はフェライトコアで
構成されておりかつコーティングがその中にカーボンブ
ラックのような導電性粒子を含むキャリヤである。他の
コーティングには、ポリ弗化ビニリデン樹脂のようなフ
ルオロポリマー、ポリ（クロロトリオロエチレン）、弗
素化エチレンとプロピレンとの共重合体、スチレン、メ
チルメタクリレート及びトリエトキシシランのようなシ
ランのタ−ポリマー（その記載がすべて参照文として本
明細書に含まれるものとする米国特許第３，４６７，６
３４号及び第３，５２６，５３３号参照）、ポリテトラ
フルオロエチレン、弗素含有ポリアクリレート、及びポ
リメタクリレート、塩化ビニルとトリクロロフルオロエ
チレンとの共重合体及び他の既知コーティングが含まれ
る。二重重合体コーティングをその上に有するコアで構
成される成分をキャリヤとして選ぶこともできる（その
記載がすべて参照文として本明細書に含まれるものとす
る米国特許第４，９３７，１６６号及び第４，９３５，
３２６号参照）。これらの出願中には、（１）約１０〜
約９０重量％の第１重合体と約９０〜約１０重量％の第
２重合体とを含む重合体混合物とキャリヤコアとを混合
する工程、（２）キャリヤコア粒子と重合体混合物とを
充分な時間ドライ混合して重合体混合物をキャリヤコア
粒子に付着させる工程、（３）キャリヤコア粒子と重合
体混合物との混合物を約９３．３〜約２８７．８℃（約
２００〜約５５０°Ｆ）の温度に加熱して重合体混合物
を溶融させかつキャリヤコア粒子に融着させる工程、及
び（４）その後で得られた被覆キャリヤ粒子を冷却する
工程を含む、実質的に安定な導電率パラメーターを有す
るキャリヤ粒子の製造法が詳述されている。
くして２成分現像剤を可能にするキャリヤ粒子の説明の
ための例には、トナー粒子の電荷と反対の極性の電荷を
摩擦帯電的に得ることができるキャリヤ粒子が含まれる
。従って、負極性のキャリヤ粒子を選ぶことができ、そ
れによって正に帯電しているトナー粒子をキャリヤ粒子
及びその周囲に付着させることができる。別法では、負
極性を有するトナー組成物を可能にする正極性を有する
キャリヤ粒子を選ぶことができる。選ぶことができるキ
ャリヤ粒子の説明のための例には、鋼、ニッケル、鉄、
フェライトなどが含まれる。さらに、キャリヤが反復す
る凹凸表面を特徴とし、それによって比較的大きい外表
面積を有する粒子を与えるニッケルのノジュラーキャリ
ヤビーズで構成される米国特許第３，８４７，６０４号
に記載されているニッケルベリーキャリヤをキャリヤ粒
子として選ぶことができる。本発明のために選ばれる好
ましいキャリヤ粒子は上に重合体コーティングを有する
鋼のような磁性コアを含み、その幾つかは例えばその記
載がすべて参照文として本明細書に含まれるものとする
幾つかのキャリヤ粒子を有する現像剤組成物に関する米
国特許出願第７５１，９２２号（放棄）中に記載されて
いる。特に、上記出願中には、その上にビニル重合体又
はビニル単独重合体のコーティングを有するコアで構成
されるキャリヤ粒子が記載されている。該出願中に記載
されかつ本発明のために特に有用な特別のキャリヤの例
はその上に塩化ビニル／トリブルオロクロロエチレン共
重合体のコーティングを有する鋼又はフェライトコアで
構成されておりかつコーティングがその中にカーボンブ
ラックのような導電性粒子を含むキャリヤである。他の
コーティングには、ポリ弗化ビニリデン樹脂のようなフ
ルオロポリマー、ポリ（クロロトリオロエチレン）、弗
素化エチレンとプロピレンとの共重合体、スチレン、メ
チルメタクリレート及びトリエトキシシランのようなシ
ランのタ−ポリマー（その記載がすべて参照文として本
明細書に含まれるものとする米国特許第３，４６７，６
３４号及び第３，５２６，５３３号参照）、ポリテトラ
フルオロエチレン、弗素含有ポリアクリレート、及びポ
リメタクリレート、塩化ビニルとトリクロロフルオロエ
チレンとの共重合体及び他の既知コーティングが含まれ
る。二重重合体コーティングをその上に有するコアで構
成される成分をキャリヤとして選ぶこともできる（その
記載がすべて参照文として本明細書に含まれるものとす
る米国特許第４，９３７，１６６号及び第４，９３５，
３２６号参照）。これらの出願中には、（１）約１０〜
約９０重量％の第１重合体と約９０〜約１０重量％の第
２重合体とを含む重合体混合物とキャリヤコアとを混合
する工程、（２）キャリヤコア粒子と重合体混合物とを
充分な時間ドライ混合して重合体混合物をキャリヤコア
粒子に付着させる工程、（３）キャリヤコア粒子と重合
体混合物との混合物を約９３．３〜約２８７．８℃（約
２００〜約５５０°Ｆ）の温度に加熱して重合体混合物
を溶融させかつキャリヤコア粒子に融着させる工程、及
び（４）その後で得られた被覆キャリヤ粒子を冷却する
工程を含む、実質的に安定な導電率パラメーターを有す
るキャリヤ粒子の製造法が詳述されている。
【００３９】又、キャリヤ粒子の直径は変わり得るが、
キャリヤ粒子は一般に直径が約５０〜約１，０００μｍ
、好ましくは約５００μｍであり、かくしてこれらの粒
子は現像工程中静電像へ付着しないように充分な密度を
有することができる。キャリヤ粒子と約１０〜約２５μ
ｍの平均粒径を有するトナー粒子とを、種の適当な組み
合わせ、例えばキャリヤ粒子約１０〜約２００重量部に
対してトナー約１〜約５重量部で混合することができる
。
キャリヤ粒子は一般に直径が約５０〜約１，０００μｍ
、好ましくは約５００μｍであり、かくしてこれらの粒
子は現像工程中静電像へ付着しないように充分な密度を
有することができる。キャリヤ粒子と約１０〜約２５μ
ｍの平均粒径を有するトナー粒子とを、種の適当な組み
合わせ、例えばキャリヤ粒子約１０〜約２００重量部に
対してトナー約１〜約５重量部で混合することができる
。
【００４０】
実施例１
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（４−メチルフェニ
ル）−３，３′−ジメチルベンジジン：
ル）−３，３′−ジメチルベンジジン：
【００４１】
【化９】
【００４２】の製造
丸底フラスコ中に３．１４ｇ（１３．８ミリモル）のｏ
−トルイジン、４０ｇの水酸化カリウム、４００ｍｇの
沃化銅及び３０ｍｌのｎ−ドデカンを入れ、得られた混
合物を窒素流中で１８０℃に加熱した。この混合物へ２
４．０ｇ（１１０ミリモル）の４−ヨードトルエンを滴
加し、１８０℃での加熱を５時間続行した。反応混合物
へ水を添加し、混合物を約１ ｌのトルエンで抽出し
た。反応を確実に完了させるため、蒸留によって溶媒を
除去し、固体残留物へ４０ｇの水酸化カリウム、４００
ｍｇの沃化銅及び２４．０ｇ（１１０ミリモル）の４−
ヨードトルエンを添加した後、固体残留物を添加された
ヨードトルエンと窒素流中で１８０℃に於て５時間反応
させた。水を添加し、混合物を約１ ｌのトルエンで
抽出した。抽出液を硫酸ナトリウム上で乾燥した後、活
性炭で処理し、蒸留によって溶媒（トルエン）を除去し
て５．９８ｇ（収率７５．７％）のＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′
−テトラキス−（４−メチルフェニル）−３，３′−ジ
メチルベンジジン（ＶＩ） を得、これをトルエン／ア
セトン／ヘキサンの混合溶媒から再結晶させて融点１７
４〜１７５℃の白色結晶性物質４．３２ｇ（最終収率５
４．７％）を得た。この生成物はＮＭＲで同定された。 実施例２ Ｎ，Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビ
ス（４−エチルフェニル）−〔１，１′−（３，３′−
ジメチル）ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＥＴＰ
Ｄ）：
−トルイジン、４０ｇの水酸化カリウム、４００ｍｇの
沃化銅及び３０ｍｌのｎ−ドデカンを入れ、得られた混
合物を窒素流中で１８０℃に加熱した。この混合物へ２
４．０ｇ（１１０ミリモル）の４−ヨードトルエンを滴
加し、１８０℃での加熱を５時間続行した。反応混合物
へ水を添加し、混合物を約１ ｌのトルエンで抽出し
た。反応を確実に完了させるため、蒸留によって溶媒を
除去し、固体残留物へ４０ｇの水酸化カリウム、４００
ｍｇの沃化銅及び２４．０ｇ（１１０ミリモル）の４−
ヨードトルエンを添加した後、固体残留物を添加された
ヨードトルエンと窒素流中で１８０℃に於て５時間反応
させた。水を添加し、混合物を約１ ｌのトルエンで
抽出した。抽出液を硫酸ナトリウム上で乾燥した後、活
性炭で処理し、蒸留によって溶媒（トルエン）を除去し
て５．９８ｇ（収率７５．７％）のＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′
−テトラキス−（４−メチルフェニル）−３，３′−ジ
メチルベンジジン（ＶＩ） を得、これをトルエン／ア
セトン／ヘキサンの混合溶媒から再結晶させて融点１７
４〜１７５℃の白色結晶性物質４．３２ｇ（最終収率５
４．７％）を得た。この生成物はＮＭＲで同定された。 実施例２ Ｎ，Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビ
ス（４−エチルフェニル）−〔１，１′−（３，３′−
ジメチル）ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＥＴＰ
Ｄ）：
【００４３】
【化１０】
【００４４】の製造
この合成は実施例１記載のようにして行った。但し、第
１工程中の４−ヨードトルエンの量を１５ミリモル（３
．３ｇ）に減少し、第２工程に於て４−ヨードトルエン
の代わりに２６ｇ（１１０ミリモル）の４−ヨードエチ
ルベンゼンを用いた。水の添加によって生成物を単離し
、トルエンで混合物の抽出を行った。抽出液を硫酸ナト
リウム上で乾燥し、活性白土で処理した。蒸留によって
溶媒を除去して６．０３ｇの粗製（ＶＩＩ）を得た。こ
の反応生成物をトルエンに再び溶解し、ヘプタン中に懸
濁された活性シリカ及び溶離液としての１：１トルエン
／ヘプタン混合物を用いる通常のカラム分別法によって
精製した。生成物を次にトルエン／アセトン／ヘプタン
の混合溶媒から再結晶させて１５５．５℃の融点を有す
る白色粉末Ｎ，Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ
，Ｎ′−ビス（４−エチルフェニル）−〔１，１′−（
３，３′−ジメチル）ビフェニル〕−４，４′−ジアミ
ン３．５４ｇ（収率４３％）を得た。 正孔ドリフト移動度の測定 ポリシリレンと上で製造された小分子との混合物の希釈
溶液をアルミニウム板上に注型した後溶媒（典型的には
トルエン）を除去することによって調製した薄膜上で正
孔ドリフト移動度を測定した。膜厚は典型的には１０μ
ｍであった。膜の組成を小分子約１０重量％、ポリシリ
レン９０重量％から小分子７５重量％、ポリシリレン２
５重量％まで変化させた。例えば０．１２５ｇのポリ（
メチルフェニルシリレン）（分子量３００，０００、分
子量分布２．３）と０．３７５ｇのＮ，Ｎ′−ビス（４
−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−エチルフェ
ニル）−〔１，１′−（３，３′−ジメチル）ビフェニ
ル〕−４，４′−ジアミン（ＥＴＰＤ）とを５ｍｌのト
ルエンに溶解し、この溶液をバーコーティング法を用い
て平坦なアルミニウム板上に広げ、かつ溶媒を蒸発させ
て厚さ１１μｍの膜を調製した。
１工程中の４−ヨードトルエンの量を１５ミリモル（３
．３ｇ）に減少し、第２工程に於て４−ヨードトルエン
の代わりに２６ｇ（１１０ミリモル）の４−ヨードエチ
ルベンゼンを用いた。水の添加によって生成物を単離し
、トルエンで混合物の抽出を行った。抽出液を硫酸ナト
リウム上で乾燥し、活性白土で処理した。蒸留によって
溶媒を除去して６．０３ｇの粗製（ＶＩＩ）を得た。こ
の反応生成物をトルエンに再び溶解し、ヘプタン中に懸
濁された活性シリカ及び溶離液としての１：１トルエン
／ヘプタン混合物を用いる通常のカラム分別法によって
精製した。生成物を次にトルエン／アセトン／ヘプタン
の混合溶媒から再結晶させて１５５．５℃の融点を有す
る白色粉末Ｎ，Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ
，Ｎ′−ビス（４−エチルフェニル）−〔１，１′−（
３，３′−ジメチル）ビフェニル〕−４，４′−ジアミ
ン３．５４ｇ（収率４３％）を得た。 正孔ドリフト移動度の測定 ポリシリレンと上で製造された小分子との混合物の希釈
溶液をアルミニウム板上に注型した後溶媒（典型的には
トルエン）を除去することによって調製した薄膜上で正
孔ドリフト移動度を測定した。膜厚は典型的には１０μ
ｍであった。膜の組成を小分子約１０重量％、ポリシリ
レン９０重量％から小分子７５重量％、ポリシリレン２
５重量％まで変化させた。例えば０．１２５ｇのポリ（
メチルフェニルシリレン）（分子量３００，０００、分
子量分布２．３）と０．３７５ｇのＮ，Ｎ′−ビス（４
−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−エチルフェ
ニル）−〔１，１′−（３，３′−ジメチル）ビフェニ
ル〕−４，４′−ジアミン（ＥＴＰＤ）とを５ｍｌのト
ルエンに溶解し、この溶液をバーコーティング法を用い
て平坦なアルミニウム板上に広げ、かつ溶媒を蒸発させ
て厚さ１１μｍの膜を調製した。
【００４５】研究されたすべての層中の正孔ドリフト移
動度は、Ｆ．Ｊ．ＤｏｌｅｚａｌｅｋがＰｈｏｔｏｃｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ａｎｄ ＲｅｌａｔｅｄＰ
ｈｅｎｏｍｅｎａ、Ｊ．Ｍｏｒｔ ａｎｄ Ｄ．Ｍ
．Ｐａｉ、Ｅｄｓ：Ｅｌｓｅｖｉｅｒ、Ｎｅｗ Ｙｏ
ｒｋ、１９７６、２７頁に詳述している通常の既知のい
わゆる飛程時間法で、電荷担体のフラッシュ励起のため
に窒素ポンプ式染料レーザー（ｎｉｔｒｏｇｅｎ−ｐｕ
ｍｐｅｄ ｄｙｅ ｌａｓｅｒ）を用いて測定され
た。フラッシュの持続時間はトランジットタイムよりず
っと短い５ナノ秒であった。
動度は、Ｆ．Ｊ．ＤｏｌｅｚａｌｅｋがＰｈｏｔｏｃｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ａｎｄ ＲｅｌａｔｅｄＰ
ｈｅｎｏｍｅｎａ、Ｊ．Ｍｏｒｔ ａｎｄ Ｄ．Ｍ
．Ｐａｉ、Ｅｄｓ：Ｅｌｓｅｖｉｅｒ、Ｎｅｗ Ｙｏ
ｒｋ、１９７６、２７頁に詳述している通常の既知のい
わゆる飛程時間法で、電荷担体のフラッシュ励起のため
に窒素ポンプ式染料レーザー（ｎｉｔｒｏｇｅｎ−ｐｕ
ｍｐｅｄ ｄｙｅ ｌａｓｅｒ）を用いて測定され
た。フラッシュの持続時間はトランジットタイムよりず
っと短い５ナノ秒であった。
【００４６】表１は、表中に示した条件下で測定された
無添加剤のポリ（メチルフェニルシリレン）及びポリ（
メチル−ｐ−メトキシフェニルシリレン）中の正孔ドリ
フト移動度が１０−４ｃｍ２ ／Ｖ．ｓ付近であること
を示す。表１は、不活性で、電子的に不活性な重合体で
あるポリスチレン及びポリカーボネート中での正孔ドリ
フト移動度が零に等しいことも示している。表１は、Ｅ
ＴＰＤと不活性で、電子的に不活性なバインダー重合体
であるポリスチレン及びポリカーボネートとからなる膜
中での正孔ドリフト移動度が２成分の相対的重量比によ
って７×１０−７〜１．８×１０−３ｃｍ２ ／Ｖ．ｓ
の間で変化するが２５：７５の重合体：小分子比に於け
る１．８×１０−３ｃｍ２ ／Ｖ．ｓより決して大きく
ならないことをも示している。驚くべきことには、同じ
小分子、ＥＴＰＤ、を輸送活性重合体（それ自体が正孔
輸送を示す重合体）であるポリ（メチルフェニルシリレ
ン）（ＰＭＰＳ）又はポリ（メチル−ｐ−メトキシフェ
ニルシリレン（ＰＭＭＳ）中に上と同じ重量比で分子状
に分散させるとき、これらの組成物の膜中に於ける正孔
移動度は実質的により高くなり、２５：７５ＰＭＰＳ／
ＥＴＰＤ重量比で３×１０−２ｃｍ２ ／Ｖ．ｓに達す
る。この相乗効果は予期せむことであり、せいぜい２成
分の良好な方、すなわちＥＴＰＤの移動度が期待される
はずである。同様に、分子又は構造ＶＩをポリシリレン
（ＰＭＰＳ）中に分子状に分散させるとき、この混合物
の膜中での正孔ドリフト移動度はポリシリレン又は不活
性バインダー重合体ポリカーボネート中に同じ重量比で
分子状に分散された小分子のいずれの正孔ドリフト移動
度よりも予想外に高い。
無添加剤のポリ（メチルフェニルシリレン）及びポリ（
メチル−ｐ−メトキシフェニルシリレン）中の正孔ドリ
フト移動度が１０−４ｃｍ２ ／Ｖ．ｓ付近であること
を示す。表１は、不活性で、電子的に不活性な重合体で
あるポリスチレン及びポリカーボネート中での正孔ドリ
フト移動度が零に等しいことも示している。表１は、Ｅ
ＴＰＤと不活性で、電子的に不活性なバインダー重合体
であるポリスチレン及びポリカーボネートとからなる膜
中での正孔ドリフト移動度が２成分の相対的重量比によ
って７×１０−７〜１．８×１０−３ｃｍ２ ／Ｖ．ｓ
の間で変化するが２５：７５の重合体：小分子比に於け
る１．８×１０−３ｃｍ２ ／Ｖ．ｓより決して大きく
ならないことをも示している。驚くべきことには、同じ
小分子、ＥＴＰＤ、を輸送活性重合体（それ自体が正孔
輸送を示す重合体）であるポリ（メチルフェニルシリレ
ン）（ＰＭＰＳ）又はポリ（メチル−ｐ−メトキシフェ
ニルシリレン（ＰＭＭＳ）中に上と同じ重量比で分子状
に分散させるとき、これらの組成物の膜中に於ける正孔
移動度は実質的により高くなり、２５：７５ＰＭＰＳ／
ＥＴＰＤ重量比で３×１０−２ｃｍ２ ／Ｖ．ｓに達す
る。この相乗効果は予期せむことであり、せいぜい２成
分の良好な方、すなわちＥＴＰＤの移動度が期待される
はずである。同様に、分子又は構造ＶＩをポリシリレン
（ＰＭＰＳ）中に分子状に分散させるとき、この混合物
の膜中での正孔ドリフト移動度はポリシリレン又は不活
性バインダー重合体ポリカーボネート中に同じ重量比で
分子状に分散された小分子のいずれの正孔ドリフト移動
度よりも予想外に高い。
【００４７】
表 １２５℃及び３×１０５ Ｖ
／ｃｍの電界に於けるＥＴＰＤ含有膜中の正孔ドリフト
移動度 ─────────────────────────
───────────
バインダー重合体／ジアミン小分子重
量比 ─────
──────────────────────バイン
ダー １００：０ ８０：２０
５０：５０ ２５：７５────────
─────────────────────────
───ＰＭＰＳ １０−４
８×１０−４ ７×１０−３ ３
×１０−２ＰＭＭＳ ８×１０−５
− ５×１０−３
１０−２ＰＳ
− ２×１０−５ ７×１
０−４ １．８×１０−３ＰＣ
− ７×１０−７
２×１０−５ ８×１０−４─────
─────────────────────────
──────ＰＭＰＳはポリ（メチルフェニルシリレン
）を示すＰＭＭＳはポリ（メチル−ｐ−メトキシフェニ
ルシリレン）を示す ＰＣはポリカーボネートを示す ＰＳはポリスチレンを示す。
表 １２５℃及び３×１０５ Ｖ
／ｃｍの電界に於けるＥＴＰＤ含有膜中の正孔ドリフト
移動度 ─────────────────────────
───────────
バインダー重合体／ジアミン小分子重
量比 ─────
──────────────────────バイン
ダー １００：０ ８０：２０
５０：５０ ２５：７５────────
─────────────────────────
───ＰＭＰＳ １０−４
８×１０−４ ７×１０−３ ３
×１０−２ＰＭＭＳ ８×１０−５
− ５×１０−３
１０−２ＰＳ
− ２×１０−５ ７×１
０−４ １．８×１０−３ＰＣ
− ７×１０−７
２×１０−５ ８×１０−４─────
─────────────────────────
──────ＰＭＰＳはポリ（メチルフェニルシリレン
）を示すＰＭＭＳはポリ（メチル−ｐ−メトキシフェニ
ルシリレン）を示す ＰＣはポリカーボネートを示す ＰＳはポリスチレンを示す。
【００４８】
表 ２２５℃及び３×１０５ Ｖ
／ｃｍの電界に於ける（ＶＩ）含有膜中の正孔トリフト
移動度 ─────────────────────────
───────────
バインダー重合体／ジアミン小分
子重量比
─────────────────────バイン
ダー １００：０
５０：５０──────────
─────────────────────────
─ＰＭＰＳ
１０−４ ２×１０−３Ｐ
Ｃ
− １０−５
─────────────────────────
───────────表２は小分子（ＶＩ） と輸送
活性バインダー（ポリシリレン、ＰＭＰＳ）との両方を
含む膜中の正孔ドリフト移動度が正味のＰＭＰＳ（輸送
活性重合体）中又は小分子（ＶＩ） と輸送不活性バイ
ンダー（ＰＣ）とで構成された膜中のいずれの正孔移動
度よりずっと高いことを示している。
表 ２２５℃及び３×１０５ Ｖ
／ｃｍの電界に於ける（ＶＩ）含有膜中の正孔トリフト
移動度 ─────────────────────────
───────────
バインダー重合体／ジアミン小分
子重量比
─────────────────────バイン
ダー １００：０
５０：５０──────────
─────────────────────────
─ＰＭＰＳ
１０−４ ２×１０−３Ｐ
Ｃ
− １０−５
─────────────────────────
───────────表２は小分子（ＶＩ） と輸送
活性バインダー（ポリシリレン、ＰＭＰＳ）との両方を
含む膜中の正孔ドリフト移動度が正味のＰＭＰＳ（輸送
活性重合体）中又は小分子（ＶＩ） と輸送不活性バイ
ンダー（ＰＣ）とで構成された膜中のいずれの正孔移動
度よりずっと高いことを示している。
【００４９】おのおのの別個の部材のために、厚さ０．
１μｍのシラン層（γ−アミノプロピルメチルジエトキ
シシラン）が上にある７５μｍのチタン化Ｍｙｌａｒ基
体、その上の厚さ０．１μｍのポリエステル粘着剤層を
用意し、かつその上に三方晶系セレン又はバナジルフタ
ロシアニンの光生成層を真空コーターで付着させること
によって光感応性画像形成部材を製造することができる
。 光生成層は０．２μｍの最終厚さを有した。特に、光生
成剤成分のおのおのを電気的に加熱されたタンタルボー
トから蒸発させ、真空コーターで１０−５Ｔｏｒｒに排
気した。光生成層のおのおのを１〜４Å／ｓの速度で粘
着剤層上に付着させた。
１μｍのシラン層（γ−アミノプロピルメチルジエトキ
シシラン）が上にある７５μｍのチタン化Ｍｙｌａｒ基
体、その上の厚さ０．１μｍのポリエステル粘着剤層を
用意し、かつその上に三方晶系セレン又はバナジルフタ
ロシアニンの光生成層を真空コーターで付着させること
によって光感応性画像形成部材を製造することができる
。 光生成層は０．２μｍの最終厚さを有した。特に、光生
成剤成分のおのおのを電気的に加熱されたタンタルボー
トから蒸発させ、真空コーターで１０−５Ｔｏｒｒに排
気した。光生成層のおのおのを１〜４Å／ｓの速度で粘
着剤層上に付着させた。
【００５０】その後で、それぞれの画像形成部材中に存
在する上記光生成層のおのおのを実施例１から得たＥＴ
ＰＤポリ（メチルフェニルシリレン）（４０／６０）電
荷輸送層を構成する混合物で被覆した。被覆は下記のよ
うに行われた。この混合物をアンバーびん（ａｍｂｅｒ
ｂｏｔｔｌｅ）中の塩化メチレン中へ添加して１３
．５重量％にした。得られた混合物を、次にマルチプル
クリアランスフィルムアプリケーター〔０．２５４ｍｍ
（１０ミル）ギャップ〕を用いて上記光生成層上に塗布
した。 得られた部材を次に１３５℃で２０分間乾燥した。かく
して得られた輸送層は厚さが２０μｍであった。
在する上記光生成層のおのおのを実施例１から得たＥＴ
ＰＤポリ（メチルフェニルシリレン）（４０／６０）電
荷輸送層を構成する混合物で被覆した。被覆は下記のよ
うに行われた。この混合物をアンバーびん（ａｍｂｅｒ
ｂｏｔｔｌｅ）中の塩化メチレン中へ添加して１３
．５重量％にした。得られた混合物を、次にマルチプル
クリアランスフィルムアプリケーター〔０．２５４ｍｍ
（１０ミル）ギャップ〕を用いて上記光生成層上に塗布
した。 得られた部材を次に１３５℃で２０分間乾燥した。かく
して得られた輸送層は厚さが２０μｍであった。
【００５１】次に、上記画像形成部材のゼログラフィー
用電気的性質を、部材の表面をコロナ放電源で、電位計
に取り付けた容量結合プローブで測定するとき約−８０
０Ｖの初期値Ｖｏ を得るまで静電的に帯電させること
によって測定することができる。０．５秒間暗室中に静
置後、帯電部材はＶｄｄｐ （暗現像電位）の表面電位
に達し、各部材を、次に、ＸＢＯ １５０ワットバル
ブを有するフィルター付きキセノンランプからの光で露
光した。光放電効果による表面電位のＶｂｇ値（バック
グラウンド電位）への減少が観察された。暗減衰（Ｖ／
ｓ）は（Ｖｏ −Ｖｄｄｐ ）／０．５と計算される。 光放電の百分率は１００・（Ｖｄｄｐ −Ｖｂｇ）／Ｖ
ｄｄｐ ％と計算された。 露光の所望な波長及びエネルギーはランプの前に置かれ
るフィルターの型によって決定された。これらの画像形
成部材の広帯域白色光（４００〜７００ｎｍ）光感度は
赤外線カットオフフィルターを用いて測定されたが、単
色光感度は狭帯域フィルターを用いて測定された。
用電気的性質を、部材の表面をコロナ放電源で、電位計
に取り付けた容量結合プローブで測定するとき約−８０
０Ｖの初期値Ｖｏ を得るまで静電的に帯電させること
によって測定することができる。０．５秒間暗室中に静
置後、帯電部材はＶｄｄｐ （暗現像電位）の表面電位
に達し、各部材を、次に、ＸＢＯ １５０ワットバル
ブを有するフィルター付きキセノンランプからの光で露
光した。光放電効果による表面電位のＶｂｇ値（バック
グラウンド電位）への減少が観察された。暗減衰（Ｖ／
ｓ）は（Ｖｏ −Ｖｄｄｐ ）／０．５と計算される。 光放電の百分率は１００・（Ｖｄｄｐ −Ｖｂｇ）／Ｖ
ｄｄｐ ％と計算された。 露光の所望な波長及びエネルギーはランプの前に置かれ
るフィルターの型によって決定された。これらの画像形
成部材の広帯域白色光（４００〜７００ｎｍ）光感度は
赤外線カットオフフィルターを用いて測定されたが、単
色光感度は狭帯域フィルターを用いて測定された。
【図１】光生成層が基体と電荷輸送層との間に置かれる
本発明の光感応性画像形成部材の部分的に概略の断面図
である。
本発明の光感応性画像形成部材の部分的に概略の断面図
である。
【図２】電荷輸送層が光生成層と基体との間に置かれる
本発明の光感応性画像形成部材の部分的に概略の断面図
である。
本発明の光感応性画像形成部材の部分的に概略の断面図
である。
【図３】本発明の光感応性画像形成部材の部分的に概略
の断面図である。
の断面図である。
１、９、２１ 基体
２、２３ 粘着剤層
３、１５、２５ 光生成層
５、１６、２７ 樹脂バインダー組成物６、１１、２
９ 正孔輸送層 ７、１４、３１ ポリシリレン
９ 正孔輸送層 ７、１４、３１ ポリシリレン
Claims (2)
- 【請求項１】 光生成層、及び式 【化１】 （上記式中、Ｒ１ はアルキルであり、Ｒ２ 及びＲ３
はアルキル又はアルコキシである）のビフェニルジア
ミンとポリシリレンとの混合物で構成される電荷輸送層
を含む光感応性画像形成部材。 - 【請求項２】 ポリシリレンが式 【化２】 （上記式中、Ｒ１ 、Ｒ２ 、Ｒ３ 、Ｒ４ 、Ｒ５
及びＲ６ は独立にアルキル、アリール、置換アルキル
、置換アリール及びアルコキシからなる群から選ばれ、
ｍ、ｎ、及びｐは全重合体中のその単量体単位の百分率
を示す数である）のポリシリレンである請求項１記載の
画像形成部材。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/640,712 US5206103A (en) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | Photoconductive imaging member with a charge transport layer comprising a biphenyl diamine and a polysilylane |
| US07/640712 | 1991-01-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04310962A true JPH04310962A (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=24569407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4000791A Pending JPH04310962A (ja) | 1991-01-14 | 1992-01-07 | 有機組成物及び光導電性画像形成部材 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5206103A (ja) |
| JP (1) | JPH04310962A (ja) |
| CA (1) | CA2052864C (ja) |
| GB (1) | GB2251726B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6858161B2 (en) | 2000-06-30 | 2005-02-22 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | Method for purifying electronic item material |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5389477A (en) * | 1991-09-13 | 1995-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photosensitive material for electrophotography and method for making the photosensitive material |
| JPH07219282A (ja) * | 1994-01-03 | 1995-08-18 | Xerox Corp | 画像形成方法 |
| US5674635A (en) * | 1994-09-28 | 1997-10-07 | Xerox Corporation | Electroluminescent device |
| US5663573A (en) * | 1995-03-17 | 1997-09-02 | The Ohio State University | Bipolar electroluminescent device |
| CN1298061C (zh) * | 1998-12-28 | 2007-01-31 | 出光兴产株式会社 | 有机场致发光装置和选择该装置用有机材料的方法 |
| US6521386B1 (en) * | 1999-02-16 | 2003-02-18 | Ricoh Company Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and electrophotographic image forming method and apparatus using the photoreceptor |
| WO2001096492A1 (en) * | 2000-06-13 | 2001-12-20 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Exciton forming substance, luminescent material using the substance, method for light emission and luminescent element, and device using the element |
| US8679710B2 (en) * | 2004-12-24 | 2014-03-25 | Kyocera Document Solutions Inc. | Electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus |
Citations (5)
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| JPS61170747A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | ゼロツクス コーポレーシヨン | ポリシリレン正孔移送化合物を含む感光性像成形部材 |
| JPS62269964A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-24 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 電子写真感光体 |
| JPS63285552A (ja) * | 1987-05-01 | 1988-11-22 | ゼロックス コーポレーション | 高分子量ポリシリレン正孔移送化合物を含む感光性像形成部材 |
| JPH01142647A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-05 | Mita Ind Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH02294654A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-05 | Canon Inc | ポリシラン化合物を含有する光受容層を有する電子写真用感光体 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55166647A (en) * | 1979-06-15 | 1980-12-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photoconductive composition and electrophotographic receptor using this |
| EP0129834B1 (en) * | 1983-06-24 | 1988-03-23 | Hitachi, Ltd. | Photo and radiation-sensitive organopolymeric material |
| US4758488A (en) * | 1987-08-24 | 1988-07-19 | Xerox Corporation | Stabilized polysilylenes and imaging members therewith |
| JPH01230055A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-09-13 | Mita Ind Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| US4774159A (en) * | 1987-12-14 | 1988-09-27 | Xerox Corporation | Photoresponsive imaging members with oxygenated polysilylenes |
| US4855201A (en) * | 1988-05-02 | 1989-08-08 | Xerox Corporation | Photoconductive imaging members with electron transporting polysilylenes |
-
1991
- 1991-01-14 US US07/640,712 patent/US5206103A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-10-07 CA CA002052864A patent/CA2052864C/en not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-01-07 JP JP4000791A patent/JPH04310962A/ja active Pending
- 1992-01-14 GB GB9200751A patent/GB2251726B/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
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| JPS63285552A (ja) * | 1987-05-01 | 1988-11-22 | ゼロックス コーポレーション | 高分子量ポリシリレン正孔移送化合物を含む感光性像形成部材 |
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| US6858161B2 (en) | 2000-06-30 | 2005-02-22 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | Method for purifying electronic item material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2052864C (en) | 1999-10-05 |
| GB9200751D0 (en) | 1992-03-11 |
| GB2251726A (en) | 1992-07-15 |
| GB2251726B (en) | 1994-11-09 |
| CA2052864A1 (en) | 1992-07-15 |
| US5206103A (en) | 1993-04-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970317 |