JPS606280A - シ−ム熔接方法 - Google Patents
シ−ム熔接方法Info
- Publication number
- JPS606280A JPS606280A JP11481283A JP11481283A JPS606280A JP S606280 A JPS606280 A JP S606280A JP 11481283 A JP11481283 A JP 11481283A JP 11481283 A JP11481283 A JP 11481283A JP S606280 A JPS606280 A JP S606280A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- welding
- seam
- rotating
- seam welding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K11/00—Resistance welding; Severing by resistance heating
- B23K11/24—Electric supply or control circuits therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明はシーム溶接方法の改良に関する。
山）技術の背景
半導体チップを搭載したセラミック基板のシールフレー
ム上にキャップとなる金属板を設置し、該金属板の端部
に一対の回転する溶接電極を接触させて、電流を流して
前記セラミック基板を設置する基板設置台を回転させな
がらセラミック基板上に鑞付けされているシールフレー
ムとキャップとを融着させて、前記半導体チップを封止
して、半導体装置を形成するシーム溶接方法はすでに周
知である。
ム上にキャップとなる金属板を設置し、該金属板の端部
に一対の回転する溶接電極を接触させて、電流を流して
前記セラミック基板を設置する基板設置台を回転させな
がらセラミック基板上に鑞付けされているシールフレー
ムとキャップとを融着させて、前記半導体チップを封止
して、半導体装置を形成するシーム溶接方法はすでに周
知である。
（Ｃ）従来技術と問題点
第１図はこのようなシーム溶接方法を説明するための断
面図で、図において１は半導体チップ２を搭載するセラ
ミック基板、３はシールフレーム、４はキャップ、５は
電極である。また第２図は第１図のようにして溶接した
基板の溶接部を上部より見た平面図である。
面図で、図において１は半導体チップ２を搭載するセラ
ミック基板、３はシールフレーム、４はキャップ、５は
電極である。また第２図は第１図のようにして溶接した
基板の溶接部を上部より見た平面図である。
ここで回転する電極５を用いてキャップ４と基板１上の
シールフレーム３を融着する際、半導体チップ２を搭載
している基板１を基板設置台（図示せず）上に設置し、
該基板を第２図の矢印六方向に回転移動しながら、一対
の電極５間に例えば交流電流を印加する。
シールフレーム３を融着する際、半導体チップ２を搭載
している基板１を基板設置台（図示せず）上に設置し、
該基板を第２図の矢印六方向に回転移動しながら、一対
の電極５間に例えば交流電流を印加する。
しかしこのようにすると、基板１のコーナーの部分では
基板の纒、横の辺の中央部分よりも相対的に回転速度が
速くなり、したがってそれだけ電極５がキャンプ４に接
触している時間が短かくなる。
基板の纒、横の辺の中央部分よりも相対的に回転速度が
速くなり、したがってそれだけ電極５がキャンプ４に接
触している時間が短かくなる。
そのため第２図に示すように溶接された部分６が、基板
１のコーナーの部分Ｂにおいては、基板の中央部りに比
して少なくなり、従ってこの部分で溶接が不十分となり
、リークが生じるような問題点を生じる。
１のコーナーの部分Ｂにおいては、基板の中央部りに比
して少なくなり、従ってこの部分で溶接が不十分となり
、リークが生じるような問題点を生じる。
（ｄ） 発明の目的
本発明は上記した問題点を除去し、溶接される部分が均
一な幅寸法で得られ、もって溶接した箇所でリーク等を
生じないようにした、高信頼度の新規なシーム溶接方法
の提供を目的とするものである。
一な幅寸法で得られ、もって溶接した箇所でリーク等を
生じないようにした、高信頼度の新規なシーム溶接方法
の提供を目的とするものである。
ｆｊｌｌ 発明の構成
かかる目的を達成するための本発明のシーム溶接方法は
、基板上に取り付けられたシールフレーム上にキャンプ
となる金属板を設置し、前記金属板の端部に一対の回転
する電極を接触させ、前記基板を回転させながら一対の
電極間に電力を供給して、前記金属板とシールフレーム
とを溶接するに際して、前記基板の回転する位置を検知
する手段により、前記基板の回転する角度を検知し、前
記電極間に供給する電力を該キャンプのコーナ一部で増
加するように制御することを特徴とするものである。
、基板上に取り付けられたシールフレーム上にキャンプ
となる金属板を設置し、前記金属板の端部に一対の回転
する電極を接触させ、前記基板を回転させながら一対の
電極間に電力を供給して、前記金属板とシールフレーム
とを溶接するに際して、前記基板の回転する位置を検知
する手段により、前記基板の回転する角度を検知し、前
記電極間に供給する電力を該キャンプのコーナ一部で増
加するように制御することを特徴とするものである。
ｆｆｌ 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明す
る。
る。
第３図は本発明のシーム溶接方法に用いる装置の斜視図
で、第４図は本発明のシーム溶接方法を実施する場合の
ブロック図であり、第５図は本発明の方法によって制御
した、電極間に印加される電流波形の状態を示す図であ
る。
で、第４図は本発明のシーム溶接方法を実施する場合の
ブロック図であり、第５図は本発明の方法によって制御
した、電極間に印加される電流波形の状態を示す図であ
る。
まず第３図に示すようにキャップとなる金属板１１と、
溶接すべきセラミック基板１２とを、円板状の基板設置
台（図示せず）に設置する。そして該基板設置台を回転
させる回転軸１３にエンコーダー１４とホトインターラ
ブター１５を取り付ける。該エンコーダーは所定のピン
チで開口部１６を有する円板で、またホトインターラブ
ター１５はホトダイオードのような光検知器とホトセン
サーが埋めこまれたものである。
溶接すべきセラミック基板１２とを、円板状の基板設置
台（図示せず）に設置する。そして該基板設置台を回転
させる回転軸１３にエンコーダー１４とホトインターラ
ブター１５を取り付ける。該エンコーダーは所定のピン
チで開口部１６を有する円板で、またホトインターラブ
ター１５はホトダイオードのような光検知器とホトセン
サーが埋めこまれたものである。
そして該基板設置台を基準の位置より矢印Ｃ方向に回転
させると共に同時にエンコーダー１４がホトインターラ
ブター１５の光を遮った回数を検知し、この検知信号を
デコードして基板の回転位置を検出する。
させると共に同時にエンコーダー１４がホトインターラ
ブター１５の光を遮った回数を検知し、この検知信号を
デコードして基板の回転位置を検出する。
ここで更に第４図に示すブロック図で本発明のシーム溶
接方法について説明する。
接方法について説明する。
まず前記エンコーダー１４とホトインターラブター１５
より構成された角度検知器２１を用いてセラミック基板
Ｉ２の回転した角度を検知する。次いで該セラミック基
板１２がある縦、横の寸法を有するとき、そのセラミッ
ク基板１２の回転位置に対応して、最適な溶接の幅寸法
が得られるような導通角をあらかじめ実験によりめてお
く。ここで前記導通角は、溶接機械の電極５に電源の電
流が印加される時点を示している。
より構成された角度検知器２１を用いてセラミック基板
Ｉ２の回転した角度を検知する。次いで該セラミック基
板１２がある縦、横の寸法を有するとき、そのセラミッ
ク基板１２の回転位置に対応して、最適な溶接の幅寸法
が得られるような導通角をあらかじめ実験によりめてお
く。ここで前記導通角は、溶接機械の電極５に電源の電
流が印加される時点を示している。
このようにして得られた最適な導通角を表示したデータ
ーテーブル２２と、前記の角度検知器２１より得られた
値とを溶接機械の電源の印加電流の導通角制御回路２３
に入力する。そしてこの導通角制御回路２３からの信号
を溶接機械の電源回路２４に導入して印加電流の導通角
を制御する。
ーテーブル２２と、前記の角度検知器２１より得られた
値とを溶接機械の電源の印加電流の導通角制御回路２３
に入力する。そしてこの導通角制御回路２３からの信号
を溶接機械の電源回路２４に導入して印加電流の導通角
を制御する。
第５図はこのようにして導通角が制御されて電極５に印
加される電流波形の状態を示す図で、αが導通角の位置
を示し、斜線を施した部分で溶接機械の電極５に電流が
印加されるようになっている。即ち第２図でＢ部を溶接
する場合は、Ｄ部を溶接する時よりも導通角αを小さく
するのである。
加される電流波形の状態を示す図で、αが導通角の位置
を示し、斜線を施した部分で溶接機械の電極５に電流が
印加されるようになっている。即ち第２図でＢ部を溶接
する場合は、Ｄ部を溶接する時よりも導通角αを小さく
するのである。
またこの他の実施例として、電流波形の最大電流値（Ｉ
ｍａｘ）を変化させるようにしても良い。
ｍａｘ）を変化させるようにしても良い。
また以上述べた実施例では、電極間に印加される電流を
正弦波の交流波形としたが、その化パルス状の交流を用
いて、前記パルスの周期あるいはパルスの幅を変化させ
る方法をとっても良い。
正弦波の交流波形としたが、その化パルス状の交流を用
いて、前記パルスの周期あるいはパルスの幅を変化させ
る方法をとっても良い。
また上記実施例の他に、基板の回転位置により電極５間
に印加される電圧値を制御するようにしても良い。
に印加される電圧値を制御するようにしても良い。
以上述べたように本発明の方法によれば、キャップとな
る金泥板と、セラミック基板のシールフレームとの溶接
される部分の幅寸法が、セラミック基板のコーナー近傍
の部分とセラミック基板の縦、横の辺との間で均一な値
となり、コーナ一部分でリークを生じない高信頼度のシ
ーム爆接が可能となり、形成される半導体装置の歩留り
が向上する利点を生じる。
る金泥板と、セラミック基板のシールフレームとの溶接
される部分の幅寸法が、セラミック基板のコーナー近傍
の部分とセラミック基板の縦、横の辺との間で均一な値
となり、コーナ一部分でリークを生じない高信頼度のシ
ーム爆接が可能となり、形成される半導体装置の歩留り
が向上する利点を生じる。
ｆｇｌ 発明の効果
以上述べたように本発明のシーム溶接方法によれば、リ
ークを生じない高信頼度な溶接が実現でき、形成される
半導体装置の製造歩留りが向上する効果を生じる。
ークを生じない高信頼度な溶接が実現でき、形成される
半導体装置の製造歩留りが向上する効果を生じる。
第１図はシーム溶接方法を説明するための断面図、第２
図は従来のシーム溶接方法により溶接した場合の不都合
な点をしめす平面図、第３図は本発明のシーム溶接方法
に用いる装置の斜視図で、第４図は本発明のシーム溶接
方法を実施する場合のブロック図であり、第５図は本発
明の方法によって制御した、電極間に印加される電流波
形の状態を示す図である。 図に於いて１，１２はセラミック基板、２は半導体チッ
プ、３はシールフレーム、４．１１はキャンプ、５は電
極、６は溶接された部分、１３は回転軸、１４はエンコ
ーダー、１５はホトインターラブター、１６は開口部、
２１は角度検知器、２２はデーターテーブル、２３は導
通角制御回路、２４は電源回路、Ａは基板の回転方向を
示す矢印、Ｂは基板のコーナ一部分、Ｃは回転軸の回転
方向を示す矢印、Ｄは基板の中央部、αは導通角を示す
。 ４７５
図は従来のシーム溶接方法により溶接した場合の不都合
な点をしめす平面図、第３図は本発明のシーム溶接方法
に用いる装置の斜視図で、第４図は本発明のシーム溶接
方法を実施する場合のブロック図であり、第５図は本発
明の方法によって制御した、電極間に印加される電流波
形の状態を示す図である。 図に於いて１，１２はセラミック基板、２は半導体チッ
プ、３はシールフレーム、４．１１はキャンプ、５は電
極、６は溶接された部分、１３は回転軸、１４はエンコ
ーダー、１５はホトインターラブター、１６は開口部、
２１は角度検知器、２２はデーターテーブル、２３は導
通角制御回路、２４は電源回路、Ａは基板の回転方向を
示す矢印、Ｂは基板のコーナ一部分、Ｃは回転軸の回転
方向を示す矢印、Ｄは基板の中央部、αは導通角を示す
。 ４７５
Claims (1)
- 基板上に取り付けられたシールフレーム上にキャップと
なる金属板を設置し、前記金属板の端部に一対の回転す
る電極を接触させ、前記基板を回転させながら一対の電
極間に電力を供給して、前記金属板とシールフレームと
を溶接するに際して、前記基板の回転する位置を検知す
る手段により、前記基板の回転する角度を検知し、前記
電極間に供給する電力を該キャップのコーナ一部で増加
するように制御することを特徴とするシーム溶接方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11481283A JPS606280A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | シ−ム熔接方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11481283A JPS606280A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | シ−ム熔接方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS606280A true JPS606280A (ja) | 1985-01-12 |
Family
ID=14647296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11481283A Pending JPS606280A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | シ−ム熔接方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606280A (ja) |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP11481283A patent/JPS606280A/ja active Pending
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