JPS6065763A - マイクロ波用誘電体セラミックス - Google Patents
マイクロ波用誘電体セラミックスInfo
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- JPS6065763A JPS6065763A JP58173931A JP17393183A JPS6065763A JP S6065763 A JPS6065763 A JP S6065763A JP 58173931 A JP58173931 A JP 58173931A JP 17393183 A JP17393183 A JP 17393183A JP S6065763 A JPS6065763 A JP S6065763A
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- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明はマイクロ波用誘電体セラミックスに関する。
（従来技術の説明）
マイクロ波回路用の銹電体共振器或いは温度補償用磁器
コンデンサ等に誘電体セラミックスが用いられている。
コンデンサ等に誘電体セラミックスが用いられている。
これらの用途のためには、誘電体セラミックスは、その
比誘電率（どｒ）及び無負荷Ｑが大きく、かつ、共振周
波数の温度係数 （η、）に関しては、金属の温度係数
等を考慮すると、０を中心として正又は負の任意の温度
係数が得られることが必要とされている。
比誘電率（どｒ）及び無負荷Ｑが大きく、かつ、共振周
波数の温度係数 （η、）に関しては、金属の温度係数
等を考慮すると、０を中心として正又は負の任意の温度
係数が得られることが必要とされている。
従来、そのような誘電体セラミックスとして、ＭｇＯ−
Ｔｉ０２−ＣａＯ系などの組成物を使用していた。しか
しながら、これらの組成物を用いて誘電体共振器やコン
デンサを作成した場合、温度係数（η、）がＯ（ｐｐｍ
／ ”０ ）伺近では、比誘電率（ど、）か２０〜４０
と小さく、これら材料を用いて誘電体共振器等を作成し
た場合、装置が大型化するという欠点があった。
Ｔｉ０２−ＣａＯ系などの組成物を使用していた。しか
しながら、これらの組成物を用いて誘電体共振器やコン
デンサを作成した場合、温度係数（η、）がＯ（ｐｐｍ
／ ”０ ）伺近では、比誘電率（ど、）か２０〜４０
と小さく、これら材料を用いて誘電体共振器等を作成し
た場合、装置が大型化するという欠点があった。
（発明の目的）
本発明の目的は、上述した従来の欠点に鑑み、組成を変
化させることによりＯ（ｐｐｍ／ °Ｃ）を中心として
正又は負の任意の温度係数が得られ、しかも、温度係数
が０（１２１１１７℃）伺近であっても比誘電率（＆）
及び無負荷Ｑが大きいマイクロ波用誘電体セラミックス
材料を提供するにある。
化させることによりＯ（ｐｐｍ／ °Ｃ）を中心として
正又は負の任意の温度係数が得られ、しかも、温度係数
が０（１２１１１７℃）伺近であっても比誘電率（＆）
及び無負荷Ｑが大きいマイクロ波用誘電体セラミックス
材料を提供するにある。
（発明の構成）
この目的の達成を図るため、本発明の誘電体セラミック
スは、酸化バリウム（Ｂａｄ）と、二酪化チタン（Ｔｉ
Ｃｈ ）と、酸化セリウム（ＣｅＯ２）と、酸化ガドリ
ニウム （Ｇｄ、０３）とから成り、酸化物に換算して ＢａＯ：１４〜１９モル％ ＴｌＯ２： ５９〜７３モル％ Ｃｅ０１ ： ３．５〜１８モＡｙ％ Ｇｄ２Ｏ３：２〜１３．５モル％ の範囲としたことを特徴する。
スは、酸化バリウム（Ｂａｄ）と、二酪化チタン（Ｔｉ
Ｃｈ ）と、酸化セリウム（ＣｅＯ２）と、酸化ガドリ
ニウム （Ｇｄ、０３）とから成り、酸化物に換算して ＢａＯ：１４〜１９モル％ ＴｌＯ２： ５９〜７３モル％ Ｃｅ０１ ： ３．５〜１８モＡｙ％ Ｇｄ２Ｏ３：２〜１３．５モル％ の範囲としたことを特徴する。
（実施例の説明）
以下、本発明の実施例につき説明する。
先ず、本発明の誘電体セラミックスの製造方法につき説
明する。
明する。
出発原料には化学的に高純度の炭酸バリウム（ＢａＣＯ
３） 、二酩化チタン（Ｔｉ０２） 、酸化セリウム（
ＣｅＯ２）及び酸化ガドリニウム（Ｇｄ２０３）を使用
する。先ず、これらの出発材料を表１に掲げたような組
成比率になるように調合する。
３） 、二酩化チタン（Ｔｉ０２） 、酸化セリウム（
ＣｅＯ２）及び酸化ガドリニウム（Ｇｄ２０３）を使用
する。先ず、これらの出発材料を表１に掲げたような組
成比率になるように調合する。
表１
調合した原料をボットミルで純水とともに混合し、脱水
乾燥後、空気雰囲気において１０６０℃で２１１イ間仮
焼した。
乾燥後、空気雰囲気において１０６０℃で２１１イ間仮
焼した。
次に、この仮焼物をポットミルで純水とともに湿式粉砕
した後脱水乾燥させ、続いて、これにパインタを添加し
、３２メツシユの篩を通して造粒した。この場合、造粒
粉体を、金型と油圧プレスとを用い、成形圧力を１〜３
’ｔｏｎ／ｃｍ２として、直径１１１ｔｍａ＋で厚さ９
ｍｍの円板状に成形した。斯様にして得られた成形体を
高純度のアルミナ匣に入れて、１２００℃〜１３５０°
Ｃの温度で２時間焼成し、よって誘電体セラミックスを
得た。
した後脱水乾燥させ、続いて、これにパインタを添加し
、３２メツシユの篩を通して造粒した。この場合、造粒
粉体を、金型と油圧プレスとを用い、成形圧力を１〜３
’ｔｏｎ／ｃｍ２として、直径１１１ｔｍａ＋で厚さ９
ｍｍの円板状に成形した。斯様にして得られた成形体を
高純度のアルミナ匣に入れて、１２００℃〜１３５０°
Ｃの温度で２時間焼成し、よって誘電体セラミックスを
得た。
斯様にして得られた誘電体セラミックスに対しハンキ・
コールマン法による測定を行って、このセラミックスの
比誘電率（ｅ、）及び無負荷Ｑをめた。また、共振周波
数の温度係数（ηｆ）は２０°Ｃにおける共振周波数を
基準にして゛ニー４０°Ｃ十８０°Ｃの温度範囲におけ
る値からめた。これらの測定における共振周波数は３〜
７ Ｇ）ｌｚであった。
コールマン法による測定を行って、このセラミックスの
比誘電率（ｅ、）及び無負荷Ｑをめた。また、共振周波
数の温度係数（ηｆ）は２０°Ｃにおける共振周波数を
基準にして゛ニー４０°Ｃ十８０°Ｃの温度範囲におけ
る値からめた。これらの測定における共振周波数は３〜
７ Ｇ）ｌｚであった。
このような測定結果を表２に示す。尚、この測定結果に
は代表的な誘電体セラミ・ンクスの特性測定結果を示し
である。この表２において、木印を付した試料番号のも
のは、本発明の範囲外の比較例を示し、それ以外の試料
番号のものが本発明の範囲内の実施例である。
は代表的な誘電体セラミ・ンクスの特性測定結果を示し
である。この表２において、木印を付した試料番号のも
のは、本発明の範囲外の比較例を示し、それ以外の試料
番号のものが本発明の範囲内の実施例である。
表２
次に、表２の実験結果を検討する。すなわち、（ＢａＯ
）・（ＴｉＯ２）ｘの量Ａが７５モル％未満（Ａ＜７５
モル％）および８０モル％より大きい（８０モル％＜Ａ
）場合には、無負荷Ｑが小さくなり、また、ＣｅＯ２（
１）量Ｂが３．５モル％未満（Ｂ＜３．５−Ｅニル％）
或いはＧａｚｅ３の量Ｃが１３．５モル％よりも大きい
（１３，５モル％＜Ｃ）場合には、温度係数が大きく、
かつ、無負荷Ｑも小さいことが分かる。
）・（ＴｉＯ２）ｘの量Ａが７５モル％未満（Ａ＜７５
モル％）および８０モル％より大きい（８０モル％＜Ａ
）場合には、無負荷Ｑが小さくなり、また、ＣｅＯ２（
１）量Ｂが３．５モル％未満（Ｂ＜３．５−Ｅニル％）
或いはＧａｚｅ３の量Ｃが１３．５モル％よりも大きい
（１３，５モル％＜Ｃ）場合には、温度係数が大きく、
かつ、無負荷Ｑも小さいことが分かる。
また、 ＣｅＯ２のＩＢが１８モル％より大きい（１８
モル％＜Ｂ）か或いはＧｄ２Ｏ３のＭＣが２モル％未満
（Ｃく２モル％）である場合には、無負荷Ｑが小さくな
り、比誘電率も小さくなって不適当である。
モル％＜Ｂ）か或いはＧｄ２Ｏ３のＭＣが２モル％未満
（Ｃく２モル％）である場合には、無負荷Ｑが小さくな
り、比誘電率も小さくなって不適当である。
上述した実験結果から、実用的に見て、ＢａＯは１４〜
１９モル％、 ＴｉＯ２は５９〜７３モル％、 ＣｅＯ
２は３．５〜１８モル％、Ｇｄ、０３は２〜１３．５モ
ル％の範囲がマイクロ波用誘電体セラミックスとして適
当であることが分った。
１９モル％、 ＴｉＯ２は５９〜７３モル％、 ＣｅＯ
２は３．５〜１８モル％、Ｇｄ、０３は２〜１３．５モ
ル％の範囲がマイクロ波用誘電体セラミックスとして適
当であることが分った。
（発明の効果）
上述したところより明らかのように、本発明のマ・ｆク
ロ波相誘電体セラミックスによれば、組成を変化させる
ことによって、共振周波数の温度係ａ（η、）をＯ（ｐ
ｐｍ／ ’Ｃ）を中心とした止又は負の任意の値に変化
させることが出来、しかも、マイクロ波領域において、
温度係数のＯＣｐｐｍ／ °Ｃ）付近の値においても、
比誘電率（ひ）及び無負荷Ｑが大きいという利点がある
。
ロ波相誘電体セラミックスによれば、組成を変化させる
ことによって、共振周波数の温度係ａ（η、）をＯ（ｐ
ｐｍ／ ’Ｃ）を中心とした止又は負の任意の値に変化
させることが出来、しかも、マイクロ波領域において、
温度係数のＯＣｐｐｍ／ °Ｃ）付近の値においても、
比誘電率（ひ）及び無負荷Ｑが大きいという利点がある
。
これがため、本発明によるマイクロ波用誘電体セラミッ
クスはマイクロ波用誘電体共振器或いは温度補償用コン
デンサ等の誘電体セラミックス材料として利用すること
が出来る。
クスはマイクロ波用誘電体共振器或いは温度補償用コン
デンサ等の誘電体セラミックス材料として利用すること
が出来る。
上述した実施例を、本発明の範囲内の好ましい特定の条
件の下で、説明したが、それは単なる例示にすぎないも
のであり、この発明がこの実施例にのみ限定されるもの
でないこと明らかである。
件の下で、説明したが、それは単なる例示にすぎないも
のであり、この発明がこの実施例にのみ限定されるもの
でないこと明らかである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｂ２Ｏと、 Ｔ ＋０２ と、 ＣｅＯ２と、Ｇｄ、０
３ とから成り、酸化物に換算して Ｂａｄ：＋４−１９モル％ ＴｉＯ２，： ５９〜７３モル％ ＣｅＯ２： ３．５〜１８モル％ Ｇｄ、０３＋ ２〜１３．５モル％ の範囲としたことを特徴とするマイクロ波用誘電体セラ
ミックス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58173931A JPS6065763A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | マイクロ波用誘電体セラミックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58173931A JPS6065763A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | マイクロ波用誘電体セラミックス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065763A true JPS6065763A (ja) | 1985-04-15 |
Family
ID=15969720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58173931A Pending JPS6065763A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | マイクロ波用誘電体セラミックス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6065763A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01140505A (ja) * | 1987-08-21 | 1989-06-01 | Narumi China Corp | 誘電体磁器組成物 |
-
1983
- 1983-09-20 JP JP58173931A patent/JPS6065763A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01140505A (ja) * | 1987-08-21 | 1989-06-01 | Narumi China Corp | 誘電体磁器組成物 |
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