JPS6065799A - 結晶成長方法 - Google Patents
結晶成長方法Info
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- JPS6065799A JPS6065799A JP58171174A JP17117483A JPS6065799A JP S6065799 A JPS6065799 A JP S6065799A JP 58171174 A JP58171174 A JP 58171174A JP 17117483 A JP17117483 A JP 17117483A JP S6065799 A JPS6065799 A JP S6065799A
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- melt
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- compound semiconductor
- semiconductor crystal
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、多元系化合物半導体結晶を成長させる場合に
外部から融液の組成、従って、成長される結晶の組成を
任意に制御し得る結晶成長方法に関する。
外部から融液の組成、従って、成長される結晶の組成を
任意に制御し得る結晶成長方法に関する。
従来技術と問題点
第１図はＩｎＧａＡｓＰ４元化合物に於ける組成の関係
を表わすわ；１図である。
を表わすわ；１図である。
図では、Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ ４元化合物でＩ
ｎ ＋）基板に格子整合する組成（ａ）とＧａ Ａ
Ｓ 基板に格子整合する組成（ｂ）とが表わされている
。
ｎ ＋）基板に格子整合する組成（ａ）とＧａ Ａ
Ｓ 基板に格子整合する組成（ｂ）とが表わされている
。
一般に、ＩｎＧａＡｓＰ４元化合物は、図に見られるよ
うに、全組成領域が物理的に存杓し得るにも拘わらず、
載板が） ｎ ｐとＱａＡｓの二つしか存在しない為、
丈際に利用することができる組成は図示の特性線（ａ）
及び（ｂ）の線」−に存在するもののみである。
うに、全組成領域が物理的に存杓し得るにも拘わらず、
載板が） ｎ ｐとＱａＡｓの二つしか存在しない為、
丈際に利用することができる組成は図示の特性線（ａ）
及び（ｂ）の線」−に存在するもののみである。
従って、若し、１ｎＧａＡｓ、、１ｎＡｓＰ、ＩｎＧａ
Ｐ、ＧａＡｓＰなどの３元系バルク結晶が自由に得られ
、そして、これを基板として使用することができれば、
図示の全ての組成領域に於りるＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ
Ｐ ４元化合物を利用することが可（ｉしとなり、こ
れをデバイスの面から見ると、その設計、作成、使用等
の自由度は極めて大きくなる筈である。尚、これ等はＩ
ｎＧａＡｓＰｄ元化合物に限らず、全てのＩＩＩ −Ｖ
族多元系化合物或いはＨ−Ｖｌ族多元系化合物に共通ず
る問題である。
Ｐ、ＧａＡｓＰなどの３元系バルク結晶が自由に得られ
、そして、これを基板として使用することができれば、
図示の全ての組成領域に於りるＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ
Ｐ ４元化合物を利用することが可（ｉしとなり、こ
れをデバイスの面から見ると、その設計、作成、使用等
の自由度は極めて大きくなる筈である。尚、これ等はＩ
ｎＧａＡｓＰｄ元化合物に限らず、全てのＩＩＩ −Ｖ
族多元系化合物或いはＨ−Ｖｌ族多元系化合物に共通ず
る問題である。
従来、前記したように、多元系化合物半導体結晶、即ち
、バルク結晶或いはエピタキシャル結晶に対しての要求
が存在していたにも拘わらず、それが実現しなかった最
大の理由は、次のように説明される。
、バルク結晶或いはエピタキシャル結晶に対しての要求
が存在していたにも拘わらず、それが実現しなかった最
大の理由は、次のように説明される。
第２図はＡＣ−ＢＣ準２元系状態図であり、ＡＣは例え
ばＧａＡｓ、ＢＣは例えばＩｎＡｓのように、ＡＣはＢ
Ｃよりも高融点化合物であるとして、今、ある成長温度
Ｔ。を適用した場合、その融液組成Ｘ′ とその融液か
ら成長してくる結晶組成Ｘ５ とが相違する為、有限体
積の融液を用いると、次第に融液中の元素Ａが不足して
融液組成は矢印（１）のような方向に変化し、これに随
伴して結晶組成も矢印（２）のように変化する。従って
、有限体積の融液を用いると均一な組成を有する結晶は
成長させることができず、必ず、組成変化を伴なったバ
ルク結晶或いはエピタキシャル結晶になってしまうので
ある。
ばＧａＡｓ、ＢＣは例えばＩｎＡｓのように、ＡＣはＢ
Ｃよりも高融点化合物であるとして、今、ある成長温度
Ｔ。を適用した場合、その融液組成Ｘ′ とその融液か
ら成長してくる結晶組成Ｘ５ とが相違する為、有限体
積の融液を用いると、次第に融液中の元素Ａが不足して
融液組成は矢印（１）のような方向に変化し、これに随
伴して結晶組成も矢印（２）のように変化する。従って
、有限体積の融液を用いると均一な組成を有する結晶は
成長させることができず、必ず、組成変化を伴なったバ
ルク結晶或いはエピタキシャル結晶になってしまうので
ある。
従っζ、多元系化合物半導体結晶を得る為に重要なこと
は、飽和した多元系融液（或いは溶液）に制御性良く、
前記化合物ＡＣの如く、１！１１融点の成分元素を補給
することである。
は、飽和した多元系融液（或いは溶液）に制御性良く、
前記化合物ＡＣの如く、１！１１融点の成分元素を補給
することである。
然し乍ら、現在のとごろ、斯かる技術は存在していない
。即ち、従来技術では、有限体積の醐ｊ液或いは溶液を
用い、結晶成しが開始されると、状態図に従っζその組
成が変化するにまか・１！るしか採るべき手段がなく、
これを制御することは全く不可能であった。
。即ち、従来技術では、有限体積の醐ｊ液或いは溶液を
用い、結晶成しが開始されると、状態図に従っζその組
成が変化するにまか・１！るしか採るべき手段がなく、
これを制御することは全く不可能であった。
発明の目的
本発明は、前記の如き、多元系化合物半導体結晶成長用
融液（或いは溶液）に多元系化合物半導体結晶に於ける
構成成分の一つ以上を含む化合物を制御性良く補給する
ようにして、前記多元系化合物半導体結晶成長用融液（
或いは溶液）の融液組成を當に所望の状態に維持させる
技術を提供しようとするものである。
融液（或いは溶液）に多元系化合物半導体結晶に於ける
構成成分の一つ以上を含む化合物を制御性良く補給する
ようにして、前記多元系化合物半導体結晶成長用融液（
或いは溶液）の融液組成を當に所望の状態に維持させる
技術を提供しようとするものである。
発明の構成
本発明の原理は、多元系化合物半導体結晶成長用融液（
或いは溶液）中に浸されたソースである化合物にその多
元系化合物半導体結晶成長用融液（或いは溶液）から該
化合物に向がって電流を流し、該多元系半導体結晶成長
用融液（或いは／８液）と該化合物との界面に発生する
ベルチェ効果に依る熱及び化合物中で発生するジュール
熱で該化合物を該多元系化合物半導体結晶成長用融液（
或いは溶液）に融解させることに在る。
或いは溶液）中に浸されたソースである化合物にその多
元系化合物半導体結晶成長用融液（或いは溶液）から該
化合物に向がって電流を流し、該多元系半導体結晶成長
用融液（或いは／８液）と該化合物との界面に発生する
ベルチェ効果に依る熱及び化合物中で発生するジュール
熱で該化合物を該多元系化合物半導体結晶成長用融液（
或いは溶液）に融解させることに在る。
本発明の結晶成長方法では、成長させるべき多元系化合
物半導体結晶を構成する元素の少なくとも一つを含む化
合物に於ける一部を多元系化合物半導体結晶成長用融液
（或いは溶液）に浸し、前記多元系化合物半導体結晶の
方向に電流値が制御された直流電流を流して前記化合物
を融解させ前記多元系化合物半導体結晶成長用融液（或
いは溶液）の組成を所望の値に維持することを基本とＬ
７、また、成長させるべき多元系化合物半導体結晶を構
成する元素の少な（とも一つを含む複数種類の化合物に
於けるそれぞれの一部を多元系化合物半導体結晶成長用
融液（或いは溶液）に浸し、前記多元系化合物半導体結
晶成長用融液（或いは溶液）から前記各化合物の方向に
それぞれ独立に電流値が制御された直流電流を流して前
記各化合物を融解させ前記多元系化合物半導体結晶成長
融／＆、（或いは溶液）の組成を所望の値に維持するこ
と、また、成長させるべき多元系化合物半導体結晶を構
成する元素の少な（とも一つを含む棒状化合物に於ける
先端を多元系化合物半導体結晶成長融液：液（或いは溶
液）の表面に接触させ、前記多元系化合物半導体結晶成
長用融液（或いは溶液）から前記棒状化合物の方向に電
流値を制御された直流電流を流して前記棒状化合物の先
端を融解させ前記多元系化合物半導体結晶成長融液（或
いは１８液）の組成を所望の値に維持すること、また、
成長させるべき多元系化合物半導体結晶を構成する元素
の少な（とも一つを含む複数４！Ｉｆ力１の棒状化合物
に於ける各先端を多元系化合物半導体結晶成長用融液（
或いは溶液）の表面に接触させ、前記多元系化合物半導
体結晶成長用融液（或いは／８液）から前記各棒状化合
物の方向にそれぞれ独立に電流値が制御された直流電流
を流して前記各棒状化合物の先端を融解させ前記多元系
化合物半導体結晶成長用融液（或いは溶液）の組成を所
望の値に維持すること、また、前記それぞれの場合に於
いて、成長される多元系化合物半導体結晶がバルク結晶
或いはエピタキシャル結晶であること、が特徴になって
いる。
物半導体結晶を構成する元素の少なくとも一つを含む化
合物に於ける一部を多元系化合物半導体結晶成長用融液
（或いは溶液）に浸し、前記多元系化合物半導体結晶の
方向に電流値が制御された直流電流を流して前記化合物
を融解させ前記多元系化合物半導体結晶成長用融液（或
いは溶液）の組成を所望の値に維持することを基本とＬ
７、また、成長させるべき多元系化合物半導体結晶を構
成する元素の少な（とも一つを含む複数種類の化合物に
於けるそれぞれの一部を多元系化合物半導体結晶成長用
融液（或いは溶液）に浸し、前記多元系化合物半導体結
晶成長用融液（或いは溶液）から前記各化合物の方向に
それぞれ独立に電流値が制御された直流電流を流して前
記各化合物を融解させ前記多元系化合物半導体結晶成長
融／＆、（或いは溶液）の組成を所望の値に維持するこ
と、また、成長させるべき多元系化合物半導体結晶を構
成する元素の少な（とも一つを含む棒状化合物に於ける
先端を多元系化合物半導体結晶成長融液：液（或いは溶
液）の表面に接触させ、前記多元系化合物半導体結晶成
長用融液（或いは溶液）から前記棒状化合物の方向に電
流値を制御された直流電流を流して前記棒状化合物の先
端を融解させ前記多元系化合物半導体結晶成長融液（或
いは１８液）の組成を所望の値に維持すること、また、
成長させるべき多元系化合物半導体結晶を構成する元素
の少な（とも一つを含む複数４！Ｉｆ力１の棒状化合物
に於ける各先端を多元系化合物半導体結晶成長用融液（
或いは溶液）の表面に接触させ、前記多元系化合物半導
体結晶成長用融液（或いは／８液）から前記各棒状化合
物の方向にそれぞれ独立に電流値が制御された直流電流
を流して前記各棒状化合物の先端を融解させ前記多元系
化合物半導体結晶成長用融液（或いは溶液）の組成を所
望の値に維持すること、また、前記それぞれの場合に於
いて、成長される多元系化合物半導体結晶がバルク結晶
或いはエピタキシャル結晶であること、が特徴になって
いる。
これに依り、多元系化合物半導体結晶成長用融液（或い
は溶液）の融液（或いは溶液）組成を外部から自由に制
御して、を限体積融液（或いば溶液）を事実上の無限体
積融液（或いは溶液）となし、そのソース化合物が皆無
とならない限り連続的に使用して多元系化合物半導体か
らなるバルク結晶は勿論のこと、多元系化合物半導体か
らなるエピタキシャル結晶に於いても、任意の組成に制
御されたものを簡単に成長させることができる。
は溶液）の融液（或いは溶液）組成を外部から自由に制
御して、を限体積融液（或いば溶液）を事実上の無限体
積融液（或いは溶液）となし、そのソース化合物が皆無
とならない限り連続的に使用して多元系化合物半導体か
らなるバルク結晶は勿論のこと、多元系化合物半導体か
らなるエピタキシャル結晶に於いても、任意の組成に制
御されたものを簡単に成長させることができる。
因に、従来、液相エレクトロ・エピタキシャル成長方法
と呼ばれる技術が存在し、これは、基板に電流を流し、
該基板と成長液との界面に於ける温度を下げ、且つ、エ
レクトロ・マイグレーションに依り成長液中の原子を移
動させることに依り結晶成長速度を向上させるものであ
り、そして、この技術を利用して前記基板に於ける抵抗
値を測定することで結晶の厚さを精度良くモニタするこ
とが行なわれているが、このような技術と本発明とは無
関係であることに留意しなりればならない。
と呼ばれる技術が存在し、これは、基板に電流を流し、
該基板と成長液との界面に於ける温度を下げ、且つ、エ
レクトロ・マイグレーションに依り成長液中の原子を移
動させることに依り結晶成長速度を向上させるものであ
り、そして、この技術を利用して前記基板に於ける抵抗
値を測定することで結晶の厚さを精度良くモニタするこ
とが行なわれているが、このような技術と本発明とは無
関係であることに留意しなりればならない。
発明の実施例
第３図は本発明を実施する装置の一例を表わす要部説明
図である。
図である。
図に於いて、ｌはルツボ、２は多元系化合物半導体結晶
成長用融液、３は正側カーボンｌｉ極、４は正側ステン
レス電極、５は・ソース化合物、６ば負側カーボン電極
、７は負側ステンレス電極、８ばシード（種）、９ばシ
ード保持体をそれぞれ示し°ζいる。
成長用融液、３は正側カーボンｌｉ極、４は正側ステン
レス電極、５は・ソース化合物、６ば負側カーボン電極
、７は負側ステンレス電極、８ばシード（種）、９ばシ
ード保持体をそれぞれ示し°ζいる。
図から判るように、正側ステンレス電極４に取り付けら
れた正側カーボン電極３は、その先端が融液２中に浸さ
れる。
れた正側カーボン電極３は、その先端が融液２中に浸さ
れる。
ソース化合物５は負側カーボン電極６を介して負側ステ
ンレス電極７に取り付Ｌｊられ、その先端は融液２の表
面に接触させである。
ンレス電極７に取り付Ｌｊられ、その先端は融液２の表
面に接触させである。
正側カーボン塩４！４３とソース化合物５さの間には該
ソース化合物５が常に負側になるようにして直流電流を
流すようになっている。
ソース化合物５が常に負側になるようにして直流電流を
流すようになっている。
融液２はシード８を介して成長しようとする結晶の飽和
融液であるとする。
融液であるとする。
今、正側カーボン電極３とソース化合物５との間に直流
電流を流すと、融液２とソース化合物５との界面及び化
合物内部で発熱し、前記直流電流量に応じてソース化合
物５が融液２中に融解し、融液２の組成が変化する。
電流を流すと、融液２とソース化合物５との界面及び化
合物内部で発熱し、前記直流電流量に応じてソース化合
物５が融液２中に融解し、融液２の組成が変化する。
そこで、結晶の成長過程に応じて電流量を適当に調整す
ることに依って、融液２の組成を自由に制御し、その結
果、シード８に成長してくる結晶の組成を均一に維持す
ることが可能である。尚、シード８を回転させることに
依り、融液２の攪拌も充分に行なわれるから融液２の組
成も均一になり易い。
ることに依って、融液２の組成を自由に制御し、その結
果、シード８に成長してくる結晶の組成を均一に維持す
ることが可能である。尚、シード８を回転させることに
依り、融液２の攪拌も充分に行なわれるから融液２の組
成も均一になり易い。
図示例では、ソース化合物５として一種類のみを用いて
いるが、複数ｆｆｆｉ 類にして、それ等を同時に融液
２と接触させるようにしても良い。この場合、各ソース
化合物５には、それぞれ独立に調整された直流電流を流
すようにし、その融解量を別々に制御することに依り、
より多元である化合物半導体結晶を成長することができ
る。
いるが、複数ｆｆｆｉ 類にして、それ等を同時に融液
２と接触させるようにしても良い。この場合、各ソース
化合物５には、それぞれ独立に調整された直流電流を流
すようにし、その融解量を別々に制御することに依り、
より多元である化合物半導体結晶を成長することができ
る。
本発明者は、前記説明した結晶成長法をソース電流制御
法（ＳＣＣ法：５ｏｕｒｃｅ ｃｕｒｒｅ ｎ ｔ ｃ
ｏ ｎ Ｌ ｒ ｏ Ｉ ｅ ｄ ｍ ｅ ｔ ｈ
ｏ ｄ ）と呼んでいる。
法（ＳＣＣ法：５ｏｕｒｃｅ ｃｕｒｒｅ ｎ ｔ ｃ
ｏ ｎ Ｌ ｒ ｏ Ｉ ｅ ｄ ｍ ｅ ｔ ｈ
ｏ ｄ ）と呼んでいる。
第４図はＳＣＣ法を適用して液相エピタキシャル成長を
行なう装置を一例を説明する為の要部説明図である。
行なう装置を一例を説明する為の要部説明図である。
図に於いて、１１はカーボン・ボート、１２は正側ステ
ンレス電極、１３はカーボン・スライダー、１４は窒化
硼素（Ｂ Ｎ）の板体、１５ばカーボア・ソース兼電極
保持体、１６は負側ステンレス電極、１７はソース化合
物、１８はカーボン・ボート１１に保持された基板、１
９はカーボン・スライダー１３に保持された多元系化合
物半導体結晶成長用溶液をそれぞれ示している。
ンレス電極、１３はカーボン・スライダー、１４は窒化
硼素（Ｂ Ｎ）の板体、１５ばカーボア・ソース兼電極
保持体、１６は負側ステンレス電極、１７はソース化合
物、１８はカーボン・ボート１１に保持された基板、１
９はカーボン・スライダー１３に保持された多元系化合
物半導体結晶成長用溶液をそれぞれ示している。
図示された装置の特徴的な構成は、カーボン・ボート１
１に正側ステンレス電極１２が取りイ」りられているこ
と、カーボン・スライダー１３にＢＮ板体１４を介在さ
せて絶縁した状態でカーボン・ソース兼電極保持体１５
が取り付けられ、そのカーボン・ソース兼電極保持体１
５の先端にはソース化合物１７が取り付けられ且つ後端
には負側ステンレス電極１６が取り付けられていること
である。
１に正側ステンレス電極１２が取りイ」りられているこ
と、カーボン・スライダー１３にＢＮ板体１４を介在さ
せて絶縁した状態でカーボン・ソース兼電極保持体１５
が取り付けられ、そのカーボン・ソース兼電極保持体１
５の先端にはソース化合物１７が取り付けられ且つ後端
には負側ステンレス電極１６が取り付けられていること
である。
この装置を用いてエピタキシャル成長を行なうには、基
板１８上に成長温度で飽和している成長用溶液１９を持
ち来たし、その成長用溶液１９中にソース化合物１７を
浸し、成長用溶液１９からソース化合物１７の方向に直
流電流を流すと、ソース化合物１７と成長用溶液１９と
の界面及び化合物中で発熱し、ソース化合物１７は溶解
する。
板１８上に成長温度で飽和している成長用溶液１９を持
ち来たし、その成長用溶液１９中にソース化合物１７を
浸し、成長用溶液１９からソース化合物１７の方向に直
流電流を流すと、ソース化合物１７と成長用溶液１９と
の界面及び化合物中で発熱し、ソース化合物１７は溶解
する。
従って、前記直流電流の電流量を制御することに依り、
ソース化合物１７の溶解量を自由に制御することができ
る。これに依り、成長用溶液１９の溶液組成を任意に変
化させることが可能であるから、エピタキシャル成長の
結晶組成も所望通りのものが得られることになる。
ソース化合物１７の溶解量を自由に制御することができ
る。これに依り、成長用溶液１９の溶液組成を任意に変
化させることが可能であるから、エピタキシャル成長の
結晶組成も所望通りのものが得られることになる。
この場合も、ソース化合物１７を複数種類にし°ζ、そ
れに流す直流電流を独立に制御すると、溶液組成を選択
する自由度が向上するから、結晶組成の制御性も良くな
る。
れに流す直流電流を独立に制御すると、溶液組成を選択
する自由度が向上するから、結晶組成の制御性も良くな
る。
ところで、成長用融／＆（或いは／８液）中にソース化
合物を浸して直流電流を流した場合、第５図に見られる
ような現象が発生ずる。
合物を浸して直流電流を流した場合、第５図に見られる
ような現象が発生ずる。
第５図に於いて、２１は成長用融液（或いは溶液）、２
１Ａは成長用融液（或いは溶液）２１に於ける表面張力
の為に盛り上がった部分、２２はソース化合物、２２Ａ
はソース化合物２２に於ける最も融解（或いは熔ンりシ
易い部分、矢印ｌは直流電流、矢印Ｓばソース化合物の
送り方向をそれぞれ示している。
１Ａは成長用融液（或いは溶液）２１に於ける表面張力
の為に盛り上がった部分、２２はソース化合物、２２Ａ
はソース化合物２２に於ける最も融解（或いは熔ンりシ
易い部分、矢印ｌは直流電流、矢印Ｓばソース化合物の
送り方向をそれぞれ示している。
図から判るように、成長用融液（或いは溶液）２１中に
ソース化合物２２を浸すと成長用融液（或いは溶液）２
１には表面張力に依って盛り上がり部分２１Ａが生成さ
れる。この盛り上がり部分２ Ｊ、 Ａで発生した熱は
成長用融液（或いは溶液）２１を伝播して放＋１＆する
率が少ないから、その部分に於りるソース化合物２２は
成長用融液（或いは溶液）２１中に深く入っている部分
よりも高温になる。従って、成長用融液（或いは溶液）
２１の盛り上がった部分２１Ａに接しているソース化合
物２２の部分２２Ａが最も速く融解（或いは熔解）する
ことになるのである。
ソース化合物２２を浸すと成長用融液（或いは溶液）２
１には表面張力に依って盛り上がり部分２１Ａが生成さ
れる。この盛り上がり部分２ Ｊ、 Ａで発生した熱は
成長用融液（或いは溶液）２１を伝播して放＋１＆する
率が少ないから、その部分に於りるソース化合物２２は
成長用融液（或いは溶液）２１中に深く入っている部分
よりも高温になる。従って、成長用融液（或いは溶液）
２１の盛り上がった部分２１Ａに接しているソース化合
物２２の部分２２Ａが最も速く融解（或いは熔解）する
ことになるのである。
このような状態を続けていると、終にはソース化合物２
２の先の方がちぎれてしまう。
２の先の方がちぎれてしまう。
そこで、ソース化合物２２を棒状となし、その先端のみ
を成長用融液（或いは溶液）２１と接触させるようにす
れば先端のみが融解（或いは熔解）する。その融解（或
いは溶解）に依って直流電流が流れなくなったら、棒状
のソース化合物２２を矢印Ｓ方向に送って先端を成長用
融液（或いは溶液）２１に接触させれば良い。そして、
このような操作を連続的に行なうことに依り、結晶成長
途中でソース化合物２２が切れることはなく、全部有効
に融解（溶解）して使用することができる。
を成長用融液（或いは溶液）２１と接触させるようにす
れば先端のみが融解（或いは熔解）する。その融解（或
いは溶解）に依って直流電流が流れなくなったら、棒状
のソース化合物２２を矢印Ｓ方向に送って先端を成長用
融液（或いは溶液）２１に接触させれば良い。そして、
このような操作を連続的に行なうことに依り、結晶成長
途中でソース化合物２２が切れることはなく、全部有効
に融解（溶解）して使用することができる。
前記したところから理解できることであるが、多元系化
合物半導体のバルク結晶或いはエピタキシャル結晶をＳ
ＣＣ法で成長させることができるか否かは、ＳＣＣ法に
依って結晶組成の制御が可能かどうかにかかっている。
合物半導体のバルク結晶或いはエピタキシャル結晶をＳ
ＣＣ法で成長させることができるか否かは、ＳＣＣ法に
依って結晶組成の制御が可能かどうかにかかっている。
本発明者は、この点に関し、充分な実験を行なっている
ので、次に、それを説明する。
ので、次に、それを説明する。
実験は、第４図に関して説明した装置を用い、面１ｉ数
（１１１）ＡであるＩｎＰ基板上にＩｎ１−ｘＧａＸＡ
ｓ結晶層を成長させる場合について行なった。
（１１１）ＡであるＩｎＰ基板上にＩｎ１−ｘＧａＸＡ
ｓ結晶層を成長させる場合について行なった。
この場合のソース化合物としては［ｎＡｓ及びＧ ａ
Ａ ｓを、成長用溶液とし゛（は７９０［°ｃ）で飽和
したＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ ／’ａ液をそれぞれ用い
た。
Ａ ｓを、成長用溶液とし゛（は７９０［°ｃ）で飽和
したＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ ／’ａ液をそれぞれ用い
た。
ＩｎＧａＡｓ１’ｇｔｌｋの組成と、その秤量値は次の
通りである。
通りである。
Ｘ気−０，０４０
Ｘ気−０，１７０
Ｘ、、、＝０．７９０
である。ここで、Ｘ；（ｉ：ここではＧａ或いはＡｓ或
いはＩｎ）は３元種液中に於りるｉ成分の原子分率を表
わす。
いはＩｎ）は３元種液中に於りるｉ成分の原子分率を表
わす。
前記組成の溶液から面指数（１１’ｌ） ＡのＩｎＰ基
板上にエピタキシャル成長したＩ ｎｌ−、＜Ｇ ａ
ｘＡｓ結晶層は第６図に見られるように面指数（１１１
）ＡのＩｎＰ基板に略格子整合している。
板上にエピタキシャル成長したＩ ｎｌ−、＜Ｇ ａ
ｘＡｓ結晶層は第６図に見られるように面指数（１１１
）ＡのＩｎＰ基板に略格子整合している。
この場合に於ける成分の実際の秤量値は、ｌｎ＝２０．
２３２７ （ｇ） ＩｎＡｓ＝６．５８５７ （ｇ） ＧａＡｓ＝１．５４４７ （ｇ） とした。
２３２７ （ｇ） ＩｎＡｓ＝６．５８５７ （ｇ） ＧａＡｓ＝１．５４４７ （ｇ） とした。
実際の成長作業は次の過程を経る。
当初、溶液とＩｎＰ基板とは接触させない状態にしであ
る。そして、ソース化合物を溶液から出した状態で、温
度７９０（”Ｃ）以上として３０〔分〕以上保持して溶
液を均一化した後、１（’Ｃ）／１ 〔分〕の一定速度
で炉の冷却を開始する。炉の温度が７９０（”Ｃ）にな
った時、スライダーをスライドして溶液をＩｎＰ基板上
に持ち来たして成長を開始する。この後、カーボン・ソ
ース兼電極保持体を移動して溶液中に板状ソース化合物
を溶液に垂直に浸し、溶液側から化合物側に直流電流を
流すようにする。面、この時、Ｉ ｎ Ｐ基板には電流
が殆ど流れない。
る。そして、ソース化合物を溶液から出した状態で、温
度７９０（”Ｃ）以上として３０〔分〕以上保持して溶
液を均一化した後、１（’Ｃ）／１ 〔分〕の一定速度
で炉の冷却を開始する。炉の温度が７９０（”Ｃ）にな
った時、スライダーをスライドして溶液をＩｎＰ基板上
に持ち来たして成長を開始する。この後、カーボン・ソ
ース兼電極保持体を移動して溶液中に板状ソース化合物
を溶液に垂直に浸し、溶液側から化合物側に直流電流を
流すようにする。面、この時、Ｉ ｎ Ｐ基板には電流
が殆ど流れない。
第７図は前記のようにして結晶を成長させた場合に於＆
Ｊるソースに流す電流（Ａ／ｃｍ２） 、１！： ｌ
ｎＧａ Ａ Ｓ結晶層の厚さ〔μｍ〕との関係を表わす
線図である。
Ｊるソースに流す電流（Ａ／ｃｍ２） 、１！： ｌ
ｎＧａ Ａ Ｓ結晶層の厚さ〔μｍ〕との関係を表わす
線図である。
この成長に於ける温度降下幅は７９０（’ｃ）から７６
０（’Ｃ）、即ち、３０ じＣ〕であった。
０（’Ｃ）、即ち、３０ じＣ〕であった。
第７図から、ソース化合物に電流を流さない場合、ラン
プ・クーリング法（ｒａｍｐ ｃｏ’ｏｌｉｎｇ法）の
みでは、３２ 〔μｍ〕の厚さにＩｎＧａＡＳ結晶層が
エピタキシャル成長される。
プ・クーリング法（ｒａｍｐ ｃｏ’ｏｌｉｎｇ法）の
みでは、３２ 〔μｍ〕の厚さにＩｎＧａＡＳ結晶層が
エピタキシャル成長される。
また、ＩｎＡｓソース化合物を用い、電流を流しながら
同様な成長を行なうと、全面積で電流値を割った平均値
として、 １ｉａＡｓ＝ １ 、７ （Ａ／ｃｍ２） （但し、ｆ
４解した部分のみに電流 が集中したと考 えると、これの １０倍程度の電 流密度になる） の値となり、３０〔分〕で８５〔μｍ〕の厚さの結晶層
が得られる。この８５−３２＝５３Ｃμｍ〕の差はＩｎ
Ａｓソース化合物から飽和１ｎＧａＡｓ溶液中に溶解し
た１ｎＡｓに依る効果及びエレクトロ・マイグレーショ
ンに依る？ｇｔ原子のはきよせ効果の二つに依り成長し
た分である。
同様な成長を行なうと、全面積で電流値を割った平均値
として、 １ｉａＡｓ＝ １ 、７ （Ａ／ｃｍ２） （但し、ｆ
４解した部分のみに電流 が集中したと考 えると、これの １０倍程度の電 流密度になる） の値となり、３０〔分〕で８５〔μｍ〕の厚さの結晶層
が得られる。この８５−３２＝５３Ｃμｍ〕の差はＩｎ
Ａｓソース化合物から飽和１ｎＧａＡｓ溶液中に溶解し
た１ｎＡｓに依る効果及びエレクトロ・マイグレーショ
ンに依る？ｇｔ原子のはきよせ効果の二つに依り成長し
た分である。
同様の実験を、ＧａＡｓソース化合物を用いて電流を流
しながら同様な成長を行なうと、全面積で電流値を割っ
た平均値として、 ’ＧａＡｓ＝ １ ’６ （Ａ ／ Ｃｍ２） （イ且
し、ン容解した部分のみに電流 が集中したと考 えると、これの １０倍程度の電 流密度になる） の値となり、１５（分〕で８２ 〔μｒｎ〕 もの厚さ
に成長した。ＩｎＡｓソース化合物を使用した場合と比
較すると、ＧａＡｓソース化合物は融点が高いので、よ
り大電流を流さないと溶解しないことが理解されよう。
しながら同様な成長を行なうと、全面積で電流値を割っ
た平均値として、 ’ＧａＡｓ＝ １ ’６ （Ａ ／ Ｃｍ２） （イ且
し、ン容解した部分のみに電流 が集中したと考 えると、これの １０倍程度の電 流密度になる） の値となり、１５（分〕で８２ 〔μｒｎ〕 もの厚さ
に成長した。ＩｎＡｓソース化合物を使用した場合と比
較すると、ＧａＡｓソース化合物は融点が高いので、よ
り大電流を流さないと溶解しないことが理解されよう。
ＧａＡｓソース化合物の場合、入電流か流れているので
、この通？ｌｉに依る厚さの増加分４Ｊ、エレクトロ・
マイグレーションに依る分がＧ ａ Ａ ｓソース化合
物の／８ん：に依る分を十回るものと考えられる。
、この通？ｌｉに依る厚さの増加分４Ｊ、エレクトロ・
マイグレーションに依る分がＧ ａ Ａ ｓソース化合
物の／８ん：に依る分を十回るものと考えられる。
第８図は前記と同様に結晶を成長させた場合に於番ノる
Ｉｎ１−ｘＧａ、Ａｓ結晶層の厚さく、ｕｍ：ｌと結晶
層中のＧａ成分の組成Ｘとの関係を表わす線図である。
Ｉｎ１−ｘＧａ、Ａｓ結晶層の厚さく、ｕｍ：ｌと結晶
層中のＧａ成分の組成Ｘとの関係を表わす線図である。
この図は、エピタキシャル成長させた結晶層の厚さ方向
の組成変化を、そのＷ１面に於げるＸＭＡ（Ｘ−ｒａｙ
＋ｎ１ｃｒｏ ａｎａｌｙｓｉｓ）に依りめて作成し
たものである。
の組成変化を、そのＷ１面に於げるＸＭＡ（Ｘ−ｒａｙ
＋ｎ１ｃｒｏ ａｎａｌｙｓｉｓ）に依りめて作成し
たものである。
まず、ソース化合物に流す電流１ｓ＝０の時、結晶層内
の組成はＸ＝’０．’４５からＸ＝０．３５へと徐々に
変化し、Ｉ ｎｌ−ｘＧａ ｘＡ ｓ結晶層中のＧ ）
ｌ成分の組成が、第２図に関して説明したような３元Ｉ
ｎＧａＡｓ１ｇ液中に於けるＧａ成分の枯渇の為に減少
してゆく様子が看取される。
の組成はＸ＝’０．’４５からＸ＝０．３５へと徐々に
変化し、Ｉ ｎｌ−ｘＧａ ｘＡ ｓ結晶層中のＧ ）
ｌ成分の組成が、第２図に関して説明したような３元Ｉ
ｎＧａＡｓ１ｇ液中に於けるＧａ成分の枯渇の為に減少
してゆく様子が看取される。
また、ソース化合物に流す電流１ｖ、、Ａ、−１、７（
Ａ／ｃｍ２）である場合、ＩｎＧａＡｓ／８液中にＩｎ
Ａｓが余分に溶解する為、結晶組成はＸ−０，２８と極
端にＧａ成分が減少している。
Ａ／ｃｍ２）である場合、ＩｎＧａＡｓ／８液中にＩｎ
Ａｓが余分に溶解する為、結晶組成はＸ−０，２８と極
端にＧａ成分が減少している。
更にまた、ソース化合物に流す電流ＩＧ、ＬＡｇ＝ ｌ
６（Ａ／Ｃｌ１１２）である場合、ＩｎＧａＡｓ１液
中にＧａＡｓが少し溶解する為、Ｇａ成分がＸ＝Ｏ。
６（Ａ／Ｃｌ１１２）である場合、ＩｎＧａＡｓ１液
中にＧａＡｓが少し溶解する為、Ｇａ成分がＸ＝Ｏ。
ことが判る。
於いても結晶成長させることが可能になる。
例えば、液相エピタキシャル結晶成長を行なうに際し、
所定温度で飽和状態にある成長用溶液にソース化合物を
浸し、それに電流を流して成長用溶液を過飽和にすれば
、）１．板上に結晶層がエピタキシャル成長される。従
って、電流を流した時間に対応して結晶ＪＭがエピタキ
シャル成長されるので、結晶層の層ｊＶを制御すること
が可能である。
所定温度で飽和状態にある成長用溶液にソース化合物を
浸し、それに電流を流して成長用溶液を過飽和にすれば
、）１．板上に結晶層がエピタキシャル成長される。従
って、電流を流した時間に対応して結晶ＪＭがエピタキ
シャル成長されるので、結晶層の層ｊＶを制御すること
が可能である。
また、低温で飽和状態にある成長用溶〆１（・であれば
、ソース化合物に電流を流すことに依り、前記低温で飽
和状態に２）１っだ成長用溶液を過飽和状態にして結晶
を成長させることができるから、低温での成長が必要な
結晶層を得るのに有〃ノである。
、ソース化合物に電流を流すことに依り、前記低温で飽
和状態に２）１っだ成長用溶液を過飽和状態にして結晶
を成長させることができるから、低温での成長が必要な
結晶層を得るのに有〃ノである。
発明の効果
本発明の結晶成長方法では、成長させるべき多元系化合
物半導体結晶を構成する元素の少なくとも一つを含む化
合物に於ける一部を多元Ｉｆｚ化合物半導体結晶成長用
−Ｍ；液（或いは溶液）にＮし、前記多元系化合物半導
体結晶成長用（或いυ９１溶液）から０ｉｉ記化合物の
方向に電流（１ス（が制御された直流電流を流して前記
多元系化合物半導体結晶成長用融液（或いは溶液）の組
成を所望の値に崩］持することをＷ本としている。そし
て、これに依り得られる効果を列挙すると次の通りであ
る。
物半導体結晶を構成する元素の少なくとも一つを含む化
合物に於ける一部を多元Ｉｆｚ化合物半導体結晶成長用
−Ｍ；液（或いは溶液）にＮし、前記多元系化合物半導
体結晶成長用（或いυ９１溶液）から０ｉｉ記化合物の
方向に電流（１ス（が制御された直流電流を流して前記
多元系化合物半導体結晶成長用融液（或いは溶液）の組
成を所望の値に崩］持することをＷ本としている。そし
て、これに依り得られる効果を列挙すると次の通りであ
る。
ｆｉｌソース化合物に流す電流に依り、飽和融液（或い
は溶液）に対してもソース化合物を融解（或いは熔解）
させることができる。
は溶液）に対してもソース化合物を融解（或いは熔解）
させることができる。
（２）ソース化合物に流す電流に依り、融液（或いは溶
液）の組成を自由に変えることができ、従って、結晶層
の組成も制御することが可能であり、均一組成の結晶層
を再現性良く成長させることができる。
液）の組成を自由に変えることができ、従って、結晶層
の組成も制御することが可能であり、均一組成の結晶層
を再現性良く成長させることができる。
（３）ソース化合物に流す電流に依り、結晶層の厚さを
制御することができ、ソース化合物の量を充分に多くす
ることに依り、結晶層の厚さを従来技術に依る場合と比
較して無限といって良い程厚く成長させることができ、
多元系化合物半導体のバルク結晶層を得るのに有効であ
る。
制御することができ、ソース化合物の量を充分に多くす
ることに依り、結晶層の厚さを従来技術に依る場合と比
較して無限といって良い程厚く成長させることができ、
多元系化合物半導体のバルク結晶層を得るのに有効であ
る。
（４）低温で飽和状態にある溶液にソース化合物を浸し
て電流を流すことに依り過飽和状態にすることができる
ので、低温で成長させることが好ましい結晶を形成する
のに好適であり、例えばＩｎＰ或いばＧａｒｂを５００
（’Ｃ）以下で成長させることができる。
て電流を流すことに依り過飽和状態にすることができる
ので、低温で成長させることが好ましい結晶を形成する
のに好適であり、例えばＩｎＰ或いばＧａｒｂを５００
（’Ｃ）以下で成長させることができる。
（５）複数種類の溶液を用い、それ等の／８液（１ツ於
けるソース化合物に通電し過飽和状態となし、それを交
互に使用することに依りペテロ接合の超格子構造を実現
することができる。
けるソース化合物に通電し過飽和状態となし、それを交
互に使用することに依りペテロ接合の超格子構造を実現
することができる。
（０）従来、困難視されていた１ｎＧａＡｓ或いＧｊＩ
ｎＧａＡｓＰ結晶、にへのＩ ｎ Ｐ直接成長お実現す
ることができる。
ｎＧａＡｓＰ結晶、にへのＩ ｎ Ｐ直接成長お実現す
ることができる。
（７）キャリヤ濃度を異にする複数のｌ ｎ Ｐ ？３
液に於けるソース化合物に電流を流し、従来、！＋４６
：ＩＣ視されていたキャリヤ濃度を異にする１ｎＰＩ：
４ｔを２層以上形成することが容易になし得る。
液に於けるソース化合物に電流を流し、従来、！＋４６
：ＩＣ視されていたキャリヤ濃度を異にする１ｎＰＩ：
４ｔを２層以上形成することが容易になし得る。
ｆ８） Ａ １２ Ｇ ａ Ｓ ｂ 、 Ｇ ａ Ｓ
ｂのヘテｌコ接合或いは△βＧａＡｓ、ＧａＡｓのへテ
ロ接合も実現することができる。
ｂのヘテｌコ接合或いは△βＧａＡｓ、ＧａＡｓのへテ
ロ接合も実現することができる。
第１図はＩｎＧ ａ Ａ ｓ Ｐ ｄ元化合物に於ける
組成の関係を表わす線図、第２図はＡＣ−１ｉｃｑｌ！
２児・系状態図、第３図は本発明を実施するシム置の一
例を表わす要部１悦明図、第４図はＳＣＣ法を適用して
液相エピタキシ中ル成長を行なう装置の一例を説明する
為の要Ｑｌｌ説明図、第５図はソース化合物の融解（或
いは熔解）の様子を表わす要部説明図１．第６図は本発
明を適用してエビクキシャル成長した結晶層の格子整合
の状態を説明する為の線図、第７図はソース化合物に流
す電流と結晶層の厚さとの関係を説明する為の線図、第
８図は結晶層の厚さと成分の組成Ｘとの関係を説明する
為の線図である。 図に於いて、１はルツボ、２は多元系化合物半導体結晶
成長用融液、３は正側カーボン電極、４は正側ステンレ
ス電極、５はソース化合物、６は負側カーボン電極、７
は負側ステンレス電極、８はシード、９はシード保持体
、１１はカーボン・ボート １２は正側ステンレス電極
、１３はカーボン・スライダー、１４は窒化硼素の板体
、１５はカーボン・ソース兼電極保持体、１６は負側ス
テンレス電極、１７は板状ソース化合物、１８はカーボ
ン・ボート１１に保持された基板、１９はカーボン・ス
ライダー１３に保持された多元系化合物半導体結晶戊辰
用溶液、２１は成長用融液（或いは溶液）、２１Δは盛
り上がり部分、２２はソース化合物、２２Δは最も融解
（或いは溶解）し易い部分、ｉは直流？ｈ流、Ｓはソー
ス化合物の送り方向である。 特許出願人 富士通株式・会社 代理人弁Ｉ！Ｉ！ ＴＬ−相 谷 昭 司代理人弁理士
渡 邊 弘 −・ 第１図 第２図
組成の関係を表わす線図、第２図はＡＣ−１ｉｃｑｌ！
２児・系状態図、第３図は本発明を実施するシム置の一
例を表わす要部１悦明図、第４図はＳＣＣ法を適用して
液相エピタキシ中ル成長を行なう装置の一例を説明する
為の要Ｑｌｌ説明図、第５図はソース化合物の融解（或
いは熔解）の様子を表わす要部説明図１．第６図は本発
明を適用してエビクキシャル成長した結晶層の格子整合
の状態を説明する為の線図、第７図はソース化合物に流
す電流と結晶層の厚さとの関係を説明する為の線図、第
８図は結晶層の厚さと成分の組成Ｘとの関係を説明する
為の線図である。 図に於いて、１はルツボ、２は多元系化合物半導体結晶
成長用融液、３は正側カーボン電極、４は正側ステンレ
ス電極、５はソース化合物、６は負側カーボン電極、７
は負側ステンレス電極、８はシード、９はシード保持体
、１１はカーボン・ボート １２は正側ステンレス電極
、１３はカーボン・スライダー、１４は窒化硼素の板体
、１５はカーボン・ソース兼電極保持体、１６は負側ス
テンレス電極、１７は板状ソース化合物、１８はカーボ
ン・ボート１１に保持された基板、１９はカーボン・ス
ライダー１３に保持された多元系化合物半導体結晶戊辰
用溶液、２１は成長用融液（或いは溶液）、２１Δは盛
り上がり部分、２２はソース化合物、２２Δは最も融解
（或いは溶解）し易い部分、ｉは直流？ｈ流、Ｓはソー
ス化合物の送り方向である。 特許出願人 富士通株式・会社 代理人弁Ｉ！Ｉ！ ＴＬ−相 谷 昭 司代理人弁理士
渡 邊 弘 −・ 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｆｉ＋成長させるべき多元系化合物半導体結晶を構成す
る元素の少なくとも一つを含む化合物に於ける一部を多
元系化合物半導体結晶成長用融液（或いは溶液）に浸し
、前記多元系化合物半導体結晶成長用融液（或いは溶液
）から前記化合物の方向に電流値が制御された直流電流
を流して前記化合物を融解させ前記多元系化合物半導体
結晶成長用融液（或いは溶液）の組成を所望の値に維持
する工程が含まれてなることを特徴とする結晶成長方法
。 （２）成長させるべき多元系化合物半導体結晶を構成す
る元素の少なくとも一つを含む複数種類の化合物に於け
るそれぞれの一部を多元系化合物半導体結晶成長用融液
（或いは溶液）に浸し、前記多元系化合物半導体結晶成
長用融液（或いは溶液）から前記各化合物の方向にそれ
ぞれ独立に電流値が制御された直流電流を流して前記各
化合物を融解させ前記多元系化合物半導体結晶成長融液
（或いは溶液）の組成を所望の値に維持する工４−１が
含まれてなることを特徴とする結晶成長方法。 ・（３
）成長させるべき多元系化合物半導体結晶を構成する元
素の少なくとも一つを含む棒状化名物に於しノる先端を
多元系化合物半導体結晶成長用融液（或いは溶液）の表
面に接触させ、前記多元系化合物半導体結晶成長用融液
（或いは溶液）から前記棒状化合物の方向に電流値を制
御されたｖ１流電流を流して前記棒状化合物の先端を融
解させ前記多元系化合物半導体結晶成長面Ｐ＆ （或い
はｌＢ液）の組成を所望の値にＫ（（持する工程が含ま
れてなることを特徴とする結晶成長方法。 （４）成長させるべき多元系化合物半導体結晶を構成す
る元素の少なくとも一つを含む複数種１Ｊ１の棒状化合
物に於ける各先端を多元系化合物半導体結晶成長用融液
（或いは溶液）の表面に接触させ、前記多元系化合物半
導体結晶成長用融液（或いは溶／＆）から前記各棒状化
合物の方向にそれぞれ独立に電流値が制御された直流電
流を流して１１１１記各棒状化合物の先端を融解させ前
記多元系化合物半導体結晶成長用融液（或いは溶液）の
組成を所望の値に維持する工程が含まれてなることを特
徴とする結晶成長方法。 （５）前記成長させるべき多元系化合物半導体結晶がバ
ルク結晶であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
或いは第２項或いは第３項或いは第４項記載の結晶成長
方法。 （６）前記成長させるべき多元系化合物半導体結晶がエ
ピタキシャル結晶であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項或いは第２項或いは第３項或いは第４項記載の
結晶成長方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58171174A JPS6065799A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 結晶成長方法 |
| DE8484306410T DE3479523D1 (en) | 1983-09-19 | 1984-09-19 | Method for growing multicomponent compound semiconductor crystals |
| EP84306410A EP0140565B1 (en) | 1983-09-19 | 1984-09-19 | Method for growing multicomponent compound semiconductor crystals |
| US06/652,239 US4620897A (en) | 1983-09-19 | 1984-09-19 | Method for growing multicomponent compound semiconductor crystals |
| KR8405728A KR890002000B1 (en) | 1983-09-19 | 1984-09-19 | Method for growing multicomponent compound semiconductor crystals |
| US06/864,982 US5021224A (en) | 1983-09-19 | 1986-05-20 | Apparatus for growing multicomponents compound semiconductor crystals |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58171174A JPS6065799A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 結晶成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065799A true JPS6065799A (ja) | 1985-04-15 |
| JPH0357076B2 JPH0357076B2 (ja) | 1991-08-30 |
Family
ID=15918370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58171174A Granted JPS6065799A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6065799A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008280225A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 単結晶の製造方法および製造装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5845193A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-16 | Fujitsu Ltd | エピタキシヤル成長方法 |
-
1983
- 1983-09-19 JP JP58171174A patent/JPS6065799A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5845193A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-16 | Fujitsu Ltd | エピタキシヤル成長方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008280225A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 単結晶の製造方法および製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0357076B2 (ja) | 1991-08-30 |
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