JPS6066466A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6066466A
JPS6066466A JP58175002A JP17500283A JPS6066466A JP S6066466 A JPS6066466 A JP S6066466A JP 58175002 A JP58175002 A JP 58175002A JP 17500283 A JP17500283 A JP 17500283A JP S6066466 A JPS6066466 A JP S6066466A
Authority
JP
Japan
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film
semiconductor device
electrode wiring
wiring
insulating film
Prior art date
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Pending
Application number
JP58175002A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP58175002A priority Critical patent/JPS6066466A/ja
Publication of JPS6066466A publication Critical patent/JPS6066466A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor

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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の配線構造に関する。
従来、半導体装置の配線構造は、第１図に示す断面構造
となっていた。すなわち、８１基板１の表面に拡散層２
．絶縁膜３が形成され、該絶縁膜５を介し、該絶縁膜３
に１ｊＦＪけられたコンタクト穴を通してＡｔ電極配線
４が形成されるのが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、ｘｔと８１との接触部
での接触抵抗が犬となる欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、８１と配線
′電極との接触部での接触抵抗が小でかつ安定な半導体
装置の配線構造を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は半導
体装置に於て、 １、　半導体基板表面に形成された拡散層表面にはＴｉ
ＩＭまたはＴｉＢ１膜が形成され、絶縁膜を介し、該絶
縁膜に開けられたコンタクト穴を通してＴｔｇ％による
電極配線が形成されることを特徴とすること。
２　上記第１の半導体装置においてＴ１膜による電極配
線上にはＡｔ膜等による他の金属膜が形成された多層電
極配線構造となすことを特徴とすること。
五　上記第１の半導体装置において、絶縁膜表面には８
１３Ｎ４膜が形成されて成ることを特徴とすること。
４、　上記第１の半導体装置に於て、Ｔｉ１ｌあるいは
Ｔ　ｉ　Ｂ　１ｌｌＪに代えＴ　’ａ　膜あるいはＴａ
８１膜を用いることを特徴とすること。
等である。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明の一実施例を示す半導体装置の配線９造
の断面図である。８１基板１１の表面には拡散層１２゜
８１０Ｊからなる絶縁膜１３が形成され、該絶縁膜１．
３に開けられたコンタクト穴を通して、拡散層１２の表
面にＴ１膜またはＴ１８ｉ膜１４が形成され、更に絶縁
ｌＮ１３上に形成された８１．Ｎ４膜１５に開けられた
コンタクト穴を通し、該８１．Ｎ４膜１５を介してＴ１
膜１６と該Ｔ１膜１６上に形成したＡｔ膜１７により電
極配線がなされて成る。
本発明の如く、８１上にＴ１膜あるいはＴ１８１膜を形
成後、Ｔｉ展による電極配線を行なうことにより、８１
とＴ１膜を含む電極配線との接触部の接触抵抗が小とな
る効果がある。
更に、Ｔ１膜による配線下に８１１１ｑ４Ｈを形成する
ことにより、Ｔ１膜を絶縁膜（ｓｉｏｔ＃）との界面に
形成されるＴｌＯ２が防止でき、特性の安定化を計れる
効果がある。
Ｔ１あるいはＴ１８１の代りにＴａあるいはＴａｘｉを
用いても類似の効果がある。
ｇ目導４帖装ｊμ引配置１１１の・−断・面図で賢１４
、
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術による半導体装置の配線構造を示す断
面図、第２図は本発明の一実施例を示゛；を半導体装置
の配線構造の断面図である。 １．１１・・・・・・半導体基板 ２．１２・・・・・・拡散層 ３．１３・・・・・・絶縁膜 ４．１７・・・・・・Ａｔ膜 １４・・・・・・・・・・・・Ｔ１膜またはＴ　ｉ　８
１１戻１Ｆ５・・・・・・８ｉ３Ｎ、膜 １６・・・・・・Ｔ１膜 以　上 出願人　株式会社諏訪精工舎 代理人　弁理士　最上　務 晃１図 ’Ｆｌ　２　１２１ １２１斗

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、　半導体基板表面に形成された拡散層表面にはＴ１
    膜またはＴ　ｉ　ｓ　ｔＭが形成され、絶縁膜を介し、
    ＫＭ縁膜に開けられたコンタクト穴を通してＴ１膜によ
    る電極配線が形成されることを特徴とする半導体装置。 ２、　Ｔ１膜による電極配線上にはｈＬ膜等による他の
    金属願が形成された多層電極配線構造とすることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 五　絶縁膜表面には８１３１’＋４　膜が形成されて成
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
    装置。 ４、　Ｔ１膜またはＴ１８１膜をＴａ１ｆＪまたはＴａ
    ８１膜となすことを特徴とする特１ｒｌ−ｆｌ＋Ｖ求の
    範囲第１項乃至第３項記載の半導体装置。４
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07130683A (ja) * 1993-11-01 1995-05-19 Nec Corp 半導体装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5487175A (en) * 1977-12-23 1979-07-11 Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Method of fabricating semiconductor
JPS5575259A (en) * 1978-12-01 1980-06-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing method of semiconductor device

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