JPS6252931A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
- Publication number
- JPS6252931A JPS6252931A JP60192690A JP19269085A JPS6252931A JP S6252931 A JPS6252931 A JP S6252931A JP 60192690 A JP60192690 A JP 60192690A JP 19269085 A JP19269085 A JP 19269085A JP S6252931 A JPS6252931 A JP S6252931A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- mask
- silicon substrate
- ray exposure
- support frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は＊細パターンを高楕度に転写するためのｘｓ
ｇ光：二使用するＸ線露光用マスクに関する。
ｇ光：二使用するＸ線露光用マスクに関する。
ｘｓｔｉｔ光法は、波長がダ〜ｊ（７Ａの欽Ｘ護を線源
とし、サブミクロンパターンを含む微細パターンの転写
がａＴ能な技術として従来より用いられている。
とし、サブミクロンパターンを含む微細パターンの転写
がａＴ能な技術として従来より用いられている。
一般（＝Ｘ線露光方式としては被Ｉ１元基板のほぼ全面
（＝わたって一括に転写する一括転写方式と、被露光基
板上で分割露光を操り返えすステップアンドレピート方
式がある。
（＝わたって一括に転写する一括転写方式と、被露光基
板上で分割露光を操り返えすステップアンドレピート方
式がある。
本発明は、主としてステップアンドレピート方式のＸ線
露光に使用するＸ線露光用マスクに関係するものである
。
露光に使用するＸ線露光用マスクに関係するものである
。
従来からのステップアンドレピート方式用のＸ線露光用
マスクの例としては、第９図に示すよう（＝平坦なシリ
コン基板の片面側に積層固着したｘ６を透過性薄ａａユ
と、この薄膜上に形成されたＸ線吸収性パターン３と、
シリコン基板の一部を除去してなる転写パターン領域と
しての窓６と、除去せず（二残したシリコン基板部分よ
りなる支持枠ダと、シリコン基板を部分的に除去する際
（：使用する保護ｉｔからなるＸ線露光用マスクｌがあ
る。
マスクの例としては、第９図に示すよう（＝平坦なシリ
コン基板の片面側に積層固着したｘ６を透過性薄ａａユ
と、この薄膜上に形成されたＸ線吸収性パターン３と、
シリコン基板の一部を除去してなる転写パターン領域と
しての窓６と、除去せず（二残したシリコン基板部分よ
りなる支持枠ダと、シリコン基板を部分的に除去する際
（：使用する保護ｉｔからなるＸ線露光用マスクｌがあ
る。
また、従来Ｘ線透過性＃幌としては／×ｌ０１ｌｄｙｎ
／ｃＩＩＩ程度の引張り応力を有する博暎を使用してい
るため、従来のＸ線露光用マスクではこの薄１１１１！
１９１が凹面（＝なるような反りを生じていた。
／ｃＩＩＩ程度の引張り応力を有する博暎を使用してい
るため、従来のＸ線露光用マスクではこの薄１１１１！
１９１が凹面（＝なるような反りを生じていた。
例えば、直径５ｏＩｌのＸ線露光用マスクの場合１０〜
−０μｍの反りを生じ、平面度の良いマスクホルダーに
吸着し矯正しても、−〜参μｍ程度の反りが残っていた
。
−０μｍの反りを生じ、平面度の良いマスクホルダーに
吸着し矯正しても、−〜参μｍ程度の反りが残っていた
。
電子縁励起等（二よる発散＃ＩＴＪ！Ａを用いたＸ４Ｉ
露光法においてＸ線露光用マスクのＸ線吸収性パターン
付着面と被露光基板面の間の距離（以下、マスタークエ
へ間距離と呼ぶ）は一般（二１０〜．２０μｍ程度であ
り、例えば、転写領域内の異なる３ｇ所（二おいて±１
μｍ＃後の精度で一定距離になるよう（二′Ｍｉ嬉光基
板面に対しＸ巌４光用マスク全体を近づけたり傾けたり
して調脩する。
露光法においてＸ線露光用マスクのＸ線吸収性パターン
付着面と被露光基板面の間の距離（以下、マスタークエ
へ間距離と呼ぶ）は一般（二１０〜．２０μｍ程度であ
り、例えば、転写領域内の異なる３ｇ所（二おいて±１
μｍ＃後の精度で一定距離になるよう（二′Ｍｉ嬉光基
板面に対しＸ巌４光用マスク全体を近づけたり傾けたり
して調脩する。
前述したように第参図（ユ示す従来のＸｉａ露光用マス
クではＸ線吸収性パターンが付着している側（２凹型の
反りを生じ、吸Ｍ矯正してもコ〜ダμｍ程度の反りが残
る。
クではＸ線吸収性パターンが付着している側（２凹型の
反りを生じ、吸Ｍ矯正してもコ〜ダμｍ程度の反りが残
る。
一方、被露光基板面全体の平面度は従来のシリコン基板
を用い、平面度の良い吸着ホルダーで矯正しても２〜３
ＩＸｒＬ程度と一般（２ｇわれている。
を用い、平面度の良い吸着ホルダーで矯正しても２〜３
ＩＸｒＬ程度と一般（２ｇわれている。
従って、上述した方法でマスクウニ八間距離をＡ整する
際、被露光基板面にＸ線露光用マスクの支持枠外周部が
接触し、Ｘ＃繕充用マスクまたは被露光基板（；欠陥が
発生するという問題が従来生じていた。
際、被露光基板面にＸ線露光用マスクの支持枠外周部が
接触し、Ｘ＃繕充用マスクまたは被露光基板（；欠陥が
発生するという問題が従来生じていた。
そこで本発明が解決しようとする問題点は。
ステップアンドレピート方式のＸ線露光において、マス
クークエへ間距離を調整する際Ｘ＃５！露光用マスクの
支持枠外周部が被露光基板面に接触する危険性のないＸ
線露光用マスクを提供すること（＝ある。
クークエへ間距離を調整する際Ｘ＃５！露光用マスクの
支持枠外周部が被露光基板面に接触する危険性のないＸ
線露光用マスクを提供すること（＝ある。
本発明者は上記の問題点を解決すべく研究の結果、シリ
コン基板の片面側にＸ＃透過性薄映を積層固着し、Ｘ−
透過性薄膜上（−Ｘ線吸収性パターンを設け、シリコン
基板のＸ線吸収性パターンを設けた領域を含む一部領域
を窓状（＝除去して転写パターン領域を形成し、除去せ
ず（２残したシリコン基板部分を支持枠とするＸ線露光
用マスク（二おいて支持枠のうち被露光基板面（二近接
せしめられる側の外周部側領域を全周（ユわたって除去
すること（−よって、マスクークエへ間距離をａｍ、＊
する際支持枠外周部の反りを無視でき、それによってマ
スク−ウニ八間距離の調姫がより容易化すると共に、マ
スクークエハ間距離の１Ｉ１４４ｆの際Ｘ線露光用マス
クまたは被露光基板への欠陥の発生を解消しうろことを
見いだし、かかる知見（＝もとづいて本発明を完成した
ものである。
コン基板の片面側にＸ＃透過性薄映を積層固着し、Ｘ−
透過性薄膜上（−Ｘ線吸収性パターンを設け、シリコン
基板のＸ線吸収性パターンを設けた領域を含む一部領域
を窓状（＝除去して転写パターン領域を形成し、除去せ
ず（２残したシリコン基板部分を支持枠とするＸ線露光
用マスク（二おいて支持枠のうち被露光基板面（二近接
せしめられる側の外周部側領域を全周（ユわたって除去
すること（−よって、マスクークエへ間距離をａｍ、＊
する際支持枠外周部の反りを無視でき、それによってマ
スク−ウニ八間距離の調姫がより容易化すると共に、マ
スクークエハ間距離の１Ｉ１４４ｆの際Ｘ線露光用マス
クまたは被露光基板への欠陥の発生を解消しうろことを
見いだし、かかる知見（＝もとづいて本発明を完成した
ものである。
本発明のＸ線露光用マスクはシリコン基板の片ｍｌ側＋
二Ｘ ＠透過性薄暎を積層固層し、Ｘ線透過性博映上（
二Ｘ―吸収性パターンを設け、Ｘ線吸収性パターンを設
けた領域を含む一部領域を多 窓状に除去して転写パターン領域を形成し、除去せずに
残したシリコン基板部分を支持枠とするＸ線露光用マス
ク（二おいて、支持枠のうち被露光基板面に近接せしめ
られる側の外周部側領域全周（二わたって凹部が形成さ
れ、支持枠外周部が被露光基板面（二≠触しないよう（
二構成したものである。
二Ｘ ＠透過性薄暎を積層固層し、Ｘ線透過性博映上（
二Ｘ―吸収性パターンを設け、Ｘ線吸収性パターンを設
けた領域を含む一部領域を多 窓状に除去して転写パターン領域を形成し、除去せずに
残したシリコン基板部分を支持枠とするＸ線露光用マス
ク（二おいて、支持枠のうち被露光基板面に近接せしめ
られる側の外周部側領域全周（二わたって凹部が形成さ
れ、支持枠外周部が被露光基板面（二≠触しないよう（
二構成したものである。
而して本発明；二おいて、支持枠の外周部側を除去する
方法としては、槁蝕奴を用いて化学的（＝エツチング除
去する方法、および機械加工法（二より研削除去する方
法が適用できる。
方法としては、槁蝕奴を用いて化学的（＝エツチング除
去する方法、および機械加工法（二より研削除去する方
法が適用できる。
次（二本発明（二おいて、支持枠の凹部は凹部全域；二
わたってはゾ同−深さく二なるように形成しても良く、
或はシリコン基板の外周部側へむけて深さが深くなるよ
う；二部斜面（−形成しても良い。
わたってはゾ同−深さく二なるように形成しても良く、
或はシリコン基板の外周部側へむけて深さが深くなるよ
う；二部斜面（−形成しても良い。
以下、実施例によりさら（二本発明の詳細な説明する。
第２図（，１〜（・）（二本発明（＝係るＸ線露光用マ
スクの一実施例における主な製造工程の概略断圓を示す
。
スクの一実施例における主な製造工程の概略断圓を示す
。
先ず少なくとも片面が鏡面研摩された厚さＱ３〜３躇の
シリコン基板を従来からの熱酸化法；二より酸化し、厚
さＱ／−Ｑ！ＲｎのＳ：０．膜を基板両面に１し成する
。次いで、この基板の鏡面研摩された片面（以後、この
面を表面、反対の（８）を表面と呼ぶ）上で、支持枠平
面のうち除去すべき部分以外の支持枠電域に従来からの
紫外線露光法等によりレジストパターン（図示せず）を
設け１例えばＣＦ４等のガスを用いた反応性スパッタエ
ツチング法により表面のｓｔｏｌｇを選択的に除去する
。その後、レジストパターンを専用レジスト剥離液で除
去すること（二より第一図（ａ）に示すようなシリコン
基板ダ′の表面にＳＩＯ，パターン７が形成され、裏面
にＳ％Ｏ！保護映ｔが形成されたものを得る。
シリコン基板を従来からの熱酸化法；二より酸化し、厚
さＱ／−Ｑ！ＲｎのＳ：０．膜を基板両面に１し成する
。次いで、この基板の鏡面研摩された片面（以後、この
面を表面、反対の（８）を表面と呼ぶ）上で、支持枠平
面のうち除去すべき部分以外の支持枠電域に従来からの
紫外線露光法等によりレジストパターン（図示せず）を
設け１例えばＣＦ４等のガスを用いた反応性スパッタエ
ツチング法により表面のｓｔｏｌｇを選択的に除去する
。その後、レジストパターンを専用レジスト剥離液で除
去すること（二より第一図（ａ）に示すようなシリコン
基板ダ′の表面にＳＩＯ，パターン７が形成され、裏面
にＳ％Ｏ！保護映ｔが形成されたものを得る。
第一図（ｂ）はさらにＳ１偽パターン７をマスクとして
シリコン基板ダ′の表面を１〜１００μｍの間で一定の
厚さだけ、エツチング除去した後を示す。ここでのエツ
チング除去漱とし℃は例えばＨＦ ： ＨＮＯｓ： Ｃ
Ｈ１ＣＯＯＨ＝ｔ ： Ｊ ： ／の混合液ＪＰ、２θ
〜ｅｏ％ＫＯＨ水浴液を用いる。
シリコン基板ダ′の表面を１〜１００μｍの間で一定の
厚さだけ、エツチング除去した後を示す。ここでのエツ
チング除去漱とし℃は例えばＨＦ ： ＨＮＯｓ： Ｃ
Ｈ１ＣＯＯＨ＝ｔ ： Ｊ ： ／の混合液ＪＰ、２θ
〜ｅｏ％ＫＯＨ水浴液を用いる。
次いで［肉ＨＦ液によりＳｌ偽パターン７、およびＳ１
０．保護膜ざをエツチング除去することにより、第２図
（Ｃ）（二示すようにシリコン基板のうち支持枠となる
部分の板％光基板面に近接せしめられる側において外周
部側領域が全周（−わたって除去され、四部ｔが形成さ
れたものを得る。
０．保護膜ざをエツチング除去することにより、第２図
（Ｃ）（二示すようにシリコン基板のうち支持枠となる
部分の板％光基板面に近接せしめられる側において外周
部側領域が全周（−わたって除去され、四部ｔが形成さ
れたものを得る。
次にシリコン基板の表向にＳｔ、ＮいＳｉＮ％ＳＩＯ，
、ＳＩＣ％ＢＮ等の１１１４材の１４Ｌ１−もしくは複
合層からなり、弱い緊張力を有した厚さ０２〜９８ｍの
Ｘｍ＝ｍ＝過性ｍ個えばＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄ＊ｐｏｍｌｔｉｏｎ ）法やスパッタ
リング法により形成する。またシリコン基板の艮（３）
（二８１、Ｎ、、ＳｉＮ、 ＳＩＯ，、ＢＮ等の４さ０
２〜’Ｉ μｍの博偵を、ＣＶＤ法やスパッタリング法
により形成し、従来の紫外線露光法等によりレジストパ
ターン（図示せず）を形成した後、不要部をエツチング
除去し、しかるのち、専用レジスト除去液を用いてレジ
ストパターンを除去することにより、第１図（１）（−
示すようにシリコン基板ｌのうち支持枠となる部分の被
露光基板（３）に近接せしめられた側におい１外周部側
領域が全周にわたつ−ＣＤ去されて凹部９が形成され、
且つシリコン基板の−Ａ面全面（二Ｘ＠透過性４コが設
けられ、長面に枠状の保護膜Ｓが設けられたものを得る
。
、ＳＩＣ％ＢＮ等の１１１４材の１４Ｌ１−もしくは複
合層からなり、弱い緊張力を有した厚さ０２〜９８ｍの
Ｘｍ＝ｍ＝過性ｍ個えばＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄ＊ｐｏｍｌｔｉｏｎ ）法やスパッタ
リング法により形成する。またシリコン基板の艮（３）
（二８１、Ｎ、、ＳｉＮ、 ＳＩＯ，、ＢＮ等の４さ０
２〜’Ｉ μｍの博偵を、ＣＶＤ法やスパッタリング法
により形成し、従来の紫外線露光法等によりレジストパ
ターン（図示せず）を形成した後、不要部をエツチング
除去し、しかるのち、専用レジスト除去液を用いてレジ
ストパターンを除去することにより、第１図（１）（−
示すようにシリコン基板ｌのうち支持枠となる部分の被
露光基板（３）に近接せしめられた側におい１外周部側
領域が全周にわたつ−ＣＤ去されて凹部９が形成され、
且つシリコン基板の−Ａ面全面（二Ｘ＠透過性４コが設
けられ、長面に枠状の保護膜Ｓが設けられたものを得る
。
第１図（，１はさらにＸ＠透過性博映λ上に従来からＸ
線露光用マスクのＸ線吸収性パターンを形成する方法と
して用いられているメッキ法（メッキマスクを設け、メ
ッキマスクの開口部に金属を電層する方法）や蒸着また
はスパッタリング−ドライエツチング法（全面（二重金
属を蒸着またはスパッタリングしたのち、ドライエツチ
ングする方法）により、ＡｕＷ 、 Ｔａ等の重金属を
主成分とする厚さａコ〜ｌコ屑の所望のＸ線吸収性パタ
ーン３を形成した状態を示す。
線露光用マスクのＸ線吸収性パターンを形成する方法と
して用いられているメッキ法（メッキマスクを設け、メ
ッキマスクの開口部に金属を電層する方法）や蒸着また
はスパッタリング−ドライエツチング法（全面（二重金
属を蒸着またはスパッタリングしたのち、ドライエツチ
ングする方法）により、ＡｕＷ 、 Ｔａ等の重金属を
主成分とする厚さａコ〜ｌコ屑の所望のＸ線吸収性パタ
ーン３を形成した状態を示す。
峡後に第１図に示すように保護ｊｌＪｌｊをマスクとし
、シリコン基板の一部を裏面からエツチング除去するこ
とにより支持枠ｑおよび転写パターン領域となる窓６を
形成する。このエツチングの際、ｘ＋Ｊ透過性薄惧コお
よびＸ巌吸収性パターン３を保護するためにＯリング等
からなる冶具を使用し、エツチング液としては例えば、
コＱ−ゲＯ％ＫＯＨ水溶液やＨＦ：ＨＮＯ，：ＣＨ，Ｃ
０ＯＨ＝ ／ ： Ｊ ： ／の混合液を使用すること
）二より良好にエツチング除去できる。
、シリコン基板の一部を裏面からエツチング除去するこ
とにより支持枠ｑおよび転写パターン領域となる窓６を
形成する。このエツチングの際、ｘ＋Ｊ透過性薄惧コお
よびＸ巌吸収性パターン３を保護するためにＯリング等
からなる冶具を使用し、エツチング液としては例えば、
コＱ−ゲＯ％ＫＯＨ水溶液やＨＦ：ＨＮＯ，：ＣＨ，Ｃ
０ＯＨ＝ ／ ： Ｊ ： ／の混合液を使用すること
）二より良好にエツチング除去できる。
以上の製造工程により第１図：二示す本発明の一実施例
（二よるＸ線露光用マスク／が得られる。
（二よるＸ線露光用マスク／が得られる。
本発明による他の実施例を第３図にホす。この実施例は
研削等の周知セ械加工法により平らなシリコン基板の外
周部を予め一定角度で削り取ることにより凹部デを形成
し、その後前記実施例の第二図（ｄ）、（、）、および
第１図と同様の工程を経て形成したＸ線露光用マスク／
の例である。第３図に示すよう（二、所望の緊張力を有
したＸ線透過性傅幌ユが、表面外周部が一定角度で削り
取られた支持枠ダの表面に張られ、さらに薄膜上（＝所
望のＸ＃１１１吸収性パターン３が形成され、転写パタ
ーン領域を規定する窓６がある。
研削等の周知セ械加工法により平らなシリコン基板の外
周部を予め一定角度で削り取ることにより凹部デを形成
し、その後前記実施例の第二図（ｄ）、（、）、および
第１図と同様の工程を経て形成したＸ線露光用マスク／
の例である。第３図に示すよう（二、所望の緊張力を有
したＸ線透過性傅幌ユが、表面外周部が一定角度で削り
取られた支持枠ダの表面に張られ、さらに薄膜上（＝所
望のＸ＃１１１吸収性パターン３が形成され、転写パタ
ーン領域を規定する窓６がある。
本発明（二より、Ｘ線透過性薄膜上でＸ−吸収性パター
ンの付着している平面の大きさを必要最小（二限定し、
かつマスク−ウェハ間距ｌ＠調晴の際、支持枠外周部の
反りを無視できる形状にすることが可能となる。従って
、ステップアンドレヒート方式のｘ′１Ｍ露光において
、マスク面と被露光面の接触（二よるＸ線露光用マスク
上または被露光基板上での欠Ｍの発生を無くすことがで
きるのでホーりの高いＸ線露光が期待できると同時に、
マスクークエハ間距離を調侵する際の空間的調！Ｉ範囲
が増し、マスクークエへ間距離を安定してｌｐ４整する
ことが可能となるのでＸ線露光において安定して高精度
なパターン転写が期待できる。
ンの付着している平面の大きさを必要最小（二限定し、
かつマスク−ウェハ間距ｌ＠調晴の際、支持枠外周部の
反りを無視できる形状にすることが可能となる。従って
、ステップアンドレヒート方式のｘ′１Ｍ露光において
、マスク面と被露光面の接触（二よるＸ線露光用マスク
上または被露光基板上での欠Ｍの発生を無くすことがで
きるのでホーりの高いＸ線露光が期待できると同時に、
マスクークエハ間距離を調侵する際の空間的調！Ｉ範囲
が増し、マスクークエへ間距離を安定してｌｐ４整する
ことが可能となるのでＸ線露光において安定して高精度
なパターン転写が期待できる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第コ１慣）〜（ｅ
）は第１図示の一実施例の製造工程を示す断面図、第３
図は別の実施例（二よるｘ、＊ｇ光用マスクを説明する
ための断面図、第参図は従来のＸ線露光用マスクを説明
するためのＷＴ面図である。 ｌ・・・・・・・・・・・Ｘ線露光用マスクコ・・・・
・・・・・・・Ｘ線透過性薄膜３−０ψ・・ψａｓ・φ
Ｘ＠吸収性パターンダ・・・・・・・・・・・支持枠 ４１／・・・・ψ・・・・・・シリコン基板３・・・・
・・・・・・・保 護 膜 ６・・・・・・・・・・・窓
）は第１図示の一実施例の製造工程を示す断面図、第３
図は別の実施例（二よるｘ、＊ｇ光用マスクを説明する
ための断面図、第参図は従来のＸ線露光用マスクを説明
するためのＷＴ面図である。 ｌ・・・・・・・・・・・Ｘ線露光用マスクコ・・・・
・・・・・・・Ｘ線透過性薄膜３−０ψ・・ψａｓ・φ
Ｘ＠吸収性パターンダ・・・・・・・・・・・支持枠 ４１／・・・・ψ・・・・・・シリコン基板３・・・・
・・・・・・・保 護 膜 ６・・・・・・・・・・・窓
Claims (1)
- シリコン基板の片面側にＸ線透過性薄膜を積層固着し、
Ｘ線透過性薄膜上にＸ線吸収性パターンを設け、シリコ
ン基板のＸ線吸収性パターンを設けた領域を含む一部領
域を窓状に除去して転写パターン領域を形成し、除去せ
ずに残したシリコン基板部分を支持枠とするＸ線露光用
マスクにおいて、支持枠のうち被露光基板面に近接せし
められる側の外周部側領域全周にわたつて凹部が形成さ
れ、支持枠外周部が被露光基板面に接触することがない
ように構成したことを特徴とするＸ線露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19269085A JPH0744137B2 (ja) | 1985-08-31 | 1985-08-31 | ステップアンドレピート方式用ｘ線露光マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19269085A JPH0744137B2 (ja) | 1985-08-31 | 1985-08-31 | ステップアンドレピート方式用ｘ線露光マスク |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31246693A Division JPH07109819B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | ステップアンドレピート方式用ｘ線露光マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6252931A true JPS6252931A (ja) | 1987-03-07 |
| JPH0744137B2 JPH0744137B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=16295422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19269085A Expired - Fee Related JPH0744137B2 (ja) | 1985-08-31 | 1985-08-31 | ステップアンドレピート方式用ｘ線露光マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744137B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6068339A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-18 | Canon Inc | リソグラフィ−用マスク構造体 |
| JPS6068336A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-18 | Canon Inc | リソグラフィー用マスク構造体 |
-
1985
- 1985-08-31 JP JP19269085A patent/JPH0744137B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6068339A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-18 | Canon Inc | リソグラフィ−用マスク構造体 |
| JPS6068336A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-18 | Canon Inc | リソグラフィー用マスク構造体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0744137B2 (ja) | 1995-05-15 |
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