JPH053131B2 - - Google Patents
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- JPH053131B2 JPH053131B2 JP13887884A JP13887884A JPH053131B2 JP H053131 B2 JPH053131 B2 JP H053131B2 JP 13887884 A JP13887884 A JP 13887884A JP 13887884 A JP13887884 A JP 13887884A JP H053131 B2 JPH053131 B2 JP H053131B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 claims description 13
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 229910000830 fernico Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の分野]
本発明はX線リソグラフイー用のマスク構造体
を作成する方法に関する。
を作成する方法に関する。
[従来技術]
従来から知られているX線リソグラフイー用マ
スクの作成方法として、シリコンウエハー上にX
線透過層とパターン化されたX線吸収層とで構成
される膜体を形成した後、シリコンウエハーのマ
スク部分のエツチングで除去する方法がある。
スクの作成方法として、シリコンウエハー上にX
線透過層とパターン化されたX線吸収層とで構成
される膜体を形成した後、シリコンウエハーのマ
スク部分のエツチングで除去する方法がある。
しかし、この方法には多くの問題点があり、特
に作成に要する工数、時間、歩留り等の点で改善
の必要があり、X線リソグラフイー実用化を遅ら
せる大き原因となつている。
に作成に要する工数、時間、歩留り等の点で改善
の必要があり、X線リソグラフイー実用化を遅ら
せる大き原因となつている。
そこで、本発明者は、シリコンウエハーのエツ
チング等の煩雑な操作を要せず、面精度、バラツ
キ、歩留り等の点で優れる所謂転移(転写)方式
のマスク作成方法において、転移に伴なう煩雑
性、歩留りの悪さ等を解消しうる方法を見出し、
本発明に到達した。
チング等の煩雑な操作を要せず、面精度、バラツ
キ、歩留り等の点で優れる所謂転移(転写)方式
のマスク作成方法において、転移に伴なう煩雑
性、歩留りの悪さ等を解消しうる方法を見出し、
本発明に到達した。
[発明の目的]
本発明の1つの目的は、簡素化された工程で迅
速且つ高歩留りでX線リソグラフイー用マスクを
作成し得る方法を提供することにある。
速且つ高歩留りでX線リソグラフイー用マスクを
作成し得る方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、所謂転移方式のマスク作
成方法において、転移を簡便且つ高歩留りで行な
うことのできるX線リソグラフイー用マスクの作
成方法を提供することにある。
成方法において、転移を簡便且つ高歩留りで行な
うことのできるX線リソグラフイー用マスクの作
成方法を提供することにある。
上記目的は、平板上にX線透過層及びX線吸収
層を構成分とするマスク膜体を形成した後、この
膜体を保持体に接着・転移してX線リソグラフイ
ー用マスクを作成する方法において、前記保持体
の前記膜体との接着部位に溝を設けて膜体接着用
剤の流動を制御するこにより、達成される。
層を構成分とするマスク膜体を形成した後、この
膜体を保持体に接着・転移してX線リソグラフイ
ー用マスクを作成する方法において、前記保持体
の前記膜体との接着部位に溝を設けて膜体接着用
剤の流動を制御するこにより、達成される。
[発明の概要]
本発明のX線リソグラフイー用マスクの作成方
法は、所謂転移方式のマスク作成方法を用いてお
り、例えば大略第1図に示した工程を行なうもの
である。
法は、所謂転移方式のマスク作成方法を用いてお
り、例えば大略第1図に示した工程を行なうもの
である。
第1図の例では、平板1上に、X線透過層2、
マスクパターン3を有するX線吸収層4、及び保
護層の役割も果たすX線透過層5を順次設層して
マスク膜体6を形成する。〔第1図A〕 平板1は、通常、石英、シリコン等の無機結
晶、ガラス、セラミツク、鉄、コバルト、ニツケ
ル、銅、黄銅、鉄鋼、ステンレス、フエルニコ、
インバール等の金属、プラスチツクなどを平面性
良く加工した板で構成される。平板1の形状は、
作成するマスク構造体の形状に合せて選択され
る。
マスクパターン3を有するX線吸収層4、及び保
護層の役割も果たすX線透過層5を順次設層して
マスク膜体6を形成する。〔第1図A〕 平板1は、通常、石英、シリコン等の無機結
晶、ガラス、セラミツク、鉄、コバルト、ニツケ
ル、銅、黄銅、鉄鋼、ステンレス、フエルニコ、
インバール等の金属、プラスチツクなどを平面性
良く加工した板で構成される。平板1の形状は、
作成するマスク構造体の形状に合せて選択され
る。
X線透過層2,5は、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリエステル等の高分子溶液をスキナー、デ
イツプ、スプレー、スクイジー等の塗布方法で塗
布・乾燥して設層した高分子膜、窒化けい素、窒
化ほう素、二酸化けい素、炭化けい素等の無機材
料をCVD等により設層した無機質膜、あるいは
高分子膜と無機質膜との複合膜で構成される。X
線透過層2,5の層厚は、通常約2μm程度とさ
れる。
ド、ポリエステル等の高分子溶液をスキナー、デ
イツプ、スプレー、スクイジー等の塗布方法で塗
布・乾燥して設層した高分子膜、窒化けい素、窒
化ほう素、二酸化けい素、炭化けい素等の無機材
料をCVD等により設層した無機質膜、あるいは
高分子膜と無機質膜との複合膜で構成される。X
線透過層2,5の層厚は、通常約2μm程度とさ
れる。
マスクパターン3は金、白金、パラジウム、イ
ンジウム、ニツケル、タングステン等の貴金属、
重金属で構成され、パターンの形成は、フオトリ
ソグラフイーあるいはX線、エレクトロンビー
ム、イオンビーム等を利用したリソグラフイーな
どにより行なわれる。X線吸収層4の層厚は、通
常0.2〜0.7μm程度とされる。
ンジウム、ニツケル、タングステン等の貴金属、
重金属で構成され、パターンの形成は、フオトリ
ソグラフイーあるいはX線、エレクトロンビー
ム、イオンビーム等を利用したリソグラフイーな
どにより行なわれる。X線吸収層4の層厚は、通
常0.2〜0.7μm程度とされる。
次いで、マスク膜体6との接着面7に接着用剤
8を付着させた保持体9を、第1図B及びCに示
した様に膜体6の上方から近ずけて当接させ、接
着用剤8の硬化により、マスク膜体6と保持体9
を接着させる。保持体9は、例えば円環等の形状
を有し、石英、シリコン等の無機結晶、ガラス、
セラミツク、鉄、コバルト、ニツケル、アルミニ
ウム、黄銅、リン青銅等の金属などで構成され
る。接着用剤8としては、ニポキシ系、エマルジ
ヨン系、アミン系等があり、熱硬化型、光硬化
型、溶剤型等の種類は問わないが、特に、疎水系
であり且つ耐熱性の良好な接着剤が好ましい。
8を付着させた保持体9を、第1図B及びCに示
した様に膜体6の上方から近ずけて当接させ、接
着用剤8の硬化により、マスク膜体6と保持体9
を接着させる。保持体9は、例えば円環等の形状
を有し、石英、シリコン等の無機結晶、ガラス、
セラミツク、鉄、コバルト、ニツケル、アルミニ
ウム、黄銅、リン青銅等の金属などで構成され
る。接着用剤8としては、ニポキシ系、エマルジ
ヨン系、アミン系等があり、熱硬化型、光硬化
型、溶剤型等の種類は問わないが、特に、疎水系
であり且つ耐熱性の良好な接着剤が好ましい。
ここで、本発明の特徴は、例えば第1図に示さ
れた保持体9のマスク膜体6との接着部位7に溝
10を設けて膜体接着用剤8の流動を制御するこ
とにある。即ち、第1図の保持体9は接着面7の
円環内周面寄りに1条のコ字条横断面の円周溝1
0を有することにより、接着用剤8の円環内周面
方向への横溢を防止している。また、第1図と同
一要素を同一符合で表わすと、第2図に示した実
施例では、保持体9は接着面7の円環内周面寄り
及び円環外周面寄りに2条のコ字条溝横断面の円
周溝10,10を有することにより、接着用剤8
の円環内周面方向及び円環外周面方向への横溢を
防止している。溝の数は1及び2に限定されず3
以上でもよく、また溝の形状は接着用剤の流動を
制御し得るものであれば何れでもよい。
れた保持体9のマスク膜体6との接着部位7に溝
10を設けて膜体接着用剤8の流動を制御するこ
とにある。即ち、第1図の保持体9は接着面7の
円環内周面寄りに1条のコ字条横断面の円周溝1
0を有することにより、接着用剤8の円環内周面
方向への横溢を防止している。また、第1図と同
一要素を同一符合で表わすと、第2図に示した実
施例では、保持体9は接着面7の円環内周面寄り
及び円環外周面寄りに2条のコ字条溝横断面の円
周溝10,10を有することにより、接着用剤8
の円環内周面方向及び円環外周面方向への横溢を
防止している。溝の数は1及び2に限定されず3
以上でもよく、また溝の形状は接着用剤の流動を
制御し得るものであれば何れでもよい。
第1図に戻ると、接着用剤8が十分に硬化した
ら、必要に応じて、マスク膜体6の環体9からの
はみ出し部分等を切除した後、膜体6と平板1と
の分離面〔第1図Cの11〕 で、刃物等による機械的方法、紫外線等による分
解、変質法、超音波を用いる方法等により、膜体
6と平板1とを分離して、マスク構造体12を得
る。
ら、必要に応じて、マスク膜体6の環体9からの
はみ出し部分等を切除した後、膜体6と平板1と
の分離面〔第1図Cの11〕 で、刃物等による機械的方法、紫外線等による分
解、変質法、超音波を用いる方法等により、膜体
6と平板1とを分離して、マスク構造体12を得
る。
[発明の効果]
本発明によれば、所謂転移方式のX線リソグラ
フイー用マスク作成方法において、接着用剤の横
溢によるマスク構造体の歩留りの低下がなく、接
着用剤の塗工、マスク膜体の転移の作業性が改善
され、これらの操作を簡便且つ高歩留りで行なう
ことができ、従つて簡素化された工程で迅速且つ
高歩留りでX線リソグラフイー用マスクを作成す
ることができる。
フイー用マスク作成方法において、接着用剤の横
溢によるマスク構造体の歩留りの低下がなく、接
着用剤の塗工、マスク膜体の転移の作業性が改善
され、これらの操作を簡便且つ高歩留りで行なう
ことができ、従つて簡素化された工程で迅速且つ
高歩留りでX線リソグラフイー用マスクを作成す
ることができる。
第1図A〜Dは本発明のX線リソグラフイー用
マスクの作成方法の一実施例におけるマスク作成
工程の流れを説明するための模式図、第2図は第
1図Cに相当し、本発明のX線リソグラフイー用
マスクの作成方法の他の実施例を説明するための
模式図である。 1……平板、2……X線透過層、3……マスク
パターン、4……X線吸収層、5……X線透過
層、6……マスク膜体、7……接着部位、8……
膜体接着用剤、9……保持体、10……溝、12
……マスク構造体。
マスクの作成方法の一実施例におけるマスク作成
工程の流れを説明するための模式図、第2図は第
1図Cに相当し、本発明のX線リソグラフイー用
マスクの作成方法の他の実施例を説明するための
模式図である。 1……平板、2……X線透過層、3……マスク
パターン、4……X線吸収層、5……X線透過
層、6……マスク膜体、7……接着部位、8……
膜体接着用剤、9……保持体、10……溝、12
……マスク構造体。
Claims (1)
- 1 平板上にX線透過層及びX線吸収層を構成分
とするマスク膜体を形成した後、この膜体を保持
体に接着・転移してX線リソグラフイー用マスク
を作成する方法において、前記保持体の前記膜体
との接着部位に溝を設けて膜体接着用剤の流動を
制御することを特徴とするX線リソグラフイー用
マスクの作成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59138878A JPS6118957A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | X線リソグラフイ−用マスクの作成方法 |
| DE3524196A DE3524196C3 (de) | 1984-07-06 | 1985-07-05 | Lithografiemaske |
| US07/150,494 US4804600A (en) | 1984-07-06 | 1988-02-01 | Lithographic mask structure and process for preparing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59138878A JPS6118957A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | X線リソグラフイ−用マスクの作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6118957A JPS6118957A (ja) | 1986-01-27 |
| JPH053131B2 true JPH053131B2 (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=15232221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59138878A Granted JPS6118957A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | X線リソグラフイ−用マスクの作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6118957A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0795512B2 (ja) * | 1987-05-14 | 1995-10-11 | 沖電気工業株式会社 | X線露光マスク用メンブレンの製造方法 |
-
1984
- 1984-07-06 JP JP59138878A patent/JPS6118957A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6118957A (ja) | 1986-01-27 |
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