JPS6070729A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS6070729A JPS6070729A JP58178781A JP17878183A JPS6070729A JP S6070729 A JPS6070729 A JP S6070729A JP 58178781 A JP58178781 A JP 58178781A JP 17878183 A JP17878183 A JP 17878183A JP S6070729 A JPS6070729 A JP S6070729A
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は半導体装置、特には半導体素子表面をシリコー
ン化合９ａで被覆した耐湿特性が大巾Ｃ二改良された半
導体装置に関するものである。 半導体素子は一般に外部環境からの保護を目的としてセ
ラミックパッケージまたは樹脂などで封止されており、
この封止材については信頼性１価格および生産性の面か
らエポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの合成樹脂組成物
Ｃ二よるものが汎用されている。しかし−この樹脂封止
された半導体装置Ｃ二は耐湿特性がよくないという大き
な問題があり−このために二樹脂封止に先豆って予じめ
半導体素子表面などをエポキシ変性シランなどのシラン
カップリング剤で被覆し一熱処理後Ｃ二樹脂封止すると
いう方法などが提案されているが−これには半導体素子
表面を被覆した後−熱処理する工程が会 必要であるし、半導体素子表面とシランカップリング剤
との接着性が弱いため（＝、耐湿特性の改良が不充分で
あるという不利がある。 本発明はこのような不利を解決した半導体装置に関する
ものであり−これは半導体素子表面または半導体素子と
そのインナーリード部が、一般式％式％ に＼にＲは封止用成形樹脂材料と化学結合が可能な反応
基を少なくとも１個亘する１価の有機基−Ｒは１価θ）
有機基−Ｘはハロゲン原子を除く加水分解可能な基また
Ｇ工水酸Ｘ−ａは１〜３σ〕整数、ｂはＯ〜２の整数で
ａ＋ｂ＝１〜３ ）で示されるオルガノシラン化合物ま
たはその部分加水分解物と硬化促進剤とからなる組成物
で被覆され、さらに成形樹脂材料で封止されてなること
を特徴とするものである。 これを説明すると一本発明者らは耐湿特性の改良された
樹脂封止半導体装置の取得方法について種々検討した結
果、半導体素子表面を上記した一般式で示されるオルガ
ノシラン化合物またはその部分加水分解物（以下これら
を適宜オルガノシラン化合物と略記する）とその硬化促
進剤とからなる組成物（以下これを本シリコーン組成物
と略記する）で予じめ被覆し一ついでこれを樹脂封止す
れば、この半導体素子を含む半導体装置の耐湿性が大巾
ｌ二改良されるはか−この場合には本シリコーン組成ｑ
殖二よる被覆処理後の加熱処理が不要とされるという効
果の与えられ−ることを見出し、これＣ二ついてさらに
研究を進めて本シリコーン組成物の処理を半導体表面の
インナーリード部にも行えばよりよい効果σ）与えられ
ること、またこの硬化促進剤ｆ二ついては特（ニチタン
酸エステル系化合物が有用とされることを確認して本発
明を完成させた。 本発明の半導体装置を得るため（二値用されるオルガノ
シラン化合物は一般式 ％式％ 式ＨＮ（ＯＨ） −＋ ２ ２ ３ Ｈ，Ｎ（ＯＨ２）２ＮＨ（ＯＨ２）３− などで示され
るア基）などで示されるフェノール性７Ｊ＜酸４−Ｈ８
−などのチオール基−ＯＨ＝ＯＨ−などのアルケニ２ ル基− ＯＨ３ 式 ０Ｈ＝Ｏ−０−０（ＯＨ）−で示されるメタ２ ２
３ １ クリロキシ基などで例示される封止用成形樹脂材料と化
学結合が可能な反応基を有する１価の有機基、 Ｒ２は
メチル基、エチル基−グロビル基、ブチル基などのアル
キル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基などのシ
クロアルキル基、フェニル基、トリル基などのアリール
基で例示される１価の有機基であり、Ｘはメトキシ基、
エトキシ基。 グロボキシ基などのアルコキシ基、アセトキシ基などの
アシロギシ基、アミノ基、アミノキシ基。 ケトオキシム基、アミド基、アルケニルオキシム基など
で例示される加水分解可能な基または水酸基を示すもの
で、ａが１〜３．ｂが０〜２、ａ＋ｂ＝１〜３とされる
ものであるが−このオルガノシラン化合物はその部分加
水分解物であってもよい。 このようなオルガノシラン化合物またその部分加水分解
としては ＯＨ １。 Ｈ，Ｎ（ＯＨ，）２ＮＨ（ＯＨ２）３ｓｉ （ｏａｓ３
）２ 、Ｈ２Ｎ（ＯＨ２）２Ｓｉ（ＱＣ２Ｈ５）３ ＋
Ｈ８（ＯＲ）８１（ＯＯＨ） 。 ２Ｂ Ｒ３ ０Ｈ＝ＯＨ８ｉ（００ＨＯＯＨ） 、 ２ ２４ ８３ Ｈ２Ｎ（ＯＨ２）３Ｓｉ（ＯＯＩ（３）２０８ｉ −（
ＯＯＨ３） ２（ＯＨ２）３ＮＨ２ （ＯＨＯ） Ｓｉ○ＳｉＯ５ｉ（ＯＯＨ３）３−２ ０Ｈ などが例示される。 つぎにこのオルガノシラン化合物を硬化させるための硬
化促進剤は公知のものでよく−これにはイソグロボキシ
チタンートリーイソーステアレー）−ｖ−ｎ−ブトキシ
−ビス（トリエタノールアミナトクチタン、チタニウム
ーイソーグロポキシオクチレングリコレートなどのチタ
ン化合物−酢酸トリブチルすず、安息香酸トリブチルす
ず、ジー（２エチルヘキソン酸）ジメチルすス、マレイ
ン酸ジブチルすずなどの有機すず化合物−アルミニウム
トリエトキシド、アルミニウムトリーイソグロボキシド
などのアルミニウムアルコラード類。 アルミニウムトリアセテート−アルミニウムエトキシド
ジステアレートなどのアルミニウムアシレ−）類、アル
ミニウムアセチルアセトンなどのアルミニウムキレート
化合物などが例示されるが−この硬化促進剤としては次
式 に＼にＲ３は２価の有機基−Ｒ’ ＋ １−＜５ は水
素原子またｆ工１価の有機基＋ ｃ−ｄは０〜４の整数
−ｅ＆Ｘｏ〜２の整数でｃ＋ｄ＋ｅ＝４）で示されるチ
タン化合物また（工その加水分解物が特
ン化合９ａで被覆した耐湿特性が大巾Ｃ二改良された半
導体装置に関するものである。 半導体素子は一般に外部環境からの保護を目的としてセ
ラミックパッケージまたは樹脂などで封止されており、
この封止材については信頼性１価格および生産性の面か
らエポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの合成樹脂組成物
Ｃ二よるものが汎用されている。しかし−この樹脂封止
された半導体装置Ｃ二は耐湿特性がよくないという大き
な問題があり−このために二樹脂封止に先豆って予じめ
半導体素子表面などをエポキシ変性シランなどのシラン
カップリング剤で被覆し一熱処理後Ｃ二樹脂封止すると
いう方法などが提案されているが−これには半導体素子
表面を被覆した後−熱処理する工程が会 必要であるし、半導体素子表面とシランカップリング剤
との接着性が弱いため（＝、耐湿特性の改良が不充分で
あるという不利がある。 本発明はこのような不利を解決した半導体装置に関する
ものであり−これは半導体素子表面または半導体素子と
そのインナーリード部が、一般式％式％ に＼にＲは封止用成形樹脂材料と化学結合が可能な反応
基を少なくとも１個亘する１価の有機基−Ｒは１価θ）
有機基−Ｘはハロゲン原子を除く加水分解可能な基また
Ｇ工水酸Ｘ−ａは１〜３σ〕整数、ｂはＯ〜２の整数で
ａ＋ｂ＝１〜３ ）で示されるオルガノシラン化合物ま
たはその部分加水分解物と硬化促進剤とからなる組成物
で被覆され、さらに成形樹脂材料で封止されてなること
を特徴とするものである。 これを説明すると一本発明者らは耐湿特性の改良された
樹脂封止半導体装置の取得方法について種々検討した結
果、半導体素子表面を上記した一般式で示されるオルガ
ノシラン化合物またはその部分加水分解物（以下これら
を適宜オルガノシラン化合物と略記する）とその硬化促
進剤とからなる組成物（以下これを本シリコーン組成物
と略記する）で予じめ被覆し一ついでこれを樹脂封止す
れば、この半導体素子を含む半導体装置の耐湿性が大巾
ｌ二改良されるはか−この場合には本シリコーン組成ｑ
殖二よる被覆処理後の加熱処理が不要とされるという効
果の与えられ−ることを見出し、これＣ二ついてさらに
研究を進めて本シリコーン組成物の処理を半導体表面の
インナーリード部にも行えばよりよい効果σ）与えられ
ること、またこの硬化促進剤ｆ二ついては特（ニチタン
酸エステル系化合物が有用とされることを確認して本発
明を完成させた。 本発明の半導体装置を得るため（二値用されるオルガノ
シラン化合物は一般式 ％式％ 式ＨＮ（ＯＨ） −＋ ２ ２ ３ Ｈ，Ｎ（ＯＨ２）２ＮＨ（ＯＨ２）３− などで示され
るア基）などで示されるフェノール性７Ｊ＜酸４−Ｈ８
−などのチオール基−ＯＨ＝ＯＨ−などのアルケニ２ ル基− ＯＨ３ 式 ０Ｈ＝Ｏ−０−０（ＯＨ）−で示されるメタ２ ２
３ １ クリロキシ基などで例示される封止用成形樹脂材料と化
学結合が可能な反応基を有する１価の有機基、 Ｒ２は
メチル基、エチル基−グロビル基、ブチル基などのアル
キル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基などのシ
クロアルキル基、フェニル基、トリル基などのアリール
基で例示される１価の有機基であり、Ｘはメトキシ基、
エトキシ基。 グロボキシ基などのアルコキシ基、アセトキシ基などの
アシロギシ基、アミノ基、アミノキシ基。 ケトオキシム基、アミド基、アルケニルオキシム基など
で例示される加水分解可能な基または水酸基を示すもの
で、ａが１〜３．ｂが０〜２、ａ＋ｂ＝１〜３とされる
ものであるが−このオルガノシラン化合物はその部分加
水分解物であってもよい。 このようなオルガノシラン化合物またその部分加水分解
としては ＯＨ １。 Ｈ，Ｎ（ＯＨ，）２ＮＨ（ＯＨ２）３ｓｉ （ｏａｓ３
）２ 、Ｈ２Ｎ（ＯＨ２）２Ｓｉ（ＱＣ２Ｈ５）３ ＋
Ｈ８（ＯＲ）８１（ＯＯＨ） 。 ２Ｂ Ｒ３ ０Ｈ＝ＯＨ８ｉ（００ＨＯＯＨ） 、 ２ ２４ ８３ Ｈ２Ｎ（ＯＨ２）３Ｓｉ（ＯＯＩ（３）２０８ｉ −（
ＯＯＨ３） ２（ＯＨ２）３ＮＨ２ （ＯＨＯ） Ｓｉ○ＳｉＯ５ｉ（ＯＯＨ３）３−２ ０Ｈ などが例示される。 つぎにこのオルガノシラン化合物を硬化させるための硬
化促進剤は公知のものでよく−これにはイソグロボキシ
チタンートリーイソーステアレー）−ｖ−ｎ−ブトキシ
−ビス（トリエタノールアミナトクチタン、チタニウム
ーイソーグロポキシオクチレングリコレートなどのチタ
ン化合物−酢酸トリブチルすず、安息香酸トリブチルす
ず、ジー（２エチルヘキソン酸）ジメチルすス、マレイ
ン酸ジブチルすずなどの有機すず化合物−アルミニウム
トリエトキシド、アルミニウムトリーイソグロボキシド
などのアルミニウムアルコラード類。 アルミニウムトリアセテート−アルミニウムエトキシド
ジステアレートなどのアルミニウムアシレ−）類、アル
ミニウムアセチルアセトンなどのアルミニウムキレート
化合物などが例示されるが−この硬化促進剤としては次
式 に＼にＲ３は２価の有機基−Ｒ’ ＋ １−＜５ は水
素原子またｆ工１価の有機基＋ ｃ−ｄは０〜４の整数
−ｅ＆Ｘｏ〜２の整数でｃ＋ｄ＋ｅ＝４）で示されるチ
タン化合物また（工その加水分解物が特
【二好ましいも
のとされ−これによれば半導体素子表面あるいはインナ
ーリード部に非常に接着性のよい被覆層が形成される。 上記式で示されるチタン化合物としてはそのＲがメチレ
ン基、エチレン基−プロピレン基、オクチレン基。 ○ Ｒ５が水素原子またはメチル基−イソゲσピル基。 ｎ −フチル基、２−エチルヘキリル基。 −ＯＨＮ（ＯＨＯＨ） 基−メソステアロイル２４ ２
４ ２ 基などの１価炭化水素基とされたものが例示される。こ
のチタン化合物またはこの部分加水分解物としては具体
的には式 ％式％） ） ） ） などが例示される。 本発明の半導体装置Ｃ使用される組成物は上記したオル
ガノシラン化合物と硬化促進剤とから構成されるが、こ
れらの配合比はオルガノシラン化合物／硬化促進剤が１
００〜ｌ（重量比〕となるようにすればよく、この範囲
外では半導体素子表面あるいをエインナーリード部との
接着性が低下し、そのために耐湿特性が改善されない。 また１本シリコーン組成物はその安定性の増加と、均一
で薄い被槙層を形成させるという目的で溶剤で稀釈する
ことがよく−これｌＸＯ，０１％未満では耐湿性改善の
効果が小さく、２０％以上とすると均一な被覆層の形成
が困難となるので０．０１〜２０％の範囲ｌ二稀釈され
るが、この溶媒としてはこのオルガノシラン化合物およ
び硬化促進剤の両者を溶解するものから選択することが
よく−これにはトルエン、ベンゼン、ｎ−ヘキサン−ア
ルコール、水すどが例示される。この組成物による半導
体素子表面さらｌ二はそのインナーリード部への被覆は
吹きつけなど適宜の方法で行なえばよいが、この被覆方
法な工吹きつげに限定されるものではなく、どのような
方法で行なってもよい。なお、このように処理された被
覆は風乾で容易Ｃ１同化して被膜を形成するので、これ
を工被覆処理後ｌ：加熱などの後処理をする必要はない
が、この被覆は半導体装置の耐湿特性を改良するという
目的５二おいてその被膜が１μｍ以下の厚さとなるよう
（１行なうことがよい。 本発明の半導体装置は上記したようなオルガノシラン化
合物を含む本シリコーン組成物で半導体素子表面または
半導体素子表面とインナーリード部を被覆したのち、そ
の被覆面をついで樹脂封止することによって作られるが
、この樹脂封止は公知の方法で行えばよく、これに）Ｘ
例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂−不飽和ポリエス
テル樹脂。 ジアリルフタレート樹脂、ポリフェニレンサルフアイド
樹脂などを使用し、そのトランスファー成形、注型成形
、射出成形などで封止を行なえばよい。 つぎに本発明の半導体装置を図面に二もとづいて説明す
ると、第１図は上記したオルガノシラン化合物を含む組
成物Ｃ二よる処理および樹脂封止をしていない半導体装
置の縦断面図、第２図、第３図は本発明に係わる半導体
装置の部分拡大縦断面図を示したものである。第１図に
１示した半導体装置では一半導体素子■が導電性接着剤
２でタブ（リード）３と接触され、ボンディングワイヤ
ー４でインナーリード部５−アウターリード部６に導通
されるようになっており−これはケース７（二収容され
ている。第２図にはこの半導体装置の＝８４＝÷壱寺半
導体累子１の表面にオルガノシラン化合物を含む組成物
による被膜８が形成され−その周囲が樹脂９で刺止され
た半導体装置が、また第３図にはそのインナーリード部
５の表面にも同様の皮膜８が設けられた半導体装置が示
されている。 つぎＣ：本発明の実施例をあげるが１例中（二おいて使
用したオルガノシラン化合物Ａ１ 〜Ａ５．硬化促進剤
Ｂ −Ｂ はそれぞれ下記の化合物を。 ５ またこの耐湿特定を示す数値は樹脂封止半導体装置を１
２１℃、２．１気圧のブレラシャーグツカー試験機中に
２，０００時間放置後Ｃ二おける湿分にもとづくアルミ
ニウム腐蝕による測定個数２０個中の断線不良個数を示
したものである。 （オルガノシラン化合物） との１／１の混合物、 Ａ、−）Ｉｓ（ＯＨ）Ｓｉ（ＯＯＨ） ＋４ ２３ ３
３ Ａ、−Ａ１とＩ（２Ｎ（ＯＨ２）３Ｓｉ（００２Ｈ，）
３との】／１Ｉ７）混合物 （硬化促進剤） Ｂ１川Ｔｉ（０−ｎ−０４Ｈ，＞４ Ｂ３ ・・・アルミニウムアセチルアセトンＢ °・°
酢酸トリブチルすず 実施例１〜６．比較例１〜４ オルガノシラン化合物Ａ１〜Ａ、 −ｉ＝化促進剤Ｂ１
〜Ｂ５ とを第１衰ζ二示した割合で混合し、これを
第１衰ζ二示した溶剤で第１表（１示した濃度に稀釈し
た。つぎ（二これを１４ビンＩＣ用フレーム上にセット
したアルミニウム腐蝕試験用半導体素子表面のみ（Ｃ）
、半導体素子表面とインナーリード部（○ ）−または
インナーリード部だけ（０）にスダレ−法で被覆して風
乾し、ついでこれをエポキシ樹脂、シリコーン樹脂で１
１止してからボストキュアーして樹脂封止半導体装置を
作り、これについての耐湿特性をしらべたところ一第１
表に示したとおりの結果が得られた。
のとされ−これによれば半導体素子表面あるいはインナ
ーリード部に非常に接着性のよい被覆層が形成される。 上記式で示されるチタン化合物としてはそのＲがメチレ
ン基、エチレン基−プロピレン基、オクチレン基。 ○ Ｒ５が水素原子またはメチル基−イソゲσピル基。 ｎ −フチル基、２−エチルヘキリル基。 −ＯＨＮ（ＯＨＯＨ） 基−メソステアロイル２４ ２
４ ２ 基などの１価炭化水素基とされたものが例示される。こ
のチタン化合物またはこの部分加水分解物としては具体
的には式 ％式％） ） ） ） などが例示される。 本発明の半導体装置Ｃ使用される組成物は上記したオル
ガノシラン化合物と硬化促進剤とから構成されるが、こ
れらの配合比はオルガノシラン化合物／硬化促進剤が１
００〜ｌ（重量比〕となるようにすればよく、この範囲
外では半導体素子表面あるいをエインナーリード部との
接着性が低下し、そのために耐湿特性が改善されない。 また１本シリコーン組成物はその安定性の増加と、均一
で薄い被槙層を形成させるという目的で溶剤で稀釈する
ことがよく−これｌＸＯ，０１％未満では耐湿性改善の
効果が小さく、２０％以上とすると均一な被覆層の形成
が困難となるので０．０１〜２０％の範囲ｌ二稀釈され
るが、この溶媒としてはこのオルガノシラン化合物およ
び硬化促進剤の両者を溶解するものから選択することが
よく−これにはトルエン、ベンゼン、ｎ−ヘキサン−ア
ルコール、水すどが例示される。この組成物による半導
体素子表面さらｌ二はそのインナーリード部への被覆は
吹きつけなど適宜の方法で行なえばよいが、この被覆方
法な工吹きつげに限定されるものではなく、どのような
方法で行なってもよい。なお、このように処理された被
覆は風乾で容易Ｃ１同化して被膜を形成するので、これ
を工被覆処理後ｌ：加熱などの後処理をする必要はない
が、この被覆は半導体装置の耐湿特性を改良するという
目的５二おいてその被膜が１μｍ以下の厚さとなるよう
（１行なうことがよい。 本発明の半導体装置は上記したようなオルガノシラン化
合物を含む本シリコーン組成物で半導体素子表面または
半導体素子表面とインナーリード部を被覆したのち、そ
の被覆面をついで樹脂封止することによって作られるが
、この樹脂封止は公知の方法で行えばよく、これに）Ｘ
例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂−不飽和ポリエス
テル樹脂。 ジアリルフタレート樹脂、ポリフェニレンサルフアイド
樹脂などを使用し、そのトランスファー成形、注型成形
、射出成形などで封止を行なえばよい。 つぎに本発明の半導体装置を図面に二もとづいて説明す
ると、第１図は上記したオルガノシラン化合物を含む組
成物Ｃ二よる処理および樹脂封止をしていない半導体装
置の縦断面図、第２図、第３図は本発明に係わる半導体
装置の部分拡大縦断面図を示したものである。第１図に
１示した半導体装置では一半導体素子■が導電性接着剤
２でタブ（リード）３と接触され、ボンディングワイヤ
ー４でインナーリード部５−アウターリード部６に導通
されるようになっており−これはケース７（二収容され
ている。第２図にはこの半導体装置の＝８４＝÷壱寺半
導体累子１の表面にオルガノシラン化合物を含む組成物
による被膜８が形成され−その周囲が樹脂９で刺止され
た半導体装置が、また第３図にはそのインナーリード部
５の表面にも同様の皮膜８が設けられた半導体装置が示
されている。 つぎＣ：本発明の実施例をあげるが１例中（二おいて使
用したオルガノシラン化合物Ａ１ 〜Ａ５．硬化促進剤
Ｂ −Ｂ はそれぞれ下記の化合物を。 ５ またこの耐湿特定を示す数値は樹脂封止半導体装置を１
２１℃、２．１気圧のブレラシャーグツカー試験機中に
２，０００時間放置後Ｃ二おける湿分にもとづくアルミ
ニウム腐蝕による測定個数２０個中の断線不良個数を示
したものである。 （オルガノシラン化合物） との１／１の混合物、 Ａ、−）Ｉｓ（ＯＨ）Ｓｉ（ＯＯＨ） ＋４ ２３ ３
３ Ａ、−Ａ１とＩ（２Ｎ（ＯＨ２）３Ｓｉ（００２Ｈ，）
３との】／１Ｉ７）混合物 （硬化促進剤） Ｂ１川Ｔｉ（０−ｎ−０４Ｈ，＞４ Ｂ３ ・・・アルミニウムアセチルアセトンＢ °・°
酢酸トリブチルすず 実施例１〜６．比較例１〜４ オルガノシラン化合物Ａ１〜Ａ、 −ｉ＝化促進剤Ｂ１
〜Ｂ５ とを第１衰ζ二示した割合で混合し、これを
第１衰ζ二示した溶剤で第１表（１示した濃度に稀釈し
た。つぎ（二これを１４ビンＩＣ用フレーム上にセット
したアルミニウム腐蝕試験用半導体素子表面のみ（Ｃ）
、半導体素子表面とインナーリード部（○ ）−または
インナーリード部だけ（０）にスダレ−法で被覆して風
乾し、ついでこれをエポキシ樹脂、シリコーン樹脂で１
１止してからボストキュアーして樹脂封止半導体装置を
作り、これについての耐湿特性をしらべたところ一第１
表に示したとおりの結果が得られた。
第１図は未処理の半導体装１４の縦断面図、第２図、第
３図は本発明に係わる半導体装置の部分拡大縦断面図を
示したものである。 ｌ・・・半導体素子、 ２・・・導電性接着剤−３・・
・タブ（リード）、 。 ４・・・ボンデングワイヤー、 ５・・・インナーリード部、 ６・・・アウターリード！、 ７・・・ケース。 ８・・・被覆部、 ９・・・樹脂封止部。 特許出願人 信越化学工業株式会社
３図は本発明に係わる半導体装置の部分拡大縦断面図を
示したものである。 ｌ・・・半導体素子、 ２・・・導電性接着剤−３・・
・タブ（リード）、 。 ４・・・ボンデングワイヤー、 ５・・・インナーリード部、 ６・・・アウターリード！、 ７・・・ケース。 ８・・・被覆部、 ９・・・樹脂封止部。 特許出願人 信越化学工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子表面または半導体素子表面とインナーリ
ード部が、一般式 （ここシニＲ１＆Ｘ封止用成形樹脂材料と化学結合が可
能な反応基を少なくとも１個有する一価の有機基、Ｒは
−価の有機基、Ｘはハロゲンを除く加水分解可能な基ま
たに水酸基−ａは１〜３の整数、ｂは０〜２の整数でａ
＋ｂ＝１〜３）で示されるオルガノシラン化合物または
この部分加水分解物と硬化促進剤とからなる組成物で被
狛され、さら（二成形樹脂材料で封止されてなることを
特徴とする半導体装置。 ２ Ｒ１がエポキシ基、フェノール性水酸基、アミノ基
−チオール基から選択される特許請求の範囲第１項記載
の半導体装置。 ３、 オルガノシラン化合物またはこの部分加水分解物
と硬化促進剤とが重量比で１００〜１とされた組成物が
溶媒で０．０１〜２０重量％に稀釈される特許請求の範
囲第１頌または第２項記載の半導体装置。 ４ 硬化促進剤が一般式 に＼にＲ３は２価の有機基、Ｒ４−Ｒ５は水素原子また
は１価の有機基−ｃ−ｄは０〜４の整数−ｅ＆工０〜２
の整数でｃ＋ｄ＋ｅ＝４）で示されるチタン化合物ある
いはその部分加水分解である特許請求の範囲第１項、第
２項または第３項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58178781A JPS6070729A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58178781A JPS6070729A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070729A true JPS6070729A (ja) | 1985-04-22 |
| JPH0223022B2 JPH0223022B2 (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=16054518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58178781A Granted JPS6070729A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070729A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1041076A3 (en) * | 1999-03-31 | 2002-04-10 | Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. | Phenol-functional organosilicon compounds and method for the preparation thereof |
| JP2013028713A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Daicel Corp | プライマー組成物および該プライマー組成物を用いた光半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4898781A (ja) * | 1972-03-28 | 1973-12-14 |
-
1983
- 1983-09-27 JP JP58178781A patent/JPS6070729A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4898781A (ja) * | 1972-03-28 | 1973-12-14 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1041076A3 (en) * | 1999-03-31 | 2002-04-10 | Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. | Phenol-functional organosilicon compounds and method for the preparation thereof |
| JP2013028713A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Daicel Corp | プライマー組成物および該プライマー組成物を用いた光半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0223022B2 (ja) | 1990-05-22 |
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