JPH0322755B2 - - Google Patents
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- JPH0322755B2 JPH0322755B2 JP56149168A JP14916881A JPH0322755B2 JP H0322755 B2 JPH0322755 B2 JP H0322755B2 JP 56149168 A JP56149168 A JP 56149168A JP 14916881 A JP14916881 A JP 14916881A JP H0322755 B2 JPH0322755 B2 JP H0322755B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- conductivity type
- substrate
- layer
- photoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電荷転送装置を用いた固体撮像装置に
関するものである。
関するものである。
電荷転送装置を用いた撮像装置には大きく分け
てフレーム転送方式とインターライン転送方式が
ありそれらは固体撮像装置の特徴である小型、軽
量、低消費電力、高信頼性といつた使い易さの面
の長所を柱に急速に発展している。電荷転送装置
を用いた撮像装置は特性面からは雑音、残像、焼
き付き等では現在使用されている撮像管や他の固
体撮像装置より優れているがブルーミングスミア
が大きいという大きな欠点を有している。また電
極配線が微細で複雑なために、配線間の断線、シ
ヨートが発生して歩留が悪くなる事も欠点であ
る。
てフレーム転送方式とインターライン転送方式が
ありそれらは固体撮像装置の特徴である小型、軽
量、低消費電力、高信頼性といつた使い易さの面
の長所を柱に急速に発展している。電荷転送装置
を用いた撮像装置は特性面からは雑音、残像、焼
き付き等では現在使用されている撮像管や他の固
体撮像装置より優れているがブルーミングスミア
が大きいという大きな欠点を有している。また電
極配線が微細で複雑なために、配線間の断線、シ
ヨートが発生して歩留が悪くなる事も欠点であ
る。
従来のインターライン転送方式による電荷転送
撮像装置は第１図に示すように同一電荷転送電極
群で駆動される複数列の垂直シフトレジスター１
００と、各垂直レジスターの一側に隣接しかつ互
に電気的に分離された光電変換部１０１と、垂直
シフトレジスターと光電変換部間の信号電荷の転
送を制御するトランスフアー電極１０２と、各垂
直シフトレジスターの一端に設けられた水平シフ
トレジスター１０３と水平レジスターの一端に設
けられた信号電荷を検出する装置１０４よりな
る。垂直シフトレジスターは端子１０６，１０７
よりパルスφ1，φ2によつて駆動され、トランス
フアーゲートは端子１０５からパルスφTによつ
て駆動される。
撮像装置は第１図に示すように同一電荷転送電極
群で駆動される複数列の垂直シフトレジスター１
００と、各垂直レジスターの一側に隣接しかつ互
に電気的に分離された光電変換部１０１と、垂直
シフトレジスターと光電変換部間の信号電荷の転
送を制御するトランスフアー電極１０２と、各垂
直シフトレジスターの一端に設けられた水平シフ
トレジスター１０３と水平レジスターの一端に設
けられた信号電荷を検出する装置１０４よりな
る。垂直シフトレジスターは端子１０６，１０７
よりパルスφ1，φ2によつて駆動され、トランス
フアーゲートは端子１０５からパルスφTによつ
て駆動される。
このようなインターライン転送方式による撮像
装置では光電変換部１０１に入射光量に応じて蓄
積された信号電荷はトランスフアーゲート１０２
を介してそれぞれ対応するシフトレジスター１０
０へ転送される。垂直シフトレジスターへ信号電
荷を転送したのちトランスフアーゲートが閉じら
れ光電変換部１０１は次の周期（フイールドある
いはフレーム）の信号電荷を蓄積する。一方垂直
レジスター１００に転送された信号電荷は並列に
垂直方向に転送され、各垂直レジスターの一水平
ラインごとに水平レジスター１０３に転送され
る。水平レジスターに送られた電荷は次に垂直シ
フトレジスターから信号電荷が転送されて来るま
でに水平方向に転送され電荷検出部１０４から時
系列の映像信号として外部にとりだされる。
装置では光電変換部１０１に入射光量に応じて蓄
積された信号電荷はトランスフアーゲート１０２
を介してそれぞれ対応するシフトレジスター１０
０へ転送される。垂直シフトレジスターへ信号電
荷を転送したのちトランスフアーゲートが閉じら
れ光電変換部１０１は次の周期（フイールドある
いはフレーム）の信号電荷を蓄積する。一方垂直
レジスター１００に転送された信号電荷は並列に
垂直方向に転送され、各垂直レジスターの一水平
ラインごとに水平レジスター１０３に転送され
る。水平レジスターに送られた電荷は次に垂直シ
フトレジスターから信号電荷が転送されて来るま
でに水平方向に転送され電荷検出部１０４から時
系列の映像信号として外部にとりだされる。
このようなインターライン転送方式の典形的な
単位セルの上面図を第２図ａに、第２図ａの−
′線、−′線および−′線に沿つた断面
図をそれぞれ第２図ｂ，ｃおよびｄに示す。以下
の説明において同一番号で表わされる部分は同一
の構造をもち同一の働らきをする。第２図におい
て単位セルはＰ型半導体基板２０１の主面に薄い
絶縁膜２０２を介して二相駆動垂直レジスターの
蓄積領域２１５、バリアー領域２１４上にそれぞ
れ形成された電荷転送電極２０３，２０４、光電
変換部１０１から垂直レジスターへの信号電荷の
転送を制御するトランスフアーゲート電極１０２
および基板半導体２０１と該基板半導体と異なる
導電型を有するＮ型導電形層２０５で構成される
Ｐ−Ｎ接合よりなる光電変換部１０１よりなり
各々の光電変換部は隣接する垂直シフトレジスタ
ーや他の光電変換部から基板と同一導電形でかつ
高濃度の不純物領域２０７と厚い絶縁膜２１１の
二重層によつて電気的に分離されている。
単位セルの上面図を第２図ａに、第２図ａの−
′線、−′線および−′線に沿つた断面
図をそれぞれ第２図ｂ，ｃおよびｄに示す。以下
の説明において同一番号で表わされる部分は同一
の構造をもち同一の働らきをする。第２図におい
て単位セルはＰ型半導体基板２０１の主面に薄い
絶縁膜２０２を介して二相駆動垂直レジスターの
蓄積領域２１５、バリアー領域２１４上にそれぞ
れ形成された電荷転送電極２０３，２０４、光電
変換部１０１から垂直レジスターへの信号電荷の
転送を制御するトランスフアーゲート電極１０２
および基板半導体２０１と該基板半導体と異なる
導電型を有するＮ型導電形層２０５で構成される
Ｐ−Ｎ接合よりなる光電変換部１０１よりなり
各々の光電変換部は隣接する垂直シフトレジスタ
ーや他の光電変換部から基板と同一導電形でかつ
高濃度の不純物領域２０７と厚い絶縁膜２１１の
二重層によつて電気的に分離されている。
また二つの転送電極２０３，２０４は互に絶縁
膜２０８で分離されている。また転送電極とトラ
ンスフアーゲート電極は絶縁膜２１３で分離され
ている。また光電変換部以外はたとえば金属層２
１２で光しやへいされている。なお第２図ａにお
いては光しやへい層は図示されていない。また絶
縁膜２０９は金属層による光しやへいの際に転送
電極２０３，２０４が短らくするのを防止してい
る。また２１０は埋込チヤネル電荷転送路を形成
するための基板と異つた導電型を有する層であ
り、２１２は二相駆動を実現するためにこの層中
に形成した基板と同じ導電型を有する層であるま
た一つの転送段を構成する転送電極２０３，２０
４は配線２１６によつて結合されておりこの例の
ように垂直レジスターに二相駆動を用いる場合に
は転送電極２０３，２０４を対として一つおきに
別々の転送パルスφ1，φ2が印加される。
膜２０８で分離されている。また転送電極とトラ
ンスフアーゲート電極は絶縁膜２１３で分離され
ている。また光電変換部以外はたとえば金属層２
１２で光しやへいされている。なお第２図ａにお
いては光しやへい層は図示されていない。また絶
縁膜２０９は金属層による光しやへいの際に転送
電極２０３，２０４が短らくするのを防止してい
る。また２１０は埋込チヤネル電荷転送路を形成
するための基板と異つた導電型を有する層であ
り、２１２は二相駆動を実現するためにこの層中
に形成した基板と同じ導電型を有する層であるま
た一つの転送段を構成する転送電極２０３，２０
４は配線２１６によつて結合されておりこの例の
ように垂直レジスターに二相駆動を用いる場合に
は転送電極２０３，２０４を対として一つおきに
別々の転送パルスφ1，φ2が印加される。
このような従来の電荷転送装置では、転送電極
２０３，２０４およびトランスフアーゲート電極
１０２が凹凸のある面上に配線されるため断線を
起し易い。また転送電極２０３，２０４は第２図
ａに矢印で示した領域Ａで細くなるため断線を起
したり配線抵抗が高くなつて高い周波数での電荷
転送が困難になる。また電極間相互や電極と光し
やへい層のオーバーラツプが多いためにそれらの
間がしばしば短絡する。また三層の電極配線と一
層の光しやへい層を必要とするため製造工程が多
くなり歩留りが悪くなる。更に構造が複雑で製造
時に種々のマージン（目合セ、オーバラツプ等）
を必要とするため微細化や多素子化が困難であつ
たり受光領域の開口率が小さくなる欠点があつ
た。
２０３，２０４およびトランスフアーゲート電極
１０２が凹凸のある面上に配線されるため断線を
起し易い。また転送電極２０３，２０４は第２図
ａに矢印で示した領域Ａで細くなるため断線を起
したり配線抵抗が高くなつて高い周波数での電荷
転送が困難になる。また電極間相互や電極と光し
やへい層のオーバーラツプが多いためにそれらの
間がしばしば短絡する。また三層の電極配線と一
層の光しやへい層を必要とするため製造工程が多
くなり歩留りが悪くなる。更に構造が複雑で製造
時に種々のマージン（目合セ、オーバラツプ等）
を必要とするため微細化や多素子化が困難であつ
たり受光領域の開口率が小さくなる欠点があつ
た。
本発明の目的は上記の欠点を無くした新しい構
造の電荷転送装置とその駆動法を提供することに
ある。
造の電荷転送装置とその駆動法を提供することに
ある。
本発明によれば半導体基板の主面に該半導体基
板と反対導電型の層を設け、その層上に二次元的
に配列した光電変換蓄積領域と複数個の電荷転送
レジスター領域と、基板と同じ導電型の領域とそ
の上の基板と反対の導電型の領域とからなり前記
二領域の間の電荷の移動を制御するトランスフア
ーゲート領域と水平レジスター領域と電荷検出領
域よりなり、この垂直方向電極下に転送方向に交
互に並んだ基板と同じ導電型の蓄積領域とバリア
ー領域が設けられ、蓄積領域の不純物濃度はバリ
アー領域のそれより高く、トランスフアーゲート
領域を間にはさんで一つの光電変換蓄積領域に一
つの蓄積領域が対応し、蓄積領域とバリアー領域
は一つおきに基板と反対導電型の層を表面に有
し、この層のない蓄積領域からこの層のある蓄積
領域へ向かつて電荷が転送される固体撮像装置に
おいて垂直レジスター領域の駆動電極が一個の垂
直方向電極よりなることを特徴とする固体撮像装
置が得られる。
板と反対導電型の層を設け、その層上に二次元的
に配列した光電変換蓄積領域と複数個の電荷転送
レジスター領域と、基板と同じ導電型の領域とそ
の上の基板と反対の導電型の領域とからなり前記
二領域の間の電荷の移動を制御するトランスフア
ーゲート領域と水平レジスター領域と電荷検出領
域よりなり、この垂直方向電極下に転送方向に交
互に並んだ基板と同じ導電型の蓄積領域とバリア
ー領域が設けられ、蓄積領域の不純物濃度はバリ
アー領域のそれより高く、トランスフアーゲート
領域を間にはさんで一つの光電変換蓄積領域に一
つの蓄積領域が対応し、蓄積領域とバリアー領域
は一つおきに基板と反対導電型の層を表面に有
し、この層のない蓄積領域からこの層のある蓄積
領域へ向かつて電荷が転送される固体撮像装置に
おいて垂直レジスター領域の駆動電極が一個の垂
直方向電極よりなることを特徴とする固体撮像装
置が得られる。
さらに本発明によれば半導体基板の主面に該半
導体と反対導電型の層を設け、その層上に二次元
的に配置した光電変換蓄積領域と、一個の垂直方
向電極により駆動されこの垂直方向電極下に転送
方向に交互に並んだ基板と同じ導電型の蓄積領域
とバリアー領域が設けられ、蓄積領域の不純物濃
度はバリアー領域のそれより高く、トランスフア
ーゲート領域を間にはさんで一つの光電変換蓄積
領域に一つの蓄積領域が対応し、蓄積領域とバリ
アー領域は一つおきに基板と反対導電型の層を表
面に有する電荷転送垂直レジスターと、基板と同
じ導電型の領域とその上の基板と反対導電型の領
域とからなるトランスフアーゲート領域と、水平
レジスターと電荷検出領域を設けてなる固体撮像
装置において光電変換時には前記半導体基板と前
記反対導電型層の間に大きな逆バイアス電圧を印
加し、該逆バイアス電圧を減ずることによつて光
電変換蓄積領域に蓄わえられた信号電荷を前記垂
直レジスターに移すことを特徴とする固体撮像装
置の駆動法が得られる。
導体と反対導電型の層を設け、その層上に二次元
的に配置した光電変換蓄積領域と、一個の垂直方
向電極により駆動されこの垂直方向電極下に転送
方向に交互に並んだ基板と同じ導電型の蓄積領域
とバリアー領域が設けられ、蓄積領域の不純物濃
度はバリアー領域のそれより高く、トランスフア
ーゲート領域を間にはさんで一つの光電変換蓄積
領域に一つの蓄積領域が対応し、蓄積領域とバリ
アー領域は一つおきに基板と反対導電型の層を表
面に有する電荷転送垂直レジスターと、基板と同
じ導電型の領域とその上の基板と反対導電型の領
域とからなるトランスフアーゲート領域と、水平
レジスターと電荷検出領域を設けてなる固体撮像
装置において光電変換時には前記半導体基板と前
記反対導電型層の間に大きな逆バイアス電圧を印
加し、該逆バイアス電圧を減ずることによつて光
電変換蓄積領域に蓄わえられた信号電荷を前記垂
直レジスターに移すことを特徴とする固体撮像装
置の駆動法が得られる。
前記本発明では従来構造ではきわめて複雑な構
造をしていた垂直レジスターとトランスフアーゲ
ート領域が垂直方向の単一の電極によつて形成出
来るので前述の欠点を克服出来る。また後述する
ように本発明は残像の少ないフイールド蓄積モー
ドで駆動出来る。
造をしていた垂直レジスターとトランスフアーゲ
ート領域が垂直方向の単一の電極によつて形成出
来るので前述の欠点を克服出来る。また後述する
ように本発明は残像の少ないフイールド蓄積モー
ドで駆動出来る。
次に本発明の実施例について図面を用いて具体
的に説明する。以後の本発明の実施例の説明はＮ
チヤネルの半導体装置について行うが、本発明は
Ｐチヤネルの場合についても適用出来ることは云
うまでもない。
的に説明する。以後の本発明の実施例の説明はＮ
チヤネルの半導体装置について行うが、本発明は
Ｐチヤネルの場合についても適用出来ることは云
うまでもない。
第３図および第４図は本発明の構造の一実施例
を示し第３図は全体図、第４図はその単位セルの
構造を示す。第４図においてａは単位セルの上面
図、ｂ図およびｃ図はａ図の−′線、−
′線に沿つた断面図を示している。従来構造と
の大きな違いは第３図および第４図より解るよう
に従来構造におけるトランスフアーゲートはなく
垂直レジスター電極が薄い酸化膜２０２の上に形
成された一層の垂直方向電極３０１に置き換えら
れていることである。
を示し第３図は全体図、第４図はその単位セルの
構造を示す。第４図においてａは単位セルの上面
図、ｂ図およびｃ図はａ図の−′線、−
′線に沿つた断面図を示している。従来構造と
の大きな違いは第３図および第４図より解るよう
に従来構造におけるトランスフアーゲートはなく
垂直レジスター電極が薄い酸化膜２０２の上に形
成された一層の垂直方向電極３０１に置き換えら
れていることである。
もう一つの大きな違いは活性領域がＮ基板４１
２上のＰウエル４１３中に作れていることであ
る。次にこれらの部分の構造と動作について説明
する。まず、垂直レジスター部は四つの領域４０
１，４０２，４０３，４０４よりなりその不純物
分布はそれぞれ異つている。すなわち４０１，４
０２に対応する部分ではＰウエル４１３上にそれ
ぞれＮ領域４０７（ドナー濃度N4）および４０
６（ドナー濃度N3）が形成されており、更にそ
の上にP+領域４０５が形成されている。また４
０３，４０４に対応する部分はＰウエル４１３上
にそれぞれＮ領域４０９（ドナー濃度N2）およ
び４０８（ドナ濃度N1）が形成されている。
２上のＰウエル４１３中に作れていることであ
る。次にこれらの部分の構造と動作について説明
する。まず、垂直レジスター部は四つの領域４０
１，４０２，４０３，４０４よりなりその不純物
分布はそれぞれ異つている。すなわち４０１，４
０２に対応する部分ではＰウエル４１３上にそれ
ぞれＮ領域４０７（ドナー濃度N4）および４０
６（ドナー濃度N3）が形成されており、更にそ
の上にP+領域４０５が形成されている。また４
０３，４０４に対応する部分はＰウエル４１３上
にそれぞれＮ領域４０９（ドナー濃度N2）およ
び４０８（ドナ濃度N1）が形成されている。
Ｐウエル４１３のアクセプター濃度は１×
1014／cm3程度であり、Ｎ領域４０７，４０９のド
ナー濃度は１×1015／cm3程度、Ｎ領域４０８，４
０６のドナー濃度は５×1014／cm3程度、P+領域４
０５のアクセプター濃度は５×1015／cm3程度であ
る。また光電変換領域４１４のドナー濃度は１×
1015cm-3程度で深さは約3μmである。またトラン
スフアーゲート部は薄い島状領域上にｎ領域４１
１が設けられ更にその上にＰ領域４１０が設けて
成つている。ｎ領域４１１の厚さは約1.5μmで不
純物濃度は１×1015／cm3程度であり、ｐ領域４１
０の厚さ約2μm、不純物濃度は５×1015／cm3程度
である。
1014／cm3程度であり、Ｎ領域４０７，４０９のド
ナー濃度は１×1015／cm3程度、Ｎ領域４０８，４
０６のドナー濃度は５×1014／cm3程度、P+領域４
０５のアクセプター濃度は５×1015／cm3程度であ
る。また光電変換領域４１４のドナー濃度は１×
1015cm-3程度で深さは約3μmである。またトラン
スフアーゲート部は薄い島状領域上にｎ領域４１
１が設けられ更にその上にＰ領域４１０が設けて
成つている。ｎ領域４１１の厚さは約1.5μmで不
純物濃度は１×1015／cm3程度であり、ｐ領域４１
０の厚さ約2μm、不純物濃度は５×1015／cm3程度
である。
ドナー濃度N1〜N4を適切に選ぶと、これらの
Ｎ領域をデプレツシヨン（depletion）にしたと
きのその中の最大電位naxと垂直方向電極電圧φP
の関係を第５図５０１〜５０４のようにすること
が出来る。即ち領域４０１のnaxと領域４０２の
naxはP+領域４０５が存在するためにφPに無関
係でありかつ領域４０１のnaxは領域４０２の
naxより大になつている。また領域４０３のnax
と領域４０４のnaxはＰ領域がないためφPの関数
となりφPが高いとき（φP＝φH Pのとき）には共に
領域４０１，４０２のnaxより高くなりφPが低い
（φP＝φL Pのとき）ときには共に低くなつている。
またφPにかゝわらず領域４０３のnaxは４０４の
naxより高くなつている。領域４０１と４０３は
シフトレジスターの蓄積領域であり領域４０２と
４０４はバリアー領域である。トランスフアーゲ
ートに対応する領域はＰウエル上にＮ領域４１１
が形成されその上にＰ領域４１０が形成されてい
る。この部分の動作は領域４０１，４０２と原理
的に同じであるがデバイスの動作上重要であるの
でくわしく説明しておく。
Ｎ領域をデプレツシヨン（depletion）にしたと
きのその中の最大電位naxと垂直方向電極電圧φP
の関係を第５図５０１〜５０４のようにすること
が出来る。即ち領域４０１のnaxと領域４０２の
naxはP+領域４０５が存在するためにφPに無関
係でありかつ領域４０１のnaxは領域４０２の
naxより大になつている。また領域４０３のnax
と領域４０４のnaxはＰ領域がないためφPの関数
となりφPが高いとき（φP＝φH Pのとき）には共に
領域４０１，４０２のnaxより高くなりφPが低い
（φP＝φL Pのとき）ときには共に低くなつている。
またφPにかゝわらず領域４０３のnaxは４０４の
naxより高くなつている。領域４０１と４０３は
シフトレジスターの蓄積領域であり領域４０２と
４０４はバリアー領域である。トランスフアーゲ
ートに対応する領域はＰウエル上にＮ領域４１１
が形成されその上にＰ領域４１０が形成されてい
る。この部分の動作は領域４０１，４０２と原理
的に同じであるがデバイスの動作上重要であるの
でくわしく説明しておく。
第６図ａはトランスフアーゲートに対応する領
域の厚さ方向の構造、第６図ｂはトランスフアー
ゲート対応領域のSiO2膜表面の電位VTGと深さ方
向の電位分布の関係を示している。このSiO2上
には電極はないがその表面の電位はφPの振巾の
範囲で変化する可能性がある。VTGが負、あるい
は正で小さいときにはＰ領域４１０は空乏化しな
いのでＮ領域４１１中の最大電位TG
域の厚さ方向の構造、第６図ｂはトランスフアー
ゲート対応領域のSiO2膜表面の電位VTGと深さ方
向の電位分布の関係を示している。このSiO2上
には電極はないがその表面の電位はφPの振巾の
範囲で変化する可能性がある。VTGが負、あるい
は正で小さいときにはＰ領域４１０は空乏化しな
いのでＮ領域４１１中の最大電位TG
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板の主面に該半導体基板と反対導電
型の層を設け、その層上に二次元的に配列した光
電変換蓄積領域と複数個の電荷転送垂直レジスタ
ー領域と、基板と同じ導電型の領域とその上の基
板と反対の導電型の領域とからなり前記二領域の
間の電荷の移動を制御するトランスフアーゲート
領域と水平レジスター領域と電荷検出領域を設け
た固体撮像装置であつて、電荷転送垂直レジスタ
ー領域の駆動電極が一個の垂直方向電極よりな
り、この垂直方向電極下に転送方向に交互に並ん
だ基板と同じ導電型の蓄積領域とバリアー領域が
設けられ、蓄積領域の不純物濃度はバリアー領域
のそれより高く、トランスフアゲート領域を間に
はさんで一つの光電変換蓄積領域に一つの蓄積領
域が対応し、蓄積領域とバリアー領域は一つおき
に基板と反対導電型の層を表面に有し、この層の
ない蓄積領域からこの層のある蓄積領域へ向かつ
て電荷が転送されることを特徴とする固体撮像装
置。 ２ 半導体基板の主面に該半導体基板と反対導電
型の層を設け、その層上に二次元的に配置した光
電変換蓄積領域と、一個の垂直方向電極により駆
動されこの垂直方向電極下に転送方向に交互に並
んだ基板と同じ導電型の蓄積領域とバリアー領域
が設けられ、蓄積領域の不純物濃度はバリアー領
域のそれより高く、トランスフアゲート領域を間
にはさんで一つの光電変換蓄積領域に一つの蓄積
領域が対応し、蓄積領域とバリアー領域は一つお
きに基板と反対導電型の層を表面に有する電荷転
送垂直レジスターと、基板と同じ導電型の領域と
その上の基板と反対導電型の領域とからなるトラ
ンスフアーゲート領域と、水平レジスターと電荷
検出領域を設けてなる固体撮像装置の駆動法であ
つて、光電変換時には前記半導体基板と前記反対
導電型層の間に大きな逆バイアス電圧を印加し、
該逆バイアス電圧を減することによつて光電変換
蓄積領域に蓄えられた信号電荷を前記電荷転送垂
直レジスターに移すことを特徴とする固体撮像装
置の駆動法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56149168A JPS5850874A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 固体撮像装置およびその駆動法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56149168A JPS5850874A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 固体撮像装置およびその駆動法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5850874A JPS5850874A (ja) | 1983-03-25 |
| JPH0322755B2 true JPH0322755B2 (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=15469277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56149168A Granted JPS5850874A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 固体撮像装置およびその駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5850874A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4389720B2 (ja) | 2004-08-09 | 2009-12-24 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 |
| JP4525235B2 (ja) * | 2004-08-09 | 2010-08-18 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
| JP4389737B2 (ja) | 2004-09-22 | 2009-12-24 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54124480U (ja) * | 1978-02-20 | 1979-08-31 |
-
1981
- 1981-09-21 JP JP56149168A patent/JPS5850874A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5850874A (ja) | 1983-03-25 |
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