JPS6074629A - 薄膜のパタ−ン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、基板上にポジ形レジストとネガ形レジストを
二重に塗布することＫより、高い歩留シで薄膜のパター
ンを形成する方法に関するものである。

従来この種のパターン形成方法は、レジストの端面が逆
テーバになっていないため、薄膜を堆積した後、レジス
トを除去して薄、膜をバターニングする際に、基板上に
残す薄膜も同時に除去される可能性が高かった。そのた
め薄膜パターンが設計値よりも小さくなった〕、断切れ
するという欠点があった。

本発明は、上記のよ５４欠点をなくすためになされたも
のであシ、ポジ形レジストとネガ形レジストを二重に塗
布し、端面を逆テーパ形に形成する工程の彼、薄ｇ’ｅ
堆積し、レンス）１−除去する工程を行うことによって
、歩留り良（薄膜をパターニングすることを目的とした
ものである。

以下図面によって本発明の薄膜パターン形成方法の一例
を詳述する。

第１図は、基板１の上にポジ形レジスト２を塗布し、続
いてネガ形レジスト３を塗布する工程でおる。基板１の
例としては、シリコン、石英などがあるが、他にも目的
に応じて使用できる。

ポジ形レジスト２は、い（つか種類があるが、ココでｉ
ｊ、０ＦＰＲ’ｉスピンコーターによシ厚さ０．８μ常
から約１μ常の間で塗布する。ネガ形レジスト３は、ポ
ジ形レジスト２と同様にいくつか種類があるが、ここで
は、’ＯＭＲ−８５をスピンコーターによシ厚さ０．８
μ常から約１μ淋の間で塗布する。

第２　図ｉｔ、　、ネガ形レジスト３をバターニングす
る工程である。ここでは、フォトリソグラフィ技術を使
った実施例について説明する。約９０℃で加分間のプリ
ベークを行なった後、マスクアライナ−で露光した後に
、現像し、バターニングする第３図は、ポジ形レジスト
２をマスクを使用せず全面露光した後、現像してバター
ニングする工程である。約９０℃でｍ分間のプリベーク
を行なった後、了ライナーを使用して、全面を露光する
。この時ネガ形レジスト３の除去された部分のポジ形レ
ジスト２は、十分露光、現像される。このため第３図に
示すように、ポジ形レジスト２の領域は、ネガ形レジス
ト３の領域よりも狭くなシ、逆テーパーの断面構造にな
る。

箇４図は、薄膜４を均一に堆積する工程である。薄膜材
料は多数あるが、例としては、■ＴＯ（工ｎｄｉｗｍ　
−Ｔ０ｎ　−０ｗ１ｄｅ　）　、　Ａｔ−Ｓ　ｉなどを
、スパッタ法により均一に堆積させる方法がある。この
際、薄膜４の膜厚は、ポジ形レジスト２の膜厚よシも薄
くする必要がある。

第５図は、第４図のポジ形レジスト２、ネガ形レジスト
３を除去し、薄膜４を基板１上に残す工程である。たと
えばレジストの除去には、発煙硝酸を使う方法がある。

以上実施例を述べてきたが、レジストと薄膜の、膜厚は
設計に応じて変えることができる。

本発明は、第１図から第５図に示すように、ポジ形レジ
スト２とネガ形レジスト３とを二重に塗布し、逆テーパ
ー構造にするため、以下に述べる効果を有する。

（１）　レジストヲ除去した後の薄膜パターンは、途中
で切れたシ、小さくなることがなく、はぼ設計値どおり
のものが形成できるので、薄膜パターン形成の歩留りは
向上する。

（２）第５図薄膜４の断面は、テーパー状になっている
ので、さらに他の薄膜を堆積した時に、第５図薄膜４の
ステップでのカバーが良くなる。

【図面の簡単な説明】

第１図から第５図までは、本発明の製造方法の工程順を
説明する几めの断面図である。 １゜、基板 ２゜、ポジ形レジスト ３０．ネガ形レジスト ４゜、薄膜 以上 出願人　株式会社第二精工舎 代理人　弁理士最上　務 ５−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に、ポジ形レジストを塗布し、さらにネガ形レジ
   ストを塗布する工程と、前記ネガ形１ノジストヲ部分的
   に露光現像しパターン形成する工程と、全面露光によシ
   、前記ネガ形レジストの除去された部分のポジ形しンス
   トヲ十分露光現像し、除去することで逆テーバのついた
   端面ヲ有するレジストを形成する工程と、全面に薄膜を
   堆積した後、前記ポジ形レジストとネガ形レジストとを
   除去し、前記薄膜を前記基板上に残す工程とからなる薄
   膜のパターン形成方法。